本發(fā)明關于金屬粒子和焊劑在膜內(nèi)接觸或接近地存在的各向異性導電膜。
背景技術：
：提出了在將ic芯片安裝于基板時，使用向絕緣性粘接劑組合物分散了對樹脂芯的表面形成鎳/金鍍層的導電粒子等的各向異性導電膜的方案（專利文獻1）。在該情況下，導電粒子在ic芯片的端子與基板的端子之間被壓垮、或者導電粒子被各個端子切入而確保導通，并且絕緣性粘接劑組合物固定ic芯片和基板和導電粒子。然而，由于導電粒子沒有在與ic芯片的端子或基板的端子之間形成金屬結合，所以在將利用各向異性導電膜將ic芯片連接在基板而得到的連接構造體保管在高溫高壓或高溫高濕環(huán)境下的情況下，存在導通可靠性下降這樣的問題。因此，作為各向異性導電膜的導電粒子，可以考慮采用焊錫粒子，該焊錫粒子與作為ic芯片的端子材料通用的銅或鋁等的金屬相比在較為低溫下與銅等形成金屬結合。先前技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開2014－60150號公報。技術實現(xiàn)要素：發(fā)明要解決的課題此外，在以焊錫連接端子間的情況下，為了除去焊錫表面的氧化皮膜，一般使用焊劑是不可缺少的。因此，可以考慮以焊劑包覆焊錫粒子的表面，但是以焊劑包覆的焊錫粒子在絕緣性粘接劑組合物中容易凝聚。因此，在使用將那樣的焊錫粒子作為各向異性導電連接用的粒子而含有的各向異性導電膜來各向異性導電連接的情況下，存在容易發(fā)生短路的問題。另外，可以考慮向絕緣性粘接劑組合物中相溶或分散焊劑，但是為了將焊錫粒子的表面清潔到想要的水平，必須在絕緣性粘接劑組合物配合大量的焊劑，反而出現(xiàn)會進行焊劑造成的端子腐蝕這一問題。該問題在將形成有氧化皮膜的金屬粒子作為各向異性導電連接用的導電粒子而含有的各向異性導電膜中也同樣發(fā)生。本發(fā)明的目的在于解決以上的現(xiàn)有技術的問題點，以在將在表面具有氧化皮膜的焊錫粒子等的金屬粒子作為各向異性導電連接用的導電粒子的各向異性導電膜中能夠抑制短路的發(fā)生，而且能夠?qū)崿F(xiàn)高的導通可靠性。用于解決課題的方案本發(fā)明人們發(fā)現(xiàn)了在將在表面具有氧化皮膜的焊錫粒子等的金屬粒子作為各向異性導電連接用的導電粒子的各向異性導電膜中為了抑制短路的發(fā)生，在俯視觀察時使各向異性導電膜規(guī)則排列即可，而無需向絕緣性粘接劑組合物中隨機分散金屬粒子，且為了實現(xiàn)高的導通可靠性，在膜中使得焊劑與金屬粒子接觸或接近地存在即可，從而完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明提供各向異性導電膜，在絕緣膜內(nèi)具備金屬粒子，在該各向異性導電膜中，俯視觀察下金屬粒子規(guī)則排列，且以使焊劑與金屬粒子的各向異性導電膜表面?zhèn)榷瞬炕蚋飨虍愋詫щ娔け趁鎮(zhèn)榷瞬康闹辽偃我庖粋€端部接觸或接近的方式配置。另外，本發(fā)明為上述各向異性導電膜的制造方法，提供具有以下工序（a）～（c）的制造方法：（a）將焊劑配置在具有規(guī)則排列的凹部的轉(zhuǎn)印模的該凹部的至少底部的工序；（b）在配置有焊劑的凹部配置金屬粒子的工序；以及（c）使絕緣膜從配置有金屬粒子的轉(zhuǎn)印模的凹部側(cè)抵接并加熱加壓而向絕緣膜轉(zhuǎn)印金屬粒子的工序。該制造方法優(yōu)選還具有工序（d）：（d）在轉(zhuǎn)印有金屬粒子的絕緣膜的金屬粒子轉(zhuǎn)印面，熱壓接其他絕緣膜的工序。另外，本發(fā)明提供上述各向異性導電膜的其他的制造方法，具有以下的工序（a）～（d）：（a）在具有規(guī)則排列的凹部的轉(zhuǎn)印模的該凹部配置金屬粒子的工序；（b）在轉(zhuǎn)印模的配置有金屬粒子的凹部形成面配置焊劑的工序；（c）使絕緣膜從轉(zhuǎn)印模的焊劑配置面?zhèn)鹊纸硬⒓訜峒訅憾蚪^緣膜轉(zhuǎn)印金屬粒子的工序；以及（d）在轉(zhuǎn)印有金屬粒子的絕緣膜的金屬粒子轉(zhuǎn)印面，熱壓接其他絕緣膜的工序。進而，本發(fā)明提供連接構造體，配置在第1電子部件的端子與第2電子部件的端子之間配置的、前述的各向異性導電膜，通過加熱加壓來使第1電子部件和第2電子部件各向異性導電連接。