本發(fā)明是有關于用于防止觸電(electricshock)的裝置，且更特定言之，是有關于能夠防止觸電電壓經由諸如智能電話的可充電電子裝置(chargeableelectronicdevice)傳輸至使用者的防止觸電的裝置。
背景技術：
：行動通信終端機(mobilecommunicationterminal)的主要用途已自語音通信改變?yōu)閿祿ㄐ欧?，且接著演進至智能生活便利服務。又，隨著智能電話(smartphone)多功能化，正使用各種頻帶。也即，已采用在一個智能電話中使用諸如無線lan(wirelesslan)、藍牙(bluetooth)以及gps的不同頻帶的多個功能。又，隨著電子裝置高度整合，在有限空間中的內部電路密度增大。因此，必然可能會出現內部電路之間的噪聲干擾。正使用用于抑制攜帶型電子裝置的各種頻率的噪聲以及內部電路之間的噪聲的多種電路保護裝置。舉例而言，正使用分別移除彼此不同的頻帶的噪聲的聚光器(condenser)、芯片磁珠(chipbead)、共同模式濾波器(commonmodefilter)，及類似者。近年來，隨著對智能電話的精致圖像以及耐久性愈加看重，使用金屬材料的終端機供應正在增多。意即，邊界是使用金屬制造或除前圖像顯示部分以外的其余殼是使用金屬制造的智能電話的供應正在增多。然而，因為未建置過電流保護電路(overcurrentprotectioncircuit)，或通過使用非正品充電器或使用低品質元件的有缺陷充電器執(zhí)行充電，可能會出現沖擊電流(shockcurrent)。沖擊電流可傳輸至智能電話的接地端子，且接著再次自接地端子傳輸至金屬殼。因此，接觸金屬殼的使用者可能會受到電擊。結果，在通過使用非正品充電器對使用金屬殼的智能電話充電的同時使用智能電話時，可能會發(fā)生觸電事故。(現有技術文件)韓國專利注冊第10876206號本發(fā)明的詳細說明技術實現要素：本發(fā)明提供一種防止觸電的裝置，所述防止觸電的裝置提供于諸如智能電話的電子裝置中以防止使用者由于自充電器輸入的沖擊電流而受到電擊。本發(fā)明也提供一種防止觸電的裝置，其中不會由于靜電放電(esd，electrostaticdischarge)而出現介電質擊穿(dielectricbreakdown)。技術解決方案根據例示性實施例，一種安置于電子裝置的金屬殼與內部電路之間的防止觸電的裝置包括：堆疊式本體，其中多個絕緣薄片堆疊；以及多個導電層，安置于選自所述多個絕緣薄片中的絕緣薄片上，其中所述防止觸電的裝置阻斷自所述內部電路傳輸至所述金屬殼的觸電電壓。所述裝置可還包含esd保護部分，安置在所述堆疊式本體內部或外部以保護自所述電子裝置的外部傳輸至所述內部電路的esd電壓。所述esd保護部分可包含垂直地或水平地安置的至少兩個或大于兩個放電電極以及安置于所述至少兩個或大于兩個放電電極之間的至少一個esd保護層。所述esd保護層可包含多孔絕緣材料、導電材料、空隙以及所述多孔絕緣材料與所述導電材料的混合物中的至少一者。所述裝置可進一步包含安置有多個內部電極的電容器部分，其中所述絕緣薄片在所述堆疊式本體中位于所述多個內部電極之間。所述電容器部分可在所述電子裝置的外部與所述內部電路之間傳輸通信信號。在一個方向上的長度、在垂直于所述一個方向的另一方向上的寬度與所述堆疊式本體的厚度的比率可為1.1∶1∶0.5至3∶1∶1。所述長度可為0.3mm至5.7mm，所述寬度可為0.15mm至5.5mm，且所述厚度可為0.15mm至5.5mm。所述長度可為1.4mm至6.2mm，所述寬度可為0.6mm至5.5mm，且所述厚度可為0.5mm至5.5mm。所述絕緣薄片可具有為7至5,000的介電常數以及對應于所述堆疊式本體的厚度的50％或小于50％的厚度。所述絕緣薄片可具有1μm至3,000μm的厚度。所述裝置可進一步包含安置于所述堆疊式本體的表面上的電阻調整部件。所述電阻調整部件可由處于微?；蛉廴跔顟B(tài)的氧化物形成。所述電阻調整部件可以膜形狀形成于至少一區(qū)域上或以島狀物形狀形成于至少一區(qū)域上。所述氧化物可包含bi2o3、bo2、b2o3、zno、co3o4、sio2、al2o3以及mno中的至少一者。根據另一例示性實施例，一種電子裝置包含防止觸電的裝置。所述電子裝置可進一步包含安置于金屬殼與所述防止觸電的裝置之間且具有導電性的導電接觸部分。技術效果根據例示性實施例的防止觸電的裝置可安置在電子裝置的金屬殼與內部電路之間，以阻斷自內部電路的接地端子傳輸的觸電電壓。因此，可防止有故障的充電器中產生的觸電電壓自電子裝置內的接地端子經由金屬殼傳輸至使用者。又，防止觸電的裝置可包含esd保護部分，且esd保護部分可具有多孔結構以允許電流流動穿過細孔。因此，引入的esd可旁通至接地端子以維持裝置的絕緣狀態(tài)。因此，可連續(xù)地阻斷觸電電壓，且自外部施加的esd電壓可旁通至接地端子。又，電容器部分的絕緣薄片(意即介電質)可具有5至20,000的介電常數以及1μm至5000μm的厚度。因此，即使裝置的大小增大或減小，仍可將電容維持原狀。又，使電容器部分的內部電極變形成浮動型(floatingtype)以使內部電極之間的至少一個區(qū)中的絕緣薄片的厚度增加兩倍。因此，盡管晶片大小減小，但可防止絕緣薄片的絕緣電阻失效，從而維持高電壓電阻性質。附圖說明圖1為根據例示性實施例的防止觸電的裝置的透視圖。圖2為沿圖1的線a-a′截取的橫截面圖。圖3為說明根據例示性實施例的防止觸電的裝置的表面的示意圖。圖4以及圖5為根據例示性實施例的防止觸電的裝置的等效電路圖。圖6至圖7為說明根據例示性實施例的防止觸電的裝置的esd保護層的橫截面圖以及橫截面相片。圖8為根據另一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。圖9至圖11為說明根據另一例示性實施例的防止觸電的裝置的經修改實例的示意圖。圖12為根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。圖13為根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。圖14為說明根據例示性實施例的防止觸電的裝置的內部電極的示意性平面圖。圖15為說明根據例示性實施例的防止觸電的裝置的放電電極的示意性平面圖。圖16至圖19為根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。圖20至圖23為根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。圖24至圖27為根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。圖28至圖31為根據例示性實施例的esd保護層的各種實驗例的放電開始電壓的視圖。具體實施方式在下文中，將參看隨附附圖詳細地描述特定實施例。然而，可以不同形式體現本發(fā)明，且不應將本發(fā)明解釋為限于本文中所闡述的實施例。實際上，提供此等實施例以使得本發(fā)明將為透徹且完整的，且將向所屬領域中技術人員充分傳達本發(fā)明的范疇。圖1為根據例示性實施例的防止觸電的裝置的透視圖，圖2為沿圖1的線a-a′截取的橫截面圖，圖3為說明防止觸電的裝置的表面的示意圖，且圖4以及圖5為等效電路圖。參考圖1至圖5，根據例示性實施例的防止觸電的裝置可包含：堆疊式本體(1000)，其上多個絕緣薄片(100；101至111)堆疊；至少一個電容器部分(2000、4000)，提供于堆疊式本體(1000)中且包含多個內部電極(200；201至208)；以及esd保護部分(3000)，包含至少一個放電電極(310；311、312)以及esd保護層(320)。意即，包含多個內部電極(200)以及放電電極(310)的導電層可在堆疊式本體(1000)內安置于選自多個絕緣薄片(100)中的絕緣薄片(100)上。舉例而言，第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)可安置于堆疊式本體(1000)中，且esd保護層(3000)可安置于第一電容器部分與第二電容器部分(2000、4000)之間。意即，第一電容器部分(2000)、esd保護部分(3000)以及第二電容器部分(4000)堆疊在堆疊式本體(1000)中以實現防止觸電的裝置。又，所述防止觸電的裝置可還包含安置于堆疊式本體(1000)的面向彼此的兩個側表面上以將第一電容器部分及第二電容器部分(2000、4000)連接至esd保護部分(3000)的外部電極(5100、5200；5000)?；蛘撸龇乐褂|電的裝置可包含至少一個電容器部分以及至少一個esd保護部分。意即，一個電容器部分可安置于esd保護部分(3000)下方或上方，且至少一個電容器部分可安置于彼此隔開的至少兩個esd保護部分(3000)上方以及下方。又，esd保護部分(3000)可安置在堆疊式本體(1000)內部或外部。在本實施例中，將描述esd保護部分(3000)安置在堆疊式本體(1000)內部的情況。在esd保護部分(3000)安置在堆疊式本體(1000)外部時，esd保護層(320)可安置于堆疊式本體(1000)與外部電極(5000)之間。如圖4中所說明，防止觸電的裝置可安置于電子裝置的內部電路(20)(例如，pcb)與金屬殼(10)之間。意即，防止觸電的裝置可使一側接觸金屬殼(10)且使另一側接觸內部電路(20)。又，如圖5中所說明，電性地接觸金屬殼(10)且具有彈性的接觸部分(30)可安置于金屬殼(10)與防止觸電的裝置之間。意即，接觸部分(30)以及根據例示性實施例的防止觸電的裝置可安置于電子裝置的金屬殼(10)與內部電路(20)之間。接觸部分(30)可具有彈性以減小自外部將外力施加至電子裝置時的沖擊。接觸部分(30)可由包含導電材料的材料形成。接觸部分(30)可具有夾片形狀且為導電墊圈。又，接觸部分(30)的至少一個區(qū)域可安裝在內部電路(20)(例如，pcb)上。如上文所描述，防止觸電的裝置可安置于金屬殼(10)與內部電路(20)之間以阻斷自內部電路(20)施加的觸電電壓。又，防止觸電的裝置可將esd電壓旁通至接地端子且持續(xù)阻斷觸電電壓，因為絕緣不會被esd破壞。意即，根據例示性實施例的防止觸電的裝置可在觸電電壓或更小電壓下維持絕緣狀態(tài)以阻斷自內部電路(20)施加的觸電電壓。又，防止觸電的裝置可在esd電壓或更高電壓下維持導電狀態(tài)以將自外部施加至電子裝置內部的esd電壓旁通至接地端子。堆疊式本體(1000)可通過堆疊多個絕緣薄片(101至111；100)而加以制造。堆疊式本體(1000)可具有大致六面體形狀，其具有在一個方向(例如，x方向)及垂直于所述一個方向的另一方向(例如，y方向)上的預定長度及寬度以及在垂直方向(例如，z方向)上的預定高度。意即，在外部電極(5000)的形成方向定義為x方向，意即長度方向時，水平地垂直于x方向的方向可定義為y方向，意即寬度方向，且x方向的垂直方向可定義為z方向，意即厚度方向。此處，在x方向上的長度可大于在y方向上的寬度以及在z方向上的高度中的每一者。在y方向上的寬度可等于或不同于在z方向上的高度。在寬度(y方向)與高度(z方向)彼此不同時，寬度可大于或小于高度。舉例而言，長度、寬度與高度的比率可為2至5∶1∶0.5至1。意即，長度可比寬度大2倍至5倍(基于寬度)，且高度可比寬度大0.5倍至1倍(基于寬度)。然而，在x、y以及z方向上的長度可僅為實例。舉例而言，在x、y以及z方向上的長度可根據連接至防止觸電的裝置的電子裝置的內部結構以及防止觸電的裝置的形狀而以不同方式變化。又，至少一個電容器部分(2000、4000)以及至少一個esd保護部分(3000)可提供于堆疊式本體(1000)中。舉例而言，第一電容器部分(2000)、esd保護部分(3000)以及第二電容器部分(4000)可安置于薄片(100)的堆疊方向，即z方向上。多個絕緣薄片(100)中的每一者可由含有諸如mlcc、batio3、baco3、tio2、nd2o3、bi2o3、zn0以及al2o3的介電材料粉末中的至少一者的材料形成。因此，多個絕緣薄片(100)中的每一者可根據其材料而具有預定介電常數，例如5至20,000的介電常數，較佳地，7至5,000的介電常數，更佳地，200至3,000的介電常數。又，多個絕緣薄片(100)可具有相同厚度，或至少一個絕緣薄片(100)可具有大于或小于其他絕緣薄片(100)的厚度的厚度。意即，esd保護部分(3000)的絕緣薄片可具有不同于第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)中的每一者的絕緣薄片的厚度的厚度。