本發(fā)明涉及用于在ic芯片等的電極焊盤(pán)形成凸點(diǎn)的凸點(diǎn)形成用膜。

背景技術(shù)：

在布線(xiàn)基板倒裝片安裝無(wú)凸點(diǎn)ic芯片的情況下，為了實(shí)現(xiàn)較低的導(dǎo)通電阻和穩(wěn)定的導(dǎo)通可靠性，提出了在未以鈍化膜包覆的無(wú)凸點(diǎn)ic芯片的電極焊盤(pán)，預(yù)先利用釘頭（stud）凸點(diǎn)法來(lái)設(shè)置金凸點(diǎn)，通過(guò)超聲波加熱來(lái)金屬結(jié)合被期待作為凸點(diǎn)發(fā)揮功能的金屬鍍層包覆樹(shù)脂粒子的方案（專(zhuān)利文獻(xiàn)1）。

現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)

專(zhuān)利文獻(xiàn)1：日本特開(kāi)2005－286349號(hào)公報(bào)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

發(fā)明要解決的課題

然而，利用釘頭凸點(diǎn)法來(lái)將金凸點(diǎn)設(shè)置在無(wú)凸點(diǎn)ic芯片的電極焊盤(pán)的情況，會(huì)顯著增大ic芯片的制造成本，因此存在商業(yè)上難以采用的問(wèn)題。另外，在通過(guò)超聲波加熱來(lái)使金屬包覆樹(shù)脂粒子的表面金屬金屬接合到無(wú)凸點(diǎn)ic芯片的電極焊盤(pán)的情況下，不僅要擔(dān)心發(fā)生表面金屬的剝離而導(dǎo)通可靠性顯著降低的情況，而且還有制造工序變得煩瑣的問(wèn)題。

本發(fā)明的目的在于解決以上的現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題點(diǎn)，以能夠在無(wú)凸點(diǎn)ic芯片等的半導(dǎo)體裝置，形成低成本、而且能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的導(dǎo)通可靠性的凸點(diǎn)。

用于解決課題的方案

本發(fā)明人們?cè)谥灰芤酝裹c(diǎn)形成用膜簡(jiǎn)便地向半導(dǎo)體裝置的電極供給能夠期待作為半導(dǎo)體裝置的凸點(diǎn)發(fā)揮功能的導(dǎo)電填充物，則能夠解決上述問(wèn)題這一假定下，發(fā)現(xiàn)通過(guò)使凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物在俯視觀(guān)察下沿膜的長(zhǎng)邊方向以周期性重復(fù)單位規(guī)則排列在絕緣性粘接樹(shù)脂層內(nèi)，且使連結(jié)膜厚度方向的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物的一個(gè)端部的直線(xiàn)與膜的表面大致平行，能夠達(dá)到本申請(qǐng)的目的，以致完成了本發(fā)明。

即，本發(fā)明提供“凸點(diǎn)形成用膜，俯視觀(guān)察下凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物規(guī)則排列在絕緣性粘接樹(shù)脂層內(nèi)，其中，該規(guī)則排列在膜的長(zhǎng)邊方向具有周期性重復(fù)單位，連結(jié)膜的厚度方向上的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物的一個(gè)端部的直線(xiàn)，與膜的表面大致平行”。

另外，本發(fā)明提供上述本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜的制造方法，該制造方法具有以下的工序（イ）～（ハ）：

＜工序（イ）＞

準(zhǔn)備在表面形成有規(guī)則排列的凹部的轉(zhuǎn)印體的工序；

＜工序（ロ）＞

向轉(zhuǎn)印體的凹部填充凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物的工序；以及

＜工序（ハ）＞

在該轉(zhuǎn)印體的填充凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物的一側(cè)的表面重疊絕緣性粘接樹(shù)脂層并加以按壓，從而使凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物轉(zhuǎn)貼到絕緣性粘接樹(shù)脂層的工序。

優(yōu)選該制造方法還具有以下的工序（ニ）：

＜工序（ニ）＞

對(duì)于轉(zhuǎn)貼有凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物的絕緣性粘接樹(shù)脂層，從凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物轉(zhuǎn)貼面?zhèn)葘盈B絕緣性粘接蓋層的工序。

另外，本發(fā)明提供“電子部件，在表面的凸點(diǎn)用的基底電極配置有凸點(diǎn)，其中，以使上述凸點(diǎn)形成用膜的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物成為該基底電極的凸點(diǎn)的方式，該凸點(diǎn)形成用膜配置在該電子部件的基底電極形成表面”。具體而言，提供“半導(dǎo)體裝置，在表面的凸點(diǎn)用的基底電極配置有凸點(diǎn)，其中，以使上述凸點(diǎn)形成用膜的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物成為該基底電極的凸點(diǎn)的方式，該凸點(diǎn)形成用膜配置在該半導(dǎo)體裝置的基底電極形成表面”。

進(jìn)而，本發(fā)明提供“在表面的凸點(diǎn)用的基底電極配置有凸點(diǎn)的電子部件的制造方法，該制造方法中，

對(duì)于在表面具有凸點(diǎn)用的基底電極的無(wú)凸點(diǎn)電子部件的該基底電極，以使本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物與該基底電極對(duì)置的方式，將該凸點(diǎn)形成用膜配置在該電子部件的基底電極形成表面之后，用構(gòu)成凸點(diǎn)形成用膜的絕緣性粘接樹(shù)脂，將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物固定在基底電極”。具體而言，提供“在表面的凸點(diǎn)用的基底電極配置有凸點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該制造方法中，

對(duì)于在表面具有凸點(diǎn)用的基底電極的無(wú)凸點(diǎn)半導(dǎo)體裝置的該基底電極，以使本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物與該基底電極對(duì)置的方式，將該凸點(diǎn)形成用膜配置在該半導(dǎo)體裝置的基底電極形成表面之后，通過(guò)使構(gòu)成凸點(diǎn)形成用膜的絕緣性粘接樹(shù)脂層固化，將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物固定在基底電極”。