發(fā)明效果在絕緣膜內(nèi)具備金屬粒子的本發(fā)明的各向異性導電膜，在俯視觀察下金屬粒子規(guī)則排列，因此在適用于各向異性導電連接的情況下能夠抑制短路的發(fā)生。另外，以使焊劑與金屬粒子的各向異性導電膜表面?zhèn)榷瞬炕蚋飨虍愋詫щ娔け趁鎮(zhèn)榷瞬康闹辽偃我庖粋€端部接觸或接近的方式配置，因此在各向異性導電連接時能夠除去金屬粒子表面的氧化皮膜，能實現(xiàn)高的導通可靠性。附圖說明[圖1a]圖1a是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖1b]圖1b是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖1c]圖1c是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖2a]圖2a是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖2b]圖2b是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖2c]圖2c是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖3]圖3是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖4]圖4是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖5]圖5是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖6]圖6是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖7a]圖7a是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖7b]圖7b是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖7c]圖7c是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖8a]圖8a是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖8b]圖8b是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖8c]圖8c是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖8d]圖8d是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖9a]圖9a是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖9b]圖9b是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖9c]圖9c是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖9d]圖9d是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖10a]圖10a是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖10b]圖10b是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖10c]圖10c是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖10d]圖10d是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖11a]圖11a是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖11b]圖11b是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖11c]圖11c是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖11d]圖11d是本發(fā)明的各向異性導電膜的截面圖。