本實用新型涉及LED技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種芯片級封裝LED。

背景技術(shù)：

CSP的全稱是Chip Scale Package，中文意思是芯片級封裝、芯片尺寸封裝。光源對物體的顯色能力稱為顯色性，物體的顏色顯示是由光源的光譜組成決定的。如圖1所示，現(xiàn)有技術(shù)中的芯片級封裝LED一般采用藍光激發(fā)黃色熒光粉，當(dāng)LED的光照射到花朵上時，花朵的紅色不是很鮮艷。定義自然光下的物體的顯色指數(shù)為100，測試藍光激發(fā)黃色熒光粉的LED的顯色指數(shù)為70。當(dāng)我們需要調(diào)整燈具的顯色指數(shù)以配合環(huán)境，使得物體更加真實時，現(xiàn)有技術(shù)中的LED的藍光芯片和黃色熒光粉決定了LED發(fā)光的光譜組成，無法滿足這種需求。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型的目的在于提供一種芯片級封裝LED，其通過調(diào)整量子點層的粒子尺寸可以控制發(fā)光的顏色，實現(xiàn)LED發(fā)光的高顯示性，通過封裝結(jié)構(gòu)實現(xiàn)了對量子點層的封裝和保護，提高了LED結(jié)構(gòu)的可靠性，同時提高了倒裝紫外芯片的散熱。

為達此目的，本實用新型采用以下技術(shù)方案：

一種芯片級封裝LED，包括基板，基板的上方設(shè)置有倒裝紫外芯片，倒裝紫外芯片的底面設(shè)置有兩個電極，倒裝紫外芯片通過兩個電極與基板電連接，兩個電極與倒裝紫外芯片之間均設(shè)置有第一石墨烯層，兩個第一石墨烯層之間互不連接，倒裝紫外芯片的頂面和側(cè)面從內(nèi)至外依次設(shè)置有第二石墨烯層、量子點層和封裝膠層。

其中，第二石墨烯層、量子點層、封裝膠層與基板一起將倒裝紫外芯片封裝。倒裝紫外芯片的外部的三層結(jié)構(gòu)，使得封裝更加可靠。

其中，第一石墨烯層的底面積大于電極的底面積。石墨烯具有高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電、透光的性能，第一石墨烯層與倒裝紫外芯片和電極相連接，可以極大地提高倒裝紫外芯片的散熱，同時不影響電路導(dǎo)通。

其中，封裝膠層為透明封裝膠層。

其中，封裝膠層為環(huán)氧樹脂層或硅膠層。

其中，電極通過回流焊與基板電連接。

其中，基板為GaN、Si、SiN或陶瓷基板。

其中，基板上布設(shè)有電路。

本實用新型的有益效果：倒裝紫外芯片與電極之間設(shè)置第一石墨烯層，可以極大地提高倒裝紫外芯片的散熱，同時不影響電路的導(dǎo)通；倒裝紫外芯片的頂面和側(cè)面從內(nèi)至外依次設(shè)置有第二石墨烯層、量子點層和封裝膠層，其封裝可靠，通過封裝膠層和第二石墨烯層將量子點層封裝在中間部分，使得量子點層遠離倒裝紫外芯片的表面，避免量子點層因倒裝紫外芯片的表面溫度而影響發(fā)光效率，同時利用石墨烯的高導(dǎo)熱性，使得熱量從下方快速導(dǎo)出，石墨烯具有很好的透光性能，不會影響量子點層被激發(fā)的效率；量子點層可以被倒裝紫外芯片發(fā)出的紫外光激發(fā)，產(chǎn)生藍光、紅光和綠光，從而形成可見白光，可以通過控制量子點層的粒子尺寸，來控制量子點層的發(fā)光顏色；封裝膠層提高了LED結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性，減少外力的損傷。

附圖說明

圖1是現(xiàn)有技術(shù)的芯片級封裝LED的結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實用新型的芯片級封裝LED的結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖標(biāo)記如下：

1-基板；2-倒裝紫外芯片；21-電極；22-第一石墨烯層；3-第二石墨烯層；4-量子點層；5-封裝膠層。

具體實施方式

下面結(jié)合圖2并通過具體實施例來進一步說明本實用新型的技術(shù)方案。

如圖2所示，芯片級封裝LED包括基板1，基板1的上方設(shè)置有倒裝紫外芯片2，倒裝紫外芯片2的底面設(shè)置有兩個電極21，倒裝紫外芯片2通過兩個電極21與基板1電連接，兩個電極21與倒裝紫外芯片2之間均設(shè)置有第一石墨烯層22，兩個第一石墨烯層22之間互不連接，倒裝紫外芯片2的頂面和側(cè)面從內(nèi)至外依次設(shè)置有第二石墨烯層3、量子點層4和封裝膠層5，第二石墨烯層3、量子點層4、封裝膠層5與基板1一起將倒裝紫外芯片2封裝。倒裝紫外芯片2的外部的三層結(jié)構(gòu)，使得封裝更加可靠。

本實施例中，第一石墨烯層22的底面積大于電極21的底面積。優(yōu)選地，電極21通過回流焊與基板1電連接。石墨烯具有高導(dǎo)熱、高導(dǎo)電、透光的性能，第一石墨烯層22與倒裝紫外芯片2和電極21相連接，可以極大地提高倒裝紫外芯片2的散熱，同時不影響電路導(dǎo)通。

本實施例中，基板1上布設(shè)有電路，基板1為陶瓷基板，封裝膠層5為環(huán)氧樹脂層。在其他實施例中，基板1也可以為GaN、Si或SiN基板，封裝膠層5也可以選擇硅膠層。

本實用新型的芯片級封裝LED的封裝流程如下：

1)、芯片制程：芯片的生長、成型均通過氣相外延的方法，先在襯底生長GaAlN的外延和活性層，再在芯片的上方蒸鍍第一石墨烯層22，最后通過涂膠、曝光、蝕刻等一系列的工藝形成電極21；

2)、光轉(zhuǎn)換層涂覆：將芯片外延片整體進行氣相沉積，依次在不同腔內(nèi)進行材料沉積，再在芯片表面沉積第二石墨烯層3，然后在第二石墨烯層3上沉積量子點層4，最后在量子點層4沉積封裝膠層5，對LED進行分光和編帶；

3)、制作PCB基板：根據(jù)需求設(shè)計LED電路，選取基材后在基材上沉積對應(yīng)電路，裸露相應(yīng)焊盤。

4)、SMT貼片：將LED通過錫膏回流焊表貼在PCB基板1。

以上內(nèi)容僅為本實用新型的較佳實施例，對于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，依據(jù)本實用新型的思想，在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本實用新型的限制。