本發(fā)明涉及根據(jù)專利權(quán)利要求1的用于制造電子組件的方法。

該專利申請(qǐng)要求享有德國(guó)專利申請(qǐng)de102015102300.8的優(yōu)先權(quán)，其公開(kāi)內(nèi)容據(jù)此通過(guò)引用被并入。

背景技術(shù)：

在電子組件的制造期間，通常施加電氣絕緣的鈍化層，并且在后續(xù)過(guò)程步驟期間在預(yù)定位置處將它們?cè)俅未蜷_(kāi)。已知各種方法用于該目的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是規(guī)定一種用于制造電子組件的方法。該目的借助于包括權(quán)利要求1的特征的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。各種發(fā)展在從屬權(quán)利要求中規(guī)定。

一種用于制造電子組件的方法包括用于以下的步驟：提供包括第一區(qū)和鄰接第一區(qū)的第二區(qū)的表面；在表面的第一區(qū)上方布置犧牲層；在犧牲層和表面的第二區(qū)上方布置鈍化層；在表面的第一區(qū)上方的鈍化層中創(chuàng)建開(kāi)口；以及移除布置在第一區(qū)上方的鈍化層的部分和犧牲層。

該方法提供以下優(yōu)點(diǎn)：鈍化層中的開(kāi)口不需要以高精度關(guān)于表面的第一區(qū)居中或?qū)?zhǔn)。作為結(jié)果，該方法可簡(jiǎn)單、成本有效和快速地實(shí)施。根據(jù)本發(fā)明憑借以下事實(shí)使在鈍化層中定位開(kāi)口所要求的低精度是可能的：表面的第一區(qū)的精確位置由犧牲層的位置而不是由鈍化層中的開(kāi)口的位置限定。通過(guò)鈍化層中的開(kāi)口，僅僅必要的是提供到犧牲層的接入，以便能夠移除犧牲層。

