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一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片的制作方法

文檔序號(hào):12782719閱讀:444來源:國(guó)知局

本實(shí)用新型涉及一種衰減片,具體涉及一種用于40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片。



背景技術(shù):

氮化鋁陶瓷基板2瓦6dB的衰減片是同軸固定衰減器芯片的一種,廣泛應(yīng)用在微波通訊、雷達(dá)等設(shè)備中。衰減器是一個(gè)功率消耗和電路匹配元件,要求對(duì)兩端電路的影響越小越好。目前市場(chǎng)上存在的衰減片其衰減精度少數(shù)能達(dá)到18GHz,還不能滿足40GHz更高頻率的應(yīng)用要求。



技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

本實(shí)用新型為了解決上述問題,從而提供一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片。

為達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:

一種40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片,所述薄膜電路衰減片包括一基板,所述基板正面設(shè)有輸入電極、輸出電極和電阻,所述輸入電極位于輸出電極上側(cè),所述電阻分別與輸入電極和輸出電極連接形成分布式衰減網(wǎng)絡(luò),所述基板上下兩側(cè)分別設(shè)有接地導(dǎo)帶,所述分布式衰減網(wǎng)絡(luò)通過接地導(dǎo)帶接地導(dǎo)通,所述基板左側(cè)的輸入端連接有第一鍍金電極,所述基板右側(cè)的輸出端連接有第二鍍金電極。

在本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中,所述基板為卡片狀,所述基板尺寸為6.5mm*4.2mm*0.2mm。

在本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中,所述基板為氮化鋁基板。

在本實(shí)用新型的一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中,所述基板反面為無電路非金屬面。

本實(shí)用新型的有益效果是:

本實(shí)用新型體積小,高頻特性好,阻值精度和衰減精度高,重復(fù)性好,可廣泛應(yīng)用于航空、航天、雷達(dá)、電臺(tái)、廣播通訊等設(shè)備領(lǐng)域隔離器、環(huán)形器等微波產(chǎn)品的生產(chǎn)。

本實(shí)用新型能夠讓衰減電路處于一個(gè)完全對(duì)稱的狀態(tài),產(chǎn)品工作頻帶從直流能達(dá)到40GHz,功率容量達(dá)到2W。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解,下面結(jié)合具體圖示,進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。

參見圖1,本實(shí)用新型提供的40GHz功率2瓦6dB的薄膜電路衰減片,其包括一基板100。

基板100,其具體為氮化鋁基板,其具體為矩形式的卡片狀,體積為6.5mm*4.2mm*0.2mm,其反面為無電路非金屬面,正面設(shè)有輸入電極200、輸出電極300和電阻400。

輸入電極200,其具體通過印刷直接水平設(shè)置在基板100正面的中間部位。

輸出電極300,其具體通過印刷直接水平設(shè)置在基板100正面的中間部位,位于輸入電極200下側(cè),并且輸出電極300在基板100上剛好與輸入電極200相對(duì)稱。

電阻400,其具體通過薄膜工藝直接真空濺射氮化鉭在基板100正面而成,這樣使得其特性阻抗達(dá)到50Ω,頻率達(dá)到40GHz,功率容量達(dá)到2W。

電阻400具體垂直設(shè)置在基板100正面,并且分別與輸入電極200和輸出電極300連接,從而可形成分布式衰減網(wǎng)絡(luò)。

另外,電阻400采用熱氧化調(diào)阻方式,這樣使得本申請(qǐng)的輸入端以及輸出端分別和接地端的阻抗為50±0.5Ω。

在基板100上下兩側(cè)分別設(shè)有接地導(dǎo)帶500,分布式衰減網(wǎng)絡(luò)通過接地導(dǎo)帶500接地導(dǎo)通,這樣通過基板100兩側(cè)的輸出端和輸入端形成衰減電路。

由于輸出電極300與輸入電極200相對(duì)稱,這樣使得衰減電路整體處于一個(gè)完全對(duì)稱的狀態(tài),產(chǎn)品工作頻帶從直流能達(dá)到40GHz,功率容量達(dá)到2W。

另外,由于基板100為矩形式的卡片狀,這樣能達(dá)到駐波小,頻帶寬的要求,使得本申請(qǐng)工作頻帶從直流到40GHz,功率容量2W,具有良好快速的散熱能力,機(jī)械穩(wěn)定性好,重復(fù)性好。

再者,為了便于信號(hào)的快速傳輸,在基板100左側(cè)的輸入端連接有第一鍍金電極610,在基板100右側(cè)的輸出端連接有第二鍍金電極620。

以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制,上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理,在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下,本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn),這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。

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