本文所揭示的實(shí)施例涉及存儲(chǔ)器單元。

背景技術(shù)：

存儲(chǔ)器是一種類型的集成電路，且其用于計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中以存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。可將存儲(chǔ)器制造成個(gè)別存儲(chǔ)器單元的一或多個(gè)陣列?？墒褂脭?shù)字線(其也可稱為位線、數(shù)據(jù)線、感測(cè)線或數(shù)據(jù)/感測(cè)線)及存取線(其也可稱為字線)來對(duì)存儲(chǔ)器單元寫入或從存儲(chǔ)器單元讀取。數(shù)字線可沿陣列的列導(dǎo)電地互連存儲(chǔ)器單元，且存取線可沿陣列的行導(dǎo)電地互連存儲(chǔ)器單元?？赏ㄟ^數(shù)字線與存取線的組合來唯一地尋址每一存儲(chǔ)器單元。

存儲(chǔ)器單元可為易失性或非易失性的。非易失性存儲(chǔ)器單元可在較長(zhǎng)時(shí)間段(其包含關(guān)閉計(jì)算機(jī)時(shí))內(nèi)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器耗散且因此在許多實(shí)例中需要被每秒多次刷新/重寫。無論如何，存儲(chǔ)器單元經(jīng)配置以在至少兩個(gè)不同可選擇狀態(tài)中保存或存儲(chǔ)存儲(chǔ)器。在二進(jìn)制系統(tǒng)中，將狀態(tài)視為“0”或“1”。在其它系統(tǒng)中，至少一些個(gè)別存儲(chǔ)器單元可經(jīng)配置以存儲(chǔ)信息的兩個(gè)以上電平或狀態(tài)。

電容器是可用于存儲(chǔ)器單元中的一種類型的電子組件。電容器具有由電絕緣材料分離的兩個(gè)電導(dǎo)體。作為電場(chǎng)的能量可靜電地存儲(chǔ)于此材料內(nèi)。一種類型的電容器是鐵電電容器，其具有鐵電材料作為絕緣材料的至少部分。鐵電材料的特征在于具有兩個(gè)穩(wěn)定極化狀態(tài)。鐵電材料的極化狀態(tài)可通過施加適合編程電壓來改變且在移除所述編程電壓之后保持(至少達(dá)一段時(shí)間)。每一極化狀態(tài)具有不同于另一極化狀態(tài)的電荷存儲(chǔ)電容，且其可在無需使所述極化狀態(tài)反轉(zhuǎn)的情況下理想地用于寫入(即，存儲(chǔ))及讀取存儲(chǔ)器狀態(tài)，直到期望使此極化狀態(tài)反轉(zhuǎn)。不太令人滿意的是，在具有鐵電電容器的某一存儲(chǔ)器中，讀取存儲(chǔ)器狀態(tài)的動(dòng)作會(huì)使極化反轉(zhuǎn)。因此，在確定極化狀態(tài)之后，進(jìn)行存儲(chǔ)器單元的重寫以在其確定之后使存儲(chǔ)器單元即時(shí)進(jìn)入預(yù)讀取狀態(tài)中。無論如何，并入鐵電電容器的存儲(chǔ)器單元理想地是非易失性的，這歸因于形成電容器的部分的鐵電材料的雙穩(wěn)態(tài)特性。

一種類型的存儲(chǔ)器單元具有與鐵電電容器串聯(lián)電耦合的選擇裝置。即使當(dāng)選擇裝置閑置時(shí)(即，當(dāng)非作用中或“切斷”時(shí))，電流通常通過選擇裝置來泄漏到相鄰襯底材料。這導(dǎo)致鐵電電容器的相鄰電極處的電壓下降，因此在兩個(gè)電容器電極之間產(chǎn)生電壓差。這導(dǎo)致當(dāng)存儲(chǔ)器單元閑置時(shí)跨越鐵電材料來施加電場(chǎng)。即使此電場(chǎng)較小，其也會(huì)使鐵電材料中的個(gè)別偶極開始翻轉(zhuǎn)且一直到所有偶極被翻轉(zhuǎn)，從而擦除存儲(chǔ)器單元的經(jīng)編程狀態(tài)。這可在短時(shí)間內(nèi)發(fā)生，借此破壞或妨礙存儲(chǔ)器單元的非易失性。

