本實(shí)用新型實(shí)施例涉及指紋識(shí)別芯片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種指紋識(shí)別模組及指紋識(shí)別芯片封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

由于移動(dòng)終端的越做越薄的趨勢(shì)，在移動(dòng)終端中適用的指紋識(shí)別芯片也越做越薄。現(xiàn)有的指紋識(shí)別芯片的封裝，為減少其厚度，采用硅通孔(TSV，Through Silicon Vias),trench挖槽工藝等技術(shù)，甚至把前兩者再結(jié)合傳統(tǒng)基板封裝工藝把芯片封裝到基板，以指紋芯片線路層作為基準(zhǔn)平面進(jìn)行塑封，與原始的采用打線工藝再進(jìn)行相比，指紋識(shí)別芯片的指紋感應(yīng)區(qū)減少了一塑封層，從而大大減少了指紋識(shí)別芯片封裝完成后的厚度。

但采用這種封裝結(jié)構(gòu)的指紋識(shí)別芯片，指紋感應(yīng)區(qū)無(wú)法得到有效的保護(hù)，在應(yīng)用到下游移動(dòng)終端的生產(chǎn)組裝過(guò)程中極易損壞。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型實(shí)施例的目的在于提供一種指紋識(shí)別模組及指紋識(shí)別芯片封裝結(jié)構(gòu)，以在不影響指紋識(shí)別芯片厚度的基礎(chǔ)上，為指紋識(shí)別芯片在下游模組組裝等加工環(huán)節(jié)提供保護(hù)。

本實(shí)用新型實(shí)施例采用的技術(shù)方案如下：

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種指紋識(shí)別模組，包括指紋識(shí)別芯片以及對(duì)所述指紋識(shí)別芯片進(jìn)行封裝的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)使所述指紋識(shí)別芯片的指紋感應(yīng)區(qū)裸露，所述指紋感應(yīng)區(qū)的膜層上表面具有預(yù)設(shè)厚度的保護(hù)層，所述保護(hù)層保護(hù)裸露在所述封裝結(jié)構(gòu)外的所述指紋感應(yīng)區(qū)并使所述指紋識(shí)別芯片具有定義的指紋識(shí)別距離。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，還包括：與外部電路電連接的焊球陣列，所述焊球陣列位于所述指紋識(shí)別芯片的下方，并通過(guò)指紋識(shí)別芯片下表面的焊盤(pán)與所述指紋識(shí)別芯片的硅通孔結(jié)構(gòu)電連接，令所述指紋識(shí)別芯片與所述外部電路電連接。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，在所述焊球陣列下方設(shè)置有基板，所述基板下方設(shè)置有觸點(diǎn)陣列，所述焊球陣列通過(guò)所述觸點(diǎn)陣列與所述外部電路電連接。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括塑封體，所述塑封體設(shè)置在所述基板上且圍繞所述指紋識(shí)別芯片。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，所述塑封體的上表面與所述保護(hù)層的上表面處于同一水平面。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，在所述指紋識(shí)別芯片的下表面設(shè)置有焊盤(pán)，所述焊盤(pán)下方設(shè)置有基板，所述指紋識(shí)別芯片上設(shè)置有使所述指紋識(shí)別芯片與所述焊盤(pán)上的電路電連接的槽結(jié)構(gòu)，所述基板下方設(shè)置有與外圍電路電連接的觸點(diǎn)陣列，所述焊盤(pán)與所述觸點(diǎn)陣列電連接，使所述指紋識(shí)別芯片通過(guò)所述觸點(diǎn)陣列與外圍電路電連接。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，所述保護(hù)層為鈍化層。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，所述鈍化層為具有介電功能的有機(jī)物鈍化層或無(wú)機(jī)物鈍化層。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，所述鈍化層的介電常數(shù)大于3。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，所述鈍化層為通過(guò)旋涂涂布、噴涂涂布、氣相沉積或者模具注塑形成。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，所述鈍化層的厚度為10～20um。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，在所述鈍化層上方設(shè)置有蓋板，所述蓋板與所述鈍化層貼合并作為與手指接觸的工作面。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，所述蓋板通過(guò)樹(shù)脂類膠水與所述鈍化層貼合，所述鈍化層為與所述樹(shù)脂類膠水適配的高表面能鈍化層。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，所述鈍化層直接作為與手指接觸的工作面。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，所述指紋識(shí)別芯片包括裸晶芯片、晶圓級(jí)芯片或者封裝芯片中的任一種。

