本實(shí)用新型涉及光伏發(fā)電技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種新型太陽(yáng)能多晶硅片。

背景技術(shù)：

已知隨著全球經(jīng)濟(jì)的不斷發(fā)展，能源消耗不斷急劇增大，其中對(duì)于化石燃料使用在增大，從而導(dǎo)致資源的日漸減少，而且造成了大量二氧化碳?xì)怏w的排放，因此現(xiàn)在社會(huì)和政府越來(lái)越重視可再生能源的開(kāi)發(fā)與利用，特別是光伏發(fā)電的開(kāi)發(fā)利用，其中的多晶硅太陽(yáng)能電池兼具單晶硅電池的高轉(zhuǎn)換效率和長(zhǎng)壽面以及非晶硅薄膜電池的材料制備工藝，然而現(xiàn)有的多晶硅太陽(yáng)能電池存在轉(zhuǎn)換效率不高，易碎等缺點(diǎn)，而且其結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，不利于生產(chǎn)與制造，從而加大了成本的投入，不適合大面積的推廣。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足，本實(shí)用新型提供了一種新型太陽(yáng)能多晶硅片。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型所采取的技術(shù)方案是：

一種新型太陽(yáng)能多晶硅片，包括本體，本體由多硅晶片構(gòu)成，本體上表面設(shè)置有一腐蝕制絨成的絨面，絨面上間隔分布有凹槽，凹槽中安裝有玻璃面板，多硅晶片之間的間隔距離為6mm～7mm，多硅晶片之間通過(guò)基板相互連接，基板的長(zhǎng)度與凹槽中玻璃面板的長(zhǎng)度相一致，本體下表面涂覆有一氮化硅層，本體四周設(shè)置有順丁橡膠層，順丁橡膠層將本體、絨面和氮化硅層四周包覆住，順丁橡膠層外表面設(shè)置有絕緣保護(hù)膜層，通過(guò)絕緣保護(hù)膜層有利于方便人們的安全使用，也有利于延長(zhǎng)其設(shè)備的使用壽命。

所述本體的厚度為180μm～200μm。

所述氮化硅層的厚度為100μm。

所述多硅晶片之間的間隔距離為6.5mm。

所述基板為白色反光層或銀色反光層，提高了發(fā)射率。

本實(shí)用新型的有益效果：本實(shí)用新型本體上表面設(shè)置有一腐蝕制絨成的絨面，絨面上間隔分布有凹槽，凹槽中安裝有玻璃面板，多硅晶片之間的間隔距離為6mm～7mm，多硅晶片之間通過(guò)基板相互連接，基板的長(zhǎng)度與凹槽中玻璃面板的長(zhǎng)度相一致，本體下表面涂覆有一氮化硅層，一方面多硅晶片之間的基板上太陽(yáng)能能夠反射到絨面凹槽的玻璃面板中，玻璃面板將部分陽(yáng)光再經(jīng)過(guò)反射到多硅晶片上，從而增加了多硅晶片的上光強(qiáng)度，提高了光電轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)化率，另一方面絨面和氮化硅層也提高了轉(zhuǎn)化率；本體四周設(shè)置有順丁橡膠層，順丁橡膠層將本體、絨面和氮化硅層四周包覆住，降低了其在運(yùn)輸過(guò)程中的破損情況。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

如圖1所示，一種新型太陽(yáng)能多晶硅片，包括本體，本體由多硅晶片1構(gòu)成，所述本體的厚度為180μm～200μm，本體上表面設(shè)置有一腐蝕制絨成的絨面2，絨面2上間隔分布有凹槽21，凹槽21中安裝有玻璃面板22，多硅晶片1之間的間隔距離為6mm～7mm，所述多硅晶片1之間的間隔距離為6.5mm，多硅晶片1之間通過(guò)基板1相互連接，基板12的長(zhǎng)度與凹槽21中玻璃面板22的長(zhǎng)度相一致，所述基板12為白色反光層或銀色反光層，提高了發(fā)射率，本體1下表面涂覆有一氮化硅層3，所述氮化硅層3的厚度為100μm，本體四周設(shè)置有順丁橡膠層4，順丁橡膠層4將本體1、絨面2和氮化硅層3四周包覆住，順丁橡膠層4外表面設(shè)置有絕緣保護(hù)膜層5，通過(guò)絕緣保護(hù)膜層5有利于方便人們的安全使用，也有利于延長(zhǎng)其設(shè)備的使用壽命。

本實(shí)用新型在使用的過(guò)程中由于本體上表面設(shè)置有一腐蝕制絨成的絨面2，絨面2上間隔分布有凹槽21，凹槽21中安裝有玻璃面板22，陽(yáng)光部分被照射到多硅晶片1之間的基板11上，由于基板11為白色反光層或銀色反光層，從而提高了發(fā)射到多晶硅片1上的陽(yáng)光，從而提高了光電轉(zhuǎn)化率，再加上本體上表面設(shè)置有絨面2，本體下表面設(shè)置有氮化硅層3，也有利于提高轉(zhuǎn)化率，從而使得太陽(yáng)能多晶硅片1的光電轉(zhuǎn)化率得到大大的提高，同時(shí)在本體四周包覆有順丁橡膠層4，順丁橡膠層4外表面設(shè)有絕緣保護(hù)膜層5，從而大大提高了其使用壽命。

本實(shí)用新型的有益效果：本實(shí)用新型本體上表面設(shè)置有一腐蝕制絨成的絨面，絨面上間隔分布有凹槽，凹槽中安裝有玻璃面板，多硅晶片之間的間隔距離為6mm～7mm，多硅晶片之間通過(guò)基板相互連接，基板的長(zhǎng)度與凹槽中玻璃面板的長(zhǎng)度相一致，本體下表面涂覆有一氮化硅層，一方面多硅晶片之間的基板上太陽(yáng)能能夠反射到絨面凹槽的玻璃面板中，玻璃面板將部分陽(yáng)光再經(jīng)過(guò)反射到多硅晶片上，從而增加了多硅晶片的上光強(qiáng)度，提高了光電轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)化率，另一方面絨面和氮化硅層也提高了轉(zhuǎn)化率；本體四周設(shè)置有順丁橡膠層，順丁橡膠層將本體、絨面和氮化硅層四周包覆住，降低了其在運(yùn)輸過(guò)程中的破損情況。