附圖說明

圖1是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的示意圖。

圖2是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的部分的示意性截面圖。

圖3是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的部分的示意性截面圖。

圖4是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的部分的示意性截面圖。

圖5是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的部分的示意性截面圖。

圖6是圖5構(gòu)造的存儲(chǔ)器單元的俯視圖。

圖7是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的部分的示意性截面圖。

圖8是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的部分的示意性截面圖。

圖9是根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元的部分的示意性截面圖。

圖10是圖9構(gòu)造的存儲(chǔ)器單元的俯視圖。

具體實(shí)施方式

參考示意圖1來展示及首先描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的存儲(chǔ)器單元10。具有存儲(chǔ)器單元10的集成電路(未展示)可具有相對(duì)于存儲(chǔ)器陣列或子陣列而制造的數(shù)千個(gè)或數(shù)百萬個(gè)此類存儲(chǔ)器單元，且并非為本文的揭示內(nèi)容的特別材料。此類陣列或子陣列可具有多個(gè)存取線及選擇線，其在其之間的交叉處具有個(gè)別存儲(chǔ)器單元10。個(gè)別存儲(chǔ)器單元可被視為包括構(gòu)成個(gè)別存取線及交叉?zhèn)€別選擇線的部分。

存儲(chǔ)器單元10包括選擇裝置12及(例如)由導(dǎo)電(即，電)路徑16來與選擇裝置12串聯(lián)(即，電路)電耦合的電容器14，如所展示。在所描繪的圖式中，電容器14可被視為包括兩個(gè)導(dǎo)電電容器電極18及20，其具有介于其之間的鐵電材料19。在物理上，路徑16可僅為由電容器14及選擇裝置12共享的單個(gè)電極。電容器14包括從電容器電極18或20中的一者穿過鐵電材料19而到另一電容器電極的本征電流(即，電)泄漏路徑。為清楚起見，圖1中將此本征路徑示意性地展示為圍繞鐵電材料19運(yùn)行的路徑22中的虛線。然而，實(shí)際上，路徑22將本征地/固有地穿過鐵電材料19而到電容器電極18及20中的每一者，且介于電容器電極18及20中的每一者之間。本征路徑22將具有某一相對(duì)較高的整體/總電阻(即，電)，當(dāng)裝置14在操作中用作電容器時(shí)，所述電阻被示意性地指示為電阻器24。電阻器24的總電阻將取決于鐵電材料19的組合物、鐵電材料19的厚度，及鐵電材料19內(nèi)的偶極定向。電阻器24可固有地為非線性/可變電阻器，借此其電阻具電壓相依性。

存儲(chǔ)器單元10包括從一個(gè)電容器電極18或20到另一電容器電極的平行(即，電路平行)電流泄漏路徑26。在一個(gè)實(shí)施例中，平行路徑26具有0.4ev到5.0ev的主導(dǎo)帶隙，且在一個(gè)實(shí)施例中，所述主導(dǎo)帶隙小于鐵電材料19的主導(dǎo)帶隙。如果平行路徑26的長(zhǎng)度遠(yuǎn)短于路徑24，那么此主導(dǎo)帶隙可大于鐵電材料19的主導(dǎo)帶隙。無論如何，在一個(gè)實(shí)施例中，平行路徑26具有低于本征路徑22的總電阻的某一總電阻(例如，展示為電阻器28)。僅舉例來說，通過本征泄漏路徑22的總電阻可為1×10¹¹歐姆到1×10¹⁸歐姆，且通過平行泄漏路徑26的總電阻可為1×10⁹歐姆到1×10¹⁷歐姆。