優(yōu)選的，在本實(shí)用新型任一實(shí)施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)包括露芯片封裝結(jié)構(gòu)、基板類封裝結(jié)構(gòu)、框架類封裝結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)使所述指紋識(shí)別芯片的指紋感應(yīng)區(qū)裸露，所述指紋感應(yīng)區(qū)的膜層上表面具有預(yù)設(shè)厚度的保護(hù)層，所述保護(hù)層保護(hù)裸露在所述封裝結(jié)構(gòu)外的所述指紋感應(yīng)區(qū)并使所述指紋識(shí)別芯片具有定義的指紋識(shí)別距離。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種指紋識(shí)別模組及指紋識(shí)別芯片封裝結(jié)構(gòu)，在露芯片封裝的基礎(chǔ)上，通過(guò)在指紋識(shí)別芯片的上表面增加保護(hù)層，在保證指紋識(shí)別芯片具有定義的指紋識(shí)別距離的基礎(chǔ)上，為指紋識(shí)別芯片在下游的模組組裝等加工環(huán)節(jié)提供足夠的保護(hù)。

附圖說(shuō)明

為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作一簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見(jiàn)地，下面描述中的附圖是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中指紋識(shí)別芯片及其封裝結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為現(xiàn)有技術(shù)中的指紋識(shí)別芯片結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種指紋識(shí)別模組結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種指紋識(shí)別模組結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種指紋識(shí)別模組結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種指紋識(shí)別模組結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本實(shí)用新型實(shí)施例提供的一種指紋識(shí)別模組結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有作出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

下面通過(guò)具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型的技術(shù)方案做進(jìn)一步的說(shuō)明。

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中指紋識(shí)別芯片及其封裝結(jié)構(gòu)示意圖，如圖1所示，指紋識(shí)別芯片1的封裝結(jié)構(gòu)包括指紋識(shí)別芯片1底部的基板201與指紋識(shí)別芯片1四周的塑封體202，指紋識(shí)別芯片1的感應(yīng)區(qū)的上表面與塑封體的上表面在同一水平面上，從而將指紋感應(yīng)區(qū)101裸露在封裝結(jié)構(gòu)外。

采用裸露芯片的封裝方法封裝完成后，由于指紋識(shí)別芯片1的感應(yīng)區(qū)裸露在封裝結(jié)構(gòu)外，在下游的模組組裝等加工環(huán)節(jié)，裸露在外的指紋識(shí)別芯片1指紋感應(yīng)區(qū)101極易損壞，因此，需要在進(jìn)行下游模組組裝等加工環(huán)節(jié)前，為指紋識(shí)別芯片1的指紋感應(yīng)區(qū)101提供足夠的保護(hù)。具體的，指紋識(shí)別芯片1的指紋感應(yīng)區(qū)101上表面的膜層102在晶圓制造后就存在了，如圖2所示，該膜層102材料一般為SiO2(二氧化硅)和Si3N4(氮化硅)兩種材料疊層。兩者的疊層厚度比例依據(jù)不同的制造工廠會(huì)有差異，但由于加工工藝的限制，一般的總厚度層在1～3um之間。由于膜層102的厚度較小，導(dǎo)致膜層102并不能在指紋識(shí)別芯片1的下游模組組裝等加工環(huán)節(jié)為指紋感應(yīng)區(qū)101提供足夠的保護(hù)。

有鑒于此，本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種指紋識(shí)別模組，如圖3所示，指紋識(shí)別模組包括指紋識(shí)別芯片1以及對(duì)所述指紋識(shí)別芯片1進(jìn)行封裝的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)使所述指紋識(shí)別芯片1的指紋感應(yīng)區(qū)101裸露，所述指紋感應(yīng)區(qū)101的膜層102上表面具有預(yù)設(shè)厚度的保護(hù)層301，所述保護(hù)層301保護(hù)裸露在所述封裝結(jié)構(gòu)外的所述指紋感應(yīng)區(qū)101并使所述指紋識(shí)別芯片1具有定義的指紋識(shí)別距離。