同樣地，本發(fā)明提供“在表面的凸點(diǎn)用的基底電極配置有凸點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置的制造方法，該制造方法中，

對(duì)于在表面具有凸點(diǎn)用的基底電極的無(wú)凸點(diǎn)半導(dǎo)體裝置的該基底電極，以使本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物與該基底電極對(duì)置的方式，將該凸點(diǎn)形成用膜配置在該半導(dǎo)體裝置的基底電極形成表面之后，通過(guò)加熱凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物來(lái)金屬結(jié)合到基底電極而固定”。

進(jìn)而，本發(fā)明提供“連接構(gòu)造體，其中，配置在上述電子部件的表面的基底電極的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物和其他電子部件的對(duì)應(yīng)的端子，經(jīng)由固化性或非固化性的導(dǎo)電粘接劑或絕緣性粘接劑而連接，或者通過(guò)在兩者之間形成金屬結(jié)合而連接”。具體而言，提供“連接構(gòu)造體，其中，配置在上述半導(dǎo)體裝置的表面的基底電極的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物和其他電氣部件的對(duì)應(yīng)的端子，經(jīng)由固化性或非固化性的導(dǎo)電粘接劑或絕緣性粘接劑而連接，或者通過(guò)在兩者之間形成金屬結(jié)合而連接”。

發(fā)明效果

本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜在絕緣性粘接樹(shù)脂層內(nèi)具有俯視觀(guān)察下以在膜的長(zhǎng)邊方向具有周期性重復(fù)單位的方式規(guī)則排列的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物。因此，能夠在ic芯片等的半導(dǎo)體裝置的各個(gè)電極配置凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物。而且在本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜中，連結(jié)膜的厚度方向的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物的一個(gè)端部的直線(xiàn)，成為與膜的表面大致平行。因此，即便在應(yīng)該形成半導(dǎo)體裝置的凸點(diǎn)的電極存在一些高度不勻，也能對(duì)它們穩(wěn)定配置凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物。

附圖說(shuō)明

[圖1]圖1是本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜的截面圖。

[圖2]圖2是本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜的制造方法的工序說(shuō)明圖。

[圖3]圖3是本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜的制造方法的工序說(shuō)明圖。

[圖4]圖4是本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜的制造方法的工序說(shuō)明圖。

[圖5]圖5是本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜的制造方法的工序說(shuō)明圖。

[圖6]圖6是本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的截面圖。

[圖7]圖7是導(dǎo)電粒子以1：5排列的實(shí)施例3的凸點(diǎn)形成用膜中的導(dǎo)電粒子和電極焊盤(pán)的關(guān)系圖。

[圖8]圖8是導(dǎo)電粒子以1：4排列的實(shí)施例10的凸點(diǎn)形成用膜中的導(dǎo)電粒子和電極焊盤(pán)的關(guān)系圖。

[圖9]圖9是導(dǎo)電粒子以1：16排列的實(shí)施例11的凸點(diǎn)形成用膜中的導(dǎo)電粒子和電極焊盤(pán)的關(guān)系圖。

[圖10]圖10是導(dǎo)電粒子以1：3排列的實(shí)施例12的凸點(diǎn)形成用膜中的導(dǎo)電粒子和電極焊盤(pán)的關(guān)系圖。

[圖11]圖11是導(dǎo)電粒子以1：9排列的實(shí)施例13的凸點(diǎn)形成用膜中的導(dǎo)電粒子和電極焊盤(pán)的關(guān)系圖。

[圖12]圖12是導(dǎo)電粒子以1：6排列的實(shí)施例14的凸點(diǎn)形成用膜中的導(dǎo)電粒子和電極焊盤(pán)的關(guān)系圖。

[圖13]圖13是導(dǎo)電粒子以1：20排列的實(shí)施例15的凸點(diǎn)形成用膜中的導(dǎo)電粒子和電極焊盤(pán)的關(guān)系圖。

[圖14]圖14是導(dǎo)電粒子以1：2排列的實(shí)施例16的凸點(diǎn)形成用膜中的導(dǎo)電粒子和電極焊盤(pán)的關(guān)系圖。

[圖15]圖15是導(dǎo)電粒子以1：8排列的實(shí)施例17的凸點(diǎn)形成用膜中的導(dǎo)電粒子和電極焊盤(pán)的關(guān)系圖。

具體實(shí)施方式

以下，一邊參照附圖，一邊對(duì)本發(fā)明進(jìn)行說(shuō)明。

＜凸點(diǎn)形成用膜＞

如圖1所示，本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜10是俯視觀(guān)察下凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2在絕緣性粘接樹(shù)脂層1內(nèi)規(guī)則排列的凸點(diǎn)形成用膜。該凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的規(guī)則排列在膜的長(zhǎng)邊方向具有周期性重復(fù)單位。該周期性重復(fù)單位能夠?qū)?yīng)于應(yīng)該形成凸點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置的電極圖案而適當(dāng)選擇。另外，在一個(gè)應(yīng)該形成凸點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置的電極配置的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的個(gè)數(shù)既可為一個(gè)，也可為二個(gè)以上。此外，在不損失發(fā)明的效果的范圍內(nèi)，凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2彼此既可以接近配置，也可以連結(jié)配置。在凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2彼此接近配置或連結(jié)配置的情況下，能夠緩和配置偏移的影響，對(duì)準(zhǔn)操作容易。

在本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜10中，連結(jié)膜的厚度方向上的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的一個(gè)端部的直線(xiàn)，成為與膜的表面大致平行。圖1是在膜表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)鹊脑撝本€(xiàn)在凸點(diǎn)形成用膜10的表面?zhèn)群捅趁鎮(zhèn)确謩e平行的例子。由此，能夠在應(yīng)該形成凸點(diǎn)的半導(dǎo)體裝置的電極可靠地穩(wěn)定地配置凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物。此外大致平行的程度是指連結(jié)膜的厚度方向上的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的一個(gè)端部的直線(xiàn)與膜的表面所成的角度在±5°以?xún)?nèi)。

