技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
根據(jù)本發(fā)明的制造半導(dǎo)體襯底的方法包括：制備包括半導(dǎo)體材料的籽晶襯底(1)的步驟，在籽晶襯底(1)上執(zhí)行離子注入的步驟，由此離子注入層(2)形成為距離籽晶襯底(1)的主表面的表面一定深度；利用氣相合成方法在籽晶襯底(1)的主表面上生長(zhǎng)半導(dǎo)體層(3)的步驟；以及通過(guò)利用光(4)照射半導(dǎo)體層(3)和/或籽晶襯底(1)的主表面的表面的步驟，由此分離包括籽晶襯底的至少一部分(1a)和半導(dǎo)體層(3)的半導(dǎo)體襯底(5)。

技術(shù)研發(fā)人員：西林良樹(shù);仲前一男
受保護(hù)的技術(shù)使用者：住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
技術(shù)研發(fā)日：2016.01.15
技術(shù)公布日：2017.08.29