由于現(xiàn)有技術(shù)中指紋識(shí)別芯片上表面的膜層厚度較小，不能在下游模組組裝等加工環(huán)節(jié)提供足夠的保護(hù)，因此本實(shí)施例通過(guò)在指紋感應(yīng)區(qū)101的膜層上表面設(shè)置保護(hù)層301，用于在后續(xù)的上產(chǎn)過(guò)程中保護(hù)裸露在外的指紋感應(yīng)區(qū)101，在下游模組組裝等加工環(huán)節(jié)中指紋識(shí)別模組的指紋感應(yīng)區(qū)101不易損壞，使指紋識(shí)別模組整體上具有較好的耐污染、耐劃傷等性能，進(jìn)而提高了指紋識(shí)別芯片1在下游模組組裝等加工環(huán)節(jié)的成品率。

與此同時(shí)，為保證指紋識(shí)別芯片1具有定義的指紋識(shí)別距離，使得在不影響指紋識(shí)別芯片1對(duì)指紋進(jìn)行有效識(shí)別的前提下，同時(shí)又對(duì)指紋識(shí)別芯片1的指紋感應(yīng)區(qū)101進(jìn)行保護(hù)，保護(hù)層301的厚度進(jìn)行預(yù)設(shè)，比如可以根據(jù)指紋識(shí)別芯片的指紋感應(yīng)距離與保護(hù)層301的材料特性預(yù)設(shè)，若保護(hù)層301的材料特性為指紋識(shí)別芯片1的指紋感應(yīng)區(qū)101提供的保護(hù)效果越好，則保護(hù)層301的預(yù)設(shè)厚度越小。

具體的，本實(shí)用新型另一實(shí)施例中，如圖4所示，經(jīng)過(guò)封裝后得到的指紋識(shí)別模組不僅包括保護(hù)層401，還包括：與外部電路電連接的焊球陣列402，所述焊球陣列402位于所述指紋識(shí)別芯片1的下方，并通過(guò)指紋識(shí)別芯片1下表面焊盤(pán)與所述指紋識(shí)別芯片1的硅通孔結(jié)構(gòu)電連接，令所述指紋識(shí)別芯片1與所述外部電路電連接。

本實(shí)施例中，焊球封裝陣列可以通過(guò)焊球陣列封裝工藝(BGA，Ball Grid Array)形成，焊球采用的材料可以為錫球。指紋識(shí)別模組與外部電連接的引腳為焊球陣列402。具體地，焊球陣列402為球形，以為指紋識(shí)別芯片1提供更好的散熱，同時(shí)由于焊球不易變形，而且焊球陣列402足夠牢固，從而提高了指紋識(shí)別芯片1的使用壽命。

本實(shí)施例中，在指紋識(shí)別芯片1內(nèi)部存在通過(guò)TSV工藝形成的硅通孔結(jié)構(gòu)(在圖中未標(biāo)出)。指紋識(shí)別芯片1通過(guò)硅通孔結(jié)構(gòu)將線路連接到所需的位置。由于硅通孔結(jié)構(gòu)在指紋識(shí)別芯片1內(nèi)部，并不暴露在外，因此不需要對(duì)硅通孔結(jié)構(gòu)增加保護(hù)，從而有效減小了指紋識(shí)別芯片1的封裝體積。

本實(shí)施例提供的指紋識(shí)別模組中，在指紋識(shí)別芯片1底部增加可作為引腳的焊球陣列，得到的指紋識(shí)別芯片1體積最小，厚度也最小。

本實(shí)用新型另一實(shí)施例提供一種指紋識(shí)別模組，如圖5所示，本實(shí)施例提供的指紋識(shí)別模組是在上述實(shí)施例的基礎(chǔ)上對(duì)指紋芯片進(jìn)行的二次封裝后得到的指紋識(shí)別模組。二次封裝可以在增加指紋識(shí)別芯片1的下方增加基板或框架，以對(duì)指紋識(shí)別芯片1下方進(jìn)行封裝。本實(shí)施例以增加基板404為例進(jìn)行說(shuō)明。

本實(shí)施例中，在所述焊球陣列402下方設(shè)置有基板404，且增加的基板404可以為指紋識(shí)別芯片1的下方提供保護(hù)。所述基板404下方設(shè)置有通過(guò)觸點(diǎn)陣列封裝工藝(LGA，Land Grid Array)形成的觸點(diǎn)陣列405，所述焊球陣列402通過(guò)所述觸點(diǎn)陣列405與所述外部電路電連接。

