技術(shù)總結(jié)
本實用新型涉及一種高遷移率氮化鎵半導(dǎo)體器件，該高遷移率氮化鎵半導(dǎo)體器件包括基板；設(shè)置于所述基板上的氮化鋁晶種層；設(shè)置于所述氮化鋁晶種層上的緩沖層；設(shè)置于所述緩沖層上的非有意摻雜氮化鎵層；設(shè)置于所述非有意摻雜氮化鎵層上的通道層，所述通道層為氮化銦鎵層、氮化鋁鎵層或復(fù)合層；設(shè)置于所述通道層上的第二氮化鋁鎵層；以及設(shè)置于所述第二氮化鋁鎵層上的氮化鎵帽層。上述氮化鎵半導(dǎo)體器件能改善氮化鎵功率器件的電子遷移率特性，可以改善使用un?GaN/InGaN/AlGaN?layer的2DEG的效果。

技術(shù)研發(fā)人員：金榮善
受保護(hù)的技術(shù)使用者：英諾賽科（珠海）科技有限公司
文檔號碼：201621363837
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.12
技術(shù)公布日：2017.07.07