技術(shù)特征：

1.一種除膜方法，其是向在金屬制構(gòu)件的表面附著由無機(jī)物構(gòu)成的覆膜而成的包覆件照射離子流、從所述金屬制構(gòu)件剝離所述覆膜的除膜方法，其特征在于，

將所述包覆件設(shè)置于兩個以上的離子流重疊的離子流集中部，使所述包覆件向大地接地，向所述包覆件照射所述離子流。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的除膜方法，其特征在于，

該除膜方法包括第1工序和第2工序，

在所述第1工序中，使含67體積％以上的氧的氣體[1]等離子體化，生成氣體離子，將得到的所述氣體[1]的離子流向所述包覆件照射來進(jìn)行除膜，

在第2工序中，使含80體積％以上的氬的氣體[2]等離子體化，生成氣體離子，將得到的所述氣體[2]的離子流向所述包覆件照射來進(jìn)行除膜，

在所述第1工序之后執(zhí)行所述第2工序。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的除膜方法，其特征在于，

該除膜方法僅由所述第1工序和所述第2工序構(gòu)成，通過執(zhí)行作為最終工序的所述第2工序從而能夠完成所述包覆件的除膜。

4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的除膜方法，其特征在于，

所述氣體[1]包含從由氬、CF₄、SF₆、CCl₄以及CCl₂F₂構(gòu)成的組中選出的至少一者。

5.根據(jù)權(quán)利要求2～4中任一項所述的除膜方法，其特征在于，

所述氣體[1]包含CF₄，CF₄含有率(體積％)占CF₄含有率(體積％)和氧含有率(體積％)的合計的比例((CF4含有率/(CF4含有率+氧含有率))×100)為5％以下。

6.一種除膜裝置，其是向在金屬制構(gòu)件的表面附著由無機(jī)物構(gòu)成的覆膜而成的包覆件照射離子流、從所述金屬制構(gòu)件剝離所述覆膜的除膜裝置，其特征在于，

該除膜裝置構(gòu)成為所述包覆件向大地接地，

該除膜裝置具有兩個以上的離子槍，這些離子槍以能夠形成離子流集中部的方式配置，

該除膜裝置構(gòu)成為能夠?qū)⑺霭布O(shè)置在所述離子流集中部，該除膜裝置能夠執(zhí)行權(quán)利要求1～5中任一項所述的除膜方法。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的除膜裝置，其特征在于，

該除膜裝置具備使配置在所述離子流集中部的所述包覆件相對于離子流自轉(zhuǎn)和/或公轉(zhuǎn)的功能。