選擇裝置12可為任何現(xiàn)存或待開發(fā)的選擇裝置，其包含多個(gè)裝置。實(shí)例包含二極管、場(chǎng)效應(yīng)晶體管及雙極晶體管。在操作中，當(dāng)存儲(chǔ)器單元閑置時(shí)(即，當(dāng)與存儲(chǔ)器單元10相關(guān)聯(lián)的集成電路在操作上是“接通的”但不發(fā)生存儲(chǔ)器單元10的“讀取”或“寫入”操作時(shí))，選擇裝置12將展現(xiàn)電流泄漏。存在選擇裝置電流泄漏路徑30且將其示意性地展示為圍繞選擇裝置12的虛線，但此路徑將本征地/固有地穿過選擇裝置12或到達(dá)下伏襯底(例如，保持于接地或其它電勢(shì)處)。泄漏路徑30被展示為具有某一總電阻32。在一個(gè)實(shí)施例中，平行路徑26經(jīng)配置，使得存儲(chǔ)器單元10在閑置時(shí)通過其的電流大于或等于存儲(chǔ)器單元10在閑置時(shí)通過路徑30的電流泄漏。此將取決于選擇裝置12、電容器14、平行路徑26的構(gòu)造及材料，且取決于正常操作中的存儲(chǔ)器單元10內(nèi)的各種點(diǎn)處的電壓。理想地且無論如何，此使閑置時(shí)的電極18及20處的電壓彼此相等或至少非常接近(例如，差值在50毫伏特內(nèi))，借此當(dāng)存儲(chǔ)器單元10閑置時(shí)，鐵電材料19內(nèi)不產(chǎn)生電場(chǎng)或產(chǎn)生可忽略的電場(chǎng)。舉例來說且進(jìn)一步來說，閑置時(shí)的跨越電容器的任何電壓差理想地使得鐵電材料19中的任何電場(chǎng)比鐵電場(chǎng)材料19的本征矯頑場(chǎng)低至少20倍。此可排除鐵電材料19內(nèi)的非所期望偶極方向變化。替代地，作為實(shí)例，此可至少減小時(shí)間風(fēng)險(xiǎn)或增加鐵電材料19內(nèi)的非所期望偶極方向變化之前的時(shí)間。

在一個(gè)實(shí)施例中，平行路徑26中的電阻器28是電容器電極18與20之間的非線性電阻器，其在較高電壓(例如，在1到5伏特之間)處展現(xiàn)比較低電壓(例如，小于250毫伏特)處的總電阻高的總電阻。理想地，此非線性電阻器經(jīng)形成以趨向于提供比較低電壓處于閑置時(shí)大的較高電壓“讀取”及“寫入”操作期間的平行路徑26中的電流泄漏的減小量值。

存取線及選擇線(兩者都未展示)可與存儲(chǔ)器單元10相關(guān)聯(lián)。舉例來說，選擇裝置12可為簡(jiǎn)單兩端子二極管或其它兩端子裝置。接著，可使用交叉點(diǎn)狀陣列來構(gòu)造，借此作為電容器電極18的部分的導(dǎo)電路徑11而與存取線或選擇線(未展示)連接，或是存取線或選擇線(未展示)的部分，且作為選擇裝置12的部分的導(dǎo)電路徑13而與存取線或選擇線(未展示)的另一者連接，或是存取線或選擇線(未展示)的另一者的部分。作為替代實(shí)例，選擇裝置12可為場(chǎng)效應(yīng)晶體管。接著，作為實(shí)例，導(dǎo)電路徑11可為共同用于存儲(chǔ)器陣列或子陣列內(nèi)的多個(gè)電容器14(未展示)的電容器單元電極18的部分，組件16可為晶體管的一個(gè)源極/漏極區(qū)域，且組件13可為晶體管的另一源極/漏極區(qū)域。晶體管的源極(未展示)可為存取線(未展示)的部分，且源極/漏極組件13可與感測(cè)線(未展示)的部分連接，或可為感測(cè)線(未展示)的部分。當(dāng)然，可替代地使用其它架構(gòu)及構(gòu)造。

圖2示意性地展示包括電容器14及平行電流泄漏路徑26的存儲(chǔ)器單元10的部分的實(shí)例物理構(gòu)造。在適當(dāng)處，已使用來自上述實(shí)施例的相同元件符號(hào)，其中使用不同元件符號(hào)來指示一些差異。選擇裝置12(未展示)可電耦合到電容器電極18或20中的任一者。材料將位于存儲(chǔ)器單元構(gòu)造10的兩側(cè)、立面內(nèi)及立面外。舉例來說，集成電路的其它部分或全部制造組件可提供于圍繞構(gòu)造10的某一位置處，且并非特別與本文所揭示的發(fā)明密切相關(guān)(除包含任何適合選擇裝置12之外，如圖1示意圖中所展示)。

