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具有高光能利用率的光伏組件的制作方法

文檔序號:11343011閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

1.具有高光能利用率的光伏組件,包括鋁合金邊框及在鋁合金邊框凹槽內(nèi)從上至下設(shè)置的鋼化玻璃、上EVA層、太陽能電池片、下EVA層及背板,太陽能電池片之間使用焊帶串聯(lián),其特征在于:所述的背板上表面設(shè)有反射層,反射層具有織構(gòu)表面,反射層包含第一反射區(qū)和第二反射區(qū)。

2.如權(quán)利要求 1所述的具有高光能利用率的光伏組件,其特征在于:所述的太陽能電池片之間包含第一間隙區(qū)和第二間隙區(qū),太陽能電池片與鋁合金邊框之間包含第三間隙區(qū)和第四間隙區(qū),第一間隙區(qū)和第三間隙區(qū)延伸方向平行于焊帶長度方向,第二間隙區(qū)和第四間隙區(qū)延伸方向垂直于焊帶長度方向。

3.如權(quán)利要求 1所述的具有高光能利用率的光伏組件,其特征在于:所述的第一反射區(qū)對應(yīng)于太陽能電池片覆蓋區(qū)域,第二反射區(qū)對應(yīng)于第三間隙區(qū)和第四間隙區(qū)。

4.如權(quán)利要求 1所述的具有高光能利用率的光伏組件,其特征在于:所述的第一反射區(qū)表面設(shè)置有若干規(guī)則排列的V型槽,第二反射區(qū)表面設(shè)置有若干規(guī)則排列的半V型槽。

5.如權(quán)利要求4所述的具有高光能利用率的光伏組件,其特征在于:所述的位于第一間隙區(qū)下面的反射層第一反射區(qū)表面的V型槽和位于第三間隙區(qū)下面的反射層第二反射區(qū)表面的半V型槽延伸方向平行于焊帶長度方向,位于第二間隙區(qū)下面的反射層第一反射區(qū)表面的V型槽和位于第四間隙區(qū)下面的反射層第二反射區(qū)表面的半V型槽延伸方向垂直于焊帶長度方向。

6.如權(quán)利要求 4所述的具有高光能利用率的光伏組件,其特征在于:所述的V型槽內(nèi)夾角為120°~137°,半V型槽內(nèi)夾角60°~68°。

7.如權(quán)利要求 1所述的具有高光能利用率的光伏組件,其特征在于:所述的反射層厚度為50~200微米。

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