[圖12a]圖12a是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖12b]圖12b是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖12c]圖12c是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。[圖12d]圖12d是本發(fā)明的各向異性導電膜的制造方法的工序說明圖。具體實施方式＜各向異性導電膜＞以下，參照附圖，對本發(fā)明的具體例進行說明。如圖1a、1b、1c所示，本發(fā)明的各向異性導電膜10為在絕緣膜1內(nèi)具備金屬粒子2的各向異性導電膜。雖未圖示，但是金屬粒子在俯視觀察下規(guī)則排列。在此，規(guī)則排列只要規(guī)則地排列就無特別限定，但是優(yōu)選能舉出斜方格子排列、六方格子排列、正方格子排列、矩形格子排列、平行體格子排列。其中，優(yōu)選可最密填充的六方格子排列。作為絕緣膜1，能夠從現(xiàn)有公知的各向異性導電膜所采用的絕緣膜中適當選擇而使用。例如，能舉出熱塑性丙烯類或者環(huán)氧類樹脂膜、熱固化或者光固化丙烯類或者環(huán)氧類樹脂膜等。這樣的絕緣膜的厚度通常為10～40μm厚。另外，絕緣膜1至少在各向異性導電膜的狀態(tài)成為膜即可，也可以在其制造時為高粘度液體。進而，根據(jù)需要，也可以在絕緣膜1中加入二氧化硅微粒、氧化鋁、氫氧化鋁等的絕緣性填充劑。絕緣性填充劑的大小優(yōu)選平均粒徑為0.01～8μm。絕緣性填充劑的配合量相對于形成絕緣膜的樹脂100質(zhì)量份優(yōu)選為3～40質(zhì)量份。由此，變得容易確保各向異性導電連接后的導通可靠性。作為金屬粒子2，在各向異性導電膜中作為各向異性導電連接用的金屬粒子而利用，能夠從在表面形成有氧化皮膜的粒子中適當選擇而使用。其中，能夠優(yōu)選舉出通過圖像型的粒度分布計測定的情況下的平均粒徑為10～40μm的焊錫粒子。在本發(fā)明的各向異性導電膜中，以使焊劑3與金屬粒子的各向異性導電膜表面?zhèn)榷瞬炕蚋飨虍愋詫щ娔け趁鎮(zhèn)榷瞬康闹辽偃我庖粋€端部接觸或接近的方式配置。例如，圖1a所示的方式中，以使焊劑3與金屬粒子2的各向異性導電膜表面?zhèn)榷瞬?a接觸的方式配置。圖1b所示的方式中，以使焊劑3與金屬粒子2的各向異性導電膜背面?zhèn)榷瞬?b接觸的方式配置。圖1c所示的方式中，以使焊劑3與金屬粒子2的各向異性導電膜表面?zhèn)榷瞬?a和各向異性導電膜背面?zhèn)榷瞬?b的每一個接觸的方式配置。如這些配置那樣，若金屬粒子2和焊劑3接觸，則因各向異性導電連接時的熱來利用焊劑3除去金屬粒子2的表面的氧化皮膜，在金屬粒子2與應該連接的端子之間形成金屬結合。金屬粒子2與焊劑3接近的程度是指它們分離的最短距離小于2μm。若分離該距離以上，則要擔心各向異性導電連接時會妨礙兩者的接觸。作為將金屬粒子2和焊劑3接近地配置的方法，例如能夠通過混合焊劑和絕緣性填充劑來進行。這是因為絕緣性填充劑作為使金屬粒子2與焊劑3隔離的隔離物發(fā)揮功能。作為這樣的絕緣性填充劑，能夠舉出平均一次粒徑為1～1000nm的氣相二氧化硅（fumedsilica）等。此外，金屬粒子2和與它接觸或接近的焊劑3的量的關系，是焊劑3的厚度相對于金屬粒子2的平均粒徑為0.001～0.4倍以下。如果為該范圍，則能清潔金屬粒子2的表面，而且也不會發(fā)生各向異性導電連接物的腐蝕。在對金屬粒子2接觸或接近地配置焊劑3的情況下，將焊劑稀釋（優(yōu)選稀釋倍率：相對于溶劑為0.1～40wt％）在溶劑中后，如后述那樣，利用公知的涂敷法涂敷在轉(zhuǎn)印?；蚋街薪饘倭Ｗ拥慕^緣膜，并根據(jù)需要干燥即可。