本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別是涉及封裝基板及使用該封裝基板的半導(dǎo)體封裝件。

背景技術(shù)：

隨著電子產(chǎn)品越來(lái)越趨向輕薄、高頻及多功能，其電路集成度越來(lái)越高。為進(jìn)一步提高半導(dǎo)體封裝件的集成度，目前已設(shè)計(jì)出在封裝基板上內(nèi)埋的凹槽，其經(jīng)配置以收納待封裝的電路元件，從而使得封裝后的半導(dǎo)體封裝件整體結(jié)構(gòu)更薄化，以符合高密度的集成電路需求。但現(xiàn)有的這些凹槽通常是通過(guò)電鍍銅溶銅(蝕刻)或機(jī)鉆后壓合等方式制作，工藝流程復(fù)雜，導(dǎo)致封裝基板生產(chǎn)高成本、低效率。

因而，業(yè)內(nèi)仍期望對(duì)現(xiàn)有的封裝基板作進(jìn)一步改進(jìn)，從而簡(jiǎn)化內(nèi)置凹槽的封裝基板的生產(chǎn)流程。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的之一在于提供一種封裝基板，其可具有內(nèi)置的凹槽且不會(huì)導(dǎo)致工藝流程復(fù)雜化。

本實(shí)用新型的目的之二在于提供一種半導(dǎo)體封裝件，其可使用具有內(nèi)置凹槽的封裝基板而進(jìn)一步減小封裝尺寸。

根據(jù)本實(shí)用新型的一實(shí)施例，一封裝基板包含：介電層，其具有相對(duì)的上表面與下表面；第一線路層，其鄰接該介電層的上表面；第二線路層，其鄰接該介電層的下表面；至少一導(dǎo)通柱，貫穿該介電層且經(jīng)配置以提供該第一線路層與該第二線路層間所需的電連接；及至少一凹槽，其經(jīng)配置以收納待封裝電路元件。該至少一凹槽具有在該第一線路層上的開(kāi)口，且該至少一凹槽位于該第一線路層下方的部分的縱截面呈向下收窄的梯形。

在本實(shí)用新型的一實(shí)施例中，至少一凹槽的底部是裸銅或鎳金，位于該第二線路層的上表面或該第二線路層內(nèi)部。該至少一凹槽的該開(kāi)口周圍設(shè)有若干焊墊，該焊墊經(jīng)配置以與該待封裝電路元件建立電連接。此外，該至少一凹槽是經(jīng)激光鉆孔方式形成的。在另一實(shí)施例中，該至少一凹槽的縱截面整體呈向下收窄的梯形。該封裝基板是跡線嵌入式基板。

此外，本實(shí)用新型的實(shí)施例還提供了使用上述封裝基板制造的半導(dǎo)體封裝件。

本實(shí)用新型實(shí)施例提供的封裝基板及使用該封裝基板的半導(dǎo)體封裝件可在介電材料上直接激光鉆孔，具有節(jié)能、節(jié)時(shí)的優(yōu)點(diǎn)。而且，本實(shí)用新型實(shí)施例形成的上寬下窄的梯形形狀有利于凹槽內(nèi)收納的電路元件的封裝，并能保證該電路元件的可靠性。

附圖說(shuō)明

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的封裝基板的側(cè)面剖視圖。

圖2是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的封裝基板的局部俯視圖

圖3a-3g所示是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的制造封裝基板的方法的流程示意圖

圖4是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的封裝基板的側(cè)面剖視圖。

圖5a-5g所示是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的制造封裝基板的方法的流程示意圖

具體實(shí)施方式

為更好的理解本實(shí)用新型的精神，以下結(jié)合本實(shí)用新型的部分優(yōu)選實(shí)施例對(duì)其作進(jìn)一步說(shuō)明。

