本發(fā)明屬于無線電通訊領域，特別涉及一種無線電通訊設備內置天線的制造工藝。

背景技術：

現有的手機天線制作方法是，雙色注塑工藝和LDS工藝。雙色注塑工藝是需要兩套注塑模，所以不良率較高，導致產量和生產效率低下等問題。LDS工藝需要使用非常昂貴的鐳雕設備及LDS專用的樹脂材料，因此生產成本很高，以及很難做到高難度的形狀導致產生很多不良產品。

技術實現要素：

為解決上述問題，本發(fā)明提供了一種能夠在一般樹脂上進行化鍍的一種手機天線的制造工藝，所采用的技術方案為：

一種手機天線的制造工藝，包括如下步驟：

S10：在要處理的素材天線部位表面鐳雕出凹凸均勻的被鍍面；

S20：使用150g/L濃度的堿性脫脂劑處理被鍍面1min，去除表面的油跡、灰塵；

S30：在55-65℃下用150ml/L的硫酸浸泡被鍍面2-10min；

S40：用100ml/L的鹽酸浸泡被鍍面1-2min；

S50：用5-10g/L的氯化錫溶液浸泡被鍍面2-3min，使被鍍部位的凹凸面吸附氯化錫溶液中的金屬離子；

S60：用100-200ml/L的氯化鈀溶液浸泡被鍍面2-5min；

S70：用50-100g/L的有機酸溶液浸泡被鍍面1-3min，去除被鍍面從氯化錫溶液中吸附的錫離子；

S80：重復步驟S70；

S90：沖擊銅；

S100：在沖擊銅表面進行化銅；

S110：用100-200ml/L的硫酸勁爆被鍍面1-2min，去除天線部位周邊的細微余鍍；

S120：在銅層表面鍍一層鎳層，防止銅層被劃傷造成脫落；

S130：在鎳層表面再次進行鍍鈀，增強銅層和鎳層之間的結合力；

S140：對鈀層表面進行封孔工序。

優(yōu)選的，所述步驟S100中，所述銅層的厚度為9-15μm。

優(yōu)選的，所述步驟S120中，所述鎳層厚度為1-5μm。

同時，本發(fā)明還提供了一種手機天線，所采用的技術方案為：

一種根據上述工藝制得的手機天線，采用一般樹脂材料作為天線素材做底層，由下至上依次為鈀層、銅層、鎳層和鈀層。

特別的，所述銅層分為兩層。

優(yōu)選的，所述銅層的總厚度為9-15μm。

優(yōu)選的，所述鎳層厚度為1-5μm。

普通樹脂是不導電體，所以無法進行化鍍，但通過前處理轉換到導電體后進行化鍍，比其他素材能做到小型化及更薄化。使市場上流行的電器，電子設備等的天線開發(fā)更加有優(yōu)勢。

本發(fā)明改善現有的無線電通訊設備內置天線制作工藝上存在的成本高及高不良的問題。利用容易造型的普通樹脂制作天線，減少制作成本、縮短開發(fā)周期、提高生產效率，且比其他素材能做到小型化及薄片化，使市場上流行的電器，電子設備等的天線開發(fā)更加有優(yōu)勢。