鈍化層被創(chuàng)建具有小于第一區(qū)的開(kāi)口區(qū)域。這有利地使得以下是可能的：即使開(kāi)口在鈍化層中的定位以相對(duì)低的精度實(shí)施，也以簡(jiǎn)單的方式確保鈍化層中的開(kāi)口完全布置在表面的第一區(qū)上方。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，在鈍化層中創(chuàng)建開(kāi)口包括用于以下的步驟：在鈍化層上方布置光致抗蝕劑層，在表面的第一區(qū)上方的光致抗蝕劑層中創(chuàng)建開(kāi)口，以及移除布置在光致抗蝕劑層中的開(kāi)口下方的鈍化層的部分。在這種情況下，該方法附加地包括用于移除光致抗蝕劑的另外的步驟。由于在鈍化層中創(chuàng)建開(kāi)口不需要在開(kāi)口在鈍化層中的定位期間以非常高的精度實(shí)施，因此光致抗蝕劑層中的開(kāi)口也可以在定位期間以不非常高的精度創(chuàng)建。這有利地使得以簡(jiǎn)單、快速和成本有效的方式實(shí)施該方法是可能的。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，在布置犧牲層之前，將導(dǎo)電層布置在表面的第一區(qū)上方或表面的第一區(qū)和第二區(qū)上方。導(dǎo)電層可以例如充當(dāng)通過(guò)其來(lái)電氣接觸可由該方法獲得的電子組件的組成部分的電氣接觸件。有利地，使得導(dǎo)電層通過(guò)借助于該方法在表面的第一區(qū)上方創(chuàng)建的鈍化層中的開(kāi)口可接入。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，在布置鈍化層之前，移除第二區(qū)中的表面的一部分。作為結(jié)果，在表面的第二區(qū)上方升高的表面的區(qū)可以保留在表面的第一區(qū)中。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，表面是半導(dǎo)體主體的表面。在這種情況下，半導(dǎo)體主體可以包括例如集成光電子電路或組成部分。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，激光組件的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)在表面的第一區(qū)中形成。該方法有利地使得以下是可能的：在激光部件的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)上方以高精度布置鈍化層和鈍化層中的開(kāi)口，使得激光組件的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的側(cè)壁被鈍化層覆蓋，并且鈍化層中的開(kāi)口布置在激光組件的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的頂側(cè)上方，作為其結(jié)果，使得激光組件的電氣接觸是可能的。在這種情況下，雖然鈍化層中的開(kāi)口最初僅需要以不非常高的精度關(guān)于表面的第一區(qū)對(duì)準(zhǔn)，但是該方法導(dǎo)致鈍化層和鈍化層中的開(kāi)口關(guān)于激光組件的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的精確對(duì)準(zhǔn)。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，在布置鈍化層之前，在犧牲層上方布置覆蓋層。在這種情況下，在鈍化層中創(chuàng)建開(kāi)口之后，還移除布置在鈍化層中的開(kāi)口下方的覆蓋層的部分。覆蓋層可以有利地在電子組件的制造期間執(zhí)行另外的任務(wù)。舉例來(lái)說(shuō)，覆蓋層可以在電子組件的制造期間充當(dāng)蝕刻掩模。而且，覆蓋層可以促進(jìn)在鈍化層中創(chuàng)建開(kāi)口，而不在該過(guò)程中損壞可能布置在表面上的導(dǎo)電層。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，在布置鈍化層之前，移除犧牲層的一部分。在這種情況下，舉例來(lái)說(shuō)，可以溶解布置在覆蓋層下方的犧牲層的一部分。然后可以有利地通過(guò)鈍化層來(lái)填充作為溶解犧牲層的所述部分的結(jié)果而產(chǎn)生的自由空間。作為結(jié)果，鈍化層可以形成布置在犧牲層下方的層的頂側(cè)上（例如，布置在犧牲層下方的導(dǎo)電層的頂側(cè)上）的圓周環(huán)。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，覆蓋層由包括sio2、sin、tiwn、光致抗蝕劑或金屬的材料創(chuàng)建。有利地，已經(jīng)證明這些材料是合適的。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，犧牲層還布置在表面中的第三區(qū)上方，所述第三區(qū)與第一區(qū)間隔開(kāi)。在這種情況下，鈍化層還布置在表面中的第三區(qū)上方。然而，在表面的第三區(qū)上方，在鈍化層中不創(chuàng)建開(kāi)口。這使得在表面的第三區(qū)上方形成升高的結(jié)構(gòu)是可能的，所述第三區(qū)與第一區(qū)間隔開(kāi)，所述升高的結(jié)構(gòu)被鈍化層覆蓋。在可通過(guò)該方法獲得的電子組件的情況下，所述升高的結(jié)構(gòu)可以例如充當(dāng)機(jī)械支撐結(jié)構(gòu)和/或充當(dāng)機(jī)械停止件以用于保護(hù)可通過(guò)該方法獲得的電子組件的組成部分，所述組成部分形成在表面的第一區(qū)中。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，犧牲層由包括zno、al2o3、tiwn、sio或光致抗蝕劑的材料創(chuàng)建。有利地，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，包括這樣的材料的犧牲層相對(duì)于可用于在鈍化層中創(chuàng)建開(kāi)口的干法蝕刻過(guò)程是穩(wěn)定的，并且同時(shí)可通過(guò)濕法化學(xué)蝕刻過(guò)程容易地蝕刻，這實(shí)現(xiàn)犧牲層的簡(jiǎn)單移除。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，犧牲層被創(chuàng)建具有10nm和1μm之間的厚度，優(yōu)選地被創(chuàng)建具有50nm和500nm之間的厚度。這有利地使得利用鈍化層可靠地覆蓋犧牲層是可能的。同時(shí)，犧牲層的這樣的厚度使得在該方法期間可靠地移除犧牲層是可能的。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，鈍化層借助于氣相沉積方法創(chuàng)建，特別地借助于化學(xué)氣相沉積或借助于原子層沉積創(chuàng)建。這些方法有利地使得以良好的二次模塑創(chuàng)建鈍化層是可能的，作為其結(jié)果，實(shí)現(xiàn)通過(guò)鈍化層對(duì)較深層的可靠覆蓋。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，鈍化層由包括sin、sio、tao、zro、alo或ito的材料創(chuàng)建。在這種情況下，ito表示氧化銦錫。有利地，這樣的材料在其沉積期間提供良好的二次模塑，特別是豎直或傾斜表面的良好二次模塑。而且，包括這樣的材料的鈍化層可以通過(guò)干法化學(xué)蝕刻過(guò)程而良好地蝕刻，并且同時(shí)相對(duì)于諸如可以用于移除犧牲層的濕法化學(xué)蝕刻過(guò)程是穩(wěn)定的。而且，包括這樣的材料的鈍化層提供良好的電氣絕緣和低的光學(xué)吸收。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，鈍化層被創(chuàng)建具有1nm和10μm之間的厚度，優(yōu)選地被創(chuàng)建具有10nm和2μm之間的厚度。有利地，已經(jīng)證明這種厚度的鈍化層是權(quán)宜的。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，移除鈍化層的部分通過(guò)干法化學(xué)蝕刻，特別地使用氟、氯或氬來(lái)實(shí)施。有利地，這樣的蝕刻方法實(shí)現(xiàn)鈍化層的簡(jiǎn)單蝕刻，其中犧牲層僅在小的程度上受到攻擊。

在該方法的一個(gè)實(shí)施例中，移除犧牲層通過(guò)濕法化學(xué)蝕刻，特別地使用hcl或koh來(lái)實(shí)施。有利地，這樣的蝕刻方法實(shí)現(xiàn)犧牲層的可靠蝕刻，其中鈍化層僅在小的程度上受到攻擊。

