技術(shù)特征：

1.一種硅基短/中波疊層雙色碲鎘汞材料，其特征在于，包括：硅基復(fù)合襯底，以及在所述硅基復(fù)合襯底上由下到上依次排列的碲鎘汞短波吸收層、碲鎘汞阻擋層和碲鎘汞中波吸收層；

所述碲鎘汞短波吸收層為Hg_1-xCd_xTe，其中x＝0.4；

所述碲鎘汞阻擋層為Hg_1-xCd_xTe，其中x＝0.5；

所述碲鎘汞中波吸收層為Hg_1-xCd_xTe，其中x＝0.3。

2.如權(quán)利要求1所述的硅基短/中波疊層雙色碲鎘汞材料，其特征在于，所述硅基復(fù)合襯底由下到上依次包括：硅襯底、在所述硅襯底上依次排列的砷鈍化層、碲化鋅緩沖層、以及碲化鎘緩沖層。

3.如權(quán)利要求1或2所述的硅基短/中波疊層雙色碲鎘汞材料，其特征在于，

所述碲鎘汞短波吸收層的厚度為5～6μm；

所述碲鎘汞阻擋層的厚度為1.0～1.2μm；

所述碲鎘汞中波吸收層的厚度為4.5～4.8μm。

4.如權(quán)利要求3所述的硅基短/中波疊層雙色碲鎘汞材料，其特征在于，

所述碲鎘汞短波吸收層的厚度為5μm；

所述碲鎘汞阻擋層的厚度為1.2μm；

所述碲鎘汞中波吸收層的厚度為4.5μm。