附圖說明

圖1為本發(fā)明制作工藝示意圖

圖2為本發(fā)明手機天線結構示意圖

具體實施方式

實施例1

一種手機天線的化鍍工藝，包括如下步驟：

S10：在要處理的素材天線部位表面鐳雕出凹凸均勻的被鍍面；

S20：使用150g/L濃度的堿性脫脂劑處理被鍍面1min，去除表面的油跡、灰塵；

S30：在55-65℃下用150ml/L的硫酸浸泡被鍍面2min；

S40：用100ml/L的鹽酸浸泡被鍍面1min；

S50：用5-10g/L的氯化錫溶液浸泡被鍍面2min，使被鍍部位的凹凸面吸附氯化錫溶液中的金屬離子；

S60：用100-200ml/L的氯化鈀溶液浸泡被鍍面2min；

S70：用50-100g/L的有機酸溶液浸泡被鍍面1min，去除被鍍面從氯化錫溶液中吸附的錫離子；

S80：重復步驟S70；

S90：沖擊銅；

S100：在沖擊銅表面進行化銅，所述銅層的厚度為9μm；

S110：用100-200ml/L的硫酸勁爆被鍍面1min，去除天線部位周邊的細微余鍍；

S120：在銅層表面鍍一層鎳層，防止銅層被劃傷造成脫落，所述鎳層厚度為1μm；

S130：在鎳層表面再次進行鍍鈀，增強銅層和鎳層之間的結合力；

S140：對鈀層表面進行封孔工序。

一種根據所述手機天線制造工藝制造獲得的手機天線，由天線素材1為底層，由下至上依次為鈀層2、銅層3、鎳層4和鈀層5。所述銅層3的厚度為9μm，所述鎳層厚度為1μm。

實施例2

一種手機天線的化鍍工藝，包括如下步驟：

S10：在要處理的素材天線部位表面鐳雕出凹凸均勻的被鍍面；

S20：使用150g/L濃度的堿性脫脂劑處理被鍍面1min，去除表面的油跡、灰塵；

S30：在55-65℃下用150ml/L的硫酸浸泡被鍍面6min；

S40：用100ml/L的鹽酸浸泡被鍍面1.5min；

S50：用5-10g/L的氯化錫溶液浸泡被鍍面2.5min，使被鍍部位的凹凸面吸附氯化錫溶液中的金屬離子；

S60：用100-200ml/L的氯化鈀溶液浸泡被鍍面3.5min；

S70：用50-100g/L的有機酸溶液浸泡被鍍面2min，去除被鍍面從氯化錫溶液中吸附的錫離子；

S80：重復步驟S70；

S90：沖擊銅；

S100：在沖擊銅表面進行化銅，所述銅層的厚度為12μm；

S110：用100-200ml/L的硫酸勁爆被鍍面1.5min，去除天線部位周邊的細微余鍍；

S120：在銅層表面鍍一層鎳層，防止銅層被劃傷造成脫落，所述鎳層的厚度為3μm；

S130：在鎳層表面再次進行鍍鈀，增強銅層和鎳層之間的結合力；

S140：對鈀層表面進行封孔工序。

一種根據所述手機天線制造工藝制造獲得的手機天線，由天線素材1為底層，由下至上依次為鈀層2、銅層3、鎳層4和鈀層5。所述銅層3的厚度為12μm，所述鎳層厚度為3μm。

實施例3

一種手機天線的化鍍工藝，包括如下步驟：

S10：在要處理的素材天線部位表面鐳雕出凹凸均勻的被鍍面；

S20：使用150g/L濃度的堿性脫脂劑處理被鍍面1min，去除表面的油跡、灰塵；

S30：在55-65℃下用150ml/L的硫酸浸泡被鍍面10min；

S40：用100ml/L的鹽酸浸泡被鍍面2min；

S50：用5-10g/L的氯化錫溶液浸泡被鍍面3min，使被鍍部位的凹凸面吸附氯化錫溶液中的金屬離子；

S60：用100-200ml/L的氯化鈀溶液浸泡被鍍面5min；

S70：用50-100g/L的有機酸溶液浸泡被鍍面3min，去除被鍍面從氯化錫溶液中吸附的錫離子；

S80：重復步驟S70；

S90：沖擊銅；

S100：在沖擊銅表面進行化銅，所述銅層的厚度為15μm；

S110：用100-200ml/L的硫酸勁爆被鍍面2min，去除天線部位周邊的細微余鍍；

S120：在銅層表面鍍一層鎳層，防止銅層被劃傷造成脫落，所述銅層的厚度為5μm；

S130：在鎳層表面再次進行鍍鈀，增強銅層和鎳層之間的結合力；

S140：對鈀層表面進行封孔工序。

一種根據所述手機天線制造工藝制造獲得的手機天線，由天線素材1為底層，由下至上依次為鈀層2、銅層3、鎳層4和鈀層5。所述銅層3的厚度為15μm，所述鎳層厚度為5μm。