具體的，本實(shí)施例中，焊球陣列402與觸點(diǎn)陣列405間通過(guò)設(shè)置在基板404內(nèi)的通路實(shí)現(xiàn)電連接，基板404內(nèi)的通路將對(duì)應(yīng)的焊球陣列402與觸點(diǎn)陣列405進(jìn)行電連接，從而把觸點(diǎn)陣列405作為指紋識(shí)別芯片1與外部電路連接的引腳。

本實(shí)施例中，基板404的面積大于指紋識(shí)別芯片1的下表面面積，指紋識(shí)別芯片1的引腳有更多的排列方式，可以與不同的外部電路適配，從而增加了指紋識(shí)別芯片的適配性。

具體的，本實(shí)施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括塑封體403，所述塑封體403設(shè)置在所述基板404上且圍繞所述指紋識(shí)別芯片1。

塑封體403的材料可以為環(huán)氧模塑料(EMC，Epoxy Molding Compound)，塑封體403包圍指紋芯片并交聯(lián)固化成型，從而為指紋識(shí)別芯片1的側(cè)面提供保護(hù)。

具體的，所述塑封體403的上表面與所述保護(hù)層401的上表面理論上處于同一水平面，以方便后續(xù)加工。但在實(shí)際的工藝中保護(hù)層401與塑封體403是通過(guò)不同的工藝步驟分別形成在指紋識(shí)別芯片1上的，導(dǎo)致保護(hù)層401與塑封體403不一定在同一水平面上，此時(shí)，保護(hù)層401與塑封體403的高度差可為5微米左右。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的指紋識(shí)別模組中，封裝指紋識(shí)別芯片1的封裝結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在指紋識(shí)別芯片1下方的基板404，設(shè)置在指紋識(shí)別上表面的保護(hù)層401，以及設(shè)置在指紋識(shí)別芯片1周?chē)乃芊怏w403。封裝結(jié)構(gòu)將指紋識(shí)別芯片1包含在內(nèi)，為指紋識(shí)別芯片1的提供足夠的保護(hù)。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的指紋識(shí)別模組，在露芯片封裝的基礎(chǔ)上，通過(guò)在指紋識(shí)別芯片的上表面增加保護(hù)層，增加的基板404可以為指紋識(shí)別芯片1的下方提供保護(hù)，從而得到的封裝結(jié)構(gòu)為基板類封裝結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供一種指紋識(shí)別模組，如圖6所示，包括：指紋識(shí)別芯片1以及對(duì)所述指紋識(shí)別芯片1進(jìn)行封裝的封裝結(jié)構(gòu)，所述封裝結(jié)構(gòu)使所述指紋識(shí)別芯片1的指紋感應(yīng)區(qū)101裸露，所述指紋感應(yīng)區(qū)101的膜層上表面具有預(yù)設(shè)厚度的保護(hù)層501，所述保護(hù)層501保護(hù)裸露在所述封裝結(jié)構(gòu)外的所述指紋感應(yīng)區(qū)101并使所述指紋識(shí)別芯片1具有定義的指紋識(shí)別距離。

具體的，本實(shí)施例中，在所述指紋識(shí)別芯片1的下表面設(shè)置有焊盤(pán)，所述焊盤(pán)下方設(shè)置有基板505，所述指紋識(shí)別芯片1上設(shè)置有使所述指紋識(shí)別芯片1與所述焊盤(pán)上的電路電連接的槽結(jié)構(gòu)502，所述基板505下方設(shè)置有與外圍電路電連接的觸點(diǎn)陣列506，所述焊盤(pán)與所述觸點(diǎn)陣列506電連接，使所述指紋識(shí)別芯片1通過(guò)所述觸點(diǎn)陣列506與外圍電路電連接。

封裝結(jié)構(gòu)可以包括設(shè)置在指紋識(shí)別芯片1下方的基板505，基板505下方通過(guò)觸點(diǎn)陣列封裝工藝形成的觸點(diǎn)陣列506，指紋識(shí)別芯片1與觸點(diǎn)陣列506電連接后，再通過(guò)觸點(diǎn)陣列506與外圍電路電連接。

本實(shí)施例中，在指紋識(shí)別芯片1的側(cè)面通過(guò)trench挖槽工藝形成的槽結(jié)構(gòu)502，使指紋識(shí)別芯片1的側(cè)面具有一臺(tái)階面，通過(guò)在槽結(jié)構(gòu)502上設(shè)置布線層，將指紋識(shí)別芯片1表面的電路端口通過(guò)布線層引至臺(tái)階面，再通過(guò)金屬引線503與指紋識(shí)別芯片1的焊盤(pán)上的電路電連接，然后焊盤(pán)上的電路通過(guò)重布線工藝(RDL，Redistribution Layer)與觸點(diǎn)陣列506電連接。