附圖說(shuō)明

結(jié)合示例性實(shí)施例的以下描述，該發(fā)明的以上描述的性質(zhì)、特征和優(yōu)點(diǎn)以及實(shí)現(xiàn)它們所用的方式將變得更清楚和被更清楚地理解，結(jié)合附圖更詳細(xì)地解釋所述示例性實(shí)施例。在此，在每一種情況下的示意性圖示中：

圖1示出具有布置在其表面的第一區(qū)上方的犧牲層的半導(dǎo)體主體的截面?zhèn)纫晥D；

圖2示出具有布置在犧牲層和表面的第二區(qū)上方的鈍化層的半導(dǎo)體主體；

圖3示出具有布置在鈍化層上方的光致抗蝕劑層的半導(dǎo)體主體，所述光致抗蝕劑層包括第一區(qū)上方的開(kāi)口；

圖4示出具有在鈍化層中創(chuàng)建的開(kāi)口的半導(dǎo)體主體；

圖5示出在溶解犧牲層的過(guò)程之后的半導(dǎo)體主體；

圖6示出在移除光致抗蝕劑層的過(guò)程之后由半導(dǎo)體主體制造的電子組件的截面?zhèn)纫晥D；

圖7示出具有布置在其表面的第一區(qū)上方的導(dǎo)電層并且具有布置在導(dǎo)電層上方的犧牲層的半導(dǎo)體主體的截面?zhèn)纫晥D；

圖8示出在施加鈍化層和光致抗蝕劑層的過(guò)程以及在光致抗蝕劑層和鈍化層中創(chuàng)建開(kāi)口的過(guò)程之后的半導(dǎo)體主體；

圖9示出在溶解犧牲層的過(guò)程之后的半導(dǎo)體主體；

圖10示出在剝離光致抗蝕劑層的過(guò)程之后由半導(dǎo)體主體形成的電子組件的一部分的截面?zhèn)纫晥D；

圖11示出在移除光致抗蝕劑層的過(guò)程之后但在溶解犧牲層的過(guò)程之前的具有布置在犧牲層上方的鈍化層的半導(dǎo)體主體的截面?zhèn)纫晥D；

圖12示出具有布置在其表面上方的導(dǎo)電層并且具有布置在導(dǎo)電層上方的第一區(qū)中的犧牲層的半導(dǎo)體主體的截面?zhèn)纫晥D；

圖13示出在施加鈍化層和光致抗蝕劑層的過(guò)程以及在光致抗蝕劑層和鈍化層中創(chuàng)建開(kāi)口的過(guò)程之后的半導(dǎo)體主體的截面?zhèn)纫晥D；

圖14示出在溶解犧牲層的過(guò)程和移除光致抗蝕劑層的過(guò)程之后由半導(dǎo)體主體形成的電子組件的示意性截面?zhèn)纫晥D；

圖15示出具有布置在其表面的第一區(qū)上方的層堆疊的半導(dǎo)體主體的示意性側(cè)視圖，所述層堆疊包括導(dǎo)電層、犧牲層和覆蓋層；

圖16示出在施加鈍化層和光致抗蝕劑層的過(guò)程以及在光致抗蝕劑層和鈍化層中創(chuàng)建開(kāi)口的過(guò)程之后的半導(dǎo)體主體；

圖17示出在溶解犧牲層的過(guò)程之后的半導(dǎo)體主體；

圖18示出在移除光致抗蝕劑層的過(guò)程之后由半導(dǎo)體主體形成的電子組件的截面?zhèn)纫晥D；

圖19示出具有布置在其表面的第一區(qū)上方的層堆疊的半導(dǎo)體主體的示意性側(cè)視圖，所述層堆疊包括導(dǎo)電層、犧牲層和覆蓋層；

圖20示出在移除第二區(qū)中的半導(dǎo)體主體的一部分的過(guò)程之后的半導(dǎo)體主體；

圖21示出在施加鈍化層和光致抗蝕劑層的過(guò)程以及在光致抗蝕劑層中創(chuàng)建開(kāi)口的過(guò)程之后的半導(dǎo)體主體；

圖22示出在鈍化層中創(chuàng)建開(kāi)口的過(guò)程和溶解犧牲層的過(guò)程之后的半導(dǎo)體主體；

圖23示出在移除光致抗蝕劑層的過(guò)程之后由半導(dǎo)體主體形成的電子組件的截面?zhèn)纫晥D；

圖24示出在移除犧牲層的一部分的過(guò)程之后，具有布置在其表面的第一區(qū)上方的層堆疊的半導(dǎo)體主體的示意性側(cè)視圖，所述層堆疊包括導(dǎo)電層、犧牲層和覆蓋層；