用于電容器電極18及20的實(shí)例導(dǎo)電材料包含元素金屬、兩種或兩種以上元素金屬的合金、導(dǎo)電金屬化合物及導(dǎo)電摻雜半導(dǎo)電材料中的一或多者。實(shí)例鐵電材料19包含具有過渡金屬氧化物、鋯、氧化鋯、鉿、氧化鉿、鈦酸鋯鉛及鈦酸鍶鋇中的一或多者的鐵電體，且可在其內(nèi)具有包括硅、鋁、鑭、釔、鉺、鈣、鎂、鍶及稀土元素中的一或多者的摻雜物。兩個(gè)具體實(shí)例是hfxsiyoz及hfxzryoz。除非另有指示，否則本文所描述的材料及/或結(jié)構(gòu)中的任何者可為均質(zhì)或非均質(zhì)的，且無論如何，可連續(xù)或不連續(xù)地上覆于任何材料上。此外，除非另有指示，否則可使用任何適合現(xiàn)存或待開發(fā)的技術(shù)(例如原子層沉積、化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積、外延生長(zhǎng)、擴(kuò)散摻雜及離子植入)來形成每一材料。電容器電極18及20中的每一者的實(shí)例厚度是25到300埃，而鐵電材料19的實(shí)例厚度是15到200埃。在本發(fā)明中，將“厚度”本身(非前面的方向形容詞)定義為從不同組合物的緊鄰材料或緊鄰區(qū)域的最接近表面垂直地通過給定材料或區(qū)域的平均直線距離。另外，本文所描述的各種材料可具有基本上恒定厚度或具有可變厚度。如果具有可變厚度，那么除非另有指示，否則厚度是指平均厚度。

平行路徑26被展示為由材料34包圍或位于材料34內(nèi)。實(shí)例材料34包含非晶硅、多晶硅、鍺、硫?qū)倩?例如，金屬二硫?qū)倩?、富硅氮化硅、富硅氧化硅及適當(dāng)?shù)負(fù)诫s有導(dǎo)電性增強(qiáng)摻雜物(例如摻雜有ti、ta、nb、mo、sr、y、cr、hf、zr及鑭系離子的sio2及/或si3n4)的本征電介質(zhì)材料中的一或多者。材料34及借此平行路徑26可主要(即，大于50原子％)包括此類材料。這些材料中的任何者可經(jīng)摻雜或未經(jīng)摻雜以提供在存儲(chǔ)器單元10閑置時(shí)流動(dòng)通過其的電流泄漏的所期望總電阻。在一個(gè)實(shí)施例中，材料34是均質(zhì)的，借此電容器電極18與20之間的平行路徑26是均質(zhì)的。在一個(gè)實(shí)施例中，材料34是非均質(zhì)的，借此電容器電極18與20之間的平行電路是非均質(zhì)的。在其中材料34及借此平行路徑26是非均質(zhì)的實(shí)施例中，平行路徑26可歸因于其內(nèi)的不同組合物材料具有不同帶隙而具有多個(gè)帶隙。然而，平行路徑26將具有可取決于平行路徑26內(nèi)的個(gè)別不同材料的相應(yīng)容量的0.4ev到5.0ev的主導(dǎo)(意味著主控)帶隙。因此且無論如何，“主導(dǎo)”被使用且應(yīng)用于本文，不論特定路徑/材料的均質(zhì)性如何。在一個(gè)實(shí)施例中，鐵電材料19的主導(dǎo)帶隙可低于平行路徑26的主導(dǎo)帶隙。在一個(gè)實(shí)施例中，使平行路徑26的最小長(zhǎng)度長(zhǎng)于鐵電材料19的最小厚度。作為一個(gè)實(shí)例，當(dāng)鐵電材料及平行路徑的主導(dǎo)帶隙大致相同時(shí)，可在平行路徑中的狀態(tài)的密度等于或大于鐵電材料中的狀態(tài)的密度時(shí)使用此長(zhǎng)度關(guān)系。作為另一實(shí)例，當(dāng)鐵電材料的主導(dǎo)帶隙小于平行路徑的主導(dǎo)帶隙時(shí)，可在平行路徑中的狀態(tài)的密度等于或大于鐵電材料中的狀態(tài)的密度時(shí)使用此長(zhǎng)度關(guān)系。