作為凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2，能夠舉出焊錫粒子、鎳粒子、金屬包覆樹(shù)脂粒子等。其中，能夠優(yōu)選舉出在比較低溫下能夠與銅等的端子材料金屬結(jié)合的焊錫粒子、焊錫鍍層樹(shù)脂粒子。特別是，優(yōu)選焊錫粒子。另外，從容易得到凸點(diǎn)用電極和與它對(duì)應(yīng)的其他電子部件的端子之間的連接的導(dǎo)通可靠性這一觀(guān)點(diǎn)來(lái)看，能夠優(yōu)選使用金屬包覆樹(shù)脂粒子。在此，金屬包覆樹(shù)脂粒子的金屬包覆能夠利用非電解鍍法或?yàn)R射法等的公知的金屬膜形成方法來(lái)形成。另外，為了提高導(dǎo)通可靠性，能夠使構(gòu)成金屬包覆樹(shù)脂粒子的芯樹(shù)脂粒子含有導(dǎo)電微粒。

以凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的圖像型粒度分布測(cè)定裝置測(cè)定的平均粒子直徑優(yōu)選為3～60μm、更優(yōu)選為8～50μm。如果為該范圍，則容易與一般的半導(dǎo)體裝置的端子尺寸匹配。另外，從使在各端子的按壓狀態(tài)一致的方面來(lái)看，凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的大?。ㄆ骄Ｗ又睆剑﹥?yōu)選大致相同。在此，大致相同意味著粒子直徑相對(duì)于平均粒子直徑的標(biāo)準(zhǔn)偏差的比例即cv值為20％以下，優(yōu)選為10％以下。

此外，凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的形狀優(yōu)選正球形狀，但是也可為與它近似的大致球形狀或橢圓球形狀等。另外，也可以在表面存在細(xì)微凹凸。如果存在細(xì)微凹凸，則能夠期待表面積的增大效果或按壓時(shí)的錨定（anchor）效果，能夠期待導(dǎo)通時(shí)的低電阻化或穩(wěn)定化。

另一方面，絕緣性粘接樹(shù)脂層1的厚度優(yōu)選為凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的平均粒子直徑的0.5～20倍，更優(yōu)選為0.8～15倍。如果為該范圍，則對(duì)凸點(diǎn)位置能夠?qū)崿F(xiàn)穩(wěn)定的固定。另外，在該范圍中，優(yōu)選將絕緣性粘接樹(shù)脂層1的厚度設(shè)為凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的一部分從絕緣性粘接樹(shù)脂層1露出。這是因?yàn)樘岣吡撕笫龅慕^緣性粘接樹(shù)脂層1的除去、或與其他絕緣性粘接樹(shù)脂層的層疊化等操作性。

為了將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2固定在半導(dǎo)體裝置的電極，這樣的絕緣性粘接樹(shù)脂層1優(yōu)選具有粘著性，但是為了提高密合性，也可以具有光固化性或熱固化性。如果使絕緣性粘接樹(shù)脂層1固化從而凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2與半導(dǎo)體裝置的電極形成金屬結(jié)合，則能夠保留金屬結(jié)合的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2而除掉絕緣性粘接樹(shù)脂層1。

另外，在不使凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2金屬結(jié)合而以絕緣性粘接樹(shù)脂層1固定的情況下，也可以與其他的絕緣性粘接樹(shù)脂層一并接合其他電子部件。在該情況下，其他的絕緣性粘接樹(shù)脂層既可以預(yù)先設(shè)置在其他電子部件，也可以預(yù)先層疊在具有凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的絕緣性粘接樹(shù)脂層。在該情況下，如果凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2為金屬鍍層包覆樹(shù)脂粒子，則該粒子直徑也可以大于絕緣性粘接樹(shù)脂層的合計(jì)的厚度。這是因?yàn)橐蚪雍隙S變形（扁平）之后，因樹(shù)脂粒子的回彈而變得容易保持導(dǎo)通連接。在凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2為容易扁平的材質(zhì)的情況下，為了不阻礙扁平化，優(yōu)選使凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2彼此互相稍許分離。這是因?yàn)閾?dān)心因扁平化而出現(xiàn)凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的位置偏移。作為一個(gè)例子，優(yōu)選分離凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的大小（平均粒子直徑）的20％以上，更優(yōu)選為30％以上。另一方面，若分離50％以上則擔(dān)心捕獲效率下降，因此優(yōu)選小于50％。這樣的話(huà)，凸點(diǎn)用傳導(dǎo)填充物就能夠在所需場(chǎng)所較密地存在，從保證制造時(shí)的質(zhì)量的方面來(lái)看是優(yōu)選的（在使導(dǎo)通電阻值穩(wěn)定化的方面上也是優(yōu)選的）。

在以這樣的水平使凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2彼此分離的情況下，也可以由多個(gè)凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2構(gòu)成單元。通過(guò)構(gòu)成單元，能夠使導(dǎo)通電阻值穩(wěn)定化，是優(yōu)選的。

另外，這樣的單元的外形優(yōu)選為矩形或圓形。這是因?yàn)橐话阃裹c(diǎn)形狀其本身就是這樣的形狀。

在單元為矩形的情況下，要根據(jù)凸點(diǎn)所要求的高度和寬度（即高寬比例），但是凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的大?。ㄆ骄Ｗ又睆剑┫喈?dāng)于凸點(diǎn)所要求的高度。寬度只要將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2沿其方向形成列而單元化即可。在該情況下也優(yōu)選保持上述距離間隔。另外，該列也可以偏離到凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的平均粒子直徑的一半的大小。

另外，在單元為圓形的情況下，也可為以一個(gè)凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2為中心，沿其周邊照著圓形配置其他凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的形狀。在該情況下也優(yōu)選保持上述距離間隔。該形狀也可為在正三角形或正方形等的正多邊形的各角和中心配置導(dǎo)電粒子的形狀。此外，該正多邊形的形狀也可以變形。是為了例如在同一面內(nèi)存在多個(gè)凸點(diǎn)形成部的情況下，使利用工具的按壓均勻。

