本實(shí)用新型屬于激光光源領(lǐng)域，尤其是涉及一種紫外可見準(zhǔn)連續(xù)光源。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)有的技術(shù)中，紫外及深紫外固體激光器因其輸出激光波長短、可聚焦性能好、單光子能量高、適合于無接觸冷加工及微加工等特點(diǎn)，在光刻技術(shù)、微孔加工、晶片刻劃、微電子學(xué)加工、大氣探測(cè)、光化學(xué)、生物光學(xué)及醫(yī)學(xué)等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。目前，用于對(duì)空氣和水處理的紫外光源用的是汞燈作為紫外光源，但是，汞燈包含有毒材料，傾向于具有較短工作壽命以及較長預(yù)熱時(shí)間并需要高驅(qū)動(dòng)電壓，此外，從汞燈發(fā)出的紫外光在較寬范圍的方向上并從相對(duì)較大的區(qū)域上發(fā)出，這意味著它不能被有效聚焦到小區(qū)域或聚焦成準(zhǔn)直光束，因此，需要結(jié)構(gòu)緊湊、體積小、無毒性并能對(duì)細(xì)菌等造成物理傷害的紫外光源。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本實(shí)用新型要解決的問題是提供一種紫外可見準(zhǔn)連續(xù)光源，尤其適合用于對(duì)空氣或水消毒以便安全呼吸或飲用。
為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案是：一種紫外可見準(zhǔn)連續(xù)光源，包括第一泵浦源、耦合透鏡、第二泵浦源和分束鏡，第一泵浦源包括第一平面鏡和第二平面鏡構(gòu)成的平-平腔結(jié)構(gòu)，第一平面之后依次放置聲光開關(guān)Q、高功率半導(dǎo)體陣列激光器、諧波反光鏡和第一倍頻晶體，第二泵浦源包括第三平面鏡和第四平面鏡，耦合透鏡的焦點(diǎn)處設(shè)置激光晶體，第三平面鏡之后依次放置三倍頻晶體、偶合平面鏡、第二倍頻晶體。
高功率半導(dǎo)體陣列激光器的激光介質(zhì)為Nd：YAG，鍍1064nm的增透膜，由流動(dòng)的冷卻水對(duì)激光二極管陣列和激光介質(zhì)提供冷卻。
第一倍頻晶體為KTP晶體，采用II類相位匹配，鍍1064nm增透膜。
第一平面鏡鍍1064nm高反膜，聲光開關(guān)Q的調(diào)制頻率為1-50kHz，鍍1064nm增透膜，第二平面鏡鍍1064nm高反膜和532nm增透膜。
激光晶體為Nd：YVO4晶體或Dd：GdVO4晶體。
第二倍頻晶體是I類相位匹配的LBO晶體，或者是I類非臨界相位的LBO晶體，或者是I類相位匹配的CLBO晶體，三倍頻晶體是II類相位匹配的LBO晶體，或者是II類相位匹配的BBO晶體。
耦合平面鏡的法線與光軸有一定的夾角，夾角的范圍為5-35°之間。
第三平面鏡朝向所述的三倍頻晶體的一面鍍有1064nm、532nm和355nm高反膜，另一面部鍍膜，耦合平面鏡朝向三倍頻晶體的一面鍍有1064nm、532nm增透膜和355nm高反膜，另一面鍍有1064nm和532nm增透膜，第四平面鏡朝向第二倍頻晶體的一面鍍有1064nm和532nm全反膜，另一面鍍有1064nm增透膜。
本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是：由于采用上述技術(shù)方案，使用更加方便，具有結(jié)構(gòu)簡單、光路穩(wěn)定、加工成本低、結(jié)構(gòu)緊湊、體積小等優(yōu)點(diǎn)，能夠有效殺菌并對(duì)人體無傷害。
附圖說明
圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖
圖中：
1、平面鏡 2、聲光開關(guān)Q 3、高功率半導(dǎo)體陣列激光器
4、諧波反光鏡 5、倍頻晶體 6、平面鏡
7、耦合透鏡 8、平面鏡 9、三倍頻晶體
10、耦合平面鏡 11、倍頻晶體 12、平面鏡
13、激光晶體 14、分束鏡
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的說明。
如圖1所示，本實(shí)用新型一種紫外可見準(zhǔn)連續(xù)光源，包括第一泵浦源、耦合透鏡7、第二泵浦源和分束鏡14，第一泵浦源包括平面鏡1和平面6鏡構(gòu)成的平平腔結(jié)構(gòu)，平面鏡1之后依次放置聲光開關(guān)Q 2、高功率半導(dǎo)體陣列激光器3、諧波反光鏡4和倍頻晶體5，第二泵浦源包括平面鏡8和平面鏡12，耦合透鏡7的焦點(diǎn)處設(shè)置激光晶體13，平面鏡8之后依次放置三倍頻晶體11、耦合平面鏡10、倍頻晶體11。