又，安置于esd保護部件(3000)與第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)之間的絕緣薄片中的每一者可具有不同于另一絕緣薄片的厚度的厚度。舉例而言，安置于esd保護部分(3000)與第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)之間的絕緣薄片中的每一者，即第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者，可具有小于或等于esd保護部分(3000)的絕緣薄片的厚度的厚度(即，第六絕緣薄片(106))或具有小于或等于安置于第一電容器部分與第二電容器部分(2000、4000)的內部電極之間的絕緣薄片(102至104、108至110)中的每一者的厚度的厚度。意即，esd保護部分(3000)與第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的空間可小于或等于第一電容器部分與第二電容器部分(2000、4000)的內部電極之間的空間，或可小于或等于esd保護部分(3000)的厚度。或者，第一電容器部分與第二電容器部分(2000、4000)的絕緣薄片(102至104、108至110)可具有相同厚度，或一個絕緣薄片可具有小于或大于其他絕緣薄片的厚度的厚度。第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)的絕緣薄片(102至104、108至110)中的一者可具有不同厚度以調整電容。絕緣薄片(100)中的每一者可具有為1μm至5000μm的厚度。此處，絕緣薄片(100)中的每一者可具有絕緣薄片在施加esd時不會斷裂的厚度。意即，在絕緣薄片(100)施加至具有相對較小大小的防止觸電的裝置時，絕緣薄片(100)中的每一者可具有薄的厚度。另一方面，在絕緣薄片(100)施加至具有相對較大大小的防止觸電的裝置時，絕緣薄片(100)中的每一者可具有絕緣薄片在施加esd的所有情境下均不斷裂的厚度。舉例而言，在堆疊相同數目個絕緣薄片(100)時，防止觸電的裝置的大小愈小，厚度愈小。又，防止觸電的裝置的大小愈大，厚度愈大。或者，薄絕緣薄片(100)可施加至具有相對較大大小的防止觸電的裝置。在此情況下，絕緣薄片的堆疊數目可增大。又，堆疊式本體(1000)可進一步包含下部蓋層(未示出)以及上部蓋層(未示出)，其分別安置于第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)中的每一者的上部部分與下部部分上。或者，第一絕緣薄片(101)可充當下部蓋層，且第十一絕緣薄片(111)可充當上部蓋層。下部蓋層以及上部蓋層可通過將多個鐵氧體薄片堆疊在彼此之上而制備且具有相同厚度。此處，非磁性薄片，例如由玻璃材料形成的薄片，可進一步安置于由鐵氧體薄片構成的下部蓋層以及上部蓋層的最外部分(即，所述蓋層的下部部分以及上部部分的表面)上。又，下部蓋層以及上部蓋層中的每一者可具有大于其中的絕緣薄片(即，第二絕緣薄片至第十絕緣薄片(102至110))中的每一者的厚度的厚度。因此，在第一絕緣薄片以及第十一絕緣薄片(101、111)分別充當下部蓋層與上部蓋層時，第一絕緣薄片以及第十一絕緣薄片(101、111)中的每一者可具有大于第二絕緣薄片至第十絕緣薄片(102至110)中的每一者的厚度的厚度。第一電容器部分(2000)可安置于esd保護部分(3000)下方，且包含至少兩個內部電極以及在所述至少兩個內部電極之間的至少兩個絕緣薄片。舉例而言，第一電容器部分(2000)可包含第一絕緣薄片至第四絕緣薄片(101至104)以及分別安置于第一絕緣薄片至第四絕緣薄片(101至104)上的第一內部電極至第四內部電極(201至204)。舉例而言，第一內部電極至第四內部電極(201至204)中的每一者可具有為1μm至10μm的厚度。此處，第一內部電極至第四內部電極(201至204)可具有連接至外部電極(5100、5200；5000)(在x方向上面向彼此)的一側以及彼此隔開的另一側。第一內部電極與第三內部電極(201、203)分別具有在第一絕緣薄片與第三絕緣薄片(101、103)上的預定面積。又，第一內部電極以及第三內部電極(201、203)中的每一者使一側連接至第一外部電極(5100)，且使另一側與第二外部電極(5200)隔開。第二內部電極與第四內部電極(202、204)可分別具有在第二絕緣薄片與第四絕緣薄片(102、104)上的預定面積。又，第二內部電極以及第四內部電極(202、204)中的每一者可使一側連接至第二外部電極(5200)，且使另一側與第一外部電極(5100)隔開。意即，第一內部電極至第四內部電極(201至204)可交替地連接至外部電極(5000)中的一者，以允許第一內部電極至第四內部電極(201至204)的預定面積分別與第二絕緣薄片至第四絕緣薄片(101至104)重疊，其中第二絕緣薄片至第四絕緣薄片(101至104)處于其間。此處，第一內部電極至第四內部電極(201至204)中的每一者具有對應于第一絕緣薄片至第四絕緣薄片(101至104)中的每一者的面積的10％至95％的面積。又，第一內部電極至第四內部電極(201至204)中的每一者的面積與其總面積的10％至95％可重疊。第一內部電極至第四內部電極(201至204)中的每一者可具有各種形狀，諸如具有預定寬度以及距離的正方形形狀、矩形形狀、預定圖案形狀以及螺旋形形狀。第一電容器部分(2000)在第一內部電極至第四內部電極(201至204)之間具有電容?？筛鶕谝粌炔侩姌O至第四內部電極(201至204)中的每一者的長度或重疊面積以及絕緣薄片(101至104)中的每一者的厚度來調整所述電容。除了第一內部電極至第四內部電極(201至204)之外，第一電容器部分(2000)可還包含至少一個內部電極以及至少一個絕緣薄片，所述至少一個內部電極安置于所述至少一個絕緣薄片上。又，第一電容器部分(2000)可包含兩個內部電極。盡管作為一實例而描述包含四個內部電極的第一電容器部分(2000)，但可提供至少兩個內部電極，即多個內部電極。esd保護部分(3000)可包含垂直地彼此隔開的至少兩個放電電極(310；311、312)以及安置于至少兩個放電電極(310)之間的至少一個esd保護層(320)。舉例而言，esd保護部分(3000)可包含第五絕緣薄片以及第六絕緣薄片(105、106)、分別安置于第五絕緣薄片與第六絕緣薄片(105、106)上的第一放電電極與第二放電電極(311、312)，以及穿過第六絕緣薄片(106)的esd保護層。此處，esd保護層(320)可使至少一部分連接至第一放電電極以及第二放電電極(311、312)。第一放電電極以及第二放電電極(311、312)可具有與電容器部分(2000、4000)的內部電極(200)中的每一者相同的厚度。舉例而言，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者可具有為1μm至10μm的厚度。然而，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者可具有小于電容器部分(2000、4000)中的每一者的內部電極(200)的厚度的厚度。第一放電電極(311)可連接至第一外部電極(5100)且安置于第五絕緣薄片(105)上，且使一端連接至esd保護層(320)。第二放電電極(312)連接至第二外部電極(5200)且安置于第六絕緣薄片(106)上，且使一端連接至esd保護層(320)。此處，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者的接觸esd保護層(320)的面積可等于或小于esd保護層(320)的面積。又，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)可與esd保護層(320)完全重疊，而不超出esd保護層(320)。意即，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)的邊緣可垂直地匹配esd保護層(320)的邊緣以形成垂直組件?；蛘撸谝环烹婋姌O以及第二放電電極(311、312)可與esd保護層(320)的一部分重疊。舉例而言，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者可與esd保護層(320)的水平面積的10％至100％重疊。意即，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者的末端可經形成而不超出esd保護層(320)。第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者的與esd保護層(320)接觸的面積可大于第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者的不接觸esd保護層(320)的面積。esd保護層(320)可連接至第六絕緣薄片(106)的預定區(qū)域。舉例而言，esd保護層(320)可安置于中心部分處且連接至第一放電電極以及第二放電電極(311、312)。此處，esd保護層(320)的至少一部分可與第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者重疊。意即，esd保護層(320)的水平面積的10％至100％可與第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者重疊。esd保護層(320)可在預定區(qū)域(例如，第六絕緣薄片(106)的中心部分)中具有具預定大小的通孔。接著，可通過使用印刷制程涂覆或填充通孔的至少一部分。esd保護層(320)可具有對應于堆疊式本體(1000)的厚度的1％至2％的厚度以及對應于堆疊式本體(1000)在一個方向上的長度的3％至50％的長度。此處，在esd保護層(320)提供為多個時，多個esd保護層(320)的厚度的總和可為堆疊式本體(1000)的厚度的1％至5％。又，esd保護層(320)可具有在至少一個方向(例如，x方向)上的長孔洞形狀，且在x方向上的長度可為絕緣薄片(100)在x方向上的長度的5％至75％。又，esd保護層(320)在y方向上的寬度可為絕緣薄片(100)在y方向上的寬度的3％至50％。舉例而言，esd保護層(320)可具有為50μm至1,000μm的直徑以及為5μm至200μm的厚度。此處，在esd保護層(320)的厚度較薄時，放電開始電壓可能會減小。esd保護層(320)可由導電材料以及絕緣材料形成。此處，絕緣材料可為具有多個孔的多孔絕緣材料。舉例而言，導電陶瓷與絕緣陶瓷的混合材料可印刷在第六絕緣薄片(106)上以形成esd保護層(320)。esd保護層(320)可安置于至少一個絕緣薄片(100)上。意即，esd保護層(320)可安置于垂直地堆疊在彼此之上的至少一個絕緣薄片(100)(例如，兩個絕緣薄片(100))上。此處，放電電極可彼此隔開地安置于絕緣薄片(100)上且連接至esd保護層(320)。稍后將更詳細地描述esd保護層(320)的結構以及材料。第二電容器部分(4000)可安置于esd保護部分(3000)上方，且包含至少兩個內部電極以及在所述至少兩個內部電極之間的至少兩個絕緣薄片。舉例而言，第二電容器部分(2000)可包含第七絕緣薄片至第十絕緣薄片(107至110)以及分別安置于第七絕緣薄片至第十絕緣薄片(107至110)上的第五內部電極至第八內部電極(205至208)。此處，第五內部電極至第八內部電極(205至208)可具有連接至外部電極(5100、5200；5000)(在x方向上面向彼此)的一側以及彼此隔開的另一側。第五內部電極以及第七內部電極(205、207)中的每一者在第七絕緣薄片以及第九絕緣薄片(107、109)中的每一者上具有預定面積。又，第五內部電極以及第七內部電極(205、207)中的每一者使一側連接至第一外部電極(5100)，且使另一側與第二外部電極(5200)隔開。第六內部電極與第八內部電極(206、208)可分別在第八絕緣薄片與第十絕緣薄片(108、110)上具有預定面積。又，第二內部電極以及第四內部電極(202、204)中的每一者可使一側連接至第二外部電極(5200)，且使另一側與第一外部電極(5100)隔開。