本發(fā)明涉及半導(dǎo)體背面用薄膜，特別是涉及用于貼合于以倒裝(facedown)方式加以安裝的半導(dǎo)體芯片背面的半導(dǎo)體背面用薄膜。
背景技術(shù)：
：近年，更進(jìn)一步要求半導(dǎo)體裝置及其封裝體的薄型化、小型化。加以進(jìn)行使用稱為所謂倒裝(facedown)方式的安裝法的半導(dǎo)體裝置的制造。在倒裝方式中，使用在電路面形成用于確保導(dǎo)通的被稱為凸塊的凸?fàn)畹碾姌O而成的半導(dǎo)體芯片，使電路面反轉(zhuǎn)(日文：フェイスダウン)，成為將電極連接于基板的結(jié)構(gòu)(所謂的倒裝芯片連接)。在如此的半導(dǎo)體裝置中，有時(shí)借助半導(dǎo)體背面用薄膜而保護(hù)半導(dǎo)體芯片的背面，防止半導(dǎo)體芯片的損傷等(參照專利文獻(xiàn)1)。另外，也有時(shí)對(duì)該半導(dǎo)體背面用薄膜實(shí)施激光標(biāo)識(shí)，而提高制品的識(shí)別性等(參照專利文獻(xiàn)2)。作為倒裝芯片連接的代表性的步驟，將在粘接有半導(dǎo)體背面用薄膜的半導(dǎo)體芯片表面形成的焊料凸塊等浸漬于助焊劑，然后使凸塊與形成于基板上的電極(根據(jù)需要而在該電極上也形成有焊料凸塊)接觸，最后使焊料凸塊熔融而使焊料凸塊與電極回焊連接。助焊劑是出于焊接時(shí)的焊料凸塊的清洗、氧化的防止、焊料的潤(rùn)濕性的改善等目的而加以使用。經(jīng)由以上的步驟，可構(gòu)筑半導(dǎo)體芯片與基板之間的良好的電連接。在此，助焊劑通常僅附著于凸塊部分，但根據(jù)作業(yè)環(huán)境的不同而有時(shí)附著于粘貼在半導(dǎo)體芯片的背面上的背面用薄膜。而且，當(dāng)保持附著有助焊劑于背面用薄膜的狀態(tài)而進(jìn)行回焊連接時(shí)，在背面用薄膜表面產(chǎn)生有來自助焊劑的污痕，而有外觀性、激光標(biāo)識(shí)性降低之虞。因此，作為能夠制造即使附著有助焊劑也可防止污痕的產(chǎn)生、能夠制造外觀性優(yōu)異的半導(dǎo)體裝置的半導(dǎo)體背面用薄膜，提出了具備粘接劑層、和層疊在該粘接劑層上的保護(hù)層，用玻璃化轉(zhuǎn)移溫度為200℃以上的耐熱性樹脂或金屬構(gòu)成保護(hù)層的半導(dǎo)體背面用薄膜(參照專利文獻(xiàn)3)?，F(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)專利文獻(xiàn)1：日本特開2007-158026號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2：日本特開2008-166451號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3：日本特開2012-033626號(hào)公報(bào)技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的課題如上述專利文獻(xiàn)1或?qū)＠墨I(xiàn)2所示，利用放射線或熱而使包含放射線固化性成分或熱固化性成分的樹脂固化而形成保護(hù)膜的情況下，固化后的保護(hù)膜與半導(dǎo)體晶片的熱膨脹系數(shù)差大，因此有加工途中的半導(dǎo)體晶片、半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生翹曲的問題。本申請(qǐng)發(fā)明者們進(jìn)行研究的結(jié)果：了解到如專利文獻(xiàn)3那樣利用金屬而形成保護(hù)層的情況也有助于半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片的翹曲防止。但是，在用于將金屬的保護(hù)層粘接于半導(dǎo)體晶片的粘接劑層的粘接力不充分，粘接劑的應(yīng)力緩和不充分的情況下，半導(dǎo)體晶片與粘接層之間、或者粘接劑層與保護(hù)層之間的粘接變得不穩(wěn)定。其結(jié)果是，在半導(dǎo)體晶片的切割時(shí)，在半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片與粘接層之間、或者粘接劑層與保護(hù)層之間產(chǎn)生剝離，而有半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生碎片(日文：チツピング)(缺口)的問題。另外，在封裝時(shí)，在半導(dǎo)體芯片與粘接層之間、或者粘接劑層與保護(hù)層之間發(fā)生回焊破裂，而有可靠性降低的問題。因此，本發(fā)明的課題在于，提供防止半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片的翹曲、并且可防止碎片或回焊破裂的發(fā)生的半導(dǎo)體背面用薄膜。用于解決課題的手段為了解決以上的課題，本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用薄膜的特征在于，具有用于貼合于半導(dǎo)體芯片的背面的金屬層、和用于將所述金屬層粘接于所述半導(dǎo)體芯片的背面的粘接劑層，所述粘接劑層的粘接于所述半導(dǎo)體芯片的一側(cè)的面及與所述金屬劑層粘接側(cè)的面的表面自由能均為35mj/m2以上，b階段的所述粘接劑層與所述金屬層的剝離力為0.3n/25mm以上。上述半導(dǎo)體背面用薄膜的所述粘接劑層的吸水率優(yōu)選為1.5vol％以下。另外，上述半導(dǎo)體背面用薄膜的所述粘接劑層的飽和吸濕率優(yōu)選為1.0vol％以下。