具體的，本實(shí)施例中，通過(guò)trench挖槽工藝與重布線工藝將線路連接到所需要位置后，再在指紋識(shí)別芯片1的感應(yīng)區(qū)表面加工形成保護(hù)層501。

本實(shí)施例或其他實(shí)施例中，保護(hù)層501為具有介電功能的有機(jī)物鈍化層或無(wú)機(jī)物鈍化層，鈍化層的厚度為10～20um，鈍化層的介電常數(shù)大于3，以減小鈍化層對(duì)指紋識(shí)別芯片性能的影響。

鈍化層通過(guò)旋涂涂布、噴涂涂布、氣相沉積或者模具注塑形成，以保證鈍化層具有預(yù)設(shè)厚度。

鈍化層的材料組成一般為SiO2(二氧化硅),Al2O3(氧化鋁)等無(wú)機(jī)成分顆粒，或樹(shù)脂類有機(jī)涂料。具體的，保護(hù)層501包括有機(jī)材料時(shí)，可以通過(guò)改變不同的有機(jī)樹(shù)脂的配比來(lái)改變材料的特性，如強(qiáng)度等，在改變材料特性后，如上述所示，保護(hù)膜的預(yù)設(shè)厚度也會(huì)根據(jù)不同的材料特性進(jìn)行調(diào)整。

在通過(guò)氣相沉積工藝形成保護(hù)層501時(shí)，由于氣相沉積工藝為利用氣相中發(fā)生的物理、化學(xué)過(guò)程，可在指紋感應(yīng)區(qū)101上表面形成功能性或裝飾性的金屬、非金屬或化合物涂層，因此材料成分只含有無(wú)機(jī)類成分，不能含有有機(jī)類成分。

具體的，保護(hù)層501通過(guò)不同的工藝形成后，保護(hù)層501的物理特性與外觀特性與指紋芯片封裝結(jié)構(gòu)中的塑封體504的物理特性與外觀特性兼容。外觀特性兼容是指保護(hù)層501的顏色與塑封體504的顏色可以相同或相近，具體的，塑封體504采用EMC塑封時(shí)，保護(hù)層501的顏色可以選擇與EMC接近的黑色或灰色等。物理特性兼容例如：保護(hù)層501的材料與塑封體504的材料的膨脹和收縮力度相同或相近，使指紋識(shí)別芯片1的使用環(huán)境發(fā)生變化時(shí)，保護(hù)層501與塑封體504始終接觸良好。

保護(hù)層501預(yù)設(shè)的厚度由多個(gè)方面綜合確定，如封裝前的指紋識(shí)別芯片1的識(shí)別距離、定義的指紋識(shí)別芯片1的識(shí)別距離、保護(hù)層501的材料、保護(hù)層501的適用環(huán)境等，指紋識(shí)別芯片1的定義的指紋識(shí)別距離越小，保護(hù)層501的厚度越大；保護(hù)層501的硬度越高，更不容易磨損或刮傷，保護(hù)層501的厚度越?。槐Ｗo(hù)層501直接作為與手直接觸的工作面時(shí)，所需的保護(hù)層501的厚度較大；保護(hù)層501上增加蓋板后，蓋板作為與手指接觸的工作面時(shí)，保護(hù)層501所需的厚度較小。

具體的，本實(shí)施例中，所述封裝結(jié)構(gòu)還包括塑封體504，所述塑封體504設(shè)置在所述基板505上且圍繞所述指紋識(shí)別芯片1。

塑封體504的材料可以為環(huán)氧模塑料(EMC，Epoxy Molding Compound)，塑封體504包圍指紋芯片并交聯(lián)固化成型，從而為指紋識(shí)別芯片1的側(cè)面提供保護(hù)。

具體的，所述塑封體504的上表面與所述保護(hù)層501的上表面理論上處于同一水平面，以方便后續(xù)加工。但實(shí)際的工藝中保護(hù)層501與塑封體504是通過(guò)不同的工藝步驟分別形成在指紋識(shí)別芯片1上的，導(dǎo)致保護(hù)層501與塑封體504不在一定在同一水平面上，此時(shí)，保護(hù)層501與塑封體504的高度差為5微米左右。