意即，第五內部電極至第八內部電極(205至208)可交替地連接至外部電極(5000)中的一者以允許第五內部電極至第八內部電極(205至208)的預定面積分別與第八絕緣薄片至第十絕緣薄片(108至110)重疊，其中第八絕緣薄片至第十絕緣薄片(108至110)處于其間。此處，第五內部電極至第八內部電極(205至208)中的每一者具有對應于第七絕緣薄片至第十絕緣薄片(107至110)中的每一者的面積的10％至85％的面積。又，第五內部電極至第八內部電極(205至208)中的每一者的面積與其總面積的10％至85％可重疊。舉例而言，第五內部電極至第八內部電極(205至208)中的每一者可具有為1μm至10μm的厚度。第五內部電極至第八內部電極(205至208)中的每一者可具有各種形狀，諸如具有預定寬度以及距離的正方形形狀、矩形形狀、預定圖案形狀以及螺旋形形狀。第二電容器部分(4000)在第五內部電極至第八內部電極(205至208)之間具有電容?？筛鶕谖鍍炔侩姌O至第八內部電極(205至208)中的每一者的長度或重疊面積以及絕緣薄片(108至110)中的每一者的厚度來調整所述電容。除了第三內部電極以及第四內部電極(203、204)之外，第二電容器部分(4000)可還包含至少一個內部電極以及至少一個絕緣薄片，所述至少一個內部電極安置于所述至少一個絕緣薄片上。又，第二電容器部分(4000)可包含兩個內部電極。盡管作為一實例而描述包含四個內部電極的第二電容器部分(4000)，但可提供至少兩個內部電極，即多個內部電極。第一電容器部分(2000)的內部電極(201至204)中的每一者與第二電容器部分(4000)的內部電極(205至208)中的每一者可具有相同形狀以及面積，且還具有相同重疊面積。又，第一電容器部分(2000)的絕緣薄片(101至104)中的每一者與第二電容器部分(4000)的絕緣薄片(107至110)中的每一者可具有相同厚度。此處，在第一絕緣薄片(101)充當下部蓋層時，第一絕緣薄片(101)可具有大于其余絕緣薄片中的每一者的厚度的厚度。因此，第一電容器部分與第二電容器部分(2000、4000)可具有相同電容。然而，第一電容器部分與第二電容器部分(2000、4000)可具有彼此不同的電容。在此情況下，內部電極的面積或長度中的至少一者、內部電極的重疊面積以及絕緣薄片的厚度可彼此不同。又，電容器部分(2000、4000)的內部電極(201至208)中的每一者可具有大于或等于esd保護部分(3000)的放電電極(310)的長度的長度以及大于或等于放電電極(310)的面積的面積。電容器部分(2000、4000)的內部電極(201至208)可具有對應于堆疊式本體(1000)的厚度的0.05％至50％的厚度。意即，內部電極(201至208)的厚度的總和可為堆疊式本體(1000)的厚度的0.05％至50％。此處，內部電極(201至208)可具有相同厚度，或內部電極(201至208)中的至少一者可具有不同厚度。舉例而言，內部電極(201至208)中的至少一者可比其他內部電極中的每一者厚。又，內部電極(201至208)中的每一者的至少一個區(qū)可具有不同于其他區(qū)的厚度的厚度。然而，在內部電極(201至208)中的至少一者具有不同厚度，且內部電極(201至208)中的每一者的至少一個區(qū)具有不同厚度時，內部電極(201至208)的厚度的總和可為堆疊式本體(1000)的厚度的0.05％至50％。又，電容器部分(2000、4000)的內部電極(201至208)可具有對應于堆疊式本體(1000)的橫截面積的0.05％至50％的橫截面積。意即，內部電極(201至208)在厚度方向(意即，z方向)上的橫截面積的總和可為堆疊式本體(1000)的橫截面積的0.05％至50％。此處，內部電極(201至208)可具有相同橫截面積，或內部電極(201至208)中的至少一者可具有不同橫截面積。然而，內部電極(201)至(208)中的至少一者具有不同橫截面積，內部電極(201至208)的橫截面積的總和可為堆疊式本體(1000)的橫截面積的0.05％至50％。又，電容器部分(2000、4000)的內部電極(201至208)中的每一者可具有對應于絕緣薄片(100)的長度以及寬度的95％或更小的長度以及寬度。意即，內部電極(201至208)中的每一者在x方向上的長度可為絕緣薄片(100)在x方向上的長度的10％至95％，且在y方向上的寬度可為絕緣薄片(100)在y方向上的寬度的10％至95％。然而，因為內部電極(201至208)的至少一部分必須與絕緣薄片(100)重疊，且絕緣薄片(100)位于其間，因此內部電極(201至208)中的每一者可具有對應于絕緣薄片(100)的長度以及寬度的50％至95％、較佳絕緣薄片(100)的長度以及寬度的80％至90％的長度以及寬度。此處，內部電極(210至208)中的至少一者可具有不同于其他內部電極的長度的長度。舉例而言，一個內部電極可具有大于或小于其他內部電極中的每一者的長度的長度。在一個內部電極具有大于其他內部電極中的每一者的長度的長度時，重疊面積可增大。另一方面，在一個內部電極具有小于其他內部電極中的每一者的長度的長度時，重疊面積可減小。因此，至少一個內部電極可具有不同長度以調整電容。外部電極(5100、5200；5000)安置于堆疊式本體(1000)的面向彼此的兩個側表面上，且連接至第一電容器部分及第二電容器部分(2000、4000)以及esd保護部分(3000)的內部電極。外部電極(5000)中的每一者可提供為至少一個層。外部電極(5000)可由諸如ag的金屬層形成，且至少一個鍍層可安置于金屬層上。舉例而言，外部電極(5000)可通過堆疊銅層、ni鍍層以及sn或sn/ag鍍層而形成。又，外部電極(5000)可通過混合(例如)使用0.5％至20％的bi2o3或sio2作為主要成分的多組分玻璃粉(glassfrit)與金屬粉末而形成。此處，玻璃粉與金屬粉末的混合物可制備成膏體形式，且涂覆至堆疊式本體(1000)的兩個表面。如上文所描述，因為玻璃粉含于外部電極(5000)中，因此可改良外部電極(5000)與堆疊式本體(1000)之間的黏著力，且可改良內部電極(200)與外部電極(5000)之間的接觸反應。又，在涂覆含有玻璃的導電膏之后，至少一個鍍層可安置于導電膏上以形成外部電極(5000)。意即，可提供含有玻璃的金屬層，且至少一個鍍層可安置于所述金屬層上以形成外部電極(5000)。舉例而言，在外部電極(5000)中，在形成含有玻璃粉以及ag與cu中的至少一者的層之后，可執(zhí)行電鍍或無電極鍍敷以連續(xù)地形成ni鍍層以及sn鍍層。此處，sn鍍層可具有等于或大于ni鍍層的厚度的厚度。或者，可通過僅使用至少一個鍍層來形成外部電極(5000)。意即，可在不涂覆膏體的情況下執(zhí)行鍍敷過程至少一次以形成至少一個鍍層，由此形成外部電極(5000)。外部電極(5000)可具有為2μm至100μm的厚度。此處，ni鍍層可具有為1μm至10μm的厚度，且sn或sn/ag鍍層可具有為2μm至10μm的厚度。又，在形成外部電極(5000)之前，氧化物可分配在堆疊式本體(1000)的表面上以形成電阻調整部件(400)。此處，氧化物可以微粒狀態(tài)或熔融狀態(tài)分散以及分配在堆疊式本體(1000)的表面上。此處，可經由印刷制程在形成外部電極(5000)的一部分之前分配氧化物或在執(zhí)行鍍敷過程之前分配氧化物。意即，可在經由鍍敷過程形成外部電極(5000)時的鍍敷過程之前將氧化物分配在堆疊式本體(1000)的表面上。因為氧化物是在鍍敷過程之前分配，因此堆疊式本體(1000)的表面上的電阻可均勻，且因此，鍍敷過程可均勻地執(zhí)行。意即，堆疊式本體(1000)的表面的至少一區(qū)域上的電阻可能不同于堆疊式本體的表面的其他區(qū)域上的電阻。在于電阻不均勻的狀態(tài)中執(zhí)行鍍敷過程時，較之于具有相對高電阻的區(qū)域，鍍敷過程可能在具有相對低電阻的區(qū)域上執(zhí)行地更好，從而引起鍍層生長中的不均一性。因此，為解決上述限制，必須均一地維持堆疊式本體(1000)的表面電阻。為此，具有微?；蛉廴跔顟B(tài)的氧化物可分散在堆疊式本體(1000)的表面上以形成電阻調整部件(400)。此處，氧化物可部分地分配在堆疊式本體(1000)的表面上或分配在堆疊式本體(1000)的整個表面上以形成膜形狀?；蛘?，氧化物可以膜形狀形成于至少一個區(qū)域上，且接著部分地分配在至少一個區(qū)域上。舉例而言，如圖3的(a)中所說明，氧化物可以島狀物(island)形狀分配在堆疊式本體的表面上以形成電阻調整部件(400)。意即，處于微粒或熔融狀態(tài)的氧化物可彼此隔開地安置且以島狀物形狀分配。因此，堆疊式本體(1000)的表面的至少一部分可能曝露。又，如圖3的(b)中所說明，氧化物可分配在堆疊式本體(1000)的整個表面上，且處于微?；蛉廴跔顟B(tài)的氧化物可彼此連接以形成具有預定厚度的氧化物層。此處，因為氧化物層形成于堆疊式本體(1000)的表面上，因此堆疊式本體的表面可不曝露。又，氧化物可以膜形狀形成于至少一個區(qū)域上且以島狀物形狀分配在堆疊式本體的表面的至少一部分上。意即，至少兩個氧化物可彼此連接以在至少一個區(qū)域上形成層且在至少一個區(qū)域上形成島狀物形狀。因此，堆疊式本體的表面的至少一部分可曝露。以島狀物形狀分配在堆疊表面(1000)的表面的至少一部分上的氧化物的總區(qū)域可為(例如)堆疊式本體(1000)的表面的總區(qū)域的10％至90％。此處，至少一種金屬氧化物可用作用于實現堆疊式本體(1000)的均一表面電阻的呈微?；蛉廴跔顟B(tài)的氧化物。舉例言之，bi2o3、bo2、b2o3、zno、co3o4、sio2、al2o3以及mno中的至少一者可用作氧化物。電容器部分(2000、4000)的內部電極(201至208)以及esd保護部分(3000)的放電電極(311、312)中的每一者可由導電材料形成，例如諸如ag、al、cu、cr、ni、mo的金屬或其合金。意即，內部電極(201至208)以及放電電極(310)中的每一者可由一種金屬或至少兩種金屬合金形成?；蛘?，內部電極(201至208)以及放電電極(310)中的每一者可由具有導電性的金屬氧化物或金屬氮化物形成。內部電極(201至208)以及放電電極(310)中的每一者可諸如濺鍍以及cvd的沈積方法形成。又，內部電極(201至208)以及放電電極(310)中的每一者可含有用于形成堆疊式本體(1000)的組分。意即，內部電極(201至208)以及放電電極(310)中的每一者可含有用于形成絕緣薄片(100)的組分以及導電材料。意即，內部電極(201至208)以及放電電極(310)中的每一者可通過使用包含諸如mlcc、batio3、baco3、tio2、nd2o3、bi2o3、zno以及al2o3的介電材料粉末中的至少一者的導電材料而形成。此處，堆疊式本體的組件(意即，絕緣薄片的組件)可以20％的比率接觸導電材料。舉例而言，在絕緣薄片的組分與導電材料的混合物為(100)時，絕緣薄片的組分可接觸約1至約20的比率。如上文所描述，因為含有絕緣薄片的組分，因此內部電極(201至208)以及放電電極(310)中的每一者可具有類似于堆疊式本體(1000)的收縮率的收縮率。因此，可改良電極與絕緣薄片(100)之間的耦接力。此處，esd保護部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的距離可小于或等于電容器部分(2000、4000)內的兩個內部電極之間的距離。意即，安置于esd保護部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置于電容器部分(2000、4000)內的內部電極(200)之間的絕緣薄片(102至104、107至110)中的每一者的厚度的厚度。又，esd保護部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的距離可小于或等于esd保護部分(3000)的兩個放電電極(310)之間的距離。意即，安置于esd保護部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置有esd保護層(320)的第六絕緣薄片(106)的厚度的厚度。結果，安置于esd保護部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置于電容器部分(2000、4000)內的內部電極(200)之間的絕緣薄片(102至104、107至110)中的每一者的厚度的厚度，或具有小于或等于esd保護部分(3000)的兩個放電電極(310)之間的距離(b)的厚度。