圖25示出在施加鈍化層和光致抗蝕劑層的過(guò)程和在光致抗蝕劑層中創(chuàng)建開(kāi)口的過(guò)程之后的半導(dǎo)體主體；

圖26示出在鈍化層和覆蓋層中創(chuàng)建開(kāi)口的過(guò)程和溶解犧牲層的過(guò)程之后的半導(dǎo)體主體；

圖27示出在移除光致抗蝕劑層的過(guò)程之后由半導(dǎo)體主體形成的電子組件的截面?zhèn)纫晥D；

圖28示出其中層堆疊分別布置在表面的第一區(qū)和第三區(qū)上方的半導(dǎo)體主體的截面?zhèn)纫晥D；

圖29示出在施加鈍化層的過(guò)程之后的半導(dǎo)體主體；

圖30示出在施加光致抗蝕劑層的過(guò)程以及在半導(dǎo)體主體的表面的第一區(qū)上方的光致抗蝕劑層中創(chuàng)建開(kāi)口的過(guò)程之后的層堆疊；

圖31示出在鈍化層中創(chuàng)建開(kāi)口的過(guò)程以及溶解半導(dǎo)體主體的表面的第一區(qū)上方的犧牲層的過(guò)程之后的半導(dǎo)體主體；以及

圖32示出在移除光致抗蝕劑層的過(guò)程之后由半導(dǎo)體主體形成的電子組件的截面?zhèn)纫晥D。

具體實(shí)施方式

圖1示出半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。半導(dǎo)體主體100可以例如配置為晶片，并且可以包括例如不同半導(dǎo)體材料和/或集成電子組成部分或電路的層序列。半導(dǎo)體主體100可以被提供例如用于制造光電子組件，特別地例如用于制造激光組件。

半導(dǎo)體主體100包括表面101。半導(dǎo)體主體100的表面101包括第一區(qū)110和鄰接第一區(qū)110的第二區(qū)120。在圖1中示意性地圖示的示例中，表面101的第一區(qū)110以孤立的方式進(jìn)行配置并且由第二區(qū)120圍封。然而，第一區(qū)110還可以例如以條帶形方式進(jìn)行配置并且由兩側(cè)的第二區(qū)120定界。

犧牲層200已經(jīng)被布置在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方。在這種情況下，犧牲層200覆蓋表面101的整個(gè)第一區(qū)110，但不覆蓋第二區(qū)120。作為結(jié)果，犧牲層200限定第一區(qū)110。表面101的第一區(qū)110是被犧牲層200覆蓋的半導(dǎo)體主體100的表面101的那個(gè)區(qū)。

犧牲層200包括可以借助于濕法化學(xué)蝕刻方法在稍后的處理步驟中被溶解的材料。犧牲層200可以包括例如包括zno、al2o3、tiwn、sio或光致抗蝕劑的材料。然而，其他材料也是可能的。犧牲層200可以已經(jīng)例如通過(guò)光刻方法或借助于蔭罩而被施加在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上。犧牲層200包括垂直于半導(dǎo)體主體100的表面101測(cè)量的厚度201。厚度201可以例如在10nm和1μm之間，特別地例如在50nm和500nm之間。

圖2示出在時(shí)間上繼圖1中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

鈍化層300已經(jīng)被布置在犧牲層200上方和半導(dǎo)體主體100的表面101的第二區(qū)120上方。鈍化層300完全覆蓋犧牲層200和表面101的第二區(qū)120，并且還覆蓋在犧牲層200的邊緣處形成的臺(tái)階。為此目的，通過(guò)展現(xiàn)出良好的二次模塑的沉積方法例如通過(guò)氣相沉積，特別地例如通過(guò)化學(xué)氣相沉積或通過(guò)原子層沉積來(lái)施加鈍化層300。

鈍化層300包括電氣絕緣材料。如果半導(dǎo)體主體100被提供用于制造光電子組件，則可以選擇鈍化層300的材料以使得其包括低光學(xué)吸收。而且，選擇鈍化層300的材料以使得其可以通過(guò)干法化學(xué)蝕刻方法而在隨后的處理步驟中很好地溶解，但是相對(duì)于用于溶解犧牲層200的濕法化學(xué)蝕刻方法是穩(wěn)定的。鈍化層可以包括例如包含sin、sio、tao、zro、alo或ito（氧化銦錫）的材料。

鈍化層300包括垂直于半導(dǎo)體主體100的表面101測(cè)量的厚度301。厚度301可以例如在1nm和10μm之間，特別地例如在10nm和2μm之間。如果鈍化層300的厚度301不超過(guò)犧牲層200的厚度201的十倍則是權(quán)宜的。

圖3示出在時(shí)間上繼圖2中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

光致抗蝕劑層400已經(jīng)被布置在鈍化層300上方。此后，光致抗蝕劑層400中的開(kāi)口410已經(jīng)在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方創(chuàng)建。鈍化層300的部分310暴露在光致抗蝕劑層400中的開(kāi)口410中。