要使絕緣性粘接樹(shù)脂層1為光固化性或者熱固化性，則向構(gòu)成絕緣性粘接樹(shù)脂層1的樹(shù)脂組合物，不僅配合公知的光或熱固化性低聚物或單體還配合光或熱聚合引發(fā)劑即可。作為這樣的絕緣性粘接樹(shù)脂層，能夠適用熱塑性丙烯類(lèi)或者環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂膜、熱固化或者光固化丙烯類(lèi)或者環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂膜等。這樣的絕緣性粘接樹(shù)脂層1的厚度通常為10～40μm厚。

＜凸點(diǎn)形成用膜的制造方法＞

本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜能夠通過(guò)以下的工序（イ）～（ハ）、優(yōu)選具有（ニ）的制造方法來(lái)制造。一邊參照附圖，一邊按每個(gè)工序詳細(xì)地進(jìn)行說(shuō)明。

（工序（イ））

首先，如圖2所示，準(zhǔn)備在表面形成有規(guī)則排列的凹部50（例如與平面格子圖案的格子點(diǎn)相當(dāng)?shù)闹鶢畹陌疾浚┑霓D(zhuǎn)印體100。能夠根據(jù)應(yīng)該形成凸點(diǎn)的ic芯片等的半導(dǎo)體裝置的電極（電極焊盤(pán)、通孔、通路孔等）的電極間距、電極寬度、電極間間隔寬度、凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物的平均粒子直徑等決定凹部50的深度。

＊轉(zhuǎn)印體的具體例

該工序（イ）中應(yīng)該準(zhǔn)備的轉(zhuǎn)印體能夠利用公知的方法來(lái)制作，例如，可以加工金屬板而制作母版，對(duì)它涂敷固化性樹(shù)脂，并使之固化而制作。具體而言，對(duì)平坦的金屬板進(jìn)行切削加工，還制作形成了與凹部對(duì)應(yīng)的凸部的轉(zhuǎn)印體母版，對(duì)該母版的凸部形成面涂敷構(gòu)成轉(zhuǎn)印體的樹(shù)脂組合物，并使之固化后，從母版拉開(kāi)而得到轉(zhuǎn)印體。

（工序（ロ））

接著，如圖3所示，向轉(zhuǎn)印體100的凹部50填充凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2。具體而言，從轉(zhuǎn)印體100的凹部50的上方分散凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2，以刷子或刮刀、或者鼓風(fēng)除掉未被填充的填充物即可。

（工序（ハ））

接著，如圖4所示，對(duì)轉(zhuǎn)印體100的填充有凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的一側(cè)的表面，重疊絕緣性粘接樹(shù)脂層1并進(jìn)行按壓，從而在絕緣性粘接樹(shù)脂層1的單面轉(zhuǎn)貼凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2。在該情況下，能夠使得凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2埋沒(méi)于絕緣性粘接樹(shù)脂層1。由此，能得到如圖1所示的凸點(diǎn)形成用膜10。

此外，通過(guò)以上的工序（イ）～（ハ）能得到本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜，但是也可以進(jìn)一步實(shí)施以下的工序（ニ）。

（工序（ニ））

如圖5所示，對(duì)于轉(zhuǎn)貼凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2的絕緣性粘接樹(shù)脂層1，能夠從凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物轉(zhuǎn)貼面?zhèn)葘盈B絕緣性粘接蓋層6。由此，能得到具有2層構(gòu)造的絕緣性粘接樹(shù)脂層的凸點(diǎn)形成用膜20。絕緣性粘接蓋層6既可以使用由與絕緣性粘接樹(shù)脂層1相同的原料形成的層，一般也能使用粘著樹(shù)脂膜、熱固化性樹(shù)脂膜及光固化性樹(shù)脂膜。

（半導(dǎo)體裝置等的電子部件）

本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜能夠適用于在電子部件的電極形成凸點(diǎn)的情況。即，電子部件具有在表面的凸點(diǎn)用的基底電極配置了凸點(diǎn)的構(gòu)造，以使凸點(diǎn)形成用膜的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物成為該基底電極的凸點(diǎn)的方式，該凸點(diǎn)形成用膜配置在該電子部件的基底電極形成表面。具體而言，本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜能夠優(yōu)選適用于將凸點(diǎn)形成在ic芯片、半導(dǎo)體晶圓等的半導(dǎo)體裝置的電極（焊盤(pán)、通孔、通路孔等）的情況。在適用于通孔或通路孔的情況下，凸點(diǎn)嵌入孔中也可。在適用于電極焊盤(pán)的情況下，例如，如圖6所示，半導(dǎo)體裝置200在表面具有在被鈍化膜30包圍的凸點(diǎn)用的基底電極60配置凸點(diǎn)的構(gòu)造，以使本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜10的凸點(diǎn)形成用填充物2成為該基底電極60的凸點(diǎn)的方式，該凸點(diǎn)形成用膜10配置在該半導(dǎo)體裝置200的基底電極形成表面。該半導(dǎo)體裝置也是本發(fā)明的一種方式。

一般，凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物用構(gòu)成凸點(diǎn)形成用膜的固化性或非固化性的絕緣性粘接樹(shù)脂固定在基底電極，但是在圖6的方式中，優(yōu)選通過(guò)使構(gòu)成凸點(diǎn)形成用膜10的絕緣性粘接樹(shù)脂層1固化，使得凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2固定在基底電極60。

此外，也可以利用電阻加熱或超聲波加熱等加熱凸點(diǎn)形成用填充物2而金屬結(jié)合到基底電極60，從而將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物2固定在基底電極60。在該情況下，也可以在金屬結(jié)合形成后，使構(gòu)成凸點(diǎn)形成用膜10的絕緣性粘接樹(shù)脂層1固化，然后進(jìn)行剝離。