意即，若esd保護部分(3000)與電容器部分(2000、4000)之間的距離為a1以及a2，電容器部分(2000、4000)內的兩個內部電極之間的距離為c1以及c2，且esd保護部分(3000)的兩個放電電極(300)之間的距離為b，則可滿足以下由a1＝a2≤c1＝c2或a1＝a2≤b表達的式子?；蛘撸嚯xa1可不同于距離a2，且距離c1可不同于距離c2。最下部絕緣薄片以及最上部絕緣薄片(即，第一絕緣薄片以及第十一絕緣薄片(101、111))中的每一者可具有大于10μm的厚度，且對應于堆疊式本體(1000)的厚度的50％或小于50％。此處，在第一絕緣薄片與第十一絕緣薄片(101、111)分別具有厚度d1與d2時，可滿足以下由b≤d1＝d2表達的式子，其中厚度d1可不同于厚度d2。盡管根據例示性實施例提供在堆疊式本體(1000)內包含一個esd保護層(320)的esd保護部分(3000)，但可提供兩個或大于兩個esd保護層(320)，即多個esd保護層，且esd保護部分(3000)可提供多個。舉例而言，至少兩個esd保護層(320)可垂直地安置，且放電電極可進一步安置于所述esd保護層(320)之間以使得可通過至少一個電容器部分以及至少兩個esd保護部分構成一個防止觸電的裝置。又，電容器部分(2000、4000)的內部電極(200)以及esd保護部分(3000)的放電電極(310)及esd保護層(320)可在y方向上提供至少兩個或大于兩個。因此，可在一個堆疊式本體(1000)內提供彼此平行的多個防止觸電的裝置。圖6至圖7為說明根據例示性實施例的防止觸電的裝置的esd保護層(320)的橫截面圖以及橫截面相片。如圖6的(a)以及圖7的(a)中所說明，可通過混合導電材料與絕緣材料而形成esd保護層(320)。意即，混合了導電材料與絕緣材料的esd保護材料可涂覆至或填充至形成于至少一個薄片100中的通孔的至少一部分中，以形成esd保護層(320)。舉例而言，可通過使用混合了導電陶瓷與絕緣陶瓷的esd保護材料來形成esd保護層(320)。在此情況下，可通過以例如10∶90至90∶10的混合比率混合導電陶瓷與絕緣陶瓷而形成esd保護層(320)。絕緣陶瓷的混合比率愈大，放電開始電壓愈大。又，導電陶瓷的混合比率愈大，放電開始電壓愈小。因此，可調整導電陶瓷與絕緣陶瓷的混合比率以獲得預定放電開始電壓。此處，多個孔(未示出)可形成于esd保護層(320)中。意即，因為esd保護層(320)使用多孔絕緣材料，因此可形成多個孔。因為形成了孔，因此可更容易地將esd電壓旁通至接地端子。又，esd保護層(300)可具有堆疊了導電層與絕緣層的預定堆疊結構。意即，導電層與絕緣層可堆疊至少一次以便彼此分隔，由此形成esd保護層(300)。舉例而言，esd保護層(320)可具有堆疊了導電層與絕緣層的兩層結構或堆疊了導電層、絕緣層以及導電層的三層結構。又，導電層(321)以及絕緣層(322)可堆疊若干次以形成至少三層結構。舉例而言，如圖6的(b)中所說明，可形成具有堆疊了第一導電層(321a)、絕緣層(322)以及第二導電層(321b)的三層結構的esd保護層(300)。圖7的(b)說明在安置于絕緣薄片之間的內部電極之間具有三層結構的esd保護層的相片。在導電層與絕緣層堆疊若干次時，導電層可安置在最上部層以及最下部層處。此處，多個孔(未示出)可形成于導電層(321)以及絕緣層(322)中的每一者的至少一部分中。舉例而言，因為安置于導電層(321)之間的絕緣層具有多孔結構，因此多個孔可形成于絕緣層(322)中。又，空隙(void)可進一步形成于esd保護層(320)的預定區(qū)域中。舉例而言，空隙可經形成于混合了導電材料與絕緣材料的層之間或形成于導電層與絕緣層之間。意即，可堆疊混合了導電層與絕緣材料的第一混合層、空隙以及第二混合層，或可堆疊導電層、空隙以及絕緣層。舉例而言，如圖6的(c)中所說明，第一導電層(321a)、第一絕緣層(322a)、空隙(323)、第二絕緣層(322b)以及第二導電層(321b)可經堆疊以形成esd保護層(320)。意即，絕緣層(322)可安置于導電層(321)之間，且空隙可形成于絕緣層(322)之間。圖7的(c)說明具有上述堆疊結構的esd保護層(320)的橫截面的相片?；蛘?，導電層、絕緣層以及空隙可重復堆疊以形成esd保護層(320)。在堆疊導電層(321)、絕緣層(322)以及空隙(323)時，導電層(321)、絕緣層(322)與空隙(323)可具有相同厚度，或導電層(321)、絕緣層(322)以及空隙(323)中的至少一者可具有小于其他組件的厚度的厚度。舉例而言，空隙(323)可具有小于導電層(321)以及絕緣層(322)中的每一者的厚度的厚度。又，導電層(321)可具有與絕緣層(322)相同的厚度，或具有大于或小于絕緣層(322)的厚度的厚度?？稍诰酆衔锊牧现髨?zhí)行填充燃燒過程，且接著，可移除聚合物材料以形成空隙(323)。舉例而言，含有導電陶瓷的第一聚合物材料、含有絕緣陶瓷的第二聚合物材料以及不含導電陶瓷或絕緣陶瓷的第三聚合物材料可填充至介層孔中，且接著，執(zhí)行燃燒過程以移除聚合物材料，由此形成導電層、絕緣層以及空隙?？障?323)可經形成而不與其他層分離。舉例而言，絕緣層(322)可安置于導電層(321a、321b)之間，且多個空隙垂直地或水平地連接至絕緣層(322)的內部以形成空隙(323)。意即，空隙(323)可提供為絕緣層(322)內的多個孔?；蛘?，空隙(323)可作為多個孔形成于導電層(321)中。又，在esd保護層(320)中，含有多孔絕緣材料以及導電材料的esd保護材料可涂覆至孔洞的一部分，但不涂覆至其他部分，以形成空隙?；蛘撸趀sd保護層(320)中，esd保護材料形成于通孔中，且空隙可形成于兩個放電電極(311、312)之間。用于esd保護層(320)的導電層(321)可具有預定電阻以允許電流流動。舉例而言，導電層(321)可為具有若干ω至數十mω電阻的電阻器。在過量引入諸如esd的電壓時，導電層(321)可降低能量位準以防止防止觸電的裝置因過電壓而在結構上斷裂。意即，導電層(321)可充當將電能轉化為熱能的散熱片(heatsink)?？赏ㄟ^使用導電陶瓷而形成導電層(321)。導電陶瓷可使用含有l(wèi)a、ni、co、cu、zn、ru、ag、pd、pt、w、fe以及bi中的至少一者的混合物。又，導電層(321)可具有為1μm至50μm的厚度。意即，在導電層(321)提供為多個層時，導電層(321)的厚度的總和可為1μm至50μm。又，用于esd保護層(320)的絕緣層(322)可由放電誘發(fā)材料形成以充當具有多孔結構的電障壁。絕緣層(322)可由絕緣陶瓷形成，且具有為約50至約50,000的介電常數的鐵電材料可用作絕緣陶瓷。舉例而言，絕緣陶瓷可通過使用含有諸如mlcc、sio2、fe2o3、co3o4、batio3、baco3、tio2、nd、bi、zn以及al2o3的介電材料粉末中的至少一者的混合物形成。絕緣層322可具有多孔結構，其中各自具有約1nm至約30μm的大小的多個孔經形成以具有30％至80％的孔隙率。此處，所述孔之間的最短距離可為約1nm至約50μm。意即，在絕緣層(322)中，孔隙率愈大，孔之間的距離可能愈大，且孔的大小愈大，孔之間的距離可能愈大。盡管絕緣層(322)是由電流不會流過的電絕緣材料形成，但因為形成了孔，因此電流可流過所述孔。此處，在孔的大小增大或孔隙率增大時，放電開始電壓可能會減小。另一方面，在孔的大小減小或孔隙率減小時，放電開始電壓可能會增大。然而，若孔的大小超過30μm，或孔隙率超過80％，則可能難以維持esd保護層(320)的配置。因此，為維持esd保護層(320)的配置，可調整放電開始電壓以調整孔的大小以及絕緣層(322)的孔隙率。在esd保護層(320)是由絕緣材料與導電材料的混合材料形成時，絕緣材料可使用具有細孔以及小孔隙率的絕緣陶瓷。又，絕緣層322可由于細孔而具有小于絕緣薄片(100)的電阻的電阻，且可經由所述細孔執(zhí)行部分放電。意即，細孔形成于絕緣層(322)中，且因此，經由所述細孔執(zhí)行部分放電。絕緣層(322)可具有為1μm至50μm的厚度。意即，在絕緣層(322)提供為多個層時，絕緣層(322)的厚度的總和可為1μm至50μm。如上文所描述，根據例示性實施例的防止觸電的裝置可安置于如圖4中所說明的電子裝置的金屬殼(10)與內部電路(20)之間。意即，外部電極(5000)中的一者可連接至電子裝置的金屬殼(10)，且另一者可連接至接地端子。此處，接地端子可安置于內部電路(20)中。舉例而言，第一外部電極(5100)可連接至電子裝置的金屬殼(10)，且第二外部電極(5200)可連接至接地端子。又，如圖5中所說明，接觸部分(30)以及防止觸電的裝置可安置于電子裝置的金屬殼(10)與內部電路(20)之間。此處，在防止觸電的裝置中，外部電極(5000)中的一者可連接至接觸部分(30)，且另一者可連接至接地端子。舉例而言，第一外部電極(5100)可連接至接觸部分(30)，且第二外部電極(5200)可連接至接地端子。因此，自內部電路(20)的接地端子傳輸至金屬殼的觸電電壓可被阻斷，且經由金屬殼(10)自外部施加至內部電路(20)的esd電壓可旁通至接地端子。意即，在所述防止觸電的裝置中，電流在額定電壓以及觸電電壓下不在外部電極(5000)之間流動，但在esd電壓下流過esd保護部分(3000)以允許將esd電壓旁通至接地端子。在所述防止觸電的裝置中，放電開始電壓可能大于額定電壓且小于esd電壓。舉例而言，在所述防止觸電的裝置中，額定電壓可為100v至240v，觸電電壓可等于或大于電路的操作電壓，且由外部靜電產生的esd電壓可大于觸電電壓。此處，放電開始電壓可為350v至15kv。又，通信信號可通過電容器部分(2000、4000)而在外部與內部電路(20)之間傳輸。意即，來自外部的通信信號，例如rf信號，可通過電容器部分(2000、4000)傳輸至內部電路(20)，且來自內部電路(20)的通信信號可通過電容器部分(2000、4000)傳輸至外部。在金屬殼(10)用作天線而不提供單獨天線的情況下，可通過使用電容器部分(2000、4000)將通信信號傳輸至外部且自外部接收通信信號。結果，根據例示性實施例的防止觸電的裝置可阻斷自內部電路的接地端子施加的觸電電壓，且將自外部施加的esd電壓旁通至接地端子以在外部與電子裝置之間傳輸通信信號。又，在根據例示性實施例的防止觸電的裝置中，各自具有高電阻特性的多個絕緣薄片可堆疊以形成電容器部分。因此，在通過有缺陷的充電器將(310)v的觸電電壓自內部電路引入至金屬殼時，可維持絕緣電阻狀態(tài)以防止漏電流流動。又，在將esd電壓自金屬殼引入至內部電路中時，esd保護部分可旁通所述esd電壓以維持高絕緣電阻狀態(tài)而不損壞裝置。意即，esd保護部分(3000)可包含esd保護層(300)，所述esd保護層包含：導電層(310)，其降低能量位準以將電能轉化為熱能；以及絕緣層(320)，其具有多孔結構以允許電流流過細孔以旁通自外部施加的esd電壓，由此保護電路。因此，esd保護部分(300)可安置于包含金屬殼的電子裝置中，以持續(xù)防止在有缺陷的充電器中產生的觸電經由電子裝置的金屬殼傳輸至使用者而無介電質擊穿。通用多層電容電路(mlcc，multilayercapacitancecircuit)可保護觸電電壓，但對esd作用不大。因此，在重復施加esd時，電花(spark)可能會因電充電(charging)造成的泄漏點(leakpoint)而出現，以損壞裝置。然而，因為包含導電層以及絕緣層的esd保護層安置于根據例示性實施例的電容器部分之間，因此esd電壓可經由esd保護層旁通，以使得電容器部分不會斷裂。根據例示性實施例，esd保護材料填充至或涂覆至形成于絕緣薄片(106)中的通孔，以形成esd保護層(320)。然而，esd保護層(320)可安置于絕緣薄片的預定區(qū)域上，且放電電極(310)可經安置以接觸esd保護層(320)。意即，如在根據另一例示性實施例的圖8的橫截面圖中所說明，兩個放電電極(311、312)可在絕緣薄片(106)上水平地彼此隔開，且esd保護層(320)可安置于兩個放電電極(311、312)之間。此處，因為第一電容器部分及第二電容器部分(2000、4000)以及外部電極(5000)中的每一者具有與根據例示性實施例者相同的配置，因此將省略其詳細描述，且還可省略對esd保護部分(3000)的重復描述。