在一個(gè)實(shí)施例中且如圖2中所展示，材料34及借此平行路徑26直接抵靠鐵電材料19。在本發(fā)明中，當(dāng)所陳述的材料或結(jié)構(gòu)相對(duì)于彼此存在至少某一物理觸摸接觸時(shí)，材料或結(jié)構(gòu)“直接抵靠”另一材料或結(jié)構(gòu)。相比來說，前面未加“直接”的“上方”、“上”及“抵靠”涵蓋“直接抵靠”以及其中介入材料或結(jié)構(gòu)導(dǎo)致所陳述的材料或結(jié)構(gòu)相對(duì)于彼此的非物理觸摸接觸的構(gòu)造。如果兩個(gè)所陳述的材料并非直接彼此抵靠，那么具有不同組合物的材料介于其之間。如本文所使用，舉例來說，如果此類材料是非均質(zhì)的，那么“不同組合物”僅需要可直接彼此抵靠的兩個(gè)所陳述材料的部分在化學(xué)上及/或物理上是不同的。如果兩個(gè)所陳述的材料并非直接彼此抵靠，那么“不同組合物”僅需要：如果此類材料是非均質(zhì)的，那么彼此最接近的兩個(gè)所陳述材料的部分在化學(xué)上及/或物理上是不同的。圖3描繪替代實(shí)施例存儲(chǔ)器單元10a，其中平行路徑26并非直接抵靠鐵電材料19a。在適當(dāng)處，已使用來自上述實(shí)施例的相同元件符號(hào)，其中使用后綴“a”或使用不同元件符號(hào)來指示一些構(gòu)造差異。電容器14a被展示為包括間隔于材料34與19a之間的某一材料21(例如電介質(zhì)材料，例如二氧化硅及/或氮化硅)，借此平行路徑26并非直接抵靠鐵電材料19a?？墒褂萌缟衔乃枋龅娜魏纹渌鼘傩曰驑?gòu)造。

圖4展示另一實(shí)例實(shí)施例存儲(chǔ)器單元10b。在適當(dāng)處，已使用來自上述實(shí)施例的相同元件符號(hào)，其中使用后綴“b”或不同元件符號(hào)來指示一些構(gòu)造差異。存儲(chǔ)器單元10b中的材料34b(及借此平行路徑26b)本質(zhì)上被展示為穿過鐵電材料19b，借此構(gòu)成電容器構(gòu)造14b的內(nèi)部部分且具有兩個(gè)橫向側(cè)35(即，在至少一個(gè)直線橫截面中)，兩個(gè)橫向側(cè)35中的每一者直接抵靠鐵電材料19b。可使用如上文所描述的任何其它屬性或構(gòu)造。

平行電流泄漏路徑可具有等于、大于或小于兩個(gè)電容器電極之間的鐵電材料的最小厚度的最小長(zhǎng)度。在一個(gè)實(shí)施例中，平行路徑具有兩個(gè)電容器電極之間的鐵電材料的最小厚度的5％內(nèi)的最小長(zhǎng)度。圖2到4本質(zhì)上將平行路徑26展示為具有基本上等于鐵電材料19/19a/19b的最小厚度的最小長(zhǎng)度。舉例來說，即使在圖2及圖3實(shí)施例中，穿過材料34的最短路徑(例如最小長(zhǎng)度)是從電容器電極18的材料的最右下角到電極20的材料的最右上角，但為清楚起見，圖2及3中將平行路徑26示意性地展示為穿過材料34的寬拱形路徑。在一些實(shí)施例中，平行路徑可具有大于兩個(gè)電容器電極之間的鐵電材料的最小厚度的最小長(zhǎng)度，在一個(gè)實(shí)施例中，其在兩個(gè)電容器電極之間的鐵電材料的最小厚度的30％內(nèi)，且在一個(gè)實(shí)施例中，其是兩個(gè)電容器電極之間的鐵電材料的最小厚度的至少兩倍。

圖5及6中展示另一實(shí)例實(shí)施例存儲(chǔ)器單元10c。在適當(dāng)處，已使用來自上述實(shí)施例的相同元件符號(hào)，其中使用后綴“c”或使用不同元件符號(hào)來指示一些構(gòu)造差異。電容器14c包括第一導(dǎo)電電容器電極20c，其具有基底40及從基底40延伸的橫向間隔(即，在至少一個(gè)直線橫截面中)壁42。橫向間隔壁42具有對(duì)向側(cè)表面43。第二導(dǎo)電電容器電極18c橫向地介于第一電容器電極20c的壁42之間。鐵電材料19c橫向地介于第一電容器電極20c的壁42之間，且橫向地介于第二電容器電極18c與第一電容器電極20c之間。在一個(gè)實(shí)施例中，鐵電材料19c包括具有側(cè)表面44的橫向間隔壁45(圖5)。電容器14c包括從第一電容器電極20c及第二電容器電極18c中的一者穿過鐵電材料19c而到另一電容器電極的本征電流泄漏路徑22。