（半導(dǎo)體裝置等的電子部件的制造方法）

在表面的凸點(diǎn)用的基底電極配置有凸點(diǎn)的電子部件，能夠通過(guò)如下制造方法來(lái)制造：對(duì)于在表面具有凸點(diǎn)用的基底電極的無(wú)凸點(diǎn)電子部件的該基底電極，以使本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物與該基底電極對(duì)置的方式，將該凸點(diǎn)形成用膜配置在該電子部件的基底電極形成表面之后，用構(gòu)成凸點(diǎn)形成用膜的絕緣性粘接樹(shù)脂，將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物固定在基底電極。具體而言，在表面的凸點(diǎn)用的基底電極配置有凸點(diǎn)的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，能夠通過(guò)如下制造方法來(lái)制造：對(duì)于在表面具有凸點(diǎn)用的基底電極的無(wú)凸點(diǎn)半導(dǎo)體裝置的該基底電極，以使本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜的凸點(diǎn)形成用填充物與該基底電極對(duì)置的方式，將該凸點(diǎn)形成用膜配置在該半導(dǎo)體裝置的基底電極形成表面之后，通過(guò)加熱或者通過(guò)光照射來(lái)使構(gòu)成凸點(diǎn)形成用膜的絕緣性粘接樹(shù)脂層固化，由此將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物固定在基底電極。

另外，在表面的凸點(diǎn)用的基底電極配置有凸點(diǎn)的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，也能通過(guò)如下制造方法來(lái)制造：對(duì)于在表面具有凸點(diǎn)用的基底電極的無(wú)凸點(diǎn)半導(dǎo)體裝置的該基底電極，以使本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜的凸點(diǎn)形成用填充物與該基底電極對(duì)置的方式，將該凸點(diǎn)形成用膜配置在該半導(dǎo)體裝置的基底電極形成表面之后，通過(guò)加熱凸點(diǎn)形成用填充物來(lái)金屬結(jié)合到基底電極而固定。這些制造方法也是本發(fā)明的一種方式。

（連接構(gòu)造體）

通過(guò)將配置在本發(fā)明的電子部件的表面的基底電極的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物和其他電子部件的對(duì)應(yīng)的端子，經(jīng)由固化性或非固化性的導(dǎo)電粘接劑或絕緣性粘接劑而連接，或者通過(guò)在兩者之間形成金屬結(jié)合而連接，從而得到連接構(gòu)造體。具體而言，通過(guò)將配置在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的表面的基底電極的凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物和其他電子部件的對(duì)應(yīng)的端子，經(jīng)由固化性或非固化性的導(dǎo)電粘接劑或絕緣性粘接劑而連接，或者通過(guò)在兩者之間形成金屬結(jié)合而連接，從而得到連接構(gòu)造體。這些連接構(gòu)造體也是本發(fā)明的一種方式。

實(shí)施例

以下，通過(guò)實(shí)施例來(lái)具體說(shuō)明本發(fā)明。

實(shí)施例1

準(zhǔn)備厚度2mm的鎳板，形成圓柱狀的凸部（外徑35μm、高度30μm），作為轉(zhuǎn)印體母版。凸部的配置為在7mm四方形的200μm內(nèi)側(cè)外圍配置280處，另外，凸部的密度為5.7個(gè)/mm²。

以使干燥厚度成為30μm的方式向所得到的轉(zhuǎn)印體母版涂敷含有苯氧基樹(shù)脂（yp－50、新日鐵住金化學(xué)（株））60質(zhì)量份、丙烯酸樹(shù)脂（m208、東亞合成（株））29質(zhì)量份、光聚合引發(fā)劑（irgacure184、basfjapan（株））2質(zhì)量份的光聚合性樹(shù)脂組合物，在80℃干燥5分鐘后，利用高壓水銀燈進(jìn)行1000mj光照射，從而制作了轉(zhuǎn)印體。

對(duì)從轉(zhuǎn)印體母版剝下的轉(zhuǎn)印體的表面，作為凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物分散平均粒子直徑30μm的焊錫粒子（微粉焊錫粉、三井金屬礦業(yè)（株））后，通過(guò)鼓風(fēng)來(lái)向凹部填充焊錫粒子。

對(duì)于轉(zhuǎn)印體的焊錫粒子填充面，承載成膜在pet膜上的厚度20μm的絕緣性粘接樹(shù)脂膜，在溫度50℃、壓力0.5mpa下按壓，從而向絕緣性粘接樹(shù)脂膜邊埋入邊轉(zhuǎn)印焊錫粒子。導(dǎo)電粒子的排列圖案為1：1排列（在一個(gè)電極焊盤(pán)配置一個(gè)導(dǎo)電粒子的方式）。由此，得到了總厚30μm的凸點(diǎn)形成用膜。此外，在該凸點(diǎn)形成用膜中導(dǎo)電粒子的一個(gè)端部和膜界面大致一致。

此外，實(shí)施例1中所使用的絕緣性粘接樹(shù)脂膜，是調(diào)制包含苯氧基樹(shù)脂（yp－50、新日鐵住金化學(xué)（株））60質(zhì)量份、環(huán)氧樹(shù)脂（jer828、三菱化學(xué)（株））40質(zhì)量份、及陽(yáng)離子類(lèi)固化劑（si－60l、三新化學(xué)工業(yè)（株））2質(zhì)量份的混合溶液，并將它涂敷到膜厚度50μm的pet膜上，在80℃的烤箱干燥5分鐘而得到的膜。

實(shí)施例2

除了使用將凸部的外徑變更為25μm、高度變更為20μm的轉(zhuǎn)印體母版以外，通過(guò)重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作而準(zhǔn)備轉(zhuǎn)印體，對(duì)于該轉(zhuǎn)印體，分散平均粒子直徑20μm的焊錫粒子（微粉焊錫粉、三井金屬礦業(yè)（株））后，通過(guò)鼓風(fēng)來(lái)向凹部填充焊錫粒子。