esd保護部分(3000)可包含彼此水平地間隔開的至少兩個放電電極(311、312)以及安置在至少兩個放電電極(311、312)之間的至少一個esd保護層(320)。意即，兩個放電電極(311、312)可在兩個放電電極(311、312)彼此間隔開的方向上安置于預定區(qū)域(例如薄片的中心部分)上，意即在x方向上。又，至少兩個放電電極(未示出)可進一步在彼此垂直的方向上安置。因此，至少一個放電電極可在與安置外部電極(5000)的方向垂直的方向上安置，且至少一個放電電極可經安置成面朝彼此，彼此間隔開預定距離。舉例而言，如圖8中所說明，esd保護部分(3000)可包含第六絕緣薄片(106)、第六絕緣薄片(106)上彼此間隔開的第一放電電極以及第二放電電極(311、312)以及安置于第六絕緣薄片(106)上的esd保護層(320)。此處，esd保護層(320)可具有連接至第一放電電極以及第二放電電極(311、312)的至少一部分。第一放電電極(311)可連接至外部電極(5100)，且安置于第六絕緣薄片(106)上，且具有連接至esd保護層(320)的端部。第二放電電極(312)連接至外部電極(5200)，且與第六絕緣薄片(106)上的第一放電電極(311)間隔開，且具有連接至esd保護層(320)的端部?；蛘?，至少一個放電電極可進一步在與放電電極與第一放電電極以及第二放電電極(311、322)間隔開且安置外部電極(5000)的方向垂直的方向上安置。esd保護層(320)可安置于預定區(qū)域上(例如第六絕緣薄片(106)的中心部分)，且連接至第一放電電極以及第二放電電極(311、312)。此處，esd保護層(320)可與第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者部分重疊。esd保護層(320)可安置于在第一放電電極以及第二放電電極(311、312)之間曝露的第六絕緣薄片(106)上，且連接至第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者的側表面。然而，在所述情況下，因為esd保護層(320)在不與第一放電電極以及第二放電電極(311、312)間隔開的情況下不會接觸第一放電電極以及第二放電電極(311、312)，所以esd保護層(320)可經安置成與第一放電電極以及第二放電電極(311、312)重疊。又，esd保護層(300)可具有與第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者相同的厚度，或具有比第一放電電極以及第二放電電極(311、312)中的每一者的厚度大的厚度。舉例而言，esd保護層(320)可具有100μm至500μm的直徑以及10μm至50μm的厚度。圖9為說明根據另一例示性實施例的esd保護部分(3000)的經修改實例的示意性平面圖。如圖9的(a)中所說明，esd保護層(320)可安置在彼此間隔開的兩個第一放電電極以及第二放電電極(311、312)之間。esd保護層(320)可通過將導電材料與絕緣材料混合而形成。舉例而言，如圖9的(b)中所說明，第一導電層(321a)、絕緣層(322)以及第二導電層(321b)可水平地安置以形成具有三層結構的esd保護層(320)。意即，第一導電層以及第二導電層(321a、321b)可分別經安置成接觸第一放電電極以及第二放電電極(311、312)，且絕緣層(322)可經安置成連接于第一導電層以及第二導電層(321a、321b)之間。然而，esd保護層(320)可通過在水平方向上使用導電層(321)以及絕緣層(322)至少一次而形成。舉例而言，esd保護層(320)可通過使用導電層(321)以及絕緣層(322)而具有兩層結構?；蛘?，導電層(321)、絕緣層(322)以及導電層(321)可交替地安置以形成三層結構。又，導電層(321)以及絕緣層(322)可交替地安置若干次以形成至少三層結構。此處，可至少在絕緣層(322)中形成多個孔?；蛘?，可在導電層(321)中形成多個孔。又，如圖9的(c)中所說明，esd保護層(320)可包含位于第一放電電極以及第二放電電極(311、312)之間的第一導電層(321a)、第一絕緣層(322a)、空隙(323)、第二絕緣層(322b)以及第二導電層(321b)。意即，第一導電層以及第二導電層(321a、321b)可分別經安置成接觸第一放電電極以及第二放電電極(301、302)，第一絕緣層以及第二絕緣層(322a、322b)可安置在第一導電層以及第二導電層(321a、321b)之間，且空隙(323)可形成于第一絕緣層以及第二絕緣層(322a、322b)之間?；蛘?，導電層、絕緣層以及空隙可重復安置若干次以形成esd保護層(320)。在水平地安置導電層(321)、絕緣層(322)以及空隙(323)時，導電層(321)、絕緣層(322)以及空隙(323)可具有相同寬度，或導電層(321)、絕緣層322)以及空隙(323)中的至少一者可具有比其他組件的寬度小的寬度。舉例而言，空隙(323)可具有比導電層(321)以及絕緣層(322)中的每一者的寬度小的寬度。又，導電層(321)可具有與絕緣層(322)相同的寬度，或具有比絕緣層(322)的寬度大或小的寬度。在經由印刷過程形成絕緣層(322)時，可通過形成絕緣層(322)而形成空隙(323)，以使得空隙(323)與絕緣層(322)間隔開預定距離。導電層(321)、絕緣層(322)以及空隙(323)中的每一者可具有對應于第一放電電極以及第二放電電極(311、312)之間的寬度的30％至50％的寬度。意即，在水平地安置導電層(321)、絕緣層(322)以及空隙(323)中的至少一者時，導電層(321)、絕緣層(322)以及空隙(323)的寬度之和可為第一放電電極以及第二放電電極(311、312)之間的寬度的30％至50％?？障?323)可在絕緣層(322)之間一體成型。意即，空隙(323)可形成于絕緣層(322)中?；蛘?，絕緣層(322)內的多個孔可在水平或垂直方向上彼此連接以形成空隙(323)?；蛘?，可通過僅使用空隙(323)來形成esd保護層(320)。意即，如圖9的(d)中所說明，第一放電電極以及第二放電電極(311、312)可彼此間隔開預定距離，且空隙(323)可形成于第一放電電極以及第二放電電極(311、312)之間。因此，空隙(323)可充當esd保護層(320)。在通過僅使用空隙(323)來形成esd保護層(320)時，esd保護層(320)可具有比通過使用導電層(321)、絕緣層(322)或其混合物而形成的esd保護層(320)的寬度小的寬度。又，在根據另一例示性實施例的防止觸電的裝置中，可提供esd保護部分(3000)的至少三個放電電極以在其間形成至少兩個esd保護層。下文將參考圖9的示意性平面圖來描述根據另一例示性實施例的esd保護部分(3000)的經修改實例。如圖10的(a)中所說明，在一個方向上彼此間隔開的至少三個放電電極(311、312、313)可安置于相同平面上，且esd保護部分(3000)可安置在彼此鄰接的放電電極之間。意即，第一放電電極、第二放電電極以及第三放電電極(311、312、313)可在一個方向上彼此間隔開預定距離，第一esd保護層(320)a可安置在第一放電電極以及第三放電電極(311、313)之間，且第二esd保護層(320b)可安置在第三放電電極以及第二放電電極(313、312)之間。此處，第一esd保護層以及第二esd保護層(320a、320b)可由相同材料形成或由彼此不同的材料形成。舉例而言，第一esd保護層以及第二esd保護層(320a、320b)中的每一者可提供為由絕緣材料以及導電材料的混合材料形成的層?；蛘?，第一esd保護層以及第二esd保護層(320a、320b)中的每一者可提供為導電層或絕緣層。又，第一esd保護層以及第二esd保護層(320a、320b)中的一者可提供為導電層，且另一層可提供為絕緣層。又，如圖10的(b)中所說明，在一個方向上彼此間隔開的四個放電電極(311、312、313、314)可安置于相同平面上，且esd保護部分(320)可安置在彼此鄰接的放電電極之間。意即，四個放電電極(311、312、313、314)可在一個方向上彼此間隔開預定距離，第一esd保護層(320a)可安置在第一放電電極以及第三放電電極(311、313)之間，第二esd保護層(320b)可安置在第三放電電極以及第四放電電極(313、314)之間，且第三esd保護層(320c)可安置在第四放電電極以及第二放電電極(314、312)之間。此處，第一esd保護層至第三esd保護層(320a、320b、320c)可由相同材料形成。舉例而言，第一esd保護層至第三esd保護層(320a、320b、320c)中的每一者可提供為由絕緣材料以及導電材料的混合材料形成的層?；蛘?，第一esd保護層至第三esd保護層(320a、320b、320c)中的每一者可提供為導電層或絕緣層。又，第一esd保護層至第三esd保護層(320a、320b、320c)中的至少一者可由不同材料形成。又，第一esd保護層以及第三esd保護層(320a、320c)中的每一者可提供為導電層，且第二esd保護層(320b)可提供為絕緣層?；蛘?，第一esd保護層以及第三esd保護層(320a、320c)中的每一者可提供為絕緣層，且第二esd保護層(320b)可提供為導電層?；蛘?，esd保護層(320)中的至少一者可提供為空隙(323)。意即，如圖10的(c)中所說明，四個放電電極(311、312、313、314)可在一個方向上彼此間隔開預定距離，第一esd保護層(320a)可安置在第一放電電極以及第三放電電極(311、313)之間，空隙(323)可在第三放電電極以及第四放電電極(313、314)之間形成作為第二esd保護層(320b)，且第三esd保護層(320c)可安置在第四放電電極以及第二放電電極(314、312)之間。此處，第一esd保護層以及第三esd保護層(320a、320c)可由相同材料形成。舉例而言，第一esd保護層以及第三esd保護層(320a、320c)中的每一者可提供為由絕緣材料以及導電材料的混合材料形成的層。或者，第一esd保護層以及第三esd保護層(320a、320c)中的每一者可提供為導電層或絕緣層。此處，第一esd保護層以及第三esd保護層(320a、320c)可由彼此不同的材料形成。舉例而言，第一esd保護層以及第三esd保護層(320a、320c)中的一者可提供為導電層，且另一層可提供為絕緣層。又，在根據例示性實施例的防止觸電的裝置中，esd保護部分(3000)的放電電極的形狀可不同地變形。舉例而言，如圖11的(a)中所說明，放電電極(311、312)的面朝彼此的端部中的每一者可具有尖形形狀?；蛘撸鐖D11的(b)中所說明，放電電極(311、312)的面朝彼此的端部中的每一者可具有圓形形狀。意即，放電電極(311、312)的面朝彼此的至少一個區(qū)域之間的距離可小于放電電極(311、312)的其他區(qū)域之間的距離。因為彼此間隔開的兩個放電電極(311、312)的端部中的每一者為尖形或圓形，所以兩個放電電極(311、312)之間的距離可彼此接近，且因此也可能出現兩個放電電極(311、312)之間的放電。又，兩個放電電極(311、312)可在維持其間的距離的同時具有各種形狀。舉例而言，如圖11的(c)中所說明，一個放電電極(311)具有自一側至另一側的預定傾斜，且另一放電電極(312)具有在相反方向上的預定傾斜，意即自另一側至一側。又，放電電極(311、312)可在維持其間的距離的同時具有至少一個不均一結構。舉例而言，如圖11的(d)中所說明，一個放電電極(311)的端部具有凹面形狀，且另一放電電極(312)的端部具有凸面形狀，以使得凸面部分插入至凹面部分中。如上文所描述，因為兩個內部電極在維持其間的距離的同時具有各種形狀，所以兩個內部電極之間的面積可增加以改良esd容限。圖12為根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。參考圖12，根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置可包含：堆疊式本體(1000)，其中多個絕緣薄片(100；101至111)堆疊；至少一個電容器部分(2000、4000)，安置于堆疊式本體(1000)中且包含多個內部電極(200；201至208)；esd保護部分(3000)，包含至少一個放電電極(310)以及esd保護層(320)；以及外部電極(5100、5200；5000)，分別安置于堆疊式本體(1000)的面向彼此的兩個側表面上且連接至第一電容器部分及第二電容器部分(2000、4000)以及esd保護部分(3000)。