另外，半導(dǎo)體背面用薄膜的所述粘接劑層的殘存揮發(fā)性組分優(yōu)選為3.0wt％以下。另外，上述半導(dǎo)體背面用薄膜具有包含基材薄膜與粘合劑層的切割膠帶，在所述粘合劑層上設(shè)置有所述金屬層。另外，上述半導(dǎo)體背面用薄膜的所述粘合劑層優(yōu)選為利用放射線的照射而使粘合力降低的放射線固化型粘合劑層。發(fā)明效果如根據(jù)本發(fā)明，可防止半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片的翹曲，并且可防止碎片或回焊破裂的發(fā)生。附圖說明圖1是示意性地表示有關(guān)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體背面用薄膜的結(jié)構(gòu)的剖面圖。圖2是用于說明有關(guān)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體背面用薄膜的使用方法的剖面圖。具體實(shí)施方式以下，對(duì)于本發(fā)明的實(shí)施方式，詳細(xì)地加以說明。圖1是表示有關(guān)本發(fā)明的實(shí)施方式的半導(dǎo)體背面用薄膜10的剖面圖。本實(shí)施方式的半導(dǎo)體背面用薄膜10是切割膠帶一體型的半導(dǎo)體背面用薄膜10。該半導(dǎo)體背面用薄膜10具有包含基材薄膜11和設(shè)置于基材薄膜11上的粘合劑層12的切割膠帶13，在粘合劑層12上，設(shè)置有用于保護(hù)半導(dǎo)體芯片c(參照?qǐng)D2)的金屬層14、和設(shè)置于金屬層14上的粘接劑層15。關(guān)于粘接劑層15，與金屬層14相接的面的相反側(cè)的面優(yōu)選利用間隔件(剝離襯墊)加以保護(hù)者(未圖示)。間隔件具有作為提供實(shí)用為止保護(hù)粘接劑層15的保護(hù)材料的功能。另外，在切割膠帶一體型的半導(dǎo)體背面用薄膜10的情況下，間隔件可作為將金屬層14貼合于切割膠帶13的基材薄膜11上的粘合劑層12時(shí)的支承基材而使用。粘合劑層12，金屬層14及粘接劑層15可以配合使用工序、裝置而預(yù)先切斷(預(yù)切割)成規(guī)定形狀。此外，本發(fā)明的半導(dǎo)體背面用薄膜10也可以是按照每1個(gè)半導(dǎo)體晶片w的部分而被切斷的形態(tài)，也可以是將形成有多個(gè)按照每1個(gè)半導(dǎo)體晶片w的部分而被切斷的薄膜的長(zhǎng)條的片卷取成輥狀的形態(tài)。以下，對(duì)于各構(gòu)成要素加以說明。<基材薄膜11>作為基材薄膜11，只要為以往公知的基材薄膜則可沒有特別限制地使用，但對(duì)于作為后述的粘合劑層12而使用放射線固化性的材料的情況下，優(yōu)選使用具有放射線透過性的基材薄膜。例如，作為其材料，可列舉：聚乙烯、聚丙烯、乙烯-丙烯共聚物、聚丁烯-1、聚-4-甲基戊烯-1、乙烯-醋酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸乙酯共聚物、乙烯-丙烯酸甲酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、離聚物等的α-烯烴的均聚物或共聚物、或者它們的混合物、聚氨酯、苯乙烯-乙烯-丁烯系共聚物、苯乙烯-乙烯-戊烯系共聚物、聚酰胺-多元醇共聚物等的熱塑性彈性體、及它們的混合物。另外，基材薄膜11可以是將選自這些組中的2種以上的材料混合而得者，也可以是將它們單層或多層化而得者?；谋∧?1的厚度并未特別加以限定，而適宜地進(jìn)行設(shè)定即可，但優(yōu)選為50～200μm。為了使基材薄膜11與粘合劑層12的密接性提升，可以對(duì)基材薄膜11的表面施以鉻酸處理、臭氧暴露、火焰暴露、高壓電擊暴露、離子化放射線處理等的化學(xué)或物理表面處理。另外，在本實(shí)施方式中，在基材薄膜11之上直接設(shè)置了粘合劑層12，但也可以借助用于提升密接性的底涂層、用于提高切割時(shí)的切削性的錨固層、應(yīng)力緩和層、靜電防止層等而間接地設(shè)置。<粘合劑層12>作為使用于粘合劑層12的樹脂，并未特別加以限定，而可使用用于粘合劑的公知的氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸類樹脂、聚酯樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂等。優(yōu)選在粘合劑層12的樹脂中適宜配合丙烯酸系粘合劑、放射線聚合性化合物、光聚合引發(fā)劑、固化劑等來制備粘合劑。粘合劑層12的厚度并未特別加以限定，而適宜地設(shè)定即可，但優(yōu)選為5～30μm?？蓪⒎派渚€聚合性化合物配合在粘合劑層12中，利用放射線固化而容易自金屬層14剝離。該放射線聚合性化合物例如使用通過光照射而能夠三維網(wǎng)狀化的分子內(nèi)至少具有2個(gè)以上的光聚合碳-碳雙鍵的低分量化合物。具體而言，可應(yīng)用三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二季戊四醇單羥基五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、1，4-丁二醇二丙烯酸酯、1，6-己二醇二丙烯酸酯、聚乙二醇二丙烯酸酯、或低聚酯丙烯酸酯等。另外，除了如上述的丙烯酸酯系化合物之外，也可使用氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物。