以上實(shí)施例僅以封裝完成后為露芯片封裝或基板505類封裝進(jìn)行了示例性說(shuō)明，但是指紋識(shí)別芯片1封裝還包括框架類封裝產(chǎn)品，框架類封裝產(chǎn)品與基板505類封裝類似，在此不再贅述。

指紋識(shí)別芯片1的保護(hù)層在封裝完成后的下游模組組裝等加工環(huán)節(jié)為指紋識(shí)別芯片1提供保護(hù)，但是，在下游的模組組裝等加工環(huán)節(jié)完成后，指紋識(shí)別芯片1將投入使用，此時(shí)，也需要對(duì)指紋識(shí)別芯片1提供足夠的保護(hù)。

在本實(shí)用新型提供的另一實(shí)施例中，如圖7所示，指紋識(shí)別芯片1封裝完成后，還可以在所述保護(hù)層上方設(shè)置有蓋板507，所述蓋板507通過(guò)樹(shù)脂類膠水與所述保護(hù)層貼合，所述蓋板507作為與手指接觸的工作面，此時(shí)所述鈍化層為與所述樹(shù)脂類膠水適配的高表面能鈍化層。表面能是衡量固體表面能量的單位，表面能高的鈍化層與膠水的結(jié)合力高，使鈍化層與樹(shù)脂類膠水的結(jié)合更加緊密。

本實(shí)施例中，將蓋板507作為指紋識(shí)別芯片1使用過(guò)程中與手指接觸的工作面時(shí)，保護(hù)蓋板507需要有足夠的硬度，才能為指紋識(shí)別芯片1在使用過(guò)程中提供足夠的保護(hù)。具體的，蓋板507可以為玻璃、藍(lán)寶石或者陶瓷材料。

可替代的，在使用過(guò)程中，所述保護(hù)層直接作為與手指接觸的工作面。若需要在使用過(guò)程中為指紋識(shí)別芯片1提供足夠的保護(hù)，保護(hù)層需要有足夠的強(qiáng)度、厚度以及良好的疏油性、疏水性、防塵性、防刮傷性能等。保護(hù)層的性能可以通過(guò)采用不同的鈍化材料實(shí)現(xiàn)，還可以在形成保護(hù)層的過(guò)程中進(jìn)行加工，使保護(hù)層具有一定的微結(jié)構(gòu)，如納米級(jí)的凸起形狀以及凸起形狀間增加納米級(jí)的間距等，通過(guò)微結(jié)構(gòu)來(lái)增加指紋識(shí)別芯片1保護(hù)層的強(qiáng)度以及疏油性、疏水性等特性。

以上所描述的裝置實(shí)施例僅僅是示意性的，其中所述作為分離部件說(shuō)明的模塊可以是或者也可以不是物理上分開(kāi)的，作為模塊顯示的部件可以是或者也可以不是物理模塊，即可以位于一個(gè)地方，或者也可以分布到多個(gè)網(wǎng)絡(luò)模塊上?？梢愿鶕?jù)實(shí)際的需要選擇其中的部分或者全部模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例方案的目的。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在不付出創(chuàng)造性的勞動(dòng)的情況下，即可以理解并實(shí)施。

通過(guò)以上的實(shí)施方式的描述，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以清楚地了解到各實(shí)施方式可借助軟件加必需的通用硬件平臺(tái)的方式來(lái)實(shí)現(xiàn)，當(dāng)然也可以通過(guò)硬件?；谶@樣的理解，上述技術(shù)方案本質(zhì)上或者說(shuō)對(duì)現(xiàn)有技術(shù)做出貢獻(xiàn)的部分可以以軟件產(chǎn)品的形式體現(xiàn)出來(lái)，該計(jì)算機(jī)軟件產(chǎn)品可以存儲(chǔ)在計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)介質(zhì)中，如ROM/RAM、磁碟、光盤(pán)等，包括若干指令用以使得一臺(tái)計(jì)算機(jī)設(shè)備(可以是個(gè)人計(jì)算機(jī)，服務(wù)器，或者網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等)執(zhí)行各個(gè)實(shí)施例或者實(shí)施例的某些部分所述的方法。

最后應(yīng)說(shuō)明的是：以上實(shí)施例僅用以說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)方案，而非對(duì)其限制；盡管參照前述實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解：其依然可以對(duì)前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對(duì)其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本實(shí)用新型各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。