本實(shí)用新型涉及具有如下的結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體裝置：半導(dǎo)體元件被密封在樹脂密封體中，進(jìn)行半導(dǎo)體元件的散熱的基板露出在樹脂密封體的下表面。

背景技術(shù)：

近年來，在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)控制等領(lǐng)域中尋求在操作上優(yōu)越、高散熱性、且高可靠性的樹脂密封型半導(dǎo)體裝置，有在同一封裝件內(nèi)收納有功率元件、控制元件、保護(hù)元件(感溫元件等)的IPM(Intelligent Power Module：智能功率模塊)。

作為現(xiàn)有技術(shù)，半導(dǎo)體裝置具有：電極框架、功率半導(dǎo)體元件、由陶瓷構(gòu)成的絕緣部件以及由環(huán)氧樹脂構(gòu)成的密封部。在電極框架的元件搭載部的正面上搭載有功率半導(dǎo)體元件，與元件搭載部的正面相對(duì)的絕緣部件正面的周緣具有圍繞元件搭載部正面的周緣的尺寸/形狀。覆蓋功率半導(dǎo)體元件和元件搭載部等且與絕緣部件的正面接觸而形成密封部。絕緣部件的背面從密封部露出，實(shí)現(xiàn)散熱性的提高。(參照專利文獻(xiàn)1)

專利文獻(xiàn)1：日本特開2001-237366號(hào)公報(bào)

然而，根據(jù)上述的現(xiàn)有技術(shù)，由于絕緣部件的周緣圍繞元件搭載部的周緣而配置，因此為了維持較高的絕緣耐壓，需要充分?jǐn)U大搭載元件的電極框架的周緣與絕緣基板的側(cè)面之間的間隔，存在無法充分響應(yīng)封裝件的小型化要求的課題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

因此，本實(shí)用新型中，鑒于上述問題，提供一種如下的半導(dǎo)體裝置，該半導(dǎo)體裝置通過采用能夠縮短框架的周緣與金屬板的側(cè)面之間的沿面距離的封裝件，實(shí)現(xiàn)小型化。

為了解決上述的課題，本實(shí)用新型采用如下所示的結(jié)構(gòu)。

本實(shí)用新型的半導(dǎo)體裝置的特征在于，其具有：金屬板；絕緣層，其配置于金屬板的上表面，在俯視觀察時(shí)，該絕緣層的周緣的形狀尺寸與金屬板的周緣的形狀尺寸一致；粘接層，其配置于絕緣層的上表面；保護(hù)層，其配置于絕緣層的上表面；框架，其載置并固定于粘接層的上表面；以及密封體，其對(duì)金屬板、絕緣層、粘接層、保護(hù)層和框架進(jìn)行密封，并且使金屬板的至少一部分的下表面露出，保護(hù)層配置于絕緣層的緣部，相對(duì)于粘接層和框架分離地配置。并且，保護(hù)層的特征在于該保護(hù)層是絕緣性高分子樹脂。

由于本實(shí)用新型像上述那樣構(gòu)成，因此能夠提供如下的半導(dǎo)體裝置：能夠確保絕緣耐量且實(shí)現(xiàn)小型化。

附圖說明

圖1是示出本實(shí)用新型的實(shí)施例1的半導(dǎo)體裝置的固定有框架的金屬板的緣部附近的剖面示意圖。

標(biāo)號(hào)說明

1：金屬板；2：絕緣層；3：粘接層；4：保護(hù)層；5：框架；6：密封體；100：半導(dǎo)體元件。

具體實(shí)施方式

以下，關(guān)于用于實(shí)施本實(shí)用新型的方式，參照附圖詳細(xì)地進(jìn)行說明。另外，在以下的附圖的記載中，對(duì)于相同或者類似的部分用相同或者類似的符號(hào)表示。但是，附圖是示意性的，尺寸關(guān)系的比率等與現(xiàn)實(shí)的情況不同。因此，具體的尺寸等應(yīng)該對(duì)照以下的說明來進(jìn)行判斷。并且，當(dāng)然在附圖相互之間也包含彼此的尺寸的關(guān)系和比率不同的部分。