圖1是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的封裝基板10的側(cè)面剖視圖。

如圖1所示，為清楚起見(jiàn)，本實(shí)施例僅示出該封裝基板10涉及凹槽的兩層板結(jié)構(gòu)。事實(shí)上，該封裝基板10可以是一簡(jiǎn)單的兩層板，也可以是更復(fù)雜的三層、四層甚至更多層板，但其它層的結(jié)構(gòu)并不影響本實(shí)用新型實(shí)施例關(guān)于凹槽部分的說(shuō)明。具體的，該封裝基板10包含介電層20、第一線路層30、第二線路層40及至少一導(dǎo)通柱50。該介電層20具有相對(duì)的上表面200與下表面202，第一線路層30鄰接該介電層20的上表面200而第二線路層40則鄰接該介電層20的下表面202。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的，在本實(shí)施例中，由于該封裝基板10是跡線嵌入式基板，即在增層時(shí)介電層20壓合在形成的線路層，如第一線路層30上，故該第一線路層30的線路結(jié)構(gòu)，如跡線會(huì)內(nèi)埋于介電層20，然為清楚起見(jiàn)業(yè)內(nèi)仍區(qū)分為線路層和介電層。同樣，在本實(shí)用新型中，為避免混淆，如虛線所區(qū)分，線路結(jié)構(gòu)12，如跡線雖埋于介電層20，但仍視線路結(jié)構(gòu)12壓合前所在層為獨(dú)立的第一線路層30，下同。該至少一導(dǎo)通柱50貫穿介電層20且經(jīng)配置以提供第一線路層30與第二線路層40間所需的電連接。

此外，該封裝基板10還進(jìn)一步包含至少一凹槽60，其經(jīng)配置以收納待封裝電路元件(未圖示)。該至少一凹槽60具有在封裝基板10的外層，如本實(shí)施例中的第一線路層30上的開(kāi)口600，且該至少一凹槽60位于介電層30內(nèi)的部分的縱截面呈向下收窄的梯形。在其它實(shí)施例中，如對(duì)應(yīng)開(kāi)口600處無(wú)線路結(jié)構(gòu)(如圖4所示)，則該至少一凹槽60的縱截面可呈整體向下收窄的梯形。這種梯形結(jié)構(gòu)有利于凹槽60內(nèi)收納的電路元件的封裝，而且在灌膠過(guò)程中凹槽60內(nèi)的空氣更容易排出，不會(huì)對(duì)電路元件的可靠性造成影響。凹槽60的橫切面可以是圓形或方形，不一而足。在本實(shí)施例中，該至少一凹槽60的底部602位于第二線路層40的上表面(即鄰接的介電層30的下表面202)，其鍍有鎳金予以保護(hù)。而在其它實(shí)施例中，該至少一凹槽60的底部602可深入第二線路層40內(nèi)，可鍍鎳金也可不鍍而保留裸銅狀態(tài)。

圖2是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的封裝基板10的局部俯視圖，其顯示凹槽60的開(kāi)口600與焊墊14布局，這些焊墊14用于與凹槽60內(nèi)收納的電路元件間建立電連接。

如圖2所示，為便于打線和節(jié)省金線用量，可將相應(yīng)的焊墊14設(shè)置于凹槽60的開(kāi)口600周圍。在本實(shí)施例中，由于第一線路層30是封裝基板10的金屬外層，焊墊14即設(shè)置在該第一線路層30上。

為加深對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的封裝基板10的結(jié)構(gòu)的理解，以下結(jié)合根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的封裝基板10的制造方法作進(jìn)一步說(shuō)明。

圖3a-3g所示是根據(jù)本實(shí)用新型一實(shí)施例的制造封裝基板10的方法的流程示意圖，其可用于制造圖1中所示的封裝基板10。

如圖3a所示，首先提供一覆銅載板31，該覆銅載板31包含載板介電層330和分別位于該載板介電層330的上、下表面上的第一銅層332。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所了解，該載板介電層330可采用半固化的介電材料，且在去除載板31前，本實(shí)施例所進(jìn)行的步驟都是在載板31兩側(cè)同時(shí)作業(yè)。在本實(shí)施例中兩側(cè)的第一銅層332也可進(jìn)一步由兩層可機(jī)械分離的銅箔組成，視需要?jiǎng)冸x或保留相應(yīng)的銅箔。在一些實(shí)施例中，該第一銅層332也可為單層。

如圖3b所示，以電鍍銅方式，具體的包括壓干膜、曝光顯影等在第一銅層332上表面上形成第一線路層30，且在形成該第一線路層30時(shí)預(yù)留出后續(xù)需要開(kāi)槽形成凹槽60的位置。第一線路層30包含若干線路結(jié)構(gòu)12

接著，可在第一線路層30的基礎(chǔ)上進(jìn)行增層作業(yè)。如圖3c所示，將預(yù)先熱壓合在一起的介電層20和第二導(dǎo)電層16壓合于該第一線路層30上。該介電層20同樣可是常規(guī)的半固化的介電材料，該第二導(dǎo)電層16可以是一銅箔。