平行電流泄漏路徑26c介于第二電容器電極18c與第一電容器電極20c的基底40的表面41之間。平行路徑26電路平行于本征路徑22且具有比本征路徑22低的總電阻。在一個(gè)實(shí)施例中，平行路徑26c在具有0.4ev到5.0ev的主導(dǎo)帶隙的材料34c內(nèi)且穿過材料34c，且在一個(gè)實(shí)施例中，其帶隙小于鐵電材料19c的帶隙。圖5展示實(shí)例實(shí)施例，其中平行路徑26c的最小長(zhǎng)度比鐵電材料19c的最小厚度大兩倍。在一個(gè)實(shí)施例中，材料34c直接抵靠第一電容器電極42的基底40的表面41。在一個(gè)實(shí)施例中，材料34c直接抵靠鐵電材料19c的橫向間隔壁45的側(cè)表面44。選擇裝置12(未展示)將與電容器14c串聯(lián)電耦合，具體來說，與第一電容器電極20c或第二電容器電極18c中的一者串聯(lián)電耦合。在一個(gè)實(shí)施例中且如所展示，材料34c并非直接抵靠第一電容器電極20c的橫向間隔壁42的側(cè)表面43。在一個(gè)實(shí)施例中且如所展示，第一電容器電極20c包括環(huán)形物48，且在一個(gè)實(shí)施例中，鐵電材料19c包括環(huán)形物50?？墒褂萌缟衔乃枋龅娜魏纹渌鼘傩曰驑?gòu)造。

任何適合技術(shù)均可用于制造圖5及6構(gòu)造。作為實(shí)例，可形成第一電容器電極20c及鐵電材料19c作為電介質(zhì)材料(未展示)中的開口內(nèi)的相應(yīng)襯層。接著，可使鐵電材料19c各向異性地蝕刻穿過第一電容器電極20c的基底以產(chǎn)生如圖5中所展示的材料19c構(gòu)造。接著，材料34c可經(jīng)沉積且經(jīng)回蝕以產(chǎn)生如圖5中所展示的其構(gòu)造，接著沉積且回拋或回蝕材料18c。

圖7描繪由圖5及6展示的存儲(chǔ)器單元的替代實(shí)施例存儲(chǔ)器單元10d。在適當(dāng)處，已使用來自上述實(shí)施例的相同元件符號(hào)，其中使用后綴“d”或使用不同元件符號(hào)來指示一些構(gòu)造差異。鐵電材料19d具有橫向間隔壁45從其延伸的基底54。材料34d延伸穿過鐵電材料19d的基底54。在一個(gè)實(shí)施例中且如所展示，材料34d并非直接抵靠鐵電材料19d的橫向間隔壁45的橫向側(cè)表面44。選擇裝置12(未展示)將與電容器14d串聯(lián)電耦合，具體來說，電耦合到電容器電極18d或20c中的一者。當(dāng)然，任何適合技術(shù)可用于制造圖7構(gòu)造。舉例來說，可形成第一電容器電極20c及鐵電材料19d作為電介質(zhì)材料(未展示)中的開口內(nèi)的相應(yīng)襯層。接著，可首先形成材料18d作為剩余開口內(nèi)的襯層，其具有鐵電材料19d作為其側(cè)壁且留下具有等于材料34d的橫向?qū)挾鹊臋M向?qū)挾鹊目障犊臻g。接著，可使材料18d襯層各向異性地蝕刻穿過鐵電材料19d的基底。此接著蝕刻穿過鐵電材料19d的基底而到材料20c以產(chǎn)生圖7中所展示的材料19d的最終構(gòu)造。接著，材料34d可經(jīng)沉積且經(jīng)回蝕以產(chǎn)生其最終構(gòu)造，接著沉積且回拋或回蝕剩余材料18d?？墒褂萌缟衔乃枋龅娜魏纹渌鼘傩曰驑?gòu)造。