在光致抗蝕劑層400中創(chuàng)建的開(kāi)口410包括小于半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110的面積的開(kāi)口面積。布置在光致抗蝕劑層400中的開(kāi)口410被布置在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方，但不需要關(guān)于第一區(qū)110的邊界對(duì)準(zhǔn)或者在第一區(qū)110的中心上方居中。舉例來(lái)說(shuō)，光致抗蝕劑層400的開(kāi)口410的邊緣可以在與半導(dǎo)體主體100的表面101平行的方向上與半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110的邊緣間隔開(kāi)近似10μm。這使得以下是可能的：通過(guò)可簡(jiǎn)單、快速且成本有效地實(shí)施并且與相對(duì)大的對(duì)準(zhǔn)容差相關(guān)聯(lián)的方法在光致抗蝕劑層400中創(chuàng)建開(kāi)口410。

圖4示出在時(shí)間上繼圖3中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

鈍化層300中的開(kāi)口311已經(jīng)在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方創(chuàng)建。為此目的，暴露在光致抗蝕劑層400的開(kāi)口410中的鈍化層300的部分310已經(jīng)通過(guò)光致抗蝕劑層400的開(kāi)口410移除。在這種情況下，犧牲層200的部分210暴露在鈍化層300中的開(kāi)口311的底部處。

在鈍化層300中創(chuàng)建開(kāi)口311通過(guò)干法化學(xué)蝕刻，特別地使用氟、氯或氬來(lái)實(shí)施。在這種情況下，沒(méi)有暴露在光致抗蝕劑層400中的開(kāi)口410中的鈍化層300的部分受到光致抗蝕劑層400保護(hù)以防蝕刻。干法化學(xué)蝕刻以使得犧牲層200基本上沒(méi)有受到攻擊這樣的方式來(lái)實(shí)施。優(yōu)選地，犧牲層200包括比鈍化層300的材料相對(duì)于干法化學(xué)蝕刻方法更加蝕刻穩(wěn)定的材料。

在鈍化層300中創(chuàng)建的開(kāi)口311包括可以近似對(duì)應(yīng)于光致抗蝕劑層400中的開(kāi)口410的開(kāi)口面積的開(kāi)口面積312，并且因此小于半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110的面積，并且因此還小于犧牲層200的面積。

在參照?qǐng)D3和圖4解釋的方法步驟中，將具有布置在光致抗蝕劑層400中的開(kāi)口410的光致抗蝕劑層400用作用于在鈍化層300中創(chuàng)建開(kāi)口311的蝕刻掩模?？商鎿Q地，可能的是免除光致抗蝕劑層400并且使用蔭罩在鈍化層300中創(chuàng)建開(kāi)口311。憑借以下事實(shí)使得這是可能的：要在鈍化層300中創(chuàng)建的開(kāi)口311的開(kāi)口面積312小于半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110的面積，并且不需要關(guān)于邊緣或關(guān)于半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110的中心精確地對(duì)準(zhǔn)。

圖5示出在時(shí)間上繼圖4中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

可通過(guò)光致抗蝕劑層400中的開(kāi)口410和鈍化層300中的開(kāi)口311接入的犧牲層200已經(jīng)通過(guò)濕法化學(xué)蝕刻移除。舉例來(lái)說(shuō)，可以已在濕法化學(xué)蝕刻中使用hcl或koh。半導(dǎo)體主體100和鈍化層300未受到濕法化學(xué)蝕刻的攻擊，或僅在非常小的程度上被攻擊。

由于鈍化層300中的開(kāi)口311的開(kāi)口面積312小于第一區(qū)110和犧牲層200的面積，因此鈍化層300在溶解犧牲層200的過(guò)程期間已經(jīng)被部分地底切。布置在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方的鈍化層300的部分在溶解犧牲層200的過(guò)程之后是自支撐的，并且僅在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110和第二區(qū)120之間的過(guò)渡區(qū)中，所述部分連接到鈍化層300的在第二區(qū)120中固定地連接到半導(dǎo)體主體100的表面101的部分。在隨后的方法步驟中，所述過(guò)渡區(qū)形成鈍化層300的自支撐部分在其處斷掉的預(yù)定斷裂位置。

圖6示出在時(shí)間上繼圖5中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。作為進(jìn)一步處理的結(jié)果，已經(jīng)從半導(dǎo)體主體100形成電子組件10，但是所述電子組件在圖6中圖示的處理狀態(tài)中可能仍舊未完成。

光致抗蝕劑層400已經(jīng)被移除。在這種情況下或在另外的方法步驟期間，機(jī)械負(fù)載已經(jīng)被施加在半導(dǎo)體主體100上，作為所述機(jī)械負(fù)載的結(jié)果，布置在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方的鈍化層300的自支撐部分已經(jīng)在以上描述的預(yù)定斷裂位置處斷掉，并且從而被移除。作為結(jié)果，在圖6中圖示的處理狀態(tài)中的電子組件10的情況下，半導(dǎo)體主體100的表面101在第一區(qū)110中完全暴露，而其在第二區(qū)120中完全被鈍化層300覆蓋。