對(duì)于填充了焊錫粒子的轉(zhuǎn)印體的兩面，與實(shí)施例1同樣地適用絕緣性粘接樹(shù)脂膜，從而得到總厚30μm的凸點(diǎn)形成用膜。此外，在該凸點(diǎn)形成用膜中也與實(shí)施例1同樣，導(dǎo)電粒子的一個(gè)端部與膜界面大致一致。

實(shí)施例3

使轉(zhuǎn)印體母版的凸部的密度平均而為28.5個(gè)/mm²，進(jìn)而使導(dǎo)電粒子的排列圖案為如圖7所示1：5排列，除此以外，重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例2同樣的操作而得到凸點(diǎn)形成用膜。在本實(shí)施例中，采用1：5排列，在俯視觀(guān)察膜的情況下，配置了應(yīng)該轉(zhuǎn)印的電極焊盤(pán)p和與它接近的共5個(gè)導(dǎo)電粒子2。

比較例1

除了使用隨機(jī)配置凸部的轉(zhuǎn)印體母版（凸部的密度為60個(gè)/mm²）以外，重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作而得到凸點(diǎn)形成用膜。

實(shí)施例4～6及比較例2

作為適用于轉(zhuǎn)印體的焊錫粒子填充面的絕緣性粘接樹(shù)脂膜，承載成膜在pet膜上的厚度30μm的絕緣性粘接樹(shù)脂膜，并在溫度50℃、壓力0.5mpa下進(jìn)行按壓，從而向絕緣性粘接樹(shù)脂膜邊埋入邊轉(zhuǎn)印焊錫粒子，除此以外，重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例1～3及比較例1同樣的操作，從而分別得到總厚30μm的凸點(diǎn)形成用膜。此外，在這些凸點(diǎn)形成用膜中也與實(shí)施例1同樣，導(dǎo)電粒子的一個(gè)端部與膜界面大致一致。

此外，在實(shí)施例4～6及比較例2中使用的絕緣性粘接樹(shù)脂膜，是調(diào)制包含苯氧基樹(shù)脂（yp－50、新日鐵住金化學(xué)（株））30質(zhì)量份、丙烯單體（lightacrylate3ega、共榮社化學(xué)（株））60質(zhì)量份、及光自由基聚合引發(fā)劑（irgacure184、basfjapan（株））3質(zhì)量份的混合溶液，并將它涂敷到膜厚度50μm的pet膜上，在80℃的烤箱干燥5分鐘而得到的膜。

實(shí)施例7～9及比較例3

作為適用于轉(zhuǎn)印體的焊錫粒子填充面的絕緣性粘接樹(shù)脂膜，承載成膜在pet膜上的厚度30μm的絕緣性粘接樹(shù)脂膜，并在溫度50℃、壓力0.5mpa下進(jìn)行按壓，從而向絕緣性粘接樹(shù)脂膜邊埋入邊轉(zhuǎn)印焊錫粒子，除此以外，重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例1～3及比較例1同樣的操作，從而分別得到總厚30μm的凸點(diǎn)形成用膜。此外，在這些凸點(diǎn)形成用膜中也與實(shí)施例1同樣，導(dǎo)電粒子的一個(gè)端部與膜界面大致一致。

此外，在實(shí)施例7～9及比較例3中所使用的絕緣性粘接樹(shù)脂膜，是調(diào)制包含苯氧基樹(shù)脂（yp－50、新日鐵住金化學(xué)（株））30質(zhì)量份、丙烯單體（lightacrylate3ega、共榮社化學(xué)（株））60質(zhì)量份、脫模劑（byk3500、byk－chemiejapan（株））3質(zhì)量份及光自由基聚合引發(fā)劑（irgacure184、basfjapan（株））3質(zhì)量份的混合溶液，并將其涂敷到膜厚度50μm的pet膜上，在80℃的烤箱干燥5分鐘而得到的膜。

（評(píng)價(jià)）

使用實(shí)施例1～9及比較例1～3的凸點(diǎn)形成用膜，如以下說(shuō)明的那樣制作連接構(gòu)造體，測(cè)定并評(píng)價(jià)凸點(diǎn)形成時(shí)的導(dǎo)通電阻值（初始導(dǎo)通電阻值）、和在溫度85℃、濕度85％的環(huán)境下施加電壓50v時(shí)的導(dǎo)通電阻值（高溫高濕偏壓實(shí)驗(yàn)后電阻值）。導(dǎo)通電阻值是利用數(shù)字萬(wàn)用表（34401a、agilenttechnologies（株））以4端子法在1ma的通電條件下測(cè)定的。

對(duì)于初始導(dǎo)通電阻值，設(shè)5ω以下為良好（g）、越過(guò)它的情況為不良（ng）。另外，對(duì)于高溫高濕偏壓實(shí)驗(yàn)后導(dǎo)通電阻值，設(shè)20ω以下為良好（g）、超過(guò)它的情況為不良（ng）。將得到的結(jié)果示于表1中。

（使用實(shí)施例1～3、比較例1的凸點(diǎn)形成用膜的連接構(gòu)造體的制作）

在具有外圍配置的鋁電極焊盤(pán)（直徑30μm、85μm間距、280端子（pin））的無(wú)凸點(diǎn)ic芯片（尺寸：7mm縱×7mm橫×200μm厚）的該電極焊盤(pán)配置凸點(diǎn)形成用膜，在溫度50℃、壓力0.5mpa進(jìn)行按壓，從而粘貼固定。在實(shí)施例1～2的情況下使得對(duì)一個(gè)電極焊盤(pán)對(duì)應(yīng)一個(gè)凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物（焊錫粒子）。將粘貼有該凸點(diǎn)形成用膜的ic芯片，在溫度180℃、壓力40mpa、加熱加壓時(shí)間10秒這一條件下連接到ic安裝用環(huán)氧玻璃基板（材質(zhì)：fr4）。由此得到了連接構(gòu)造體。