氨基甲酸酯丙烯酸酯系低聚物如下得到：使聚酯型或聚醚型等的多元醇化合物、與多元異氰酸酯化合物(例如，2，4-甲苯二異氰酸酯，2，6-甲苯二異氰酸酯，1，3-亞二甲苯基二異氰酸酯，1，4-亞二甲苯基二異氰酸酯，二苯甲烷4，4-二異氰酸酯等)反應(yīng)而得到末端異氰酸酯氨基甲酸酯預(yù)聚物，使該末端異氰酸酯氨基甲酸酯預(yù)聚物與具有羥基的丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯(例如，丙烯酸2-羥乙酯，甲基丙烯酸2-羥乙酯，丙烯酸2-羥丙酯，甲基丙烯酸2-羥丙酯，聚乙二醇丙烯酸酯，聚乙二醇甲基丙烯酸酯等)反應(yīng)。粘合劑層12也可以是將選自上述樹脂的2種以上混合而得。使用光聚合引發(fā)劑的情況下，例如可使用異丙基苯偶姻醚、異丁基苯偶姻醚、二苯甲酮、米氏酮、氯噻噸酮、十二烷基噻噸酮、二甲基噻噸酮、二乙基噻噸酮、苯偶酰甲基縮酮、α-羥基環(huán)己基苯基甲酮、2-羥基甲基苯基丙烷等。這些光聚合引發(fā)劑的配合量相對(duì)于丙烯酸系共聚物100質(zhì)量份優(yōu)選為0.01～5質(zhì)量份。<金屬層14>作為構(gòu)成金屬層14的金屬，并未特別加以限定，例如，從激光標(biāo)識(shí)性的點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為選自不銹鋼、鋁、鐵、鈦、錫及銅中的至少1種。在它們之中，從防止半導(dǎo)體晶片w或者半導(dǎo)體芯片c的翹曲的觀點(diǎn)，不銹鋼特別優(yōu)選。金屬層14的厚度可以考慮半導(dǎo)體晶片w或者半導(dǎo)體芯片c的翹曲的防止及加工性等而作適宜決定，通常為2～200μm的范圍，優(yōu)選為3～100μm，更優(yōu)選為4～80μm，特別優(yōu)選為5～50μm。金屬層為200μm以上時(shí)，卷曲則變?yōu)槔щy，而為50μm以上時(shí)，因加工性的問題而生產(chǎn)率降低。另一方面，作為翹曲抑制的效果，最低至少需要為2μm以上。<粘接劑層15>粘接劑層15是預(yù)先將粘接劑薄膜化而成的層，粘接于半導(dǎo)體芯片c的一側(cè)的面及與金屬層14粘接側(cè)的面的表面自由能均為35mj/m2以上。在本發(fā)明中，表面自由能設(shè)為：測(cè)定水及二碘甲烷的接觸角(液滴容量：水2μl、二碘甲烷3μl、讀取時(shí)間：滴下30秒后)，并由以下式所算出的值。在使用前在粘接于半導(dǎo)體芯片c的一側(cè)的表面貼合有間隔件等的情況下，粘接于半導(dǎo)體芯片c的一側(cè)的面的表面自由能為剝離間隔件后的表面自由能，與金屬層14粘接側(cè)的面的表面自由能為剝離金屬層14后的表面自由能。[數(shù)學(xué)式1]γs：表面自由能：表面自由能的極性成分：表面自由能的分散成分θh：水對(duì)固體表面的接觸角θi：二碘甲烷對(duì)固體表面的接觸角當(dāng)粘接劑層15的粘接于半導(dǎo)體芯片c的一側(cè)的面及與金屬層14粘接側(cè)的面的表面自由能小于35mj/m2時(shí)，因潤(rùn)濕性不充分而容易引入空隙，并且金屬層14與粘接層15的密接性變得不充分，半導(dǎo)體芯片c與粘接劑層15之間或者粘接劑層15與金屬層14之間發(fā)生回焊破裂，可靠性則降低。在粘接劑層15的粘接于半導(dǎo)體芯片c的一側(cè)的面及與金屬層14粘接側(cè)的面的表面自由能為55mj/m2以下是實(shí)用的。另外，粘接劑層15在b階段(未固化狀態(tài)或半固化狀態(tài))中的與金屬層14的剝離力(23℃、剝離角度180度、線速度300mm/分鐘)為0.3n/25mm以上。剝離力小于0.3n/25mm時(shí)，在半導(dǎo)體晶片w的切割時(shí)，在半導(dǎo)體晶片w或半導(dǎo)體芯片c與粘接劑層15之間、或者粘接劑層15與金屬層14之間產(chǎn)生剝離，而半導(dǎo)體芯片c產(chǎn)生碎片(缺口)。粘接劑層15的吸水率優(yōu)選為1.5vo1％以下者為佳。吸水率的測(cè)定方法如下。即，將50×50mm尺寸的粘接劑層15(薄膜狀粘接劑)作為樣品，使樣品在真空干燥機(jī)中以120℃進(jìn)行3小時(shí)干燥，在干燥器中放冷后，測(cè)定干燥質(zhì)量而作為m1。將樣品在室溫下浸漬于蒸餾水中24小時(shí)然后取出，以濾紙擦拭樣品表面，馬上進(jìn)行秤量而作為m2。吸水率利用下式(1)而算出。吸水率(vol％)＝[(m2-m1)/(m1/d)]×100(1)在此，d為薄膜的密度。當(dāng)吸水率超出1.5vol％時(shí)，因吸水的水分而在回流焊接時(shí)有產(chǎn)生回焊破裂之虞。粘接劑層15的飽和吸濕率優(yōu)選為1.0vol％以下。飽和吸濕率的測(cè)定方法如下。即，將直徑100mm的圓形的粘接劑層15(薄膜狀粘接劑)作為樣品，使樣品在真空干燥機(jī)中以120℃進(jìn)行3小時(shí)干燥，在干燥器中放冷后，測(cè)定干燥質(zhì)量而作為m1。將樣品在85℃、85％rh的恒溫恒濕槽中進(jìn)行168小時(shí)吸濕然后取出，馬上進(jìn)行秤量而作為m2。飽和吸濕率利用下式(2)而算出。飽和吸濕率(vol％)＝[(m2-m1)/(m1/d)]×100(2)在此，d為薄膜的密度。當(dāng)飽和吸濕率超出1.0vol％時(shí)，因回焊時(shí)的吸濕故蒸氣壓的值則變高，無法得到良好的回焊特性。粘接劑層15的殘存揮發(fā)性組分優(yōu)選為3.0wt％以下。殘存揮發(fā)性組分的測(cè)定方法如下。