在第一區(qū)110中暴露的半導(dǎo)體主體100的表面101可以例如用于電氣接觸電子組件10。為此目的，舉例來(lái)說(shuō)，在隨后的處理步驟中，導(dǎo)電層可以布置在半導(dǎo)體主體100的表面101上的第一區(qū)110中。

以下描述參照?qǐng)D1至6解釋的方法的數(shù)個(gè)變型。在這種情況下，基本上僅解釋與根據(jù)圖1至6的方法的偏離。對(duì)于其余部分，以下描述的方法對(duì)應(yīng)于根據(jù)圖1至6的方法，特別是關(guān)于所使用的過(guò)程和材料。對(duì)于對(duì)應(yīng)的組成部分，在以下描述的附圖中使用與圖1至6中相同的參考符號(hào)。另外，根據(jù)圖1至6的方法的以下描述的變型的特征也可以與彼此任意地組合，倘若這不由于邏輯上確鑿的不兼容性而被排除的話。

圖7示出根據(jù)該方法的一個(gè)變型的包括包含第一區(qū)110和第二區(qū)120的表面101的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。導(dǎo)電層500布置在表面101的第一區(qū)110上方。犧牲層200布置在導(dǎo)電層500上方。導(dǎo)電層500和犧牲層200在每種情況下被定界到表面101的第一區(qū)110并且從而限定第一區(qū)110。然而，導(dǎo)電層500還可能以比犧牲層200和第一區(qū)110更窄或更寬的方式形成。導(dǎo)電層500和犧牲層200可以與彼此共同或分離地結(jié)構(gòu)化。

導(dǎo)電層500可以包括例如金屬，例如ti、pt、au、pd、ni、ito、al、ag、zn或cr。導(dǎo)電層500還可以包括多個(gè)金屬層。導(dǎo)電層500還可以包括一些其他的導(dǎo)電材料。

導(dǎo)電層500和犧牲層200可以共同地包括在10nm和100μm之間（特別地例如在100nm和5μm之間）的厚度。

圖8示出在時(shí)間上繼圖7中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

鈍化層300和光致抗蝕劑層400已經(jīng)被布置在犧牲層200上方和半導(dǎo)體主體100的表面101的第二區(qū)120上方。此后，在光致抗蝕劑層400中創(chuàng)建了開(kāi)口410，并且在鈍化層300中創(chuàng)建了開(kāi)口311，使得犧牲層200的部分210然后暴露在鈍化層300的開(kāi)口311中。

圖9示出在時(shí)間上繼圖8中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

犧牲層200已經(jīng)通過(guò)光致抗蝕劑層400中的開(kāi)口410和鈍化層300中的開(kāi)口311溶解。在這種情況下，導(dǎo)電層500已經(jīng)保留在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方。

圖10示出在時(shí)間上繼圖9中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。電子組件10已經(jīng)由半導(dǎo)體主體100形成，所述電子組件在圖10中圖示的處理狀態(tài)中可能仍舊未完成。

光致抗蝕劑層400已經(jīng)從鈍化層300的頂側(cè)移除。在這種情況下或在另外的處理步驟期間，突出越過(guò)半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110的鈍化層300的部分已經(jīng)被移除。作為結(jié)果，導(dǎo)電層500然后暴露在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方。半導(dǎo)體主體100的表面101的第二區(qū)120被鈍化層300覆蓋，其精確地鄰接布置在第一區(qū)110上方的導(dǎo)電層500。

在電子組件10中，導(dǎo)電層500可以例如用于電氣接觸。

圖11示出根據(jù)可替換的過(guò)程的在時(shí)間上繼圖8中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

在圖11中圖示的處理狀態(tài)中，在溶解犧牲層200的過(guò)程之前，已經(jīng)從鈍化層300的頂側(cè)移除光致抗蝕劑層400。在時(shí)間上繼圖11中的圖示之后的處理步驟中，犧牲層200可以然后通過(guò)鈍化層300中的開(kāi)口311被溶解。在這種情況下或在另外的處理步驟期間，機(jī)械負(fù)載被施加在半導(dǎo)體主體100和鈍化層300上，作為其結(jié)果，突出越過(guò)半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110的鈍化層300的部分被移除。該處理的結(jié)果對(duì)應(yīng)于圖10中示出的處理狀態(tài)。

圖12示出根據(jù)該方法的另一變型的、包括包含第一區(qū)110和第二區(qū)120的表面101的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。在圖12中示出的變型中，導(dǎo)電層500在第一區(qū)110和第二區(qū)120二者中覆蓋半導(dǎo)體主體100的表面101。犧牲層200在導(dǎo)電層500上布置在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方，并且從而限定第一區(qū)110。