此處，esd保護部分(3000)與電容器部分(2000、4000)之間的距離(a1、a2)可小于或等于電容器部分(2000、4000)中的每一者內的兩個內部電極之間的距離(c1、c2)。意即，安置在esd保護部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置在電容器部分(2000、4000)內的內部電極(200)之間的絕緣薄片(102至104、107至110)中的每一者的厚度的厚度。又，esd保護部分(3000)與電容器部分(2000、4000)之間的距離(a1、a2)可小于或等于esd保護部分(3000)的兩個放電電極(310)之間的距離(b)。意即，安置在esd保護部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于其上安置了esd保護層(320)的第六絕緣薄片(106)的厚度的厚度。結果，安置在esd保護部分(3000)與電容器部分(2000、4000)中的每一者之間的第五絕緣薄片以及第七絕緣薄片(105、107)中的每一者可具有小于或等于安置在電容器部分(2000、4000)內的內部電極(200)之間的絕緣薄片(102至104、107至110)中的每一者的厚度的厚度，或具有小于或等于esd保護部分(3000)的兩個放電電極(310)之間的距離(b)的厚度。意即，esd保護部分(3000)與電容器部分(2000、4000)之間的距離(a1，a2)、電容器部分(2000、4000)內的兩個內部電極之間的距離(c1、c2)以及esd保護部分(3000)的兩個放電電極(300)之間的距離(b)可滿足以下等式：a1＝a2≤c1＝c2或a1＝a2≤b。或者，距離a1可不同于距離a2，且距離c1可不同于距離c2。最下部絕緣薄片以及最上部絕緣薄片(意即第一絕緣薄片以及第十一絕緣薄片(101、111))可具有大于10μm的厚度(d1、d2)，且對應于堆疊式本體(1000)的厚度的50％或小于50％。此處，等式可為b≤d1＝d2，厚度d1可不同于厚度d2。又，在根據又一實施例的防止觸電的裝置中，鄰近于放電電極(311、312)的兩個內部電極(也即第四內部電極以及第五內部電極(204、205))可連接至放電電極(311、312)以及相同外部電極。也即，第一內部電極、第三內部電極、第五內部電極以及第七內部電極(201、203、205、207)可連接至第二外部電極(5200)，且第二內部電極、第四內部電極、第六內部電極以及第八內部電極(202、204、206、208)可連接至第一外部電極(5100)。又，第一放電電極(311)可連接至第一外部電極(5100)，且第二放電電極(312)可連接至第二外部電極(5200)。因此，第一放電電極(311)以及鄰近于第一放電電極(311)的第四內部電極(204)可連接至第一外部電極(5100)，且第二放電電極(312)以及鄰近于第二放電電極(312)的第五內部電極(205)可連接至第二外部電極(5200)。如上文所描述，因為放電電極(310)以及鄰近于放電電極(310)的內部電極(200)連接至相同外部電極(5000)，所以盡管出現絕緣薄片(100)的降級(意即絕緣擊穿)，可能仍不會將esd電壓施加至電子裝置內部。意即，在放電電極(310)以及鄰近于放電電極(310)的內部電極(200)連接彼此不同的外部電極(5000)時，若出現絕緣薄片(100)的絕緣擊穿，則經由一個外部電極(5000)施加的esd電壓可經由放電電極(310)以及鄰近于放電電極(310)的內部電極(200)流動至另一外部電極(5000)。舉例而言，如圖2中所說明，在第一放電電極(311)連接至第一外部電極(5100)，且鄰近于第一放電電極(311)的第四內部電極(204)連接至第二外部電極(5200)時，若出現絕緣薄片(100)的絕緣擊穿，則導電路徑可形成于第一放電電極(311)與第四內部電極(204)之間以允許經由第一外部電極(5100)施加的esd電壓流動至第一放電電極(311)、絕緣失效第五絕緣薄片(105)以及第二內部電極(202)。因此，可經由第二外部電極(5200)將esd電壓施加至內部電路。為了解決上文描述的限制，盡管絕緣薄片(100)具有厚的厚度，但在此情況下，防止觸電的裝置的大小可增加。然而，如圖12中所說明，因為放電電極(310)以及鄰近于放電電極(310)的內部電極(200)連接至相同外部電極(5000)，所以盡管出現絕緣薄片(100)的降級(意即絕緣擊穿)，仍不可以將esd電壓施加至電子裝置內部。又，盡管絕緣薄片(100)不具有厚的厚度，但可防止施加esd電壓。圖13為根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置的橫截面圖。參考圖13，根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置可包含：堆疊式本體(1000)，其中多個絕緣薄片(100；101至111)堆疊；至少一個電容器部分(2000、4000)，安置于堆疊式本體(1000)中且包含多個內部電極(200；201至208)；esd保護部分(3000)，包含至少一個放電電極(310)以及esd保護層(320)；以及外部電極(5100、5200；5000)，分別安置于堆疊式本體(1000)的面朝彼此的兩個側表面上，且連接至第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)以及esd保護部分(3000)。此處，外部電極(5000)可在預定區(qū)域與內部電極(200)中的每一者重疊。意即，除了外部電極(5000)與內部電極(200)部分重疊之外，當前實施例可與前文例示性實施例相同。外部電極(5000)可延伸至堆疊式本體(1000)的頂表面及底表面以及堆疊式本體(1000)的側表面。又，外部電極(5000)的預定區(qū)域可與連接至不同外部電極(5000)的內部電極(200)重疊。舉例而言，第一外部電極(5100)的延伸至堆疊的上部以及下部部分的部分中的每一者可在預定區(qū)域與內部電極(200)中的每一者重疊。又，第二外部電極(5200)的延伸于堆疊式本體(1000)的上部以及下部部分的部分中的每一者可在預定區(qū)域與內部電極(200)中的每一者重疊。舉例而言，外部電極(5000)的延伸至堆疊式本體(1000)的上部以及下部部分的部分可分別與第一內部電極以及第八內部電極(201、208)重疊。意即，外部電極(5000)中的至少一者可延伸至堆疊式本體(1000)的頂表面及底表面，且延伸部分中的至少一者可與內部電極(200)部分重疊。此處，內部電極(200)與外部電極(5000)重疊的面積可為內部電極(200)的總面積的1％至10％。又，外部電極(5000)可經由多個過程增加堆疊式本體(1000)的頂表面以及底表面中的至少一者的面積。為了與外部電極(5000)重疊，在與根據例示性實施例的情況相比較時，電容器部分(2000、4000)中的每一者的內部電極可較長地形成于x方向上。舉例而言，內部電極(200)的端部以及鄰近于端部的外部電極(5000)可在x方向上維持在其間5％至10％的距離。意即，內部電極(200)可具有在x方向上對應于絕緣薄片(100)的長度的90％至95％的長度。如上文所描述，因為外部電極(5000)以及內部電極(200)彼此重疊，所以可在外部電極(5000)與內部電極(200)之間產生預定寄生電容。舉例而言，可在第一內部電極以及第八內部電極(201、208)與第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)的延伸部分之間產生電容。因此，可調整外部電極(5000)與內部電極(200)之間的重疊面積以調整防止觸電的裝置的電容。意即，甚至可在制造防止觸電的裝置的過程之后調整外部電極(5000)的重疊面積以在堆疊式本體(1000)的外部調整防止觸電的裝置的電容。又，在根據例示性實施例的防止觸電的裝置中，電容器部分(2000、4000)的內部電極(200)以及esd保護部分(2000)的放電電極(310)可具有各種形狀。內部電極(200)與放電電極(310)的形狀分別在圖14至圖15中加以說明。圖14為說明根據例示性實施例的防止觸電的裝置的內部電極(200)的示意性平面圖。內部電極(200)可使一端曝露于絕緣薄片(100)的一個側表面且使另一端不曝露于絕緣薄片(100)的另一側表面。又，整個內部電極(200)上可具有相同寬度。然而，內部電極(200)的至少一個區(qū)域可具有不同寬度，例如具有“t”形狀。意即，如圖14的(a)中所說明，在y方向上的預定區(qū)域具有第一寬度，且其余區(qū)域具有小于第一寬度的第二寬度。舉例而言，內部電極(200)的長度的1/3可定義為第一寬度，且內部電極(200)的長度的其余2/3可定義為小于第一寬度的第二寬度。此處，具有第一寬度的區(qū)域可曝露于絕緣薄片(100)的一個側表面以接觸外部電極(5000)。意即，如圖14的(b)中所說明，在y方向上的第一區(qū)域具有第一寬度，第二區(qū)域具有小于第一寬度的第二寬度，第三區(qū)域具有小于第一寬度且大于第二寬度的第三寬度。此處，具有第三寬度的第三區(qū)域可安置于具有第一寬度的第一區(qū)域與具有第二寬度的第二區(qū)域之間。舉例而言，內部電極(200)的長度的2/6可定義為第一寬度，內部電極(200)的長度的1/6可定義為第三寬度，且其余3/6可定義為第二寬度。此處，具有第一寬度的第一區(qū)域可曝露于絕緣薄片(100)的一個側表面以接觸外部電極(5000)。又，如圖14的(c)中所說明，在y方向上的第一區(qū)域域具有第一寬度，第二區(qū)域具有小于第一寬度的第二寬度，在第一區(qū)域與第二區(qū)域之間的第三區(qū)域具有自第一寬度至第二寬度減小的形狀。舉例而言，內部電極(200)的長度的2/6可定義為第一寬度，且內部電極(200)的長度的1/6可定義為第三寬度，且其余3/6可定義為第二寬度。此處，具有第一寬度的第一區(qū)域可曝露于絕緣薄片(100)的一個側表面以接觸外部電極(5000)。圖15為說明根據例示性實施例的防止觸電的裝置的放電電極(310)的示意性平面圖。放電電極(310)可使一端曝露于絕緣薄片(100)的一個側表面，且使另一端與esd保護層(320)的至少一部分重疊。第一區(qū)域可具有第一寬度，且第二區(qū)域可具有小于第一寬度的第二寬度。舉例而言，放電電極(310)可具有“t”形狀。或者，整個放電電極(310)上可具有第二寬度。然而，放電電極(310)的一端可具有寬的寬度以增大與外部電極(5000)的接觸面積。又，為了增大與esd保護層(320)的重疊面積，放電電極(310)的與esd保護層(320)重疊的至少一部分可具有大于第二區(qū)域的寬度的寬度。意即，可形成寬度小于esd保護層(320)的寬度且大于第二區(qū)域的寬度的第三區(qū)域。舉例而言，如圖15的(a)中所說明，放電電極(310)的與esd保護層(320)重疊的區(qū)域的至少一部分可具有大于第二區(qū)域的寬度的寬度。又，如圖15的(b)中所說明，放電電極(310)的面向第一區(qū)域的區(qū)域可沿著esd保護層(320)的配置圓化。如圖15的(c)中所說明，放電電極(310)可沿著esd保護層(320)的配置而形成以使得放電電極(310)與esd保護層(320)的邊緣隔開預定距離。防止觸電的裝置可根據諸如智能電話的電子裝置的大小而具有各種大小。意即，隨著諸如智能電話的電子裝置小型化，防止觸電的裝置的大小可減小。又，隨著電子裝置多功能化，防止觸電的裝置的大小可增大。舉例而言，根據例示性實施例的防止觸電的裝置具有在一個方向(意即，x方向)上的為0.3mm至5.7mm的長度(l)、在垂直于所述一個方向的另一方向(意即，y方向)上的為0.15mm至5.5mm的寬度(w)，以及在z方向上的為0.15mm至5.5mm的高度。舉例而言，防止觸電的裝置的長度、寬度以及厚度可分別為0.9mm至1.1mm、0.45mm至0.55mm以及0.45mm至0.55mm，或0.55mm至0.65mm、0.25mm至0.35mm以及0.25mm至0.35mm，或0.35mm至0.45mm、0.15mm至0.25mm以及0.15mm至0.25mm。