即，將50×50mm尺寸的粘接劑層15(薄膜狀粘接劑)作為樣品，測(cè)定樣品的初期的質(zhì)量而作為m1，將樣品在熱風(fēng)循環(huán)恒溫槽中以200℃進(jìn)行2小時(shí)加熱后，進(jìn)行秤量而作為m2。殘存揮發(fā)性組分利用下式(3)而算出。殘存揮發(fā)性組分(wt％)＝[(m2-m1)/m1]×100(3)當(dāng)殘存揮發(fā)性組分超出3.0wt％時(shí)，因封裝時(shí)的加熱故溶劑揮發(fā)，于粘接劑層15的內(nèi)部產(chǎn)生空隙，成為封裝體破裂的主要原因。就粘接劑層15而言，例如，可使用用于粘接劑的公知的聚酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚醚酰亞胺樹脂、聚酰胺酰亞胺樹脂、聚酯樹脂、聚酯酰亞胺樹脂、苯氧基樹脂、聚砜樹脂、聚醚砜樹脂、聚苯硫醚樹脂、聚醚酮樹脂、氯化聚丙烯樹脂、丙烯酸類樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚丙烯酰胺樹脂、三聚氰胺樹脂等或其混合物，但從粘接劑層15的粘接性與可靠性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選包含丙烯酸系共聚物、環(huán)氧樹脂，丙烯酸系共聚物的tg為0℃以上40℃以下，重均分子量為10萬以上100萬以下。更優(yōu)選的重均分子量為60萬以上90萬以下。需要說明的是，重均分子量是利用膠凝滲透色譜(gpc)法而使用基于標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯的校正曲線而測(cè)得的。(基于gpc法的測(cè)定條件)使用機(jī)器：高效液相色譜lc-20ad[株式會(huì)社島津制作所制、商品名]柱：shodexcolμmngpckf-805[株式會(huì)社島津制作所制、商品名]洗脫液：氯仿測(cè)定溫度：45℃流量：3.0ml/minri檢測(cè)器：rid-10a丙烯酸系共聚物的聚合方法并無特別限制，例如，可舉出珠狀聚合、溶液聚合、懸浮聚合等，利用這些方法而得到共聚物。由于耐熱性優(yōu)異故優(yōu)選懸浮聚合，作為這樣的丙烯酸系共聚物，例如可舉出paracronw-197c(根上工業(yè)株式會(huì)社制、商品名)。丙烯酸系共聚物優(yōu)選包含丙烯腈。相對(duì)于丙烯酸系共聚物，優(yōu)選10～50質(zhì)量％、更優(yōu)選20～40質(zhì)量％為丙烯腈。丙烯腈為10質(zhì)量％以上時(shí)，可提升粘接劑層15的tg，使粘接性提升者，但為50質(zhì)量％以上時(shí)，粘接劑層15的流動(dòng)性變差，有時(shí)粘接性下降。特別優(yōu)選含有丙烯腈的基于懸浮聚合的丙烯酸系共聚物。為了使粘接性提升，丙烯酸系共聚物可以具有官能團(tuán)。作為官能團(tuán)并無特別限定，例如，可舉出胺基、氨基甲酸酯基、酰亞胺基、羥基、羧基、縮水甘油基等，其中，優(yōu)選縮水甘油基。縮水甘油基與作為熱固化樹脂的環(huán)氧樹脂的反應(yīng)性良好，若與羥基等進(jìn)行比較則不易與粘合劑層12反應(yīng)，因此不易引起表面自由能的變化。粘接劑層15也可以含有無機(jī)填料，但當(dāng)添加量多時(shí)流動(dòng)性下降，粘接性降低，因此優(yōu)選小于40質(zhì)量％，更優(yōu)選小于20質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選小于15質(zhì)量％。另外，粒徑大時(shí)在粘接面的表面產(chǎn)生凹凸，粘接性下降，因此平均粒徑優(yōu)選小于1μm，更優(yōu)選小于0.5μm，進(jìn)一步優(yōu)選小于0.1μm。無機(jī)填料的粒徑的下限并無特別限制，但為0.003μm以上的情況是切與實(shí)際的。為了控制表面自由能，可以添加硅烷偶聯(lián)劑或鈦酸酯偶聯(lián)劑、氟系接枝共聚物作為添加劑。優(yōu)選含有巰基、縮水甘油基。粘接劑層15的厚度并無特別限制，通常優(yōu)選為3～100μm，更優(yōu)選為5～20μm。金屬層14的線膨脹系數(shù)相對(duì)于粘接劑層15的線膨脹系數(shù)之比(金屬層14的線膨脹系數(shù)/粘接劑層15的線膨脹系數(shù))優(yōu)選為0.2以上。當(dāng)該比小于0.2時(shí)，金屬層14與粘接劑層15之間容易發(fā)生剝離，在封裝時(shí)發(fā)生回焊破裂，有可靠性降低之虞。在本實(shí)施方式中，在粘合劑層12上直接設(shè)置了金屬層14，但也可以借助用于使拾取性提升的剝離層、將半導(dǎo)體芯片c、金屬層14、與粘接劑層15同時(shí)自粘合劑層12剝離而用于賦予半導(dǎo)體芯片c功能的功能層(例如，散熱層等)而間接性地設(shè)置。另外，在金屬層14與粘接劑層15之間也可以設(shè)置功能層。(間隔件)間隔件為使粘接劑層15的處理性良好、并用于保護(hù)粘接劑層15的構(gòu)件。作為間隔件，可使用聚酯(pet、pbt、pen、pbn、ptt)系、聚烯烴(pp、pe)系、共聚物(eva、eea、eba)系、以及將這些材料作分置換而進(jìn)一步提升粘接性、機(jī)械強(qiáng)度的薄膜。另外，也可以為這些薄膜的層疊體。間隔件的厚度并未特別加以限定，可以適宜地進(jìn)行設(shè)定，但優(yōu)選為25～50μm。(背面用薄膜的制造方法)對(duì)于有關(guān)本實(shí)施方式的切割膠帶一體型的半導(dǎo)體背面用薄膜10的制造方法加以說明。首先，粘接劑層15可通過制備樹脂組合物、并利用形成為薄膜狀的層的慣用方法而形成。