1.一種陣列基板，包括基底，形成在所述基底上的第一電極，形成在所述基底和第一電極上的第一保護(hù)層，形成在所述第一保護(hù)層上且與所述第一電極的位置相對應(yīng)的半導(dǎo)體電極，形成在所述第一保護(hù)層和半導(dǎo)體電極上的第二保護(hù)層，形成在所述第二保護(hù)層上且至少部分覆蓋所述半導(dǎo)體電極的第二電極，
其特征在于，在垂直于所述基底的方向上，所述第一保護(hù)層上第一電極區(qū)域的厚度小于非第一電極區(qū)域的厚度，所述第一電極區(qū)域?yàn)樗龅谝浑姌O對應(yīng)的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極區(qū)域形成有凹陷部，所述半導(dǎo)體電極至少部分容置在所述凹陷部內(nèi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述凹陷部的寬度大于或等于所述半導(dǎo)體電極的寬度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括形成在所述第二保護(hù)層上的第三電極，所述第三電極與所述半導(dǎo)體電極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括，形成在所述第二保護(hù)層和第二電極上的第三保護(hù)層，以及形成在所述第三保護(hù)層上且至少部分覆蓋所述第二電極的第四電極，所述第四電極與所述第三電極連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板為有機(jī)發(fā)光二級管基板。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述第一電極為柵極，所述第二電極與第三電極為源極，所述第四電極為陽極。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半導(dǎo)體電極包括金屬氧化物、非晶硅或多晶硅。
9.一種顯示面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1-8任一項(xiàng)所述的陣列基板。