本實(shí)用新型涉及光伏領(lǐng)域,特別是涉及一種硅片表面自動(dòng)清洗裝置。
背景技術(shù):
硅片是太陽(yáng)能電池片的載體,硅片質(zhì)量的好壞直接決定了太陽(yáng)能電池片轉(zhuǎn)換效率的高低。單晶硅絨面的制備是生產(chǎn)太陽(yáng)能電池片的必要工序,利用硅的各向異性腐蝕,在每平方厘米硅表面形成幾百萬(wàn)個(gè)四面方錐體也即金字塔結(jié)構(gòu)。由于入射光在表面的多次反射和折射,增加了光的吸收,提高了電池的短路電流和轉(zhuǎn)換效率。硅的各向異性腐蝕液通常用熱的堿性溶液,可用的堿有氫氧化鈉,氫氧化鉀、氫氧化鋰和乙二胺等。大多使用廉價(jià)的濃度約為1%的氫氧化鈉稀溶液來(lái)制備絨面硅,腐蝕溫度為70-85℃。為了獲得均勻的絨面,還應(yīng)在溶液中酌量添加醇類(lèi)如乙醇和異丙醇等作為絡(luò)合劑,以加快硅的腐蝕。制備絨面前,硅片須先進(jìn)行初步表面腐蝕,用堿性或酸性腐蝕液蝕去約20~25μm,在腐蝕絨面后,進(jìn)行一般的化學(xué)清洗。
化學(xué)清洗時(shí),一般將硅片垂直放置,保證硅片的清洗質(zhì)量?,F(xiàn)有技術(shù)中,對(duì)于硅片清洗大多數(shù)企業(yè)使用的是將硅片放入清洗液中進(jìn)行侵泡,靜止侵泡清洗效率低并且質(zhì)量差,同時(shí),在放置硅片時(shí),清洗液容易濺出,傷害人體。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:
本實(shí)用新型主要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種硅片表面自動(dòng)清洗裝置,提高清洗液對(duì)硅片表面的沖擊力,從而提高硅片的清洗質(zhì)量,增大硅片的利用率。
為解決上述技術(shù)問(wèn)題,本實(shí)用新型采用的一個(gè)技術(shù)方案是:提供一種硅片表面自動(dòng)清洗裝置,包括:清洗槽和升降裝置,所述升降裝置設(shè)置在清洗槽內(nèi)部,所述清洗槽中間設(shè)置有隔板,將清洗槽分隔成上層和下層,所述升降裝置包括升降機(jī)、限位開(kāi)關(guān)和密封箱體,所述升降機(jī)底端連接在下層底部,上端穿過(guò)隔板延伸到上層頂部,所述限位開(kāi)關(guān)設(shè)置在下層側(cè)壁上,所述密封箱體設(shè)置在升降機(jī)頂部,所述密封箱體內(nèi)設(shè)置有振打裝置,頂部設(shè)置有硅片存儲(chǔ)機(jī)構(gòu),所述硅片存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)通過(guò)螺栓與密封箱體相連接。
在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)例中,所述隔板為帶有中空結(jié)構(gòu)的雙層耐腐蝕鋼板。
在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)例中,所述硅片存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)包括底部框架,所述底部框架兩側(cè)內(nèi)壁設(shè)置有向下延伸的導(dǎo)向槽,所述導(dǎo)向槽底部設(shè)置有位于底部框架內(nèi)的固定板。
在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)例中,所述固定板上表面設(shè)置有與導(dǎo)向槽寬度相同的固定槽。
在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)例中,所述振打裝置包括驅(qū)動(dòng)電機(jī)和連接在驅(qū)動(dòng)電機(jī)上的凸輪。
在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)例中,所述密封箱體內(nèi)壁四周設(shè)置有與凸輪相對(duì)應(yīng)振打錘。
在本實(shí)用新型一個(gè)較佳實(shí)例中,所述振打錘通過(guò)橡膠棒與密封箱體連接。
本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型指出的一種硅片表面自動(dòng)清洗裝置,提高硅片的清洗效率,并且不對(duì)人體造成任何傷害,清洗時(shí)通過(guò)對(duì)硅片周邊的清洗液進(jìn)行震動(dòng),提高清洗液對(duì)硅片表面的沖擊力,從而提高硅片的清洗質(zhì)量,增大硅片的利用率。
附圖說(shuō)明
為了更清楚地說(shuō)明本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案,下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹,顯而易見(jiàn)地,下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其它的附圖,其中:
