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芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu)的制作方法

文檔序號(hào):12782305閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

1.一種芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu),其特征在于:包括一芯片,所述芯片包含第一表面、與其相對(duì)的第二表面,以及側(cè)面;所述第一表面包含焊墊以及與其電連接的凸點(diǎn),所述芯片的第一表面及側(cè)面上包封有可光刻聚合物材料,所述第一表面上的可光刻聚合物材料暴露出所述凸點(diǎn)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述芯片的第二表面設(shè)置有保護(hù)層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述凸點(diǎn)表面低于所述可光刻聚合物材料表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述可光刻聚合物材料為可光刻膠或干膜,第一表面上可光刻聚合物材料的厚度大于10微米。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述芯片側(cè)面上可光刻聚合物材料的厚度大于1μm。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述保護(hù)層的材料為樹(shù)脂類(lèi)的膠或干膜。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的芯片多面包封保護(hù)結(jié)構(gòu),其特征在于:所述保護(hù)層的厚度為5μm至40μm。

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