另外，焊劑3在各向異性導電連接時的加熱條件下除去金屬粒子2的表面的氧化皮膜。作為這樣的焊劑3，能夠適用與金屬粒子2的材料對應的公知的焊劑。此外，圖1a～圖1c的方式中，金屬粒子2從絕緣膜1的表面或背面隔離地存在，但是也可以在絕緣膜1的表面或背面露出。例如關于圖1a的方式，也可以如圖2a所示，以使金屬粒子2的端部2a的相反側(cè)的端部在絕緣膜1的背面露出的方式變形。在該情況下，以使焊劑3與端部2a接觸的方式配置。關于圖1b的方式，也可以如圖2b那樣，以使與端部2b接觸地配置的焊劑3露出的方式變形。圖1c的方式也可以如圖2c那樣變形。圖1a～圖1c及圖2a～圖2c中，絕緣膜1為單層，但是也可以如圖3那樣，使絕緣膜1為2層構造（1a和1b），并在它們的層間配置金屬粒子2。若為這樣的2層構造，則能夠擴大制造上的自由度。另外，如圖4所示，本發(fā)明的各向異性導電膜10，還包括金屬粒子2的表面的一部分不與焊劑3接觸的方式。在圖4中，金屬粒子2的不與焊劑3接觸的表面部分朝向膜的側(cè)面方向，但是既可以朝向膜的表面?zhèn)龋部梢猿虮趁鎮(zhèn)?。特別是，優(yōu)選如圖5所示，金屬粒子2的不與焊劑3接觸的表面部分配置在與焊劑接觸的金屬粒子的表面部分的相反側(cè)。另外，也可以如圖6所示，在本發(fā)明的各向異性導電膜10的面方向上，在鄰接的金屬粒子2間配置有焊劑3。這樣的各向異性導電膜10在各向異性導電連接時，配置在鄰接的金屬粒子2間的焊劑3被金屬粒子2拉近，因此能夠用充分的量的焊劑清潔金屬粒子表面，而且也不會發(fā)生2層構造的絕緣膜的層間剝離。在該情況下，優(yōu)選使配置在金屬粒子2的各向異性導電膜表面?zhèn)榷瞬?a或各向異性導電膜背面?zhèn)榷瞬?b的至少任意一個端部的每單位面積的焊劑量，大于配置在鄰接的金屬粒子2間的每單位面積的焊劑量。＜各向異性導電膜的制造方法＞本發(fā)明的各向異性導電膜能夠通過具有以下的工序（a）～（c）的制造方法來制造。（工序（a））首先，如圖7a～圖7c所示，在具有規(guī)則排列的凹部50的轉(zhuǎn)印模100的該凹部50的至少底部配置焊劑3。具體而言，既可以如圖7a所示，僅在凹部50的底部配置焊劑3，也可以如圖7b所示，在包括凹部50的底部在內(nèi)的整個內(nèi)壁面配置焊劑3。另外，也可以如圖7c所示，在凹部50的底部與轉(zhuǎn)印體100的鄰接凹部50間的表面配置焊劑3。在圖7c的情況下，優(yōu)選使凹部50的底部的每單位面積的焊劑量大于鄰接凹部50間的表面的每單位面積的焊劑量。作為轉(zhuǎn)印模100，能夠采用利用公知的方法來制作的模。例如，能夠加工金屬板而制作母版，并對它涂敷固化性樹脂組合物，使之固化而制作。具體而言，對平坦的金屬板進行切削加工，還制作形成與凹部對應的凸部的轉(zhuǎn)印模母版，在該母版的凸部形成面涂敷構成轉(zhuǎn)印模的固化性樹脂組合物，使之固化后，從母版拉開而得到轉(zhuǎn)印模。另外，作為在凹部50的至少底部配置焊劑3的方法，能夠采用公知的方法，例如，通過絲網(wǎng)印刷法將焊劑涂敷在轉(zhuǎn)印模的整個面，并根據(jù)需要以刮刀刮去最表面的焊劑即可。（工序（b））接著，如圖8a～圖8c所示，在配置有焊劑3的凹部50配置金屬粒子2。作為配置金屬粒子2的方法，能夠采用公知的方法。例如，向轉(zhuǎn)印模的表面分散金屬粒子，以鼓風或切刀除去存在于凹部以外的轉(zhuǎn)印模表面的金屬粒子即可。另外，也可以利用微分配器來一個一個地向凹部供給金屬粒子。此外，也可以如圖8a所示在向轉(zhuǎn)印模的凹部供給金屬粒子后，如圖8d所示，利用工序的方法來向金屬粒子2的表面配置焊劑3。（工序（c））接著，如圖9a～圖9d所示，使絕緣膜1從配置有金屬粒子2的圖8a～圖8d的轉(zhuǎn)印模100（圖8a～圖8d）的凹部50側(cè)抵接并加熱加壓而向絕緣膜1轉(zhuǎn)印金屬粒子2。在該狀態(tài)下，如果將絕緣膜1纏緊在卷筒（roll）上，則從圖9a的方式能得到圖10a的各向異性導電膜10，從圖9b的方式能得到圖10b的各向異性導電膜10，從圖9c的方式能得到圖10c的各向異性導電膜10，而且從圖9d的方式能得到圖10d的各向異性導電膜10。