并且，以下所示的實(shí)施方式是用于將該實(shí)用新型的技術(shù)思想具體化的例示，本實(shí)用新型的實(shí)施方式并不是將結(jié)構(gòu)部件的材質(zhì)、形狀、構(gòu)造、配置等特定于下述的內(nèi)容。本實(shí)用新型的實(shí)施方式能夠在不脫離主旨的范圍內(nèi)進(jìn)行各種變更后實(shí)施。

【實(shí)施例】

以下，參照附圖對(duì)本實(shí)用新型的實(shí)施例的半導(dǎo)體元件100進(jìn)行說明。圖1是示出半導(dǎo)體裝置100的將框架5固定于絕緣層2的金屬板1的緣部附近的剖面示意圖。半導(dǎo)體裝置100由金屬板1、絕緣層2、粘接層3、保護(hù)層4、框架5、密封體6構(gòu)成。密封體6的外表面用虛線表示。

金屬板1使用熱導(dǎo)率較高且比較廉價(jià)的金屬，例如鋁或鋁合金等。

在金屬板1的上表面配置有絕緣層2。經(jīng)由配置在絕緣層2的上表面上的粘接層3載置并固定了框架5。

金屬板1的至少一部分的下表面從密封體6露出。

對(duì)于絕緣層2，電絕緣性較高的材料有效。例如使用環(huán)氧樹脂。

在俯視觀察時(shí)，絕緣層2的周緣的形狀尺寸與金屬板1的周緣的形狀尺寸一致。

在絕緣層2的上表面配置有粘接層3。經(jīng)由粘接層3載置并固定了絕緣層2和框架5。

粘接層3將框架5和絕緣層2粘接。為了向金屬板1高效地傳遞熱，而優(yōu)選在熱傳導(dǎo)性上優(yōu)異。粘接層3的厚度為例如50μm。

保護(hù)層4配置于絕緣層2上表面的緣部。

對(duì)于保護(hù)層4，電絕緣性較高的高分子材料有效，保護(hù)層4的厚度為例如30μm。并且，保護(hù)層4的寬度為例如0.7mm。

框架5經(jīng)由粘接層3載置并固定于絕緣層2?？蚣?的從密封體6突出的部位還被用作外部引線?？蚣?使用電阻率較小的金屬，例如銅或銅合金等。也可以在框架5的上表面上經(jīng)由導(dǎo)電性粘接材料而載置半導(dǎo)體元件(未圖示)。

密封體6是使用樹脂成型模具和沖壓裝置，作為傳遞成型(transfer molding)進(jìn)行樹脂成型而得到的。例如，對(duì)于密封體6使用了熱固化性環(huán)氧樹脂。

以上，完成了半導(dǎo)體裝置100。

接著，對(duì)上述的實(shí)施例的半導(dǎo)體元件100的效果進(jìn)行說明。

根據(jù)本實(shí)用新型的實(shí)施例的半導(dǎo)體裝置100，為了確保保護(hù)層4的絕緣耐量，需要防止框架5與保護(hù)層4之間的接觸從而防止保護(hù)層4的損傷。

即，根據(jù)俯視觀察，框架5的端面(包含框架尺寸公差50μm的端面)與保護(hù)層4的端面分離0.7mm，不接觸。

并且，由于將框架5粘貼于粘接層3時(shí)的框架5的下陷是10μm，因此相對(duì)于粘接層3的厚度50μm使保護(hù)層4的厚度為30μm，從而能夠確保保護(hù)層4的絕緣耐量。

如上所述，對(duì)用于實(shí)施本實(shí)用新型的方式進(jìn)行了記載，但根據(jù)該公開，本領(lǐng)域的技術(shù)人員明了各種替代實(shí)施方式、實(shí)施例。

也可以在框架的上表面上載置半導(dǎo)體元件。由此，能夠?qū)⒖蚣茏鳛樾酒鶃砝谩?/p>

也可以在絕緣層的上表面上形成電路圖案。由此，對(duì)半導(dǎo)體裝置內(nèi)部的電布線進(jìn)行集聚，對(duì)于半導(dǎo)體裝置的小型化有效。

也可以在粘接層上使用焊錫。假如焊錫熔融而向絕緣層的緣部方向流出，保護(hù)層也能夠成為壁而進(jìn)行攔截。能夠通過保護(hù)層來防止因焊錫流動(dòng)引起的短路。