圖13示出繼圖12中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

鈍化層300和光致抗蝕劑層400已經(jīng)被布置在犧牲層200上方和半導(dǎo)體主體100的表面101的第二區(qū)120上方的導(dǎo)電層500上方。此后，開(kāi)口410形成在光致抗蝕劑層400中并且開(kāi)口311形成在表面101的第一區(qū)110上方的鈍化層300中，使得然后暴露犧牲層200的部分210。

圖14示出在時(shí)間上繼圖13中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。電子組件10已經(jīng)由半導(dǎo)體主體100形成，所述電子組件在圖14中示出的處理狀態(tài)中可能仍舊未完成。

犧牲層200通過(guò)鈍化層300的開(kāi)口311溶解。而且，從鈍化層300的頂側(cè)移除光致抗蝕劑層400。另外，移除在溶解犧牲層的過(guò)程之后以自支撐的方式在表面101的第一區(qū)110上方突出的鈍化層300的部分。作為結(jié)果，在電子組件10的情況下，導(dǎo)電層500在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方暴露，而其在表面101的第二區(qū)120上方被鈍化層300覆蓋。到形成在表面101的第一區(qū)110上方的導(dǎo)電層500的接入可以例如用于電氣接觸電子組件10。

圖15示出根據(jù)該方法的另一變型的包括包含第一區(qū)110和第二區(qū)120的表面101的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。導(dǎo)電層500、犧牲層200和覆蓋層600已經(jīng)連續(xù)地布置在表面101的第一區(qū)110上方。覆蓋層600完全覆蓋犧牲層200。犧牲層200和覆蓋層600共同地限定表面101的第一區(qū)110。在圖15中示出的示例中，導(dǎo)電層500同樣被限制到第一區(qū)110，盡管這不是絕對(duì)必要的。

覆蓋層600包括通過(guò)用于在鈍化層300中創(chuàng)建開(kāi)口311的干法化學(xué)蝕刻方法可良好蝕刻的材料。覆蓋層600的材料此外還可以通過(guò)用于溶解犧牲層200的濕法化學(xué)蝕刻方法可蝕刻，但也可以相對(duì)于所述蝕刻方法是有抵抗力的。覆蓋層600可以包括例如包含sio、sin、tiwn、光致抗蝕劑或金屬的材料。

圖16示出在時(shí)間上繼圖15中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

鈍化層300和光致抗蝕劑層400已經(jīng)布置在覆蓋層600上方和表面101的第二區(qū)120上方。此后，在光致抗蝕劑層400中創(chuàng)建了開(kāi)口410并且在鈍化層300中創(chuàng)建了開(kāi)口311。而且，在鈍化層300中創(chuàng)建開(kāi)口311的過(guò)程之后，在覆蓋層600中創(chuàng)建開(kāi)口610，所述開(kāi)口610以基本上齊平的方式與鈍化層300的開(kāi)口311鄰近并且暴露犧牲層200的部分210。在覆蓋層600中創(chuàng)建開(kāi)口610可能已經(jīng)通過(guò)與用于在鈍化層300中創(chuàng)建開(kāi)口311相同的干法化學(xué)蝕刻過(guò)程實(shí)施。然而，在鈍化層300中創(chuàng)建開(kāi)口311和在覆蓋層600中創(chuàng)建開(kāi)口610也可以通過(guò)不同的蝕刻過(guò)程實(shí)施。

圖17示出在時(shí)間上繼圖16中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

犧牲層200已經(jīng)通過(guò)光致抗蝕劑層400、鈍化層300和覆蓋層600中的開(kāi)口410、311、610移除。作為結(jié)果，布置在其上的鈍化層300的部分和覆蓋層600的部分以自支撐的方式在布置于表面101的第一區(qū)110上方的導(dǎo)電層500上方突出。

圖18示出在時(shí)間上繼圖17中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。電子組件10已經(jīng)由半導(dǎo)體主體100形成，所述電子組件在圖18中圖示的處理狀態(tài)中可能仍舊未完成。

光致抗蝕劑層400已經(jīng)從鈍化層300的頂側(cè)移除。在這種情況下或在另外的處理步驟期間，第一區(qū)110上方的鈍化層300的自支撐部分和附著于其的覆蓋層600的部分已被移除。作為結(jié)果，在電子組件10的情況下，導(dǎo)電層500在半導(dǎo)體主體100的表面101的整個(gè)第一區(qū)110上方暴露。鈍化層300布置在表面101的第二區(qū)120的上方。暴露在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方的導(dǎo)電層500可以例如用于電氣接觸電子組件10。

圖19示出根據(jù)該方法的另一變型的包括包含第一區(qū)110和第二區(qū)120的表面101的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。再一次，導(dǎo)電層500、犧牲層200和覆蓋層600一個(gè)在另一個(gè)上方地布置在表面101的第一區(qū)110上方。