另外，本發(fā)明的制造方法中，為了使絕緣膜為2層構造，優(yōu)選還具有以下的工序（d）。（工序（d））即，在轉(zhuǎn)印有金屬粒子的絕緣膜（圖9a～圖9d）的金屬粒子轉(zhuǎn)印面，熱壓接其他絕緣膜，從而從圖9a的方式能得到具有2層構造的絕緣膜1（1a和1b）的圖11a的各向異性導電膜10，從圖9b的方式能得到具有2層構造的絕緣膜1（1a和1b）的圖11b的各向異性導電膜10，從圖9c的方式能得到具有2層構造的絕緣膜1（1a和1b）的圖11c的各向異性導電膜10，而且從圖9d的方式能得到具有2層構造的絕緣膜1（1a和1b）的圖11d的各向異性導電膜10。另外，本發(fā)明的各向異性導電膜也能通過具有以下的工序（a）～（c）的其他的制造方法來制造。（工序（a））首先，如圖12a所示，在具有規(guī)則排列的凹部50的轉(zhuǎn)印模200的該凹部50配置金屬粒子2。（工序（b））接著，如圖12b所示，在轉(zhuǎn)印模200的配置有金屬粒子2的凹部形成面配置焊劑3。（工序（c））接著，如圖12c所示，使絕緣膜1a從配置有金屬粒子2的轉(zhuǎn)印模200的凹部50側(cè)抵接并加熱加壓而向絕緣膜1a與焊劑3一起轉(zhuǎn)印金屬粒子2。（工序（d））接著，如圖12d所示，在轉(zhuǎn)印有金屬粒子2的絕緣膜1a的金屬粒子轉(zhuǎn)印面，熱壓接其他絕緣膜1b。由此，能得到在2層構造的絕緣膜1a與其他絕緣膜1b的層間配置了焊劑3的各向異性導電膜10。＜連接構造體＞本發(fā)明的各向異性導電膜，配置在ic芯片、半導體晶圓等的第1電子部件的端子與布線基板或半導體晶圓等的第2電子部件的端子之間，對通過加熱加壓來使第1電子部件和第2電子部件各向異性導電連接的連接構造體的制造是有用的。這樣的連接構造體也是本發(fā)明的一種方式。實施例以下，通過實施例，對本發(fā)明具體地進行說明。實施例1準備厚度2mm的鎳板，以四方格子圖案形成圓柱狀的凸部（外徑25μm、高度20μm），作為轉(zhuǎn)印體母版。鄰接凸部中心間距離為40μm。因而，凸部的密度為625個/mm2。向所得到的轉(zhuǎn)印體母版以使干燥厚度成為30μm的方式涂敷含有苯氧基樹脂（yp－50、新日鐵住金化學（株））60質(zhì)量份、丙烯酸樹脂（m208、東亞合成（株））29質(zhì)量份、光聚合引發(fā)劑（irgacure184、basfjapan（株））2質(zhì)量份的光聚合性樹脂組合物，在80℃干燥5分鐘后，利用高壓水銀燈進行1000mj光照射，從而制作了轉(zhuǎn)印體。向從轉(zhuǎn)印模母版剝離的轉(zhuǎn)印模，利用刮板（squeegee）涂敷用甲苯稀釋到5wt％的焊劑（esr－250t4、千住金屬工業(yè)（株）），使得干燥后凹部內(nèi)的焊劑厚度成為1μm，并刮去轉(zhuǎn)印模的表面的焊劑。對于該轉(zhuǎn)印模，在分散平均粒徑20μm的焊錫粒子（微粉焊錫粉、三井金屬礦業(yè)（株））后，通過鼓風來向凹部填充焊錫粒子。對于附著有導電粒子的轉(zhuǎn)印模的焊錫粒子附著面，承載厚度20μm的絕緣膜（由苯氧基樹脂（yp－50、新日鐵住金化學（株））60質(zhì)量份、環(huán)氧樹脂（jer828、三菱化學（株））40質(zhì)量份、及陽離子類固化劑（si－60l、三新化學工業(yè)（株））2質(zhì)量份構成的膜），在溫度50℃、壓力0.5mpa下進行按壓，從而向絕緣膜轉(zhuǎn)印焊錫粒子。對所得到的絕緣膜的焊錫粒子轉(zhuǎn)貼面，重疊其他的厚度5μm的絕緣膜（由苯氧基樹脂（yp－50、新日鐵住金化學（株））60質(zhì)量份、環(huán)氧樹脂（jer828、三菱化學（株））40質(zhì)量份、及陽離子類固化劑（si－60l、三新化學工業(yè)（株））2質(zhì)量份構成的膜），在溫度60℃、壓力2mpa下層疊，從而得到各向異性導電膜。實施例2準備與實施例1同樣的轉(zhuǎn)印模，對于該轉(zhuǎn)印模，分散平均粒徑20μm的焊錫粒子（微粉焊錫粉、三井金屬礦業(yè)（株））后，通過鼓風來向凹部填充焊錫粒子。