舉例而言，防止觸電的裝置的長度、寬度以及厚度可分別為1.4mm至1.8mm、0.6mm至1.0mm以及0.5mm至0.9mm，1.8mm至2.2mm、1.0mm至1.4mm以及0.6mm至1.3mm，以及2.75mm至3.25mm、0.9mm至1.5mm以及0.6mm至1.3mm?；蛘?，防止觸電的裝置的長度、寬度以及厚度可分別為2.9mm至3.5mm、1.3mm至1.9mm以及0.6mm至1.8mm，4.0mm至5.0mm、2.8mm至3.6mm以及1.2mm至3.5mm，以及5.2mm至6.2mm、4.5mm至5.5mm以及2.0mm至5.5mm。防止觸電的裝置可具有為1.1～3∶1∶0.5～1至1的長度∶寬度∶厚度的比率。意即，在防止觸電的裝置中，長度可比寬度大1.1倍至3倍(基于寬度)，且厚度可比寬度大0.5倍至1倍(基于寬度)。裝置的尺寸(dimension)可基于典型smt裝置的標準。此處，根據防止觸電的裝置的大小，esd保護層(320)可具有(例如)為50μm至1,000μm的寬度以及為5μm至500μm的厚度。特定言之，防止觸電的裝置的長度×寬度×厚度可減小至為1.0mm×0.5mm×0.5mm(在下文中，第一觸電防止裝置)、0.6mm×0.3mm×0.3mm(在下文中，第二觸電防止裝置)以及0.4mm×0.2mm×0.2mm(在下文中，第三觸電防止裝置)的長度×寬度×厚度。意即，各自的長度為1.0mm且寬度為0.5mm的多個矩形薄片可經堆疊以制造厚度為0.5mm的第一觸電防止裝置。又，各自的長度為0.6mm且寬度為0.3mm的多個矩形薄片可經堆疊以制造厚度為0.3mm的第二觸電防止裝置。又，各自的長度為0.4mm且寬度為0.2mm的多個矩形薄片可經堆疊以制造厚度為0.2mm的第三觸電防止裝置。此處，防止觸電的裝置的電容器部分(2000、4000)的薄片可具有為15μm至300μm，較佳為15μm至300μm的厚度。esd保護層(320)可具有為50μm至450μm的寬度以及為5μm至50μm的厚度。舉例而言，防止觸電的裝置的長度、寬度以及厚度可制造為具有如下大?。?.6mm×0.8mm×0.5mm、2.0mm×1.2mm×0.6mm、3.0mm×1.2mm×0.6mm、3.2mm×1.6mm×0.6mm、4.5mm×3.2mm×1.2mm、5.7mm×5.0mm×2.0mm。意即，長度、寬度以及厚度可增大以使得防止觸電的裝置在大小上比第一觸電防止裝置增大。此處，防止觸電的裝置的電容器部分(2000、4000)的薄片可具有為300μm至5,000μm，較佳為400μm至4,000μm的厚度。esd保護層(320)可具有為100μm至1000μm的寬度以及為10μm至200μm的厚度。防止觸電的裝置的大小可減小且因此尺寸(dimension)減小，從而還減小內部電極的面積。內部電極的面積可維持在薄片面積的10％至95％的范圍內。然而，即使防止觸電的裝置的大小減小，必須將防止觸電的裝置的電容維持在0.3pf至500pf。意即，第一觸電防止裝置以及第二觸電防止裝置以及第三觸電防止裝置(其中的每一者的大小小于第一觸電防止裝置)必須具有相同電容。為了實現第二觸電防止裝置以及第三觸電防止裝置具有與第一觸電防止裝置相同的電容，意即為了減小介電質的厚度或薄片具有較高介電常數，必須使用高k材料?？赏ㄟ^以下等式1計算電容。[等式1]電容＝空氣介電常數×材料的介電常數×內部電極的總重疊面積/內部電極之間的介電質厚度在用于實現相同電容而不管大小的另一方法中，介電質的堆疊厚度可減小。然而，防止觸電的裝置可具有關于esd電壓的破壞容限。對此，因為需要介電質的最小厚度，所以可限制介電質以減小介電質的堆疊厚度以便維持電容。因此，為了實現在預定厚度或更多厚度處相同的電容，必須選擇高k材料。若使用高k材料，則必須最小化內部電極的面積，且介電質的厚度必須厚。然而，因為不可能通過限制最小印刷面積與防止觸電的裝置的厚度的標準而增加介電質的厚度，所以難以使用過高k材料。因此，在第二以及第三觸電防止裝置(其中的每一者具有相對較小大小)中，內部電極之間的介電質具有15μm至300μm的厚度，內部電極中的每一者具有對應于裝置的大小(意即，0.6mm×0.3mm或0.4mm×0.2mm)內的平面面積的10％至95％的面積，外邊限(意即，自內部電極的邊緣至介電質的邊緣的距離)為25μm至100μm，且介電質在第二觸電防止裝置中具有200至3000的介電常數，且在第三觸電防止裝置中具有600至3000的介電常數。在內部電極具有10％或更少的面積時，網板印刷可具有低解析度，且因此可擴寬電容的分布。在內部電極具有95％或更多的面積時，印刷面積可能太寬，且因此可能出現諸如內部電極的表面突起的堆疊缺陷以及諸如分層(delamination)的分離缺陷，從而降低裝置的可靠性。在內部電極之間的薄片(意即介電質)的厚度很厚時，電容可降低，且受限空間中的堆疊數目可受到限制。因此，可能難以實現適合于防止觸電的裝置的電容。另一方面，內部電極之間的介電質(意即薄片)的厚度可減小以增加電容。又，薄片可多重堆疊以增加電容。然而，防止觸電的裝置可滿足比ice61000-4-2第4級還嚴格的標準，ice61000-4-2第4級為關于esd可靠性的規(guī)章標準。此處，若基于測試參考，介電質具有15μm或更小的厚度，則在重復施加esd電壓時，介電質的絕緣電阻可失效而不管esd保護部分是否存在。介電質的絕緣電阻失效的原因在于在自引入esd電壓的時間點至防止觸電的裝置的反應時間的空白期，esd電壓未被旁通至esd保護部分，且在1ns至30ns的時間內將500v或更大的電壓施加至電性層，且因此，介電質的電阻性質不被容忍且失效。若芯片大小減小，則設計空間可減小。因此，需要防止觸電的裝置的在窄空間中具有高esd電阻的內表面。然而，在防止觸電的裝置的大小減小時，絕緣薄片可歸因于空間不足而更薄。因此，絕緣薄片自身的電阻性質可下降以防止絕緣薄片的絕緣電阻不連續(xù)，即使是在施加具有低位準的esd的情況下。為了解決上文描述的限制，具有各種形狀的浮動型(floatingtype)結構可用以改良相同空間內的esd電阻性質(在與一般系緊型結構相比較時)。意即，因為電容器部分的內部電極的形狀變形以使絕緣薄片的厚度在內部電極之間的一個區(qū)中增加兩倍或大于兩倍，所以可維持esd電阻性質。因此，可進一步改良與防止觸電的裝置的esd保護部分的設計相關聯的esd電阻性質。結果，在歸因于esd保護部分的重復esd電壓的功能退化，esd未被旁通至esd保護部分時，電容器部分可能損壞，導致絕緣擊穿。又，盡管esd保護部分的功能并未退化，但在引入esd電壓時，在直至防止觸電的裝置的esd保護部分的反應時間為止的1ns至30ns的空白期，在電容器部分中可暫時出現esd電壓負載，導致絕緣擊穿。然而，電容器部分可提供為浮動型以增加電容器層的esd電阻性質，由此防止出現絕緣電阻失效以導致短路的現象。將參考圖16至圖19描述根據各種例示性實施例的浮動型電容器部分。參考圖16至圖19，根據又一例示性實施例的防止觸電的裝置可包含堆疊式本體(1000)，其上堆疊多個絕緣薄片(101至113；100)。堆疊式本體(1000)中可提供第一電容器部分(2000)、esd保護部分(3000)以及第二電容器部分(4000)。又，防止觸電的裝置可還包含安置于堆疊式本體(1000)的面朝彼此的兩個側表面上的外部電極(5100、5200；5000)以將第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)連接至esd保護部分(3000)。第一電容器部分(2000)可包含多個內部電極(201至205)，且第二電容器部分(4000)可包含多個內部電極(208至212)。意即，第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)中的每一者可包含相同數目個內部電極，例如五個內部電極。又，提供esd保護部分(3000)，其包含第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)之間的放電電極(311以及312)；以及安置在放電電極(311以及312)之間的esd保護層(320)。此處，第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)中的每一者可包含至少一個內部電極，所述內部電極具有移除至少一個區(qū)的形狀。如圖16中所說明，第一電容器部分(2000)的內部電極(201)可具有中心部分移除了預定寬度的形狀，且在第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)之間對稱地安置有esd保護部分(3000)的第二電容器部分(4000)的內部電極(210)還可具有移除在與內部電極(201)相同的位置處的預定區(qū)的形狀。因為移除內部電極(201、210)中的每一者的預定區(qū)，所以分別鄰近于內部電極(201、210)的內部電極(202、209)之間的重疊面積可減小。此處，通過移除預定區(qū)而劃分成兩個部分的內部電極(201、210)可分別連接至第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)。如上文所描述，因為內部電極(201、210)中的每一者具有移除預定區(qū)的形狀，所以內部電極(201、210)與鄰近于內部電極(201、210)的內部電極(202、209)之間的絕緣薄片(102、112)中的每一者可能更厚。意即，因為兩個絕緣薄片(101、102)安置在內部電極(202)以及內部電極(201)的經移除部分之間，所以絕緣薄片(100)的厚度可增加。因此，因為絕緣薄片(100)在電容器部分(2000、4000)的內部電極(200)之間的一個區(qū)中增加至少兩倍，所以可維持esd電阻性質。又，在圖17中說明，可移除第一電容器部分(2000)的內部電極(201、203、205)的中心部分的預定區(qū)，且可移除在第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)之間對稱地安置有esd保護部分(3000)的第二電容器部分(4000)的內部電極(206、208、210)的中心部分的預定區(qū)。此處，內部電極(202、204、207、209)可不接觸外部電極(5000)以與內部電極(201、203、205、206、208、210)中的每一者的至少一部分重疊。意即，內部電極(202、204、207、209)可安置于絕緣薄片(100)的中心部分上以與內部電極(201、203、205、206、208、210)重疊，所述內部電極(201、203、205、206、208、210)并未安置在絕緣薄片(100)的中心部分處又，在第一電容器部分以及第二電容器部分(2000、4000)的內部電極中的每一者中，可移除與中心區(qū)間隔開預定距離的區(qū)以及中心區(qū)。舉例而言，如圖18中所說明，可移除第一電容器(2000)的內部電極(201、203、205)的中心區(qū)，且安置在內部電極(201、203、205)之間的內部電極以及(202、204)的經移除部分可安置在兩側，所述兩側與中心區(qū)間隔開預定距離。又，在第二電容器部分(4000)中，可移除與第一電容器部分(2000)(其間有esd保護部分(3000))的內部電極(201、203、205)對稱安置的內部電極(206、208、210)的中心區(qū)。又，安置在內部電極(206、208、210)之間的內部電極(207、209)的移除區(qū)可形成于與第一電容器部分(2000)的內部電極(202、204)相同的位置處。又，如圖19中所說明，至少兩個移除區(qū)可形成于第一電容器部分(2000)的內部電極(201、203、205)的中心區(qū)處，且安置在內部電極(201、203、205)之間的內部電極(202、204)的移除區(qū)可形成于其兩側處，其中的每一者與中心區(qū)中的每一者間隔開預定距離。又，在第二電容器部分(4000)中，至少兩個移除區(qū)可形成于與第一電容器部分(2000)(其間有esd保護部分(3000))的內部電極(201、203、205)對稱安置的內部電極(206、208、210)的中心區(qū)處。又，安置在內部電極(206、208、210)之間的內部電極(207、209)的移除區(qū)可形成于與第一電容器部分(2000)的內部電極(202、204)相同的位置處?；蛘撸诘谝环烹婋姌O以及第二放電電極(311、312)可水平地安置以接觸esd保護層(320)(如圖20至圖23中所說明)時，可在浮動型中提供電容器部分(2000、4000)的至少一個內部電極。