（使用實(shí)施例4～6、比較例2的凸點(diǎn)形成用膜的連接構(gòu)造體的制作）

與實(shí)施例1同樣地將凸點(diǎn)形成用膜粘貼在ic芯片后，照射波長(zhǎng)365nm的紫外線(xiàn)（照射強(qiáng)度100mw、照射量2000mw/cm²），進(jìn)行光自由基聚合，從而固定。在實(shí)施例3～4的情況下使得對(duì)一個(gè)電極焊盤(pán)對(duì)應(yīng)一個(gè)凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物（焊錫粒子）。隔著陽(yáng)離子聚合性絕緣性粘接樹(shù)脂膜（苯氧基樹(shù)脂（yp－50、新日鐵住金化學(xué)（株））60質(zhì)量份、環(huán)氧樹(shù)脂（jer828、三菱化學(xué)（株））40質(zhì)量份、及陽(yáng)離子類(lèi)固化劑（si－60l、三新化學(xué)工業(yè)（株））2質(zhì)量份構(gòu)成的膜），將粘貼有該凸點(diǎn)形成用膜的ic芯片，在溫度180℃、壓力40mpa、加熱加壓時(shí)間20秒這一條件下連接到ic安裝用環(huán)氧玻璃基板（材質(zhì)：fr4）。由此得到了連接構(gòu)造體。

（使用實(shí)施例7～9、比較例3的凸點(diǎn)形成用膜的連接構(gòu)造體的制作）

與實(shí)施例1同樣地將凸點(diǎn)形成用膜粘貼在ic芯片后，照射波長(zhǎng)365nm的紫外線(xiàn)（照射強(qiáng)度100mw、照射量2000mw/cm²），進(jìn)行光自由基聚合，從而固定。在實(shí)施例5～6的情況下使得對(duì)一個(gè)電極焊盤(pán)對(duì)應(yīng)一個(gè)凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物（焊錫粒子）。將該凸點(diǎn)形成用膜從ic芯片剝下，在ic芯片的電極焊盤(pán)接合有凸點(diǎn)形成用導(dǎo)電填充物。接著，將該狀態(tài)的ic芯片，在溫度180℃、壓力40mpa、加熱加壓時(shí)間20秒這一條件下連接到ic安裝用環(huán)氧玻璃基板（材質(zhì)：fr4）。由此得到了連接構(gòu)造體。

[表1]

由表1可知，實(shí)施例1～9的凸點(diǎn)形成用膜能夠在無(wú)凸點(diǎn)ic芯片的電極焊盤(pán)配置作為凸點(diǎn)發(fā)揮功能的導(dǎo)電填充物，“初始導(dǎo)通電阻”及“高溫高濕偏壓實(shí)驗(yàn)后導(dǎo)通電阻”的評(píng)價(jià)為良好。另外，也沒(méi)有發(fā)生短路。特別是，在實(shí)施例3、6及9的凸點(diǎn)形成膜的情況下，在無(wú)凸點(diǎn)ic芯片的一個(gè)電極焊盤(pán)及其附近存在的導(dǎo)電填充物的個(gè)數(shù)成為5個(gè)。因此，在制造連接構(gòu)造體時(shí)，能夠提高凸點(diǎn)形成膜與無(wú)凸點(diǎn)ic芯片的電極焊盤(pán)之間的對(duì)位精度。相對(duì)于此，比較例1～3的凸點(diǎn)形成用膜，“初始導(dǎo)通電阻”及“高溫高濕偏壓實(shí)驗(yàn)后導(dǎo)通電阻”的評(píng)價(jià)均為不良。還發(fā)生了短路。

實(shí)施例10

從實(shí)施例1，將轉(zhuǎn)印體母版的凸部變更為外徑12μm、高度10μm，并將導(dǎo)電粒子的排列如圖8所示變更為1：4排列，進(jìn)而將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物變更為平均粒子直徑10μm的金/鎳包覆樹(shù)脂粒子（micropearl、積水化學(xué)工業(yè)（株）），并使絕緣性粘接樹(shù)脂膜的厚度為8μm，除此以外，通過(guò)重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作，得到總厚10μm的凸點(diǎn)形成用膜。此外，轉(zhuǎn)印體母版中的凸部的密度為22.9個(gè)/mm²。另外，凸部的最接近距離為4.9μm。

實(shí)施例11

從實(shí)施例1，將轉(zhuǎn)印體母版的凸部變更為外徑12μm、高度10μm，并將導(dǎo)電粒子的排列如圖9所示變更為1：16排列，進(jìn)而將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物變更為平均粒子直徑10μm的金/鎳包覆樹(shù)脂粒子（micropearl、積水化學(xué)工業(yè)（株）），除此以外，通過(guò)重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作，得到總厚10μm的凸點(diǎn)形成用膜。這樣使凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物也存在于凸點(diǎn)的外周部，從而能夠擴(kuò)大膜的粘合工序的偏移的容許范圍。此外，轉(zhuǎn)印體母版中的凸部的密度為91.4個(gè)/mm²。另外，凸部的最接近距離為4.9μm。

實(shí)施例12

從實(shí)施例1，將轉(zhuǎn)印體母版的凸部變更為外徑12μm、高度10μm，并將導(dǎo)電粒子的排列如圖10所示變更為1：3排列，進(jìn)而將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物變更為平均粒子直徑10μm的金/鎳包覆樹(shù)脂粒子（micropearl、積水化學(xué)工業(yè)（株）），除此以外，通過(guò)重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作，得到總厚10μm的凸點(diǎn)形成用膜。此外，轉(zhuǎn)印體母版中的凸部的密度為17.1個(gè)/mm²。另外，凸部的最接近距離為4.9μm。

實(shí)施例13

從實(shí)施例1，將轉(zhuǎn)印體母版的凸部變更為外徑12μm、高度10μm，并將導(dǎo)電粒子的排列如圖11所示變更為1：9排列，進(jìn)而將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物變更為平均粒子直徑10μm的金/鎳包覆樹(shù)脂粒子（micropearl、積水化學(xué)工業(yè)（株）），除此以外，通過(guò)重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作，得到總厚10μm的凸點(diǎn)形成用膜。這樣通過(guò)使凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物也存在于凸點(diǎn)的外周部，能夠擴(kuò)大膜的粘合工序的偏移的容許范圍。此外，轉(zhuǎn)印體母版中的凸部的密度為51.4個(gè)/mm²。另外，凸部的最接近距離為4.9μm。