具體而言，例如，可舉出：在適當(dāng)?shù)拈g隔件(剝離紙等)上涂布所述樹脂組合物并進(jìn)行干燥(在需要熱固化的情況等下，根據(jù)需要實(shí)施加熱處理并進(jìn)行干燥)而形成粘接劑層15的方法等。所述樹脂組合物可以為溶液，也可以為分散液。接著，貼合所得到的粘接劑層15與另外準(zhǔn)備的金屬層14。作為金屬層14，使用市售的金屬箔即可。之后，使用壓切刀而將粘接劑層15及金屬層14預(yù)切割為規(guī)定尺寸的圓形標(biāo)簽形狀，再除去周邊的不需要部分。接著，制作切割膠帶13?；谋∧?1可利用以往公知的制膜方法來進(jìn)行制膜。作為該制膜方法，例如，可例示壓延制膜法、在有機(jī)溶劑中的流延法、在密閉體系中的吹塑法、t模擠出法、共擠出法、干式層壓法等。然后，在基材薄膜11上涂布粘合劑組合物，使其干燥(根據(jù)需要而使其加熱交聯(lián))而形成粘合劑層12。作為涂布方式，可舉出輥涂敷、絲網(wǎng)涂敷、凹版涂敷等。需要說明的是，將粘合劑層12組合物直接涂布于基材薄膜11、而于基材薄膜11上形成粘合劑層12亦可，另外，將粘合劑組合物涂布于對(duì)表面進(jìn)行了剝離處理的剝離紙上而形成粘合劑層12后、使該粘合劑層12轉(zhuǎn)印至基材薄膜11亦可。由此，制作在基材薄膜11上形成了粘合劑層12的切割膠帶13。之后，以使金屬層14與粘合劑層12相接的方式，在設(shè)置有圓形的金屬層14及粘接劑層15的間隔件上層壓切割膠帶13，而根據(jù)情況將切割膠帶13也預(yù)切割為規(guī)定尺寸的圓形標(biāo)簽形狀等，由此制作切割膠帶一體型的半導(dǎo)體背面用薄膜10。<使用方法>接下來，對(duì)于使用本實(shí)施方式的切割膠帶一體型的半導(dǎo)體背面用薄膜10而制作半導(dǎo)體裝置的方法，參照?qǐng)D2同時(shí)加以說明。半導(dǎo)體裝置的制造方法至少具備：在切割膠帶一體型的半導(dǎo)體背面用薄膜10上粘貼半導(dǎo)體晶片w的工序(裝配工序)；切割半導(dǎo)體晶片w而形成半導(dǎo)體芯片c的工序(切割工序)；將半導(dǎo)體芯片c與半導(dǎo)體背面用薄膜10一起自切割膠帶13的粘合劑層12剝離的工序(拾取工序)；和將半導(dǎo)體芯片c倒裝芯片連接于被粘物16上的工序(倒裝芯片連接工序)。[裝配工序]首先，適宜地將任選地設(shè)置于切割膠帶一體型的半導(dǎo)體背面用薄膜10上的間隔件玻璃，如圖2(a)所示地，將半導(dǎo)體晶片w粘貼于粘接劑層15，使其粘接保持而固定(裝配工序)。此時(shí)，粘接劑層15處于未固化狀態(tài)(包含半固化狀態(tài))。另外，切割膠帶一體型的半導(dǎo)體背面用薄膜10粘貼于半導(dǎo)體晶片w的背面。半導(dǎo)體晶片w的背面是指與電路面相反一側(cè)的面(亦稱為非電路面、非電極形成面等)。粘貼方法并無特別限定，但利用壓接的方法。壓接通常利用壓接輥等按壓手段而在按壓的同時(shí)加以進(jìn)行。[切割工序]接下來，如圖2(b)所示地，進(jìn)行半導(dǎo)體晶片w的切割。由此，將半導(dǎo)體晶片w切斷為規(guī)定的尺寸而進(jìn)行單片化(小片化)，制造半導(dǎo)體芯片c。切割例如自半導(dǎo)體晶片w的電路面?zhèn)纫勒粘Ｓ梅椒▉磉M(jìn)行。另外，在本工序中，例如，可采用至半導(dǎo)體背面用薄膜10為止進(jìn)行切入的稱為全切割的切斷方式等。作為在本工序所使用的切割裝置，并無特別限定，可使用以往公知的裝置。另外，半導(dǎo)體晶片w利用半導(dǎo)體背面用薄膜10而以優(yōu)異的密接性被粘接固定，因此可抑制芯片缺陷、芯片飛散，并且可抑制半導(dǎo)體晶片w的破損。需要說明的是，進(jìn)行切割膠帶一體型的半導(dǎo)體背面用薄膜10的展開(日文：ェキスパンド)的情況下，該展開可使用以往公知的展開裝置來進(jìn)行。[拾取工序]如圖3(c)所示，進(jìn)行半導(dǎo)體芯片c的拾取，將半導(dǎo)體芯片c與粘接劑層15及金屬層14一起自切割膠帶13剝離。作為拾取的方法并無特別限定，可采用以往公知的各種方法。例如，可舉出：利用針狀物自半導(dǎo)體背面用薄膜10的基材薄膜11側(cè)對(duì)各個(gè)半導(dǎo)體芯片c進(jìn)行推頂，利用拾取裝置將被推頂?shù)陌雽?dǎo)體芯片c拾取的方法等。需要說明的是，所拾取的半導(dǎo)體芯片c的背面被金屬層14加以保護(hù)。[倒裝芯片連接工序]所拾取的半導(dǎo)體芯片c如在圖3(d)所示，利用倒裝芯片覆晶接合方式(倒裝芯片安裝方式)而使其固定于基板等的被粘物16。具體而言，以半導(dǎo)體芯片c的電路面(也稱為表面、電路圖案形成面、電極形成面等)與被粘物16相向的形態(tài)，依照常用方法使半導(dǎo)體芯片c固定于被粘物16。例如，首先，使助焊劑附著于形成于半導(dǎo)體芯片c的電路面?zhèn)鹊淖鳛檫B接部的凸塊17。接著，使半導(dǎo)體芯片c的凸塊17、與粘附于被粘物16的連接焊盤的接合用的導(dǎo)電材料18(焊料等)接觸并按壓，同時(shí)使凸塊17及導(dǎo)電材料18熔融，由此確保半導(dǎo)體芯片c與被粘物16的電導(dǎo)通，可使半導(dǎo)體芯片c固定于被粘物16(倒裝芯片接合工序)。此時(shí)，在半導(dǎo)體芯片c與被粘物16之間形成空隙，該空隙間距離一般為30μm～300μm程左右。需要說明的是，將半導(dǎo)體芯片c倒裝芯片接合(倒裝芯片連接)于被粘物16之后，洗凈除去殘存于半導(dǎo)體芯片c與被粘物16的相向面、間隙的助焊劑，使密封材料(密封樹脂等)充填該間隙而進(jìn)行密封。