本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體IC封裝領(lǐng)域,尤其涉及一種新型DIP8封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù):
目前DIP8雙島封裝應(yīng)用最廣泛的產(chǎn)品是AC-DC或者DC-DC類的電源控制芯片,由于電源轉(zhuǎn)換芯片(例如AC-DC轉(zhuǎn)換芯片)的轉(zhuǎn)換效率不可能達(dá)到100%,部分能量一定會(huì)轉(zhuǎn)化為熱量,所以對(duì)于IC封裝就一定會(huì)有散熱的需求。如圖1所示,DIP8封裝包括封裝框架和塑封于封裝框架外的塑封體109,封裝框架的八個(gè)引腳分別從塑封體109相對(duì)的兩側(cè)伸出,其中,第一引腳101、第二引腳102、第三引腳103及第四引腳104依次設(shè)置在塑封體109的同一側(cè),第五引腳105、第六引腳106、第七引腳107及第八引腳108依次設(shè)置在第一引腳101相對(duì)的一側(cè)。
現(xiàn)有技術(shù)AC-DC轉(zhuǎn)換芯片的DIP8封裝中,第一引腳101是VCC腳;第二引腳102是FB腳;第四引腳104是CS腳;第八引腳108是GND腳;第三引腳103和第七引腳107分別為NC腳;第五引腳105和第六引腳106分別為HV腳。也就是說,在該結(jié)構(gòu)中與功率管基島(A島)相連的并能為封裝內(nèi)部芯片散熱的只有第五引腳105和第六引腳106兩個(gè)引腳,該結(jié)構(gòu)散熱性能有些偏低。
目前國際和國內(nèi)對(duì)于AC-DC適配器和充電器的安全認(rèn)證規(guī)范里,對(duì)于IC表面溫度有著明確的最高溫度的要求。
所以,有必要提供一種散熱性能好的新型DIP8封裝結(jié)構(gòu)。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題是:提供一種散熱性能更好的DIP8雙島封裝結(jié)構(gòu)。
為了解決上述技術(shù)問題,本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:一種新型DIP8封裝結(jié)構(gòu),包括封裝框架和塑封于封裝框架外的塑封體,封裝框架包括第一基島、第二基島及八個(gè)分別與第一基島或第二基島相連的引腳,與第一基島相連的引腳的數(shù)目為四個(gè)。
進(jìn)一步的,與所述第一基島相連的引腳依次從塑封體的同一側(cè)伸出。
進(jìn)一步的,所述第一基島上搭載功率管芯片。
進(jìn)一步的,所述第二基島上搭載控制芯片。
進(jìn)一步的,所述控制芯片與所述功率管芯片電連接。
進(jìn)一步的,第一基島和與其相連的四個(gè)引腳一體成型。
進(jìn)一步的,與第一基島相連的引腳上分別設(shè)有至少一個(gè)凹槽。
進(jìn)一步的,所述封裝框架的材質(zhì)為銅。
本實(shí)用新型的有益效果在于:將與第一基島相連的引腳從兩個(gè)增加到四個(gè),從而將第一基島的散熱通道增加了一倍,大大加強(qiáng)了DIP8封裝的散熱性能,給封裝內(nèi)芯片提供一個(gè)良好的工作環(huán)境。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)DIP8封裝的俯視圖;
圖2為本實(shí)用新型實(shí)施例一的DIP8封裝的俯視圖;
圖3為本實(shí)用新型實(shí)施例一的DIP8封裝的正視圖;
圖4為本實(shí)用新型實(shí)施例一的DIP8封裝中的封裝框架的結(jié)構(gòu)示意圖。
標(biāo)號(hào)說明:
1、塑封體;2、第一基島;3、第二基島;4、第一引腳;5、第二引腳;
6、第三引腳;7、第四引腳;8、第五引腳;9、第六引腳;10、第七引腳;
11、第八引腳;12、功率管芯片;13、控制芯片;14、凹槽。
具體實(shí)施方式
為詳細(xì)說明本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容、所實(shí)現(xiàn)目的及效果,以下結(jié)合實(shí)施方式并配合附圖予以說明。
本實(shí)用新型最關(guān)鍵的構(gòu)思在于:利用DIP8封裝的空腳,增加了第一基島的散熱通道,提高了封裝的散熱性能。
請參照圖2至圖4,一種新型DIP8封裝結(jié)構(gòu),包括封裝框架和塑封于封裝框架外的塑封體1,封裝框架包括第一基島2、第二基島3及八個(gè)分別與第一基島2或第二基島3相連的引腳,與第一基島2相連的引腳的數(shù)目為四個(gè)。
從上述描述可知,本實(shí)用新型的有益效果在于:將與第一基島相連的引腳從兩個(gè)增加到四個(gè),從而將第一基島的散熱通道增加了一倍,大大加強(qiáng)了DIP8封裝本身的散熱性能,給封裝內(nèi)芯片提供一個(gè)良好的工作環(huán)境。
