本實(shí)用新型涉及多晶硅片技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種復(fù)合多晶硅片。

背景技術(shù)：

隨著能源危機(jī)的日益凸顯，開發(fā)利用新能源成為當(dāng)今能源領(lǐng)域研究的主要課題，由于太陽能具有無污染、無地域性限制、取之不竭等優(yōu)點(diǎn)，研究太陽能發(fā)電成為開發(fā)利用新能源的主要方向。晶體硅太陽能電池，即由晶體硅片制備的太陽能電池是當(dāng)今太陽能電池行業(yè)的主流產(chǎn)品，目前太陽能電池的市場中，晶體硅太陽能電池占據(jù)90%以上的份額，而在晶體硅太陽能電池中，多晶硅占據(jù)主導(dǎo)地位，目前，單晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率已從3年前的14%提高到17%，多晶硅太陽能電池轉(zhuǎn)換效率也從3年前的10%提高到15%，超高效率的太陽能電池轉(zhuǎn)換效率已超過50%，世界光伏組件產(chǎn)量上世紀(jì)末最后10年的平均增長率為20%，但市場上的多晶硅片結(jié)構(gòu)比較簡單轉(zhuǎn)換效率和自身強(qiáng)度都不夠良好，因此，就此類問題，提出了一種復(fù)合多晶硅片。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，而提出的一種復(fù)合多晶硅片。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：

設(shè)計(jì)一種復(fù)合多晶硅片，包括硅片本體，硅片本體包括P型多晶硅片和N型多晶硅片，P型多晶硅片和N型多晶硅片之間設(shè)置有導(dǎo)通層，所述P型多晶硅片上設(shè)置有減反射膜，所述P型多晶硅片的側(cè)面設(shè)置有第一電極，所述N型多晶硅片的側(cè)面設(shè)置有第二電極，所述P型多晶硅片的上表面均布有凹槽，所述減反射膜上設(shè)置有吸光膜，所述吸光膜上設(shè)置有鋼化玻璃膜，所述N型多晶硅片底部設(shè)置有無機(jī)硅填料層。

優(yōu)選的，所述硅片本體的四角均設(shè)置有圓角。

優(yōu)選的，所述凹槽為半球形且呈矩陣排布。

優(yōu)選的，所述無機(jī)硅填料層的底部設(shè)置有防護(hù)膜。

本實(shí)用新型提出的一種復(fù)合多晶硅片，有益效果在于：表面半球形的凹槽有聚光效果，設(shè)置有減反射膜和吸光膜，進(jìn)一步減少反射，提高光電轉(zhuǎn)換效率，硅片本體外設(shè)置有防護(hù)膜和鋼化玻璃膜提高耐腐蝕性，設(shè)置有無機(jī)硅填料層提高硅片的強(qiáng)度。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型提出的一種復(fù)合多晶硅片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型提出的一種復(fù)合多晶硅片的截面示意圖。

圖中：硅片本體1、第一電極2、減反射膜3、凹槽41、P型多晶硅片4、導(dǎo)通層5、第二電極6、N形硅片7、無機(jī)硅填料層8、防護(hù)膜9、鋼化玻璃膜10、吸光膜11。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

參照?qǐng)D1-2，一種復(fù)合多晶硅片，包括硅片本體1，硅片本體1的四角均設(shè)置有圓角，圓角過渡可以減少硅片受到損傷的可能。

硅片本體1包括P型多晶硅片4和N型多晶硅片7，P型多晶硅片4和N型多晶硅片7之間設(shè)置有導(dǎo)通層5，P型多晶硅片4接受光照后，電子通過導(dǎo)通層5轉(zhuǎn)移向N型多晶硅片7，從而產(chǎn)生電流。

P型多晶硅片4上設(shè)置有減反射膜3，P型多晶硅片的側(cè)面設(shè)置有第一電極2，P型多晶硅片的上表面均布有凹槽41，凹槽41為半球形且呈矩陣排布，N型多晶硅片7的側(cè)面設(shè)置有第二電極6，電流通過第一電極2和第二電極6輸出，凹槽為半球形，增大了陽光接收面積且由于球面聚光的原理可以減少一部分反射，同時(shí)還能適應(yīng)不同的陽光照射角度，P型多晶硅片4表面設(shè)置有減反射膜3，進(jìn)一步減少反射，提高光電轉(zhuǎn)換效率。

所述減反射膜3上設(shè)置有吸光膜11，所述吸光膜11上設(shè)置有鋼化玻璃膜10，所述N型多晶硅片底部設(shè)置有無機(jī)硅填料層8，無機(jī)硅填料層8的底部設(shè)置有防護(hù)膜9，吸光膜11用于增加光的吸收，鋼化玻璃膜10和防護(hù)膜9起到耐腐蝕的作用，無機(jī)硅填料層8起到提高硅片強(qiáng)度的作用。

工作流程：陽光照射到P型多晶硅片4表面，在P型多晶硅片4的表面形成電子和空穴對(duì)，電子通過導(dǎo)通層5流向N型多晶硅片7，通過第一電極2和第二電極6可以輸出電流。

以上所述，僅為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。