如圖3d所示，通過(guò)在第二導(dǎo)電層16和介電層20上機(jī)械鉆孔或激光鉆孔、沉積銅及電鍍等一系列處理形成至少一導(dǎo)通孔(未示出)，并經(jīng)化銅處理填充該導(dǎo)通孔即可形成該至少一導(dǎo)通柱50，其經(jīng)配置以提供第一線路層30與第二線路層40(后續(xù)在第二導(dǎo)電層16上形成)。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所了解的，經(jīng)這一工藝后第二導(dǎo)電層16的厚度會(huì)增加。

對(duì)第二導(dǎo)電層16進(jìn)行壓干膜、曝光顯影，及蝕刻等一系列處理，即可在第二導(dǎo)電層16上形成第二線路層40，其包含若干線路結(jié)構(gòu)12，如圖3e所示。若要繼續(xù)增層得到更多層封裝基板，如三層或四層封裝基板，可重復(fù)圖3c至3e所示的步驟。

在得到確定層數(shù)的封裝基板10后即可去除載板，如圖3f所示。

接著，可在預(yù)留的對(duì)應(yīng)凹槽60的位置以激光進(jìn)行鉆孔以得到凹槽60，如圖3g所示。本實(shí)施例中，鉆孔深度僅至第二線路層40的上表面，相應(yīng)的得到的凹槽60的底部602也位于該第二線路層40的上表面。由于預(yù)留的位置沒(méi)有銅箔等金屬，故可直接在介電材料上鉆孔。與傳統(tǒng)的在銅箔上鉆孔的方式相比，本實(shí)用新型能耗低，且時(shí)間短。

可在第一線路層30與第二線路層40上進(jìn)一步形成防焊層17以保護(hù)其上的電路結(jié)構(gòu)，如線路結(jié)構(gòu)12。另外還可在裸露的焊墊14和/或凹槽60的底部602處進(jìn)一步以鍍鎳金等方式進(jìn)行處理，以避免其受腐蝕，從而得到最終的封裝基板10，如圖1所示。

圖4是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的封裝基板10a的側(cè)面剖視圖。

類似的，為清楚起見(jiàn)，本實(shí)施例僅示出該封裝基板10a涉及凹槽60的兩層板結(jié)構(gòu)。事實(shí)上，該封裝基板10a可以是一簡(jiǎn)單的兩層板，也可以是更復(fù)雜的三層、四層甚至更多層板，但其它層的結(jié)構(gòu)并不影響本實(shí)用新型實(shí)施例關(guān)于凹槽部分的說(shuō)明。本實(shí)施例中，該封裝基板10a包含介電層20、第一線路層30、第二線路層40及至少一導(dǎo)通柱50。該介電層20具有相對(duì)的上表面200與下表面202，第一線路層30鄰接該介電層20的上表面200而第二線路層40則鄰接該介電層20的下表面202。該至少一導(dǎo)通柱50貫穿介電層20且經(jīng)配置以提供第一線路層30與第二線路層40間所需的電連接。

此外，該封裝基板10a還進(jìn)一步包含至少一凹槽60，其經(jīng)配置以收納待封裝電路元件(未圖示)。該至少一凹槽60具有在封裝基板10a的外層，如本實(shí)施例中的第一線路層30上的開(kāi)口600，且該至少一凹槽60位于介電層30內(nèi)的部分的縱截面呈向下收窄的梯形。在本實(shí)施例中，因?qū)?yīng)開(kāi)口600處無(wú)線路結(jié)構(gòu)，其可呈整體向下收窄的梯形。這種梯形結(jié)構(gòu)有利于凹槽60內(nèi)收納的電路元件的封裝，而且在灌膠過(guò)程中凹槽60內(nèi)的空氣更容易排出，不會(huì)對(duì)電路元件的可靠性造成影響。凹槽60的橫切面可以是圓形或方形，不一而足。在本實(shí)施例中，該至少一凹槽60的底部602深入第二線路層40內(nèi)，且鍍有鎳金予以保護(hù)。

圖5a-5g所示是根據(jù)本實(shí)用新型另一實(shí)施例的制造封裝基板10a的方法的流程示意圖，其可用于制造圖4中所示的封裝基板10a。當(dāng)然該方法同樣可用于制造圖1所示的封裝基板10，如同圖3a-3g所示的封裝基板制造方法同樣可以用于制造圖4中所示的封裝基板10a。

