本實(shí)用新型涉及電子組件技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種臥式安規(guī)陶瓷電容器。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有安規(guī)陶瓷電容器多采用傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)方式，陶瓷片(銀電極或銅電極)上焊接兩根引線，表面包封一定厚度之環(huán)氧村脂。產(chǎn)品于PCB板插板后為立式狀態(tài)，不同產(chǎn)品大小其立式高度不同。但隨著各種電子產(chǎn)品小型化、薄型化的要求不斷提升，對電子元件之高度要求越來越小，臥式安規(guī)陶瓷電容的設(shè)計(jì)及應(yīng)用需求成為趨勢。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型所要解決的技術(shù)問題在于，提供一種臥式安規(guī)陶瓷電容器，既能實(shí)現(xiàn)微電子電路表面安裝電容器之小型化、薄型化，又能適合產(chǎn)業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種臥式安規(guī)陶瓷電容器，其包括陶瓷片，第一鋼片引腳、第二鋼片引腳及塑料包封層，所述陶瓷片平臥在電路板上，所述陶瓷片的上表面設(shè)有第一電極，所述陶瓷片的下表面設(shè)有第二電極，所述第一鋼片引腳的一端與所述第一電極連接，所述第一鋼片引腳的另一端伸至所述陶瓷片的下方的一側(cè)且在其上設(shè)有一個連接引腳，所述第二鋼片引腳的一端與所述第二電極連接，所述第二鋼片引腳的另一端伸至所述陶瓷片的下方的另一側(cè)且在其上設(shè)有一個連接引腳，所述塑料包封層包覆在整個所述陶瓷片的外部以及部分所述第一鋼片引腳和第二鋼片引腳的外部，兩個所述連接引腳外露于所述塑料包封層且分別開設(shè)有圓孔，兩個所述連接引腳的長度的延伸方向一致。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，兩個所述連接引腳與電路板的電路平貼。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，兩個所述連接引腳與電路板的電路之間的接觸面位于同一平面上。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，包覆有所述塑料包封層的陶瓷片的下表面設(shè)有凸起部，所述凸起部的端面和兩個所述連接引腳與電路板的電路之間的接觸面位于同一平面上。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第一鋼片引腳和第二鋼片引腳均為階梯狀折彎結(jié)構(gòu)。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第一鋼片引腳和第二鋼片引腳均為鍍錫銅鋼片引腳。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，所述陶瓷片為方形或圓柱形。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，所述第一電極為銀電極或銅電極，所述第二電極為銀電極或銅電極。

作為本實(shí)用新型優(yōu)選的技術(shù)方案，所述塑料包封層為環(huán)氧樹脂包封層。

實(shí)施本實(shí)用新型的一種臥式安規(guī)陶瓷電容器，與現(xiàn)有技術(shù)相比較，具有如下有益效果：

(1)本實(shí)用新型的陶瓷片采用平臥方式連接在電路板上，大幅度降低插件DIP焊接之高度，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品高度僅為原產(chǎn)品高度1/3～1/4高度，有效節(jié)約電路板表面空間，更能滿足越來越小型化及薄型化電子產(chǎn)品市場需求，適合產(chǎn)業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)。

(2)本實(shí)用新型采用鋼片引腳代替引線引腳，由于鋼片引腳與電路板的電路接觸面較大，一方面，能夠方便鋼片引腳與電路板的電路焊接，使產(chǎn)品更加穩(wěn)定可靠地焊接在電路板上，滿足SMT(表面貼裝技術(shù))作業(yè)需求，另一方面，能夠有效提高鋼片引腳與電路板之間的導(dǎo)電性能，同時結(jié)合連接引腳上的圓孔易于透錫焊接品質(zhì)更優(yōu)的設(shè)計(jì)，滿足提供全系列容量規(guī)格產(chǎn)品需求。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例的附圖作簡單地介紹。

圖1是本實(shí)用新型的臥式安規(guī)陶瓷電容器的局部立體剖視圖；

圖2是陶瓷片、第一鋼片引腳和第二鋼片引腳連接時的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是于圖2所示結(jié)構(gòu)的另一視向的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本實(shí)用新型的臥式安規(guī)陶瓷電容器安裝在電路板上時的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

