本實(shí)用新型涉及電子產(chǎn)品技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型電抗器。

背景技術(shù)：

目前在大功率變化器應(yīng)用上，常使用電抗器抑制電流紋波、改善功率因素。隨著開關(guān)元件的發(fā)展，開關(guān)頻率不斷提高，特別是開關(guān)頻率達(dá)到5kHz以上，傳統(tǒng)直接使用矽鋼片材料并開氣隙的電抗器，由于損耗較大及效率較低的原因會慢慢變得不太適用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型提供的一種新型電抗器，具有額外渦流損耗小、磁芯損耗較小及使用壽命較長的特點(diǎn)。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案為：

一種新型電抗器，包括磁芯結(jié)構(gòu)，及設(shè)置在所述磁芯結(jié)構(gòu)外側(cè)的繞組，所述磁芯結(jié)構(gòu)上端和下端上分別設(shè)置有上蓋板和下蓋板，所述磁芯結(jié)構(gòu)包括與所述上蓋板連接的上軛部，與所述下蓋板連接的下軛部，一端與所述上軛部連接、另一端與所述下軛部連接的芯柱組件；每一所述芯柱組件包括不少于2個的芯柱主體，及設(shè)置在芯柱主體之間、設(shè)置在所述芯柱主體和所述上軛部之間和設(shè)置在所述芯柱主體和所述下軛部之間的平衡氣隙結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述平衡氣隙結(jié)構(gòu)包括：平衡磁性層及與所述平衡磁性層相接的氣隙。

優(yōu)選地，所述氣隙內(nèi)設(shè)置有絕緣隔磁塊。

優(yōu)選地，所述平衡磁性層的厚度與所述氣隙的厚度比值為4-15。

優(yōu)選地，所述絕緣隔磁塊的磁導(dǎo)率為1。

優(yōu)選地，所述上蓋板的寬度大于所述上軛部的寬度，所述下蓋板的寬度大于所述下軛部的寬度。

優(yōu)選地，所述芯柱主體的橫截面為矩形。

本實(shí)用新型的一種新型電抗器，通過在所述上軛部和所述下軛部上分別設(shè)置所述上蓋板和所述下蓋板，帶來了優(yōu)異的直流偏置特性，從而有效降低了磁芯結(jié)構(gòu)的損耗。通過設(shè)置所述平衡氣隙結(jié)構(gòu)，使得本實(shí)用新型具有額外渦流損耗較小的特點(diǎn)，進(jìn)一步地，提升了本實(shí)用新型的使用壽命。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型一種新型電抗器的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型的磁芯結(jié)構(gòu)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖，具體闡明本實(shí)用新型的實(shí)施方式，附圖僅供參考和說明使用，不構(gòu)成對本實(shí)用新型專利保護(hù)范圍的限制。

請參考圖1及圖2，本實(shí)用新型一種新型電抗器，包括：磁芯結(jié)構(gòu)1、設(shè)置在所述磁芯結(jié)構(gòu)1外側(cè)的繞組2，設(shè)置在所述磁芯結(jié)構(gòu)1上端部的上蓋板3，及設(shè)置在所述磁芯結(jié)構(gòu)1下端部的下蓋板4。

具體地，所述磁芯結(jié)構(gòu)1包括上軛部11、下軛部12及芯柱組件13。其中，所述上軛部11設(shè)置在所述上蓋板3的下方，所述下軛部12設(shè)置在所述下蓋板4的上方，每一所述芯柱組件13包括：不少于2個的芯柱主體131，及設(shè)置在芯柱主體131之間、設(shè)置在所述芯柱主體131和所述上軛部12之間和設(shè)置在所述芯柱主體131和所述下軛部12之間的平衡氣隙結(jié)構(gòu)132，所述平衡氣隙結(jié)構(gòu)132包括：平衡磁性層1321及與所述平衡磁性層1321相接的氣隙1322.，所述氣隙1322內(nèi)設(shè)置有絕緣隔磁塊。更具體地，所述上蓋板3的寬度大于所述上軛部11的寬度，所述下蓋板4的寬度大于所述下軛部12的寬度，所述平衡磁性層1321的厚度與所述氣隙1322的厚度比值為4-15，所述絕緣隔磁塊的磁導(dǎo)率為1。進(jìn)一步地，所述芯柱組件13分別設(shè)置在所述上軛部11和所述下軛部12的左右兩端，所述芯柱主體131的橫截面為矩形，所述兩芯柱主體131之間設(shè)置有所述平衡氣隙結(jié)構(gòu)132，所述芯柱主體131和所述上軛部11之間設(shè)置有所述平衡氣隙結(jié)構(gòu)132，所述芯柱主體131和所述下軛部12之間設(shè)置有所述平衡氣隙結(jié)構(gòu)132。

從以上描述可以看出，本實(shí)用新型的一種新型電抗器，通過在所述上軛部11和所述下軛部12上分別設(shè)置所述上蓋板3和所述下蓋板4，結(jié)合所述磁芯結(jié)構(gòu)1的設(shè)置，給本實(shí)用新型帶來了優(yōu)異的直流偏置特性，從而有效降低了所述磁芯結(jié)構(gòu)1的損耗。通過設(shè)置所述平衡氣隙結(jié)構(gòu)132，使得本實(shí)用新型具有額外渦流損耗較小的特點(diǎn)，進(jìn)一步地，提升了本實(shí)用新型的使用壽命

以上所揭露的僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，不能以此來限定本實(shí)用新型的權(quán)利保護(hù)范圍，因此依本實(shí)用新型申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本實(shí)用新型所涵蓋的范圍。