技術特征：

1.一種雙面鈍化太陽能電池，包括硅襯底，在硅襯底正面的絨面結構，在絨面結構底部的N+層，在絨面結構上的正電極，在硅襯底背面的背面SiO₂層，在SiO₂層背面的背面氮化硅鈍化層，在背面氮化硅鈍化層背面的鋁硅合金層，以及位于鋁硅合金層背面的背電極，其特征在于，在絨面結構上表面從下往上依次具有正面SiO₂層和正面氮化硅鈍化層，所述正電極穿過正面氮化硅鈍化層、正面SiO₂層和絨面結構而進入N+層中；在硅襯底和背面SiO₂層之間還具有P+層；所述背面SiO₂層包括從上到下還依次堆疊的第一SiO₂層和第二SiO₂層；第一背電極穿過鋁硅合金層進入到背面氮化硅鈍化層中；所述第一SiO₂層的厚度小于或等于所述第二SiO₂層。

2.根據(jù)權利要求1所述的雙面鈍化太陽能電池，其特征在于，所述第一SiO₂層為熱氧化SiO₂層，所述第二SiO₂層為等離子體增強化學氣相沉積SiO₂層，所述正面SiO₂層為熱氧化SiO₂層。

3.根據(jù)權利要求1所述的雙面鈍化太陽能電池，其特征在于，所述P+層的厚度大于所述第一SiO₂層的厚度，也大于所述第二SiO₂層的厚度。

4.根據(jù)權利要求1所述的雙面鈍化太陽能電池，其特征在于，所述第一SiO₂層的厚度大于所述正面SiO₂層的厚度，所述第二SiO₂層的厚度大于所述正面SiO₂層的厚度。

5.根據(jù)權利要求1所述的雙面鈍化太陽能電池，其特征在于，所述第一SiO₂層的厚度為1～3nm。

6.根據(jù)權利要求1所述的雙面鈍化太陽能電池，其特征在于，所述第二SiO₂層的厚度為2～10nm。

7.根據(jù)權利要求1所述的雙面鈍化太陽能電池，其特征在于，所述正面SiO₂層的厚度為1～3nm。

8.根據(jù)權利要求1所述的雙面鈍化太陽能電池，其特征在于，所述背面氮化硅鈍化層為疊層結構，其包括：與背面SiO₂層的背面相接觸的SiNx鈍化層，在SiNx鈍化層背面的SiNy鈍化層，SiNx鈍化層中的硅含量高于SiNy鈍化層中的硅含量，其中，x、y均為正數(shù)，且x≦y；所述SiNx鈍化層的厚度與所述SiNy鈍化層厚度不相同。

9.根據(jù)權利要求8所述的雙面鈍化太陽能電池，其特征在于，所述正面氮化硅層的表達式為SiNz，所述正面氮化硅鈍化層的硅含量低于SiNy鈍化層中的硅含量，z為正數(shù)，z≧y；所述正面氮化硅鈍化層的厚度大于或等于所述SiNx鈍化層的厚度，且大于或等于所述SiNy鈍化層的厚度。

10.根據(jù)權利要求1所述的雙面鈍化太陽能電池，其特征在于，所述正面氮化硅鈍化層的厚度為40～200nm，所述背面氮化硅鈍化層的厚度為40～200nm。