如圖1所示，本實(shí)用新型的優(yōu)選實(shí)施例，本實(shí)用新型提供了一種臥式安規(guī)陶瓷電容器，其包括陶瓷片1、第一鋼片引腳2、第二鋼片引腳3及塑料包封層4，所述陶瓷片1平臥在電路板5上，所述陶瓷片1的上表面設(shè)有第一電極11，所述陶瓷片1的下表面設(shè)有第二電極12，所述第一鋼片引腳2的一端與所述第一電極11連接，所述第一鋼片引腳2的另一端伸至所述陶瓷片1的下方的一側(cè)且在其上設(shè)有一個連接引腳21，所述第二鋼片引腳3的一端與所述第二電極12連接，所述第二鋼片引腳3的另一端伸至所述陶瓷片1的下方的另一側(cè)且在其上設(shè)有一個連接引腳31，所述塑料包封層4包覆在整個所述陶瓷片1的外部以及部分所述第一鋼片引腳2和第二鋼片引腳3的外部，兩個所述連接引腳21、31外露于所述塑料包封層4且分別開設(shè)有圓孔22、32，兩個所述連接引腳21、31的長度的延伸方向一致。

可見，本實(shí)用新型的陶瓷片1采用平臥方式連接在電路板5上，大幅度降低插件DIP焊接之高度，實(shí)現(xiàn)產(chǎn)品高度僅為原產(chǎn)品高度1/3～1/4高度，有效節(jié)約電路板5表面空間，更能滿足越來越小型化及薄型化電子產(chǎn)品市場需求，適合產(chǎn)業(yè)化規(guī)模生產(chǎn)。另外，本實(shí)用新型的引腳采用鋼片引腳2、3代替引線引腳，由于鋼片引腳2、3與電路板5的電路接觸面較大，一方面，能夠方便鋼片引腳2、3與電路板5的電路焊接，使產(chǎn)品更加穩(wěn)定可靠地焊接在電路板5上，滿足SMT(表面貼裝技術(shù))作業(yè)需求，另一方面，能夠有效提高鋼片引腳2、3與電路板5之間的導(dǎo)電性能，同時結(jié)合連接引腳21、31上的圓孔22、32易于透錫焊接品質(zhì)更優(yōu)的設(shè)計(jì)，滿足提供全系列容量規(guī)格產(chǎn)品需求。

具體實(shí)施時，所述陶瓷片1優(yōu)選為方形或圓柱形，當(dāng)然陶瓷片1可以是其它形狀，但方形或圓柱形的制作工藝更為方便。所述第一電極11優(yōu)選為銀電極或銅電極，與鍍錫銅鋼片引腳2焊接固定并在陶瓷片1的下方的一側(cè)引出1個連接引腳21，所述第二電極12優(yōu)選為銀電極或銅電極，與鍍錫銅鋼片引腳3焊接固定并在陶瓷片1的下方的另一側(cè)引出1個連接引腳31，由此，兩個鋼片引腳2、3在陶瓷片1的下方形成支撐點(diǎn)，使陶瓷片1懸空于電路板5表面。在兩個連接引腳21、31上分別開設(shè)有圓孔22、32，圓孔的設(shè)計(jì)能起到易于透錫焊接品質(zhì)更優(yōu)的作用。所述塑料包封層4為環(huán)氧樹脂包封層，也即采用環(huán)氧樹脂將陶瓷片1及鍍錫銅鋼片引腳2、3一部分包封，形成方形或圓柱形，起到絕緣保護(hù)作用，避免本產(chǎn)品與相鄰電子元件之間發(fā)生電接觸。而露出部分為兩個連接引腳21、31，以實(shí)現(xiàn)陶瓷電容器與電路板5之間的電連接。兩個所述連接引腳21、31與電路板5的電路平貼，實(shí)現(xiàn)貼片式設(shè)計(jì)，配合SMT(表面貼裝技術(shù))作業(yè)需求。兩個所述連接引腳21、31與電路板5的電路之間的接觸面位于同一平面上，有利于焊錫作業(yè)。所述第一鋼片引腳2和第二鋼片引腳3均為階梯狀折彎結(jié)構(gòu)，使得鋼片引腳具有一定彈性，達(dá)到減震效果，防止震動環(huán)境下引腳與電路板5的電路之間的連接斷開。

此外，兩個所述連接引腳21、31的長度的延伸方向一致，包覆有所述塑料包封層4的陶瓷片1的下表面設(shè)有凸起部6，所述凸起部6的端面和兩個所述連接引腳21、31與電路板5的電路之間的接觸面位于同一平面上。由此，凸起部6與兩個鋼片引腳2、3在陶瓷片1的下方形成三點(diǎn)支撐結(jié)構(gòu)，起到支撐整個產(chǎn)品的作用，同時使產(chǎn)品在電路板5上保持一定的高度。

以上所揭露的僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，當(dāng)然不能以此來限定本實(shí)用新型之權(quán)利范圍，因此依本實(shí)用新型申請專利范圍所作的等同變化，仍屬本實(shí)用新型所涵蓋的范圍。