圖8中展示另一實(shí)施例存儲(chǔ)器單元10e。在適當(dāng)處，已使用來自上述實(shí)施例的相同元件符號(hào)，其中使用后綴“e”或使用不同元件符號(hào)來指示一些構(gòu)造差異。不論是否具有基底40，第一電容器電極20c具有橫向間隔壁42。材料34e內(nèi)的平行電流泄漏路徑26e介于第二電容器電極18c與第一電容器電極20c的橫向間隔壁42的表面60之間。在一個(gè)實(shí)施例中且如所展示，表面60包括第一電容器電極20c的橫向間隔壁42的橫向側(cè)表面。無論如何，在一個(gè)實(shí)施例中且如所展示，材料34e直接抵靠第一電容器電極20c的壁42的表面60。在其中第一電容器電極20c具有基底40(橫向間隔壁42從其延伸)的一個(gè)實(shí)施例中，材料34e可直接抵靠第一電容器電極20c的基底40的表面61。選擇裝置12(未展示)將與電容器14e串聯(lián)電耦合，具體來說，電耦合到電容器電極18c或20c中的一者。當(dāng)然，任何適合技術(shù)可用于制造圖8構(gòu)造。舉例來說，可形成第一電容器電極20c作為電介質(zhì)材料(未展示)中的開口內(nèi)的襯層。接著，材料34e可經(jīng)沉積且經(jīng)回蝕以產(chǎn)生其構(gòu)造，如圖8中所展示。此可接著沉積鐵電材料19e作為剩余開口內(nèi)的襯層且隨后使其各向異性地蝕刻穿過材料19e的基底。接著，可沉積材料18c且將其回拋或回蝕成其所描繪的最終構(gòu)造?？墒褂萌缟衔乃枋龅娜魏纹渌鼘傩曰驑?gòu)造。

圖9及10中展示另一實(shí)施例存儲(chǔ)器單元10f。在適當(dāng)處，已使用來自上述實(shí)施例的相同元件符號(hào)，其中使用后綴“f”或使用不同元件符號(hào)來指示一些構(gòu)造差異。存儲(chǔ)器單元10f與存儲(chǔ)器單元10e的相近類似點(diǎn)在于：平行電流泄漏路徑26f介于第二電容器電極18f與第一電容器電極20c的橫向間隔壁42的表面之間。然而，在存儲(chǔ)器單元10f中，此表面包括第一電容器電極20c的橫向間隔壁42的立向最外表面65。此外，在一個(gè)實(shí)施例中且如所展示，材料34f直接抵靠鐵電材料19f的立向最外表面66。此外，在一個(gè)實(shí)施例中且如所展示，材料34f包括環(huán)狀物70。當(dāng)然，任何適合技術(shù)可用于制造圖9及10構(gòu)造。舉例來說，可形成第一電容器電極20c及鐵電材料19f作為電介質(zhì)材料(未展示)中的開口內(nèi)的相應(yīng)襯層。接著，材料18f可經(jīng)沉積以填充具有鐵電材料19f作為其側(cè)壁的剩余開口。接著，可將材料20c、19f及18f共同回蝕或回拋到表面65及66的高度。接著，可沉積材料34f作為剩余開口內(nèi)的襯層且隨后使材料34f各向異性地蝕刻穿過其基底以產(chǎn)生如圖9及10中所展示的其最終構(gòu)造。接著，可沉積剩余材料18f且將回拋或回蝕成其所描繪的最終構(gòu)造。可使用如上文所描述的任何其它屬性或構(gòu)造。

在一個(gè)實(shí)施例中，存儲(chǔ)器單元(例如10e或10f)具有包括環(huán)形物48的第一電容器電極20c。第二電容器電極18c/18f徑向地位于第一電容器電極20c的環(huán)形物48內(nèi)。鐵電材料19e/19f徑向地位于第一電容器電極20c的環(huán)形物48內(nèi)。電容器14e/14f包括從第一及第二電容器電極中的一者穿過鐵電材料19e/19f而到另一電容器電極的本征電流泄漏路徑22。平行電流泄漏路徑26e/26f介于第二電容器電極18c/18f與第一電容器電極20c的環(huán)形物48的表面之間。平行路徑26e/26f電路平行于本征路徑22且具有比本征路徑22低的總電阻。

在一個(gè)實(shí)施例中，材料34f包括環(huán)形物70。在一個(gè)實(shí)施例中，材料34f直接抵靠環(huán)形物48的立向最外表面65。在一個(gè)實(shí)施例中，鐵電材料19f包括環(huán)形物50f，且材料34f直接抵靠環(huán)形物50f的立向最外表面66?？墒褂萌缟衔乃枋龅娜魏纹渌鼘傩曰驑?gòu)造。

總結(jié)

