1.一種基于多模干涉結(jié)構(gòu)的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于，該鎖模半導(dǎo)體激光器采用條形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)、脊波導(dǎo)結(jié)構(gòu)或楔形波導(dǎo)結(jié)構(gòu)，在所述波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上形成增益區(qū)、電隔離區(qū)和飽和吸收區(qū)，所述電隔離區(qū)位于增益區(qū)和飽和吸收區(qū)之間，其中，所述吸收區(qū)的一部分、所述電隔離區(qū)以及所述增益區(qū)的一部分構(gòu)成多模干涉結(jié)構(gòu)，或者所述增益區(qū)的一部分構(gòu)成多模干涉結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述增益區(qū)的總長度大于飽和吸收區(qū)的總長度。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述多模干涉區(qū)的長度為多模波導(dǎo)輸出截面得到單一成像的最短耦合長度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述增益區(qū)包括第一長條形以及從第一長條形的長度方向的第一端面沿其長度方向的軸線延伸出的位于該軸線上的第二長條形，第二長條形相對(duì)于該軸線對(duì)稱，第二長條形的寬度小于第一長條形的寬度；
所述飽和吸收區(qū)包括第三長條形以及從第三長條形的長度方向的第一端面沿其長度方向的軸線延伸出的位于該軸線上的第四長條形，第四長條形相對(duì)于該軸線對(duì)稱；
所述電隔離區(qū)一側(cè)的表面與增益區(qū)的第一長條形的遠(yuǎn)離第一端面的第二端面接觸，相對(duì)的另一側(cè)的表面與飽和吸收區(qū)的第三長條形的遠(yuǎn)離第一端面的第二端面接觸；
所述增益區(qū)的第一長條形、所述電隔離區(qū)和所述飽和吸收區(qū)的第三長條形一起構(gòu)成所述多模干涉區(qū)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述增益區(qū)包括第一長條形、從第一長條形的長度方向的第一端面沿其長度方向的軸線延伸出的位于該軸線上的第二長條形以及從第一長條形的長度方向的第二端面沿其長度方向的軸線延伸出的位于該軸線上的第三長條形，第二長條形和第三長條形均相對(duì)于該軸線對(duì)稱，第二端面與第一端面相對(duì)；第二長條形和第三長條形的寬度相等；
飽和吸收區(qū)包括第四長條形，第四長條形位于第一長條形長度方向的軸線的延長線上，第四長條形相對(duì)于該軸線的延長線對(duì)稱，第四長條形的寬度等于第三長條形的寬度；
電隔離區(qū)一側(cè)的表面與增益區(qū)的第三長條形的延伸端面接觸，相對(duì)的另一側(cè)的表面與飽和吸收區(qū)的第四長條形的一端的端面接觸；
所述增益區(qū)的第一長條形構(gòu)成多模干涉區(qū)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述增益區(qū)包括第一長條形、從第一長條形的長度方向的第一端面沿其長度方向的軸線延伸出的位于該軸線上的第二長條形，第二長條形相對(duì)于該軸線對(duì)稱；
飽和吸收區(qū)包括第四長條形，第四長條形位于第一長條形長度方向的軸線的延長線上，并相對(duì)于該軸線對(duì)稱，或者位于第一長條形長度方向的軸線的延長線的上方或者下方，但不超出增益區(qū)的第一長條形的遠(yuǎn)離第一端面的第二端面的范圍；第四長條形的寬度等于第二長條形的寬度；
電隔離區(qū)一側(cè)的表面與增益區(qū)的第一長條形的遠(yuǎn)離第一端面的第二端面接觸，相對(duì)的另一側(cè)的表面與飽和吸收區(qū)的第四長條形的一端的端面接觸；
所述增益區(qū)的第一長條形構(gòu)成多模干涉區(qū)。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于，電隔離區(qū)沿增益區(qū)的長度方向的尺寸為5um～10um。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于，增益區(qū)的出光端面鍍有增透膜；飽和吸收區(qū)遠(yuǎn)離增益區(qū)的端面鍍有高反膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述鎖模半導(dǎo)體激光器依次包括下電極、襯底、下分離限制層、波導(dǎo)層、上分離限制層、蓋層、SiO2電流隔離層和上電極。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于，電隔離區(qū)沿增益區(qū)的長度方向的尺寸為5um～10um。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的鎖模半導(dǎo)體激光器，其特征在于，電隔離區(qū)沿增益區(qū)的長度方向的尺寸為5um～10um。