此處，因為參考圖20至圖23的描述與參考圖16至圖19的描述相同，所以將省略其重復描述。根據例示性實施例的防止觸電的裝置可包含esd保護部分(3000)的至少一個esd保護層(320)。意即，如圖2以及圖7中所說明，一個esd保護層(300)可在x方向上安置。如圖24至圖27中所說明，至少兩個esd保護層(320)可在x方向上安置。此處，多個esd保護層(320)可在y方向上安置。舉例而言，如圖24中所說明，兩個esd保護層(320a、320b)可安置于相同平面上。如圖25中所說明，三個esd保護層(320a、320b、320c)可安置于相同平面上。esd保護層(320a、320b、320c)中至少兩個可經由內部電極彼此連接。又，如圖26中所說明，四個esd保護層(320a、320b、320c、320d)可垂直地劃分成兩個esd保護層的兩個群組。如圖27中所說明，六個esd保護層(320a、320b、320c、320d、320e、320f)可垂直地劃分成兩個esd保護層的三個群組。在彼此垂直地間隔開的esd保護層(320)中，上部esd保護層可彼此連接，且下部esd保護層可彼此連接。在提供多個esd保護層(320)時，esd保護層(320)可具有相同結構或彼此不同的結構。如上文所描述，根據例示性實施例的防止觸電的裝置可包含在一個堆疊式本體內的至少一個電容器部分(2000、4000)以及至少一個esd保護部分(3000)。舉例而言，可提供一個電容器部分以及至少兩個esd保護部分。此處，電容器部分可安置在內部電路與金屬殼之間，且esd保護部分可安置在電容器部分與接地端子之間。對此，第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)安置于堆疊式本體的面朝彼此的兩個側表面上，且第三以及第四外部電極(未示出)可安置于面朝彼此的兩個側表面上，第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)并未安置于所述兩個側表面上。第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)中的每一者可安置在電子裝置的金屬殼與內部電路之間，且第三以及第四外部電極中的每一者可連接至接地端子。意即，第一外部電極以及第二外部電極(5100、5200)可分別安置于電子裝置的金屬殼與內部電路之間的兩個區(qū)中，且第三以及第四外部電極可連接至接地端子。又，根據例示性實施例的防止觸電的裝置可包含水平地安置于堆疊式本體(1000)中的多個電容器部分(2000、4000)以及多個esd保護部分(3000)。意即，垂直地堆疊的至少一個電容器部分(2000、4000)以及esd保護部分(3000)可水平地布置成至少兩個列，且連接至水平地布置的至少兩個外部電極(5000)。因此，防止觸電的多個裝置(其中的每一者包含多個電容器部分以及esd保護部分)可彼此平行地安置。因此，可在一個堆疊式本體(1000)中提供防止觸電的至少兩個裝置。此處，舉例而言，多個第一外部電極(5100)可連接至電子裝置的金屬殼的多個區(qū)域，且多個第二外部電極(5200)可連接至電子裝置的接地端子。在多個電容器部分中，至少一個內部電極可具有不同長度。意即，水平地安置以分別構成彼此不同的電容器部分的多個內部電極的至少一個內部電極可具有比其他內部電極的長度小的長度。又，除了內部電極的長度之外，還可調整內部電極的重疊面積以及內部電極的堆疊數目中的至少一者以調整電容。因此，多個電容器部分中的至少一者可具有不同電容。意即，一個堆疊式本體內的至少一個電容器部分可實現具有彼此不同的電容的多個電容器部分。將如下描述依據根據例示性實施例的防止觸電的裝置的各種實驗例的結果。表1說明根據esd保護層的結構的特性，且圖28為說明根據特性的放電開始電壓的視圖。意即，圖28說明根據esd保護層的厚度、導電層(a)以及絕緣層(b)的厚度、絕緣層的孔徑以及孔隙率以及esd保護層的結構的放電開始電壓。[表1]在實驗例1中，具有25μm的厚度的esd保護層通過僅使用導電層(導電陶瓷)形成。在實驗例2中，具有10μm的厚度的esd保護層通過僅使用絕緣層(絕緣陶瓷)形成。在實驗例3中，具有25μm的厚度的esd保護層通過僅使用絕緣層形成。又，在實驗例4中，導電層以及絕緣層經堆疊以形成具有25μm的厚度的esd保護層。在實驗例5中，導電層、絕緣層以及導電層經堆疊以形成具有25μm的厚度的esd保護層。在實驗例5中，導電層以及絕緣層分別具有8μm以及5μm的厚度。又，在實驗例6中，導電層、絕緣層、氣隙、絕緣層以及導電層經堆疊以形成具有25μm的厚度的esd保護層。此處，導電層、絕緣層以及空隙分別具有8μm、2μm以及3μm的厚度。在實驗例2至6中，絕緣層具有1nm至5μm的孔徑，且因此，絕緣層具有40％的孔隙率。意即，具有1nm至5μm的各種大小的孔形成于絕緣層中。如表1中所示，進行關于實驗例1的多個實驗，其中通過僅使用導電層形成esd保護層。此處，放電開始電壓為大約2kv至大約4kv，且100％發(fā)生短路。意即，在實驗例1中，多個樣本的放電開始電壓經分配至2kv至4kv的電壓。所有樣本絕緣失效，導致漏電流。又，在實驗例2(其中通過僅使用絕緣層執(zhí)行具有10μm的厚度的esd保護層)中，放電開始電壓為大約11kv至大約13kv，且短路發(fā)生率大約為0.8％。然而，在實驗例3至6(其中導電層以及絕緣層或空隙經堆疊以形成esd保護層)中，將放電開始電壓調整為3kv至19kv的電壓，不會發(fā)生短路。意即，實驗例4至6中的放電開始電壓小于實驗例2中的放電開始電壓，但歸因于結構差別而不會發(fā)生絕緣擊穿。圖28中說明根據實驗例的放電開始電壓。如表1中所示，可提供絕緣層以降低歸因于絕緣擊穿而發(fā)生短路的可能性。又，可提供導電層以減小絕緣層的厚度，且改良放電開始電壓。又，在減小絕緣層厚度的同時添加空隙時，放電開始電壓可下降以降低發(fā)生短路的可能性。表2說明根據絕緣層的厚度以及孔隙率的變化的特性，且圖29為說明根據特性的放電開始電壓的視圖。將孔隙率設定為40％以及1％或更小，且若孔隙率為40％，則孔徑為1nm至5μm，且若孔隙率為1％或更小，則孔徑為0。意即，在孔形成于絕緣層中時的特性以及在孔并未形成于絕緣層中時的特性可相比較且在表2中展示。[表2]在實驗例7以及8中，絕緣層具有10μm的厚度以及40％以及1％或更小的孔隙。又，在實驗例9以及10中，絕緣層具有25μm的厚度以及40％以及1％或更小的孔隙。又，在實驗例11中，絕緣層具有25μm的厚度以及40％的孔隙率。如實驗例7以及8中所示，esd保護層具有10μm的厚度。因此，在絕緣層具有10μm的厚度時，絕緣層的孔隙率減小以增大放電開始電壓以及發(fā)生短路的可能性。又，如實驗例9以及10中所示，esd保護層具有25μm的厚度。因此，在絕緣層具有25μm的厚度時，絕緣層的孔隙率減小以增大放電開始電壓。然而，因為絕緣層的厚度增加，所以不會發(fā)生短路。如實驗例11中所示，在絕緣層具有25μm的厚度且孔隙率增加至80％時，放電開始電壓大約為21.1kv。圖29中說明根據表2的放電開始電壓。表3說明根據絕緣層的孔徑的特性，且圖30為說明根據特性的放電開始電壓的視圖。意即，在esd保護層具有25μm的厚度且因此絕緣層具有25μm的厚度時，表達根據絕緣層的孔徑的放電開始電壓。[表3]在實驗例12中，絕緣層具有1nm至5μm的孔徑，且因此，絕緣層具有40％的孔隙率。又，在實驗例13中，絕緣層具有5nm至10μm的孔徑，且因此，絕緣層具有40％至60％的孔隙率。又，在實驗例14中，絕緣層具有孔徑0，且因此，絕緣層具有1％或更小的孔隙率。如表3以及圖30中所示，放電開始電壓為大約17kv至大約19kv，且因此在實驗例12的情況下具有大約18.3kv的均值。在實驗例13的情況下，放電開始電壓為大約18kv至大約20.5kv，且因此具有大約19.7kv的均值。意即，隨著孔徑的增加，放電開始電壓也增加。又，在實驗例14的情況下，放電開始電壓為大約24kv至大約28kv，且因此具有大約25.9kv的均值。意即，如實驗例14中所示，在通過使用其中未形成孔的絕緣層形成esd保護層時，獲得高放電開始電壓。然而，在此情況下，不會發(fā)生短路。表4說明根據esd保護層的厚度的特性，且圖31為說明根據特性的放電開始電壓的視圖。意即，在將esd保護層的厚度調整為10μm、25μm以及50μm的厚度且因此將絕緣層的厚度調整為10μm、25μm以及50μm的厚度時，表達根據esd保護層的厚度的放電開始電壓。此處，絕緣層具有1nm至5μm的孔徑以及40％的孔隙率。[表4]在實驗例15中，esd保護層具有10μm的厚度，且因此絕緣層具有10μm的厚度。在實驗例16中，esd保護層具有25μm的厚度，且因此絕緣層具有25μm的厚度。在實驗例17中，esd保護層具有50μm的厚度，且因此絕緣層具有50μm的厚度。如表4以及圖8中所示，在實驗例15的情況下，放電開始電壓為大約11kv至大約13kv(均值12.4kv)。在實驗例16的情況下，放電開始電壓為大約17kv至大約19kv(均值18.3kv)。在實驗例17的情況下，放電開始電壓為大約25kv至大約27kv(均值26.2kv)。如實驗例15至17中所示，在esd保護的厚度增加且因此絕緣層的厚度增加時，放電開始電壓增加。然而，在其中esd保護層具有厚度10μm的實驗例15的情況下，短路發(fā)生率大約為0.9％。表5說明根據電容器部分的內部電極的重疊面積的短路的發(fā)生率。此處，電容器部分的十個內部電極彼此重疊，絕緣薄片具有25μm的厚度，且所施加的esd電壓為10kv。[表5]在實驗例18中，內部電極的總重疊面積為1.2mm2。在實驗例19中，內部電極的總重疊面積為1.0mm2。在實驗例20中，內部電極的總重疊面積為0.8mm2。在實驗例中，在施加10kv的esd電壓時，如表5中所示，均值短路發(fā)生次數隨著總重疊面積的減小而減小。然而，每一單位重疊面積esd通過次數的均值隨著重疊面積的減小而減小。因此，即使內部電極的重疊面積減小，每一單元重疊面積的esd通過次數也可增加。因此，即使芯片大小減小，仍可維持esd電阻性質。表6以及表7說明根據介電層的厚度的測試結果，其取決于薄片的介電常數以及esd電壓的重復施加。表6說明在具有介電常數75的介電質具有5μm至30μm的厚度且重復施加10kv的esd電壓時的測試結果，且表8說明在具有介電常數2900的介電質具有5μm至30μm的厚度且重復施加10kv的esd電壓時的測試結果。[表6]10次20次40次60次80次100次120次140次結果3μm2/10失敗10μm可以可以3/10失敗15μm可以可以可以可以2/10失敗20μm可以可以可以可以可以可以1/10通過25μm可以可以可以可以可以可以可以可以通過30μm可以可以可以可以可以可以可以可以通過如表6中所示，若將10kv的esd電壓施加至具有介電常數75的介電質，則在5μm的厚度下施加esd電壓10次時，發(fā)生兩次失敗，且在10μm的厚度下施加esd電壓40次時，發(fā)生三次失敗。又，在15μm的厚度下施加esd電壓80次時，發(fā)生兩次失敗，且在20μm的厚度下施加esd電壓120次時，發(fā)生一次失敗。因此，在施加10kv的esd電壓80次時，可在15μm的厚度下獲得所要電容以及esd性質。[表7]10次20次40次60次80次100次120次140次結果5μm3/10失敗10μm可以可以1/10失敗15μm可以可以可以可以4/10失敗20μm可以可以可以可以可以可以3/10通過25μm可以可以可以可以可以可以可以可以通過30μm可以可以可以可以可以可以可以可以通過如表7中所示，若將10kv的esd電壓施加至具有介電常數2900的介電質，則在5μm的厚度下施加esd電壓10次時，發(fā)生三次失敗，且在10μm的厚度下施加esd電壓40次時，發(fā)生一次失敗。又，在15μm的厚度下施加esd電壓80次時，發(fā)生四次失敗，且在20μm的厚度下施加esd電壓120次時，發(fā)生三次失敗。因此，在施加10kv的esd電壓80次時，可在15μm的厚度下獲得所要電容以及esd性質。然而，可以不同形式體現本發(fā)明，且不應將本發(fā)明解釋為限于本文中所闡述的實施例。實際上，提供此等實施例以使得本發(fā)明將為透徹且完整的，且將向所屬領域中技術人員充分傳達本發(fā)明的范疇。此外，本發(fā)明僅由權利要求的范疇界定。當前第1頁12