作為被粘物16，可使用引線框或電路基板(布線電路基板等)等的各種基板。作為這樣的基板的材質(zhì)，并未特別加以限定，但可舉出陶瓷基板、塑料基板等。作為塑料基板，例如，可舉出環(huán)氧基板、雙馬來酸酰亞胺三嗪基板、聚酰亞胺基板等。在本實(shí)施方式中，對(duì)于切割膠帶一體型的半導(dǎo)體背面用薄膜10進(jìn)行了說明，但即使未與切割膠帶13一體化亦可。在粘接劑層15及金屬層14未層疊于切割膠帶13的半導(dǎo)體背面用薄膜的情況下，粘接劑層15的與金屬層14相接面的相反側(cè)的面優(yōu)選利用具有剝離層的間隔件加以保護(hù)。在使用時(shí)，適宜剝離間隔件，在粘接劑層15貼合半導(dǎo)體晶片w的背面。在粘接劑層15及金屬層14未被預(yù)切割為規(guī)定形狀的情況，切割為規(guī)定形狀，將所得到的層疊體的金屬層14側(cè)貼合于另外的切割膠帶的粘合劑層，再與上述的切割工序以后的工序同樣操作，制造半導(dǎo)體裝置即可。<實(shí)施例>接下來，為了使本發(fā)明的效果更為明確，而對(duì)實(shí)施例及比較例加以詳細(xì)說明，但本發(fā)明并非限定于這些實(shí)施例。(1)丙烯酸類聚合物的制作首先，對(duì)包含于有關(guān)各實(shí)施例及各比較例的半導(dǎo)體背面用薄膜的粘接劑層的丙烯酸類聚合物的制作方法加以說明。<丙烯酸類聚合物(1)>在具備攪拌機(jī)的玻璃制的四口圓底燒瓶中放入水300質(zhì)量份，作為分散安定劑而溶解聚乙烯醇0.7質(zhì)量份，在利用攪拌翼而以300rpm進(jìn)行攪拌同時(shí)，一次性投入包含丙烯酸乙酯65質(zhì)量份、丙烯酸丁酯23質(zhì)量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯2質(zhì)量份、丙烯腈12質(zhì)量份的單體混合物與作為聚合引發(fā)劑的n，n’-偶氮二異丁腈1質(zhì)量份，制成懸浮液。在攪拌繼續(xù)下，使反應(yīng)體系內(nèi)升溫至68℃，4小時(shí)保持狀態(tài)不變而是懸浮液反應(yīng)。之后，冷卻至室溫(約25℃)為止。接下來，固液分離反應(yīng)物，以水充分地清洗之后，使用干燥機(jī)而以70℃進(jìn)行12小時(shí)干燥，然后加入2-丁酮而調(diào)整固體成分達(dá)到15％，得到丙烯酸類聚合物(1)。自配合比計(jì)算出的tg為-22℃。此聚合物的重均分子量為40萬，分散度為3.8。重均分子量利用凝膠滲透色譜(gelpermeationchromatography：gpc)法而使用基于標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯的校準(zhǔn)曲線而測(cè)定。<丙烯酸類聚合物(2)>將丙烯酸乙酯設(shè)為43質(zhì)量份、丙烯酸丁酯設(shè)為15質(zhì)量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯設(shè)為5質(zhì)量份、丙烯腈設(shè)為37質(zhì)量份，除此以外，利用與丙烯酸類聚合物(1)同樣的制造法來制作丙烯酸類聚合物(2)。自配合比計(jì)算的tg為12℃。該聚合物的基于凝膠滲透色譜法的重均分子量為70萬，分散度為3.6。<丙烯酸類聚合物(3)>將丙烯酸乙酯設(shè)為43質(zhì)量份、丙烯酸丁酯設(shè)為15質(zhì)量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯設(shè)為5質(zhì)量份、丙烯腈設(shè)為36質(zhì)量份，并加入改性硅油1質(zhì)量份，除此以外，利用與丙烯酸類聚合物(1)同樣的制造法來制作丙烯酸類聚合物(3)。自配合比計(jì)算的tg為12℃。該聚合物的基于凝膠滲透色譜法的重均分子量為60萬，分散度為4.0。<丙烯酸類聚合物(4)>將丙烯酸乙酯設(shè)為34質(zhì)量份、丙烯酸丁酯設(shè)為15質(zhì)量份、甲基丙烯酸縮水甘油酯設(shè)為2質(zhì)量份、丙烯腈設(shè)為49質(zhì)量份，除此以外，利用與丙烯酸類聚合物(1)同樣的制造法來制作丙烯酸類聚合物(4)。自配合計(jì)算的tg為21℃。該聚合物的基于凝膠滲透色譜法的重均分子量為12萬，分散度為2.3。(2)粘接劑層的制作<粘接劑層(1)>相對(duì)于上述丙烯酸類聚合物(1)100質(zhì)量份，添加甲酚酚醛型環(huán)氧樹脂(環(huán)氧當(dāng)量197、分子量1200、軟化點(diǎn)70℃)25質(zhì)量份、亞二甲苯基酚醛樹脂(羥基當(dāng)量104、軟化點(diǎn)80℃)60質(zhì)量份，作為充填材料的平均粒徑0.045μm的二氧化硅填料20質(zhì)量份而得到熱固化性的粘接劑組合物。將該粘接劑組合物涂布于構(gòu)成間隔件的pet薄膜上，以120℃進(jìn)行10分鐘加熱干燥，形成干燥后的厚度20μm的b階段狀態(tài)的涂膜，而得到pet薄膜/粘接劑層(1)/pet薄膜的層疊體。需要說明的是，pet薄膜使用了經(jīng)硅酮脫模處理的pet薄膜(帝人：hyupirekusus-314(商品名)、厚度25μm)。<粘接劑層(2)>除了代替上述丙烯酸類聚合物(1)而使用丙烯酸類聚合物(2)以外，以與粘接劑層(1)同樣的方法而得到粘接劑層(2)。<粘接劑層(3)>除了代替上述丙烯酸類聚合物(1)而使用丙烯酸類聚合物(3)以外，以與粘接劑層(1)同樣的方法而得到粘接劑層(3)。<粘接劑層(4)>除了代替上述丙烯酸類聚合物(1)而使用丙烯酸類聚合物(4)以外，以與粘接劑層(1)同樣的方法而得到粘接劑層(4)。