對填充有焊錫粒子的轉(zhuǎn)印模的表面，以使干燥后的焊劑厚度成為1μm的方式利用刮板來涂敷用甲苯稀釋到20wt％的焊劑（esr－250t4、千住金屬工業(yè)（株））。對于該焊劑面，承載厚度20μm的絕緣膜（由苯氧基樹脂（yp－50、新日鐵住金化學（株））60質(zhì)量份、環(huán)氧樹脂（jer828、三菱化學（株））40質(zhì)量份、及陽離子類固化劑（si－60l、三新化學工業(yè)（株））2質(zhì)量份構成的膜），并在溫度50℃、壓力0.5mpa下進行按壓，從而使焊錫粒子轉(zhuǎn)貼到絕緣膜。對所得到的絕緣膜的焊錫粒子轉(zhuǎn)貼面，重疊其他的厚度5μm的絕緣膜（由苯氧基樹脂（yp－50、新日鐵住金化學（株））60質(zhì)量份、環(huán)氧樹脂（jer828、三菱化學（株））40質(zhì)量份、及陽離子類固化劑（si－60l、三新化學工業(yè)（株））2質(zhì)量份構成的膜），并在溫度60℃、壓力2mpa下層疊，從而得到各向異性導電膜。比較例1除了不使用焊劑以外，重復實施例1從而得到各向異性導電膜。實施例3準備與實施例1同樣的轉(zhuǎn)印模，與實施例1同樣地在轉(zhuǎn)印模的凹部的底部配置焊劑后，向該凹部填充焊錫粒子。對該轉(zhuǎn)印模的表面，再次，利用刮板來涂敷用甲苯稀釋到5wt％的焊劑（esr－250t4、千住金屬工業(yè)（株））。然后，重復與實施例1同樣的操作從而得到各向異性導電膜。焊劑干燥后的涂敷厚度在焊錫粒子的膜界面?zhèn)鹊亩瞬繛?μm、在焊錫粒子間為小于1μm。實施例4除了將實施例1中利用甲苯進行的焊劑（esr－250t4、千住金屬工業(yè)（株））的稀釋從5wt％變更到10wt％，并使干燥后的涂敷厚度為2μm以外，重復實施例1從而得到各向異性導電膜。（評價）利用所得到的各向異性導電膜，在溫度180℃、壓力40mpa、加熱加壓時間20秒這一條件下對ic安裝用玻璃環(huán)氧基板（材質(zhì)：fr4）各向異性導電連接形成有100μm×100μm×15μm（高度）尺寸的金凸點的測試用ic芯片，得到連接構造體。對于所得到的連接構造體，測定初始導通電阻值、高壓蒸煮測試（pct）（實驗條件：在溫度121℃、壓力2atm的環(huán)境下放置200小時）后的導通電阻值、及高溫高濕偏壓實驗（實驗條件：在溫度85℃、濕度85％的環(huán)境下施加50v）后的導通電阻值。將所得到的結果示于表1中。此外，在實用性上，需要使初始導通電阻值小于1ω，且需要使pct后以及高溫高濕偏壓實驗后的導通電阻值小于15ω。[表1]導通電阻值（ω）比較例1實施例1實施例2實施例3實施例4初始0.10.10.10.10.1pct后1205555高溫高濕偏壓實驗后80510107由表1可知，關于實施例1～4的各向異性導電膜，由于焊錫粒子與焊劑在膜中接觸配置，所以任一評價項目都能得到良好的結果。相對于此，比較例1中，焊錫粒子和焊劑在膜中沒有接觸配置，因此pct實驗后和高溫高濕偏壓實驗后，導通電阻值會顯著上升。實施例5作為轉(zhuǎn)印有焊錫粒子的厚度20μm的絕緣膜，除了使用由苯氧基樹脂（yp－50、新日鐵住金化學（株））60質(zhì)量份、環(huán)氧樹脂（jer828、三菱化學（株））40質(zhì)量份、氣相二氧化硅（r200、日本aerosil（株））10質(zhì)量份、及陽離子類固化劑（si－60l、三新化學工業(yè)（株））2質(zhì)量份構成的膜以外，重復實施例1的操作，得到各向異性導電膜。所得到的各向異性導電膜，與實施例1的各向異性導電膜同樣，關于任一種評價項目都得到良好的結果。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明的各向異性導電膜抑制利用它來各向異性導電連接而得到的連接構造體中的短路的發(fā)生，而且不僅能抑制初始導通電阻值，還能將pct后及高溫高濕偏壓實驗后的導通電阻值抑制為較低，因此在將ic芯片安裝到布線基板時等是有用的。標號說明1、1a、1b絕緣膜；2金屬粒子；2a、2b金屬粒子的各向異性導電膜的表面或背面?zhèn)榷瞬浚?焊劑；10各向異性導電膜；50轉(zhuǎn)印模的凹部；100、200轉(zhuǎn)印模。當前第1頁12