如圖5a所示，類似的，首先提供一覆銅載板31，該覆銅載板31包含載板介電層330和分別位于該載板介電層330的上、下表面上的第一銅層332。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所了解，該載板介電層330可采用半固化的介電材料，且在去除載板31前，本實(shí)施例所進(jìn)行的步驟都是在載板31兩側(cè)同時(shí)作業(yè)。在本實(shí)施例中兩側(cè)的第一銅層332也可進(jìn)一步由兩層可機(jī)械分離的銅箔組成，視需要?jiǎng)冸x或保留相應(yīng)的銅箔。在一些實(shí)施例中，該第一銅層332也可為單層。

如圖5b所示，以電鍍銅方式，具體的包括壓干膜、曝光顯影等在第一銅層332上表面上形成第一線路層30，且在形成該第一線路層300時(shí)無(wú)需預(yù)留凹槽60的開(kāi)口位置。第一線路層30包含若干線路結(jié)構(gòu)12。

接著，可在第一線路層30的基礎(chǔ)上進(jìn)行增層作業(yè)。如圖5c所示，將預(yù)先熱壓合在一起的介電層20和第二導(dǎo)電層16壓合于該第一線路層30上。該介電層20同樣可是常規(guī)的半固化的介電材料，該第二導(dǎo)電層16可以是一銅箔。

如圖5d所示，通過(guò)在第二導(dǎo)電層16和介電層20上機(jī)械鉆孔或激光鉆孔、沉積銅及電鍍等一系列處理形成至少一導(dǎo)通孔(未示出)，并經(jīng)化銅處理填充該導(dǎo)通孔即可形成該至少一導(dǎo)通柱50，其經(jīng)配置以提供第一線路層30與第二線路層40(后續(xù)在第二導(dǎo)電層16上形成)。

對(duì)第二導(dǎo)電層16進(jìn)行壓干膜、曝光顯影，及蝕刻等一系列處理，即可在第二導(dǎo)電層16上形成第二線路層40，其包含若干線路結(jié)構(gòu)12，如圖5e所示。若要繼續(xù)增層得到更多層封裝基板，如三層或四層封裝基板，可重復(fù)圖5c至5e所示的步驟。

在得到確定層數(shù)的封裝基板10后即可去除載板，如圖5f所示。

接著，可通過(guò)對(duì)位的方式確定凹槽60的位置，以激光進(jìn)行鉆孔以得到凹槽60，如圖5g所示。本實(shí)施例中，鉆孔深度深至第二線路層40內(nèi)，相應(yīng)的得到的凹槽60的底部602也位于該第二線路層40內(nèi)。由于可直接在介電材料上鉆孔，因而本實(shí)用新型與傳統(tǒng)的在銅箔上鉆孔的方式相比，具有能耗低、時(shí)間短的優(yōu)點(diǎn)，有助于提高生產(chǎn)效率。

同樣，可在第一線路層30與第二線路層40上進(jìn)一步形成防焊層17以保護(hù)其上的電路結(jié)構(gòu)，如線路結(jié)構(gòu)12。另外還可在裸露的焊墊14和/或凹槽60的底部602處進(jìn)一步以鍍鎳金等方式進(jìn)行處理，以避免其受腐蝕，從而得到最終的封裝基板10a，如圖4所示。

上述實(shí)施例僅以兩層板的跡線嵌入式封裝基板為例對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)行了說(shuō)明，本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)了解對(duì)其它不同類型的封裝基板具體增層時(shí)的不同處理順序和方法，不應(yīng)因此將本實(shí)用新型限定在兩層板或跡線嵌入式封裝基板。此外，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)了解如何使用本實(shí)用新型實(shí)施例所提供的封裝基板制造得到半導(dǎo)體封裝件，其由于使用了上述封裝基板也勢(shì)必具有整體尺寸小的優(yōu)點(diǎn)。

本實(shí)用新型的技術(shù)內(nèi)容及技術(shù)特點(diǎn)已揭示如上，然而熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員仍可能基于本實(shí)用新型的教示及揭示而作種種不背離本實(shí)用新型精神的替換及修飾。因此，本實(shí)用新型的保護(hù)范圍應(yīng)不限于實(shí)施例所揭示的內(nèi)容，而應(yīng)包括各種不背離本實(shí)用新型的替換及修飾，并為本專利申請(qǐng)權(quán)利要求書所涵蓋。