<粘接劑層(5)>將與粘接劑層(1)同樣的粘接劑組合物涂布于構(gòu)成間隔件的pet薄膜上，以120℃進(jìn)行6分鐘加熱干燥，除此以外，以與粘接劑層(1)同樣的方法而得到粘接劑層(5)。(3)粘合劑層組合物的制作<粘合劑層組合物(1)>使丙烯酸丁酯65質(zhì)量份、丙烯酸2-羥乙酯25質(zhì)量份、丙烯酸10質(zhì)量份自由基聚合，在使甲基丙烯酸2-異氰酸基乙酯滴加反應(yīng)而合成的重均分子量80萬的丙烯酸共聚物中，添加作為固化劑的聚異氰酸酯3質(zhì)量份、作為光聚合引發(fā)劑的1-羥基環(huán)己基苯基酮1質(zhì)量份并混合，制成粘合劑層組合物(1)。<粘合劑層組合物(2)>在使丙烯酸2-乙基己酯77質(zhì)量份、丙烯酸2-羥丙酯23質(zhì)量份聚合后的重均分子量80萬的丙烯酸類共聚物中，添加作為固化劑的聚異氰酸酯3重量份并混合，制成粘合劑層組合物(2)。<粘合劑層組合物(3)>在使丙烯酸2-乙基己酯77質(zhì)量份，丙烯酸2-羥丙酯23質(zhì)量份聚合后的重均分子量80萬的丙烯酸類共聚物中，添加作為添加劑的改性硅油3質(zhì)量份、作為固化劑的聚異氰酸酯3重量份并混合，制成粘合劑層組合物(3)。(4)切割膠帶的制作<切割膠帶(1)>將所制作的粘合劑層組合物(1)涂布于構(gòu)成間隔件的pet薄膜而使得干燥膜厚成為10μm，以120℃進(jìn)行3分鐘干燥。使涂敷于該pet薄膜的粘合劑層組合物轉(zhuǎn)印至作為基材薄膜的厚度100μm的聚丙烯彈性體(pp∶hsbr＝80∶20的彈性體)樹脂薄膜上，制作切割膠帶(1)需要說明的是，聚丙烯(pp)使用日本polychem株式會(huì)社制的novatecfg4(商品名)，而氫化苯乙烯丁二烯(hsbr)使用jsr株式會(huì)社制的dynaron1320p(商品名)。另外，pet薄膜使用加以經(jīng)硅酮脫模處理過的pet薄膜(帝人：hyupirekusus-314(商品名)、厚度25μm)。<切割膠帶(2)，(3)>除了代替粘合劑層組合物(1)而使用粘合劑層組合物(2)以外，與切割膠帶(1)同樣地制作切割膠帶(2)。另外，除了代替粘合劑層組合物(1)而使用粘合劑層組合物(3)以外，與切割膠帶(1)同樣地制作切割膠帶(3)。(5)切割膠帶一體型的半導(dǎo)體背面用薄膜的制作。<實(shí)施例1>層壓貼合如上操作而得的粘接劑層(1)與50μm厚的sus304制金屬箔而得到層疊體，進(jìn)一步地以使層疊體的粘接劑層與粘合劑層相接的方式將粘合薄膜(1)與層疊體貼合，得到基材薄膜、粘合劑層、金屬層、粘接劑層、間隔件的依次層疊的帶有間隔件的半導(dǎo)體背面用薄膜。將該半導(dǎo)體背面用薄膜作為實(shí)施例1的樣品。<實(shí)施例2>使用所得到的上述粘接層(2)與粘合薄膜(2)，以與實(shí)施例1同樣的方法而制成實(shí)施例2的半導(dǎo)體背面用薄膜。<實(shí)施例3>使用所得到的上述粘接層(3)與粘合薄膜(2)，作為金屬層而使用50μm厚的銅箔，以與實(shí)施例1同樣的方法而制成實(shí)施例3的半導(dǎo)體背面用薄膜。<比較例1>使用所得到的上述粘接層(4)與粘合薄膜(3)，以與實(shí)施例1同樣的方法而制成比較例1的半導(dǎo)體背面用薄膜。<比較例2>使用所得到的上述粘接層(1)與粘合薄膜(1)，以粘接層與粘合層相接的方式進(jìn)行貼合，得到基材薄膜、粘合劑層、粘接劑層、間隔件依次層疊的帶有間隔件的半導(dǎo)體背面用薄膜。將此半導(dǎo)體背面用薄膜作為比較例2的樣品。<比較例3>使用所得到的上述粘接層(5)與粘合薄膜(2)，作為金屬層而使用50μm厚的銅箔，以與實(shí)施例1同樣的方法而制成比較例3的半導(dǎo)體背面用薄膜。對(duì)于有關(guān)實(shí)施例1～3及比較例1～3的半導(dǎo)體背面用薄膜進(jìn)行以下的測(cè)定、評(píng)估。將其結(jié)果示于表1。(表面自由能)在有關(guān)上述實(shí)施例、比較例的半導(dǎo)體背面用薄膜的粘接劑層中，將自間隔件剝離的面作為a面，將自金屬層剝落的面作為b面。測(cè)定相對(duì)于該a面及b面的水及二碘甲烷的接觸角(液滴容量：水2μl、二碘甲烷3μl、讀取時(shí)間：滴下后30秒)，再由通過測(cè)定而得到的水及二碘甲烷的接觸角，使用幾何平均法，利用下述的算出式而算出表面自由能。需要說明的是，比較例2因沒有金屬層故省略測(cè)定。[數(shù)學(xué)式1]γs：表面自由能：表面自由能的極性成分：表面自由能的分散成分θh：水對(duì)固體表面的接觸角θi：二碘甲烷對(duì)固體表面的接觸角(剝離力)將有關(guān)各實(shí)施例、比較例的半導(dǎo)體背面用薄膜的粘接劑層的間隔件剝離，切取為25mm寬度的長(zhǎng)條狀，制作基材薄膜與粘合劑層、金屬層、粘接劑層依次層疊的試驗(yàn)片。通過2kg的輥使形狀保持膠帶(日本積水化學(xué)工業(yè)公司制、商品名：forte)貼合于粘接劑層的表面而制作成試驗(yàn)片，將該試驗(yàn)片分為“切割膠帶及金屬層”和“粘接劑層及補(bǔ)強(qiáng)膠帶”的各層疊體并利用株式會(huì)社日本東洋精機(jī)制作所制的拉張強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)(ve10)來把握，以線速300mm/min測(cè)定了粘接劑層與金屬層之間的剝離力。需要說明的是，剝離力的單位為[n/25mm]。需要說明的是，比較例2沒有金屬層故省略測(cè)定。