一級(jí)裝置采用高功率半導(dǎo)體陣列激光器3作為原始泵浦源，平平腔結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，腔長330mm，倍頻晶體5KTP尺寸為6x6x10mm，聲光開關(guān)Q 2的重復(fù)頻率為5kHz，耦合透鏡7焦距為150mm，將532nm泵浦光耦合到激光晶體13內(nèi)；二級(jí)裝置采用平平腔結(jié)構(gòu)，腔長為50mm，激光晶體內(nèi)經(jīng)過粒子數(shù)反轉(zhuǎn)，脈沖經(jīng)過分束鏡14反射和透射，反射部分脈沖經(jīng)過倍頻晶體11后有部分1064nm的激光轉(zhuǎn)化為532nm的激光，532nm的激光和1064nm的激光共同經(jīng)過三倍頻晶體9時(shí)，會(huì)由于非線性和頻效應(yīng)產(chǎn)生355nm的激光，355nm的激光在諧振腔內(nèi)被平面鏡8反射，再次經(jīng)過三倍頻晶體，經(jīng)過偶合平面鏡10反射出諧振腔，獲得355nm的脈沖激光，透射部分直接以532nm輸出，最后輸出532nm和355nm激光。
高功率半導(dǎo)體陣列激光器3的激光介質(zhì)為Nd：YAG，鍍1064nm的增透膜，由流動(dòng)的冷卻水對(duì)激光二極管陣列和激光介質(zhì)提供冷卻。四組三條激光二極管條對(duì)稱的排列在YAG棒周圍，能夠均勻的泵浦激活介質(zhì)YAG棒。每組二極管條由100個(gè)功率為200mW的二極管組成，二極管連續(xù)工作，總的最大泵浦功率為240W，整個(gè)泵浦組件(包括激光二極管和YAG棒)由流動(dòng)的冷卻水提供冷卻。倍頻晶體5為KTP晶體，采用II類相位匹配，尺寸為6x6x10mm，鍍1064nm增透膜。平面鏡1鍍1064nm高反膜，對(duì)1064nm全反光。聲光開關(guān)Q 2的驅(qū)動(dòng)功率為100W，工作頻率為27MHz，調(diào)制頻率為1-50kHz，鍍1064nm增透膜。平面鏡6鍍1064nm高反膜和532nm增透膜，對(duì)1064nm光全反，對(duì)532nm光高透，諧波反光鏡4對(duì)1064nm光高透，對(duì)532nm光高反，以提高轉(zhuǎn)換效率。
激光晶體13可以為Nd：YVO4晶體，也可以為Dd：GdVO4晶體，優(yōu)選的，激光晶體13為Nd：YVO4，晶體尺寸為4x4x10mm，包裹銦箔后放入銅質(zhì)的熱沉對(duì)晶體散熱。倍頻晶體11可以是I類相位匹配的LBO晶體，也可以是I類非臨界相位的LBO晶體，還可以是I類相位匹配的CLBO晶體或者是其他I類相位匹配的非線性倍頻晶體，優(yōu)選的，倍頻晶體11為I類相位匹配的LBO晶體尺寸為3x3x8mm，晶體兩端分別鍍有1064nm和532nm的增透膜。三倍頻晶體9可以是II類相位匹配的LBO晶體，也可以是是II類相位匹配的BBO晶體或者其他非線性晶體，優(yōu)選的，三倍頻晶體9為II類相位匹配的LBO，晶體尺寸同樣為3x3x8mm。
平面鏡8朝向所述的三倍頻晶體9的一面鍍有1064nm、532nm和355nm高反膜，另一面部鍍膜，耦合平面鏡10的法線與光軸有一定的夾角，夾角的范圍為5-35°之間，優(yōu)選的，耦合平面鏡10的法線與光軸之間的夾角為20°，耦合平面鏡10朝向三倍頻晶體11的一面鍍有1064nm、532nm增透膜和355nm高反膜，另一面鍍有1064nm和532nm增透膜，平面鏡12朝向倍頻晶體11的一面鍍有1064nm和532nm增透膜，另一面鍍有1064nm和532nm增透膜以及355nm高反膜。
第一泵浦源的泵浦光，經(jīng)過耦合透鏡7耦合進(jìn)激光晶體內(nèi)，實(shí)現(xiàn)粒子數(shù)的反轉(zhuǎn)后，脈沖經(jīng)過倍頻晶體11后經(jīng)過分束鏡14的反射和透射，反射部分1064nm的激光轉(zhuǎn)化為532nm的激光，532nm的激光和1064nm的激光共同經(jīng)過三倍頻晶體9時(shí)，會(huì)由于非線性和頻效應(yīng)產(chǎn)生355nm的激光，355nm的激光在諧振腔內(nèi)被平面鏡8反射，再次經(jīng)過三倍頻晶體9，耦合平面鏡10反射出諧振腔，獲得355nm的脈沖激光，透射部分直接以532nm輸出，最后輸出355nm的激光與532nm的激光的輸出光。
本實(shí)用新型具有的優(yōu)點(diǎn)和積極效果是：由于采用上述技術(shù)方案，使用更加方便，具有結(jié)構(gòu)簡單、光路穩(wěn)定、加工成本低、結(jié)構(gòu)緊湊、體積小等優(yōu)點(diǎn)，能夠有效殺菌并對(duì)人體無傷害。
以上對(duì)本實(shí)用新型的一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，但所述內(nèi)容僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，不能被認(rèn)為用于限定本實(shí)用新型的實(shí)施范圍。凡依本實(shí)用新型申請(qǐng)范圍所作的均等變化與改進(jìn)等，均應(yīng)仍歸屬于本實(shí)用新型的專利涵蓋范圍之內(nèi)。