實(shí)施例14

從實(shí)施例1，將轉(zhuǎn)印體母版的凸部變更為外徑12μm、高度10μm，并將導(dǎo)電粒子的排列如圖12所示變更為1：6排列，進(jìn)而將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物變更為平均粒子直徑10μm的金/鎳包覆樹(shù)脂粒子（micropearl、積水化學(xué)工業(yè)（株）），除此以外，通過(guò)重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作，得到總厚30μm的凸點(diǎn)形成用膜。此外，轉(zhuǎn)印體母版中的凸部的密度為34.3個(gè)/mm²。另外，凸部的最接近距離為4.9μm。

實(shí)施例15

從實(shí)施例1，將轉(zhuǎn)印體母版的凸部變更為外徑12μm、高度10μm，并將導(dǎo)電粒子的排列如圖13所示變更為1：20排列，進(jìn)而將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物變更為平均粒子直徑10μm的金/鎳包覆樹(shù)脂粒子（micropearl、積水化學(xué)工業(yè)（株）），除此以外，通過(guò)重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作，得到總厚10μm的凸點(diǎn)形成用膜。這樣通過(guò)使凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物也存在于凸點(diǎn)的外周部，能夠擴(kuò)大膜的粘合工序的偏移的容許范圍。此外，轉(zhuǎn)印體母版中的凸部的密度為114.3個(gè)/mm²。另外，凸部的最接近距離為4.9μm。

實(shí)施例16

從實(shí)施例1，將轉(zhuǎn)印體母版的凸部變更為外徑24μm、高度20μm，并將導(dǎo)電粒子的排列如圖14所示變更為1：2排列，進(jìn)而將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物變更為平均粒子直徑20μm的金/鎳包覆樹(shù)脂粒子（micropearl、積水化學(xué)工業(yè)（株）），并使絕緣性粘接樹(shù)脂膜的厚度為16μm，除此以外，通過(guò)重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作，得到總厚20μm的凸點(diǎn)形成用膜。此外，轉(zhuǎn)印體母版中的凸部的密度為11.4個(gè)/mm²。另外，凸部的最接近距離為9.9μm。

實(shí)施例17

從實(shí)施例1，將轉(zhuǎn)印體母版的凸部變更為外徑24μm、高度20μm，并將導(dǎo)電粒子的排列如圖15所示變更為1：8排列，進(jìn)而將凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物變更為平均粒子直徑20μm的金/鎳包覆樹(shù)脂粒子（micropearl、積水化學(xué)工業(yè)（株）），除此以外，通過(guò)重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例1同樣的操作，得到總厚20μm的凸點(diǎn)形成用膜。這樣通過(guò)使凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物也存在于凸點(diǎn)的外周部，能夠擴(kuò)大膜的粘合工序的偏移的容許范圍。此外，轉(zhuǎn)印體母版中的凸部的密度為45.71個(gè)/mm²。另外，凸部的最接近距離為9.9μm。

（使用實(shí)施例10～17的凸點(diǎn)形成用膜的連接構(gòu)造體的制作）

除了使用實(shí)施例10～15的凸點(diǎn)形成用膜以外，制作了與實(shí)施例1的情況同樣的連接構(gòu)造體。另外，在實(shí)施例16及17的凸點(diǎn)形成用膜的情況下，將成為評(píng)價(jià)對(duì)象的外圍配置的鋁電極焊盤(pán)，變更為縱30μm×橫85μm、85μm間距（焊盤(pán)間間隔55μm）、280端子，除此以外，與實(shí)施例1的情況同樣地制作了連接構(gòu)造體。

與實(shí)施例1的情況同樣地進(jìn)行了實(shí)施例10～17中制作的連接構(gòu)造體的初始導(dǎo)通電阻的評(píng)價(jià)，全部為5ω以下，能夠確認(rèn)實(shí)用上沒(méi)有問(wèn)題。另外，進(jìn)行了在85℃/85％環(huán)境實(shí)驗(yàn)500小時(shí)后的導(dǎo)通可靠性實(shí)驗(yàn)，高溫高濕偏壓實(shí)驗(yàn)后導(dǎo)通電阻值顯示出全部20ω以下的結(jié)果，確認(rèn)了實(shí)用性上沒(méi)有問(wèn)題。另外，全部都沒(méi)有發(fā)生短路。

另外，對(duì)于實(shí)施例10～15的樹(shù)脂膜，分別將厚度變更為20μm，以及對(duì)于實(shí)施例16及17的樹(shù)脂膜，分別將厚度變更為25μm，且將導(dǎo)電粒子壓入膜的一個(gè)面并使之埋沒(méi)，除此以外，分別通過(guò)重復(fù)進(jìn)行與實(shí)施例10～17同樣的操作，制作了凸點(diǎn)形成用膜和連接構(gòu)造體。對(duì)它們分別進(jìn)行了與實(shí)施例10～17同樣的評(píng)價(jià)，能得到與實(shí)施例10～17的情況同樣良好的結(jié)果。

產(chǎn)業(yè)上的可利用性

本發(fā)明的凸點(diǎn)形成用膜在將無(wú)凸點(diǎn)ic芯片等安裝在布線(xiàn)基板時(shí)是有用的。

標(biāo)號(hào)說(shuō)明

1絕緣性粘接樹(shù)脂層；2凸點(diǎn)用導(dǎo)電填充物；6絕緣性粘接蓋層；10、20凸點(diǎn)形成用膜；30鈍化膜；50轉(zhuǎn)印體的凹部；60基底電極；100轉(zhuǎn)印體；200半導(dǎo)體裝置；p電極焊盤(pán)。