圖1是本實(shí)用新型一種硅片表面自動(dòng)清洗裝置一較佳實(shí)施例的結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施方式
下面將對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實(shí)施例僅是本實(shí)用新型的一部分實(shí)施例,而不是全部的實(shí)施例?;诒緦?shí)用新型中的實(shí)施例,本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒(méi)有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其它實(shí)施例,都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。
請(qǐng)參閱圖1,本實(shí)用新型實(shí)施例包括:
一種硅片表面自動(dòng)清洗裝置,包括:清洗槽1和升降裝置2,所述升降裝置2設(shè)置在清洗槽1內(nèi)部,所述清洗槽1中間設(shè)置有隔板11,將清洗槽1分隔成上層12和下層13,所述升降裝置2包括升降機(jī)21、限位開(kāi)關(guān)22和密封箱體23,所述升降機(jī)21底端連接在下層12底部,上端穿過(guò)隔板11延伸到上層13頂部,所述限位開(kāi)關(guān)22設(shè)置在下層13側(cè)壁上,升降機(jī)21側(cè)壁設(shè)置有與限位開(kāi)關(guān)22相對(duì)應(yīng)擋板,限制升降機(jī)21的工作位置。
所述密封箱體23設(shè)置在升降機(jī)21頂部,所述密封箱體23內(nèi)設(shè)置有振打裝置3,頂部設(shè)置有硅片存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)4,所述硅片存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)4通過(guò)螺栓與密封箱體23相連接,方便拆卸。
所述隔板11為帶有中空結(jié)構(gòu)的雙層耐腐蝕鋼板,升降機(jī)21帶動(dòng)硅片存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)4沿清洗槽1上下移動(dòng),方便操作人員將硅片放置在硅片存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)4內(nèi),進(jìn)行清洗。
所述硅片存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)4包括底部框架41,所述底部框架41兩側(cè)內(nèi)壁設(shè)置有向下延伸的導(dǎo)向槽42,所述導(dǎo)向槽42底部設(shè)置有位于底部框架41內(nèi)的固定板43。所述固定板42上表面設(shè)置有與導(dǎo)向槽42寬度相同的固定槽44,用來(lái)固定硅片。
所述振打裝置3包括驅(qū)動(dòng)電機(jī)31和連接在驅(qū)動(dòng)電機(jī)31上的凸輪32,所述密封箱體23內(nèi)壁四周設(shè)置有與凸輪32相對(duì)應(yīng)振打錘5,凸輪32轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí),帶動(dòng)振打錘5動(dòng)作,然后密封箱體23帶動(dòng)硅片存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)4動(dòng)作,帶動(dòng)其周?chē)囊后w進(jìn)行節(jié)奏性的動(dòng)作,形成對(duì)硅片的打擊力,提高硅片表面清洗質(zhì)量,而密封箱體23保護(hù)了振打裝置3、振打錘5等機(jī)械設(shè)備不受清洗液腐蝕。
所述振打錘5通過(guò)橡膠棒6與密封箱體23連接。
本實(shí)用新型的有益效果是:本實(shí)用新型指出的一種硅片表面自動(dòng)清洗裝置,提高硅片的清洗效率,并且不對(duì)人體造成任何傷害,清洗時(shí)通過(guò)對(duì)硅片周邊的清洗液進(jìn)行震動(dòng),提高清洗液對(duì)硅片表面的沖擊力,從而提高硅片的清洗質(zhì)量,增大硅片的利用率。
以上所述僅為本實(shí)用新型的實(shí)施例,并非因此限制本實(shí)用新型的專(zhuān)利范圍,凡是利用本實(shí)用新型說(shuō)明書(shū)內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換,或直接或間接運(yùn)用在其它相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域,均同理包括在本實(shí)用新型的專(zhuān)利保護(hù)范圍內(nèi)。