進(jìn)一步的,與所述第一基島2相連的引腳依次從塑封體1的同一側(cè)伸出。
由上述描述可知,與第一基島相連的引腳從塑封體的同一側(cè)伸出便于塑封體內(nèi)部封裝框架的走線,增大塑封體內(nèi)部第一基島的面積,即擴(kuò)大了塑封體內(nèi)部的散熱面積;同時(shí),也方便PCB板上的引腳插入孔的布置,在PCB板上能夠布置出較大的區(qū)域用于散熱。
進(jìn)一步的,所述第一基島2上搭載功率管芯片12。
進(jìn)一步的,所述第二基島3上搭載控制芯片13。
進(jìn)一步的,所述控制芯片13與所述功率管芯片12電連接。
進(jìn)一步的,第一基島2和與其相連的四個(gè)引腳一體成型。
由上述描述可知,第一基島和與其相連的四個(gè)引腳一體成型,不僅方便加工、降低加工成本,還能夠保證熱量傳遞的穩(wěn)定,避免由于材料導(dǎo)熱率不同出現(xiàn)熱量聚集的現(xiàn)象。
進(jìn)一步的,與第一基島2相連的引腳上分別設(shè)有至少一個(gè)凹槽14。
由上述描述可知,在外漏于塑封體的引腳上設(shè)置凹槽,可以增加在引腳外露部分的散熱面積,讓更多的熱量在引腳上散逸。
進(jìn)一步的,所述封裝框架的材質(zhì)為銅。
由上述描述可知,銅具有良好的導(dǎo)電性能及導(dǎo)熱性能,是制作封裝框架的理想材料。
實(shí)施例一
請參照圖2至圖4,本實(shí)用新型的實(shí)施例一為:請結(jié)合圖2和圖4,一種新型DIP8封裝結(jié)構(gòu),包括封裝框架和塑封于封裝框架外的塑封體1,所述封裝框架的材質(zhì)為銅,封裝框架包括第一基島2、第二基島3及八個(gè)分別與第一基島2或第二基島3相連的引腳,與第一基島2相連的引腳的數(shù)目為四個(gè)。
具體到本實(shí)施例中,如圖4所示,封裝框架包括第一基島2、第二基島3、第一引腳4、第二引腳5、第三引腳6、第四引腳7、第五引腳8、第六引腳9、第七引腳10及第八引腳11,其中第一引腳4、第二引腳5、第三引腳6、第四引腳7與第一基島2一體成型。
第一引腳4、第二引腳5、第三引腳6和第四引腳7依次從塑封體1的同一側(cè)伸出,且相鄰引腳之間的間距相等。這樣的設(shè)置不僅便于塑封體1內(nèi)部封裝框架的走線,擴(kuò)大塑封體1內(nèi)部的散熱面積;同時(shí),也方便PCB板上的引腳插入孔的布置,在PCB板上也可以布置出較大的區(qū)域用于散熱。具體來說,現(xiàn)有技術(shù)中第一基島2只有兩個(gè)引腳導(dǎo)熱,在PCB板上布置再大的散熱區(qū)域作用也不大,本實(shí)施例中DIP8封裝中的第一基島2有四個(gè)引腳導(dǎo)熱,在PCB板上布置出較大的散熱區(qū)域能夠進(jìn)一步提高DIP8的散熱效率;另外這樣的設(shè)置還具有讓PCB板便于設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn),因?yàn)檫@樣的設(shè)置使得低壓引腳和高壓引腳完全分開,在PCB板上不需要專門設(shè)置隔離帶。
第五引腳8、第六引腳9、第七引腳10和第八引腳11依次從塑封體1遠(yuǎn)離第一引腳4的一側(cè)伸出,其中第五引腳8是VCC腳,第六引腳9是GND腳,第七引腳10是FB腳,第八引腳11是CS引腳。
請結(jié)合圖2和圖3,作為拓展,第一引腳4、第二引腳5、第三引腳6和第四引腳7上分別設(shè)有至少一個(gè)凹槽14,優(yōu)選凹槽14的形狀為弧形。設(shè)置凹槽14,可以增加在引腳外露部分的散熱面積,讓更多的熱量在還未到達(dá)PCB板時(shí),就從引腳上散逸。
如圖4所示,所述第一基島2上搭載功率管芯片12;所述第二基島3上搭載控制芯片13;所述控制芯片13與所述功率管芯片12電連接。
采用本實(shí)施例提供的新型DIP8封裝結(jié)構(gòu),DIP8封裝內(nèi)部散熱面積可增大60%左右,PCB板上的散熱面積可增加150%以上。功率管芯片的整體溫度,會(huì)降低15度左右。
綜上所述,本實(shí)用新型提供的新型DIP8封裝結(jié)構(gòu),將第一基島的散熱通道增加了一倍,大大加強(qiáng)了DIP8封裝的散熱性能,給封裝內(nèi)芯片提供一個(gè)良好的工作環(huán)境;與第一基島相連的引腳從塑封體的同一側(cè)伸出便于塑封體內(nèi)部封裝框架的走線,增大塑封體內(nèi)部第一基島的面積,即擴(kuò)大了塑封體內(nèi)部的散熱面積;同時(shí),也方便PCB板上的引腳插入孔的布置,在PCB板上能夠布置出較大的區(qū)域用于散熱;結(jié)構(gòu)簡單,加工方便。
以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例,并非因此限制本實(shí)用新型的專利范圍,凡是利用本實(shí)用新型說明書及附圖內(nèi)容所作的等同變換,或直接或間接運(yùn)用在相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍內(nèi)。