(吸水率)將有關(guān)各實(shí)施例、比較例的半導(dǎo)體背面用薄膜的粘接劑層切斷為50×50mm的尺寸來作為樣品，使樣品在真空干燥機(jī)中以120℃進(jìn)行3小時(shí)干燥，在干燥器中放冷后，測(cè)定干燥質(zhì)量而作為m1。將樣品在室溫下浸漬于蒸餾水中24小時(shí)然后取出，以濾紙擦拭樣品表面，馬上進(jìn)行秤量而作為m2。利用下式(1)而算出吸水率。吸水率(vol％)＝[(m2-m1)/(m1/d)]×100(1)在此，d為薄膜的密度。(飽和吸濕率)將有關(guān)各實(shí)施例、比較例的半導(dǎo)體背面用薄膜的粘接劑層切斷為直徑100mm的圓形而作為樣品，使樣品在真空干燥機(jī)中以120℃進(jìn)行3小時(shí)干燥，在干燥器中放冷后，測(cè)定干燥質(zhì)量而作為m1。將樣品在85℃、85％rh的恒溫恒濕槽中進(jìn)行吸濕然后取出，馬上進(jìn)行秤量而作為m2。利用下式(2)而算出飽和吸濕率。飽和吸濕率(vol％)＝[(m2-m1)/(m1/d)]×100(2)在此，d為薄膜的密度。(殘存揮發(fā)性組分)將有關(guān)各實(shí)施例、比較例的半導(dǎo)體背面用薄膜的粘接劑層切斷為50×50mm尺寸而作為樣品，測(cè)定樣品的初期的質(zhì)量而作為m1，將樣品在熱風(fēng)循環(huán)恒溫槽中以200℃進(jìn)行2小時(shí)加熱后，進(jìn)行秤量而作為m2。利用下式(3)而算出殘存揮發(fā)性組分。殘存揮發(fā)性組分(wt％)＝[(m2-m1)/m1]×100(3)(碎片)將有關(guān)各實(shí)施例、比較例的半導(dǎo)體背面用薄膜的間隔件剝離，將粘接劑層以70℃、10秒加熱貼合于厚度50μm的硅晶片之后，切割成10mm×10mm的芯片。取出切割后的芯片，計(jì)測(cè)芯片的缺口，將缺口尺寸為10μm以下者作為良品而評(píng)估為“○”、將缺口尺寸為超過10μm者作為不良品而評(píng)估為“×”。(芯片翹曲量)將有關(guān)各實(shí)施例、比較例的半導(dǎo)體背面用薄膜的間隔件剝離，將粘接劑層以70℃、10秒加熱貼合于厚度50μm的硅晶片之后，切割成10mm×10mm的芯片，將切割后的層疊體放置于玻璃基板上。此時(shí)，以芯片則成為玻璃板側(cè)的方式而放置，測(cè)定層疊體與玻璃板的距離的最大值而作為芯片翹曲量。(可靠性(回焊時(shí)發(fā)生破裂個(gè)數(shù)))將有關(guān)各實(shí)施例、比較例的半導(dǎo)體背面用薄膜的間隔件剝離，將粘接劑層粘貼于厚度200μm的硅晶片的背面，將上述的粘接劑層(1)進(jìn)一步貼合于硅晶片的表面，切割成7.5mm×7.5mm之后，在溫度160℃、壓力0.1mpa、時(shí)間1秒的條件下，裝配在銀鍍敷處理后的引線框上。進(jìn)一步地，用密封材料(ke-1000sv、京瓷化學(xué)株式會(huì)社制、商品名)進(jìn)行模壓，對(duì)于各實(shí)施例及各比較例而制作各20個(gè)樣品。將樣品，在85℃/60質(zhì)量％rh的恒溫恒濕層進(jìn)行196小時(shí)的處理之后，反復(fù)進(jìn)行3次使樣品通過以樣品表面的最高溫度為260℃且持續(xù)20秒的方式而設(shè)定的ir(紅外線)回焊爐、再通過室溫放置而進(jìn)行冷卻的處理。對(duì)于各實(shí)施例及各比較例，針對(duì)進(jìn)行了如上處理的20個(gè)樣品觀察有無破裂，示出20個(gè)的樣品中的發(fā)生破裂的樣品的個(gè)數(shù)。需要說明的是，對(duì)于觀察有無破裂時(shí)，使用超聲波探査裝置(scanningacoustictomograph：sat)以透射法觀察各樣品，將各構(gòu)件間觀察到剝離者全視為破裂。[表1]實(shí)施例1實(shí)施例2實(shí)施例3比較例1比較例2比較例3表面能(a面)405535294040表面能(b面)40493732-40剝離力(n/25mm)0.70.90.30.4-0.1吸水率11.510.912飽和吸水率0.710.70.70.71.4殘存揮發(fā)性組分333334碎片○○○○○×芯片翹曲0mm0mm0mm0mm1mm0mm回焊時(shí)破裂0/200/200/201/201/201/20如表1所示，有關(guān)實(shí)施例1～3的半導(dǎo)體背面用薄膜為粘接劑層的粘接于半導(dǎo)體芯片的一側(cè)的面(a面)及與金屬劑層粘接側(cè)的面(b面)的表面自由能均為35mj/m2以上，且b階段的粘接劑層與金屬層的剝離力為0.3n/25mm以上，因此為剝離、芯片翹曲、可靠性(回焊時(shí)破裂)均良好的結(jié)果。相對(duì)于此，有關(guān)比較例1的半導(dǎo)體背面用薄膜為粘接劑層的粘接于半導(dǎo)體芯片的一側(cè)的面(a面)及與金屬劑層粘接側(cè)的面(b面)的表面自由能小于35mj/m2，因此回焊時(shí)發(fā)生破裂。另外，有關(guān)比較例2的半導(dǎo)體背面用薄膜不具有金屬層，因此芯片產(chǎn)生翹曲，因該翹曲而導(dǎo)致回焊時(shí)發(fā)生破裂。有關(guān)比較例3的半導(dǎo)體背面用薄膜，其在b階段的粘接劑層與金屬層的剝離力小于0.3n/25mm，因此在切割時(shí)，在半導(dǎo)體晶片或半導(dǎo)體芯片與粘接層之間、或者粘接劑層與金屬層之間發(fā)生剝離，半導(dǎo)體芯片產(chǎn)生碎片(缺口)，回焊時(shí)發(fā)生破裂。符號(hào)說明10：半導(dǎo)體背面用薄膜11：基材薄膜12：粘合劑層13：切割膠帶14：金屬層15：粘接劑層當(dāng)前第1頁12