在一些實(shí)施例中，一種存儲(chǔ)器單元包括選擇裝置及與所述選擇裝置串聯(lián)電耦合的電容器。所述電容器包括兩個(gè)導(dǎo)電電容器電極，其具有介于其之間的鐵電材料。所述電容器包括從所述電容器電極中的一者穿過所述鐵電材料而到另一電容器電極的本征電流泄漏路徑。存在從所述電容器電極到所述另一電容器電極的平行電流泄漏路徑。所述平行電流泄漏路徑電路平行于所述本征路徑且具有比所述本征路徑低的總電阻。

在一些實(shí)施例中，一種存儲(chǔ)器單元包括選擇裝置及與所述選擇裝置串聯(lián)電耦合的電容器。所述電容器包括兩個(gè)導(dǎo)電電容器電極，其具有介于其之間的鐵電材料。所述電容器包括從所述電容器電極中的一者穿過所述鐵電材料而到另一電容器電極的本征電流泄漏路徑。存在從所述電容器電極到所述另一電容器電極的平行電流泄漏路徑。所述平行電流泄漏路徑電路平行于所述本征路徑且具有0.4ev到5.0ev的主導(dǎo)帶隙。

在一些實(shí)施例中，一種存儲(chǔ)器單元包括選擇裝置及與所述選擇裝置串聯(lián)電耦合的電容器。所述電容器包括具有基底及從所述基底延伸的橫向間隔壁的第一導(dǎo)電電容器電極。第二導(dǎo)電電容器電極橫向地介于所述第一電容器電極的所述壁之間。鐵電材料橫向地介于所述第一電容器電極的所述壁之間且橫向地介于所述第二電容器電極與所述第一電容器電極之間。所述電容器包括從所述第一電容器電極及所述第二電容器電極中的一者穿過所述鐵電材料而到另一電容器電極的本征電流泄漏路徑。在所述第二電容器電極與所述第一電容器電極的所述基底的表面之間存在平行電流泄漏路徑。所述平行電流泄漏路徑電路平行于所述本征路徑且具有比所述本征路徑低的總電阻。

在一些實(shí)施例中，一種存儲(chǔ)器單元包括選擇裝置及與所述選擇裝置串聯(lián)電耦合的電容器。所述電容器包括具有橫向間隔壁的第一導(dǎo)電電容器電極。第二導(dǎo)電電容器電極橫向地介于所述第一電容器電極的所述壁之間。鐵電材料橫向地介于第一電容器電極的所述壁之間且橫向地介于所述第二電容器電極與所述第一電容器電極之間。所述電容器包括從所述第一電容器電極及所述第二電容器電極中的一者穿過所述鐵電材料而到另一電容器電極的本征電流泄漏路徑。在所述第二電容器電極與所述第一電容器電極的所述橫向間隔壁的表面之間存在平行電流泄漏路徑。所述平行電流泄漏路徑電路平行于所述本征路徑且具有比所述本征路徑低的總電阻。

在一些實(shí)施例中，一種存儲(chǔ)器單元包括選擇裝置及與所述選擇裝置串聯(lián)電耦合的電容器。所述電容器包括第一導(dǎo)電電容器電極，其包括環(huán)形物。第二導(dǎo)電電容器電極徑向地位于所述第一電容器電極的所述環(huán)形物內(nèi)。鐵電材料徑向地位于所述第二電容器電極與所述第一電容器電極之間的所述第一電容器電極的所述環(huán)形物內(nèi)。所述電容器包括從所述第一電容器電極及所述第二電容器電極中的一者穿過所述鐵電材料而到另一電容器電極的本征電流泄漏路徑。在所述第二電容器電極與所述第一電容器電極的所述環(huán)狀物的表面之間存在平行電流泄漏路徑。所述平行電流泄漏路徑電路平行于所述本征路徑且具有比所述本征路徑低的總電阻。

在遵守法規(guī)的情況下，已用或多或少專針對(duì)結(jié)構(gòu)及方法特征的語言描述本文所揭示的標(biāo)的物。然而，應(yīng)了解，權(quán)利要求書不受限于所展示及所描述的特定特征，這是因?yàn)楸疚乃沂镜臉?gòu)件包括實(shí)例實(shí)施例。因此，權(quán)利要求書應(yīng)被給予如字面措詞的全范圍且應(yīng)根據(jù)等效物的教義來適當(dāng)?shù)丶右越忉尅?/p>