圖20示出在時(shí)間上繼圖19中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

表面101的第二區(qū)120中的半導(dǎo)體主體100的表面101的部分125已經(jīng)被移除。移除第二區(qū)120中的表面101的部分125可能已經(jīng)例如通過(guò)干法化學(xué)蝕刻方法，特別地通過(guò)使用氯的干法化學(xué)蝕刻方法實(shí)施了。

在移除第二區(qū)120中的表面101的部分125期間，布置在表面101的第一區(qū)110上方的覆蓋層600充當(dāng)蝕刻掩模，并且從而防止移除表面101的第一區(qū)110中的半導(dǎo)體主體100的材料。作為結(jié)果，半導(dǎo)體主體100的表面101現(xiàn)在在第一區(qū)110中升高到第二區(qū)120中的表面101上方。在第一區(qū)110和第二區(qū)120之間的邊界處，表面101的升高部分包括基本垂直的側(cè)壁。

在表面101的第一區(qū)110中的表面101的升高區(qū)可以形成例如待由半導(dǎo)體主體100制造的激光組件的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115。在這種情況下，半導(dǎo)體主體100包括波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115的區(qū)中的半導(dǎo)體層序列，所述半導(dǎo)體層序列形成激光二極管。

免除覆蓋層600也將是可能的。在這種情況下，犧牲層200可以在移除表面101的第二區(qū)120中的部分125期間充當(dāng)蝕刻掩模。

圖21示出在時(shí)間上繼圖20中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

鈍化層300已經(jīng)布置在覆蓋層600上方并且在表面101的第二區(qū)120上方。鈍化層300還覆蓋形成在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110和第二區(qū)120之間的過(guò)渡區(qū)中的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115的垂直側(cè)壁。光致抗蝕劑層400已經(jīng)布置在鈍化層300上方。光致抗蝕劑層400中的開(kāi)口410已經(jīng)在表面101的第一區(qū)110上方創(chuàng)建，作為其結(jié)果，已經(jīng)暴露鈍化層300的部分310。

圖22示出在時(shí)間上繼圖21中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

開(kāi)口311和開(kāi)口610已經(jīng)在鈍化層300和覆蓋層600中創(chuàng)建。此后，犧牲層200已經(jīng)被溶解。

圖23示出在時(shí)間上繼圖22中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。電子組件10已經(jīng)由半導(dǎo)體主體100形成，其在圖23中的圖示中可能仍然未完成。電子組件10可以是例如激光組件。

從圖22中示出的處理狀態(tài)繼續(xù)，光致抗蝕劑層400已經(jīng)從鈍化層300的頂側(cè)移除。在這種情況下或在另外的處理步驟期間，在表面101的第一區(qū)110上方突出的鈍化層300的部分和附著于其的覆蓋層600的部分已經(jīng)被移除。作為結(jié)果，在電子組件10的情況下，導(dǎo)電層500然后在表面101的第一區(qū)110中的整個(gè)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115上方暴露，這實(shí)現(xiàn)電子組件10的電氣接觸。半導(dǎo)體主體100的表面101的第二區(qū)120和形成在第一區(qū)110和第二區(qū)120之間的邊界處的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115的側(cè)壁被鈍化層300覆蓋。

圖24示出根據(jù)該方法的另一變型的包括包含第一區(qū)110和第二區(qū)120的表面101的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。導(dǎo)電層500、犧牲層200和覆蓋層600已經(jīng)一個(gè)在另一個(gè)上方地布置在表面101的第一區(qū)110上方。

此后，圍封在導(dǎo)電層500和覆蓋層600之間的犧牲層200的部分220被橫向溶解。溶解部分220的過(guò)程可能例如已經(jīng)通過(guò)濕法化學(xué)蝕刻方法（例如使用hcl或koh）實(shí)施。作為溶解犧牲層200的部分220的過(guò)程的結(jié)果，犧牲層200然后包括在平行于半導(dǎo)體主體100的表面101的方向上比導(dǎo)電層500和覆蓋層600稍微更小的面積。

圖25示出在時(shí)間上繼圖24中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

再一次，在第二區(qū)120中的半導(dǎo)體主體100的表面101的部分125被移除，以便在第一區(qū)110中形成波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115。

此后，鈍化層300已經(jīng)布置在覆蓋層600上方并且在半導(dǎo)體主體100的表面101的第二區(qū)120上方。在這種情況下，鈍化層300還填充作為溶解犧牲層200的部分220的過(guò)程的結(jié)果而出現(xiàn)的在導(dǎo)電層500與覆蓋層600之間的自由空間，并且在那里形成圍繞犧牲層200延伸的環(huán)320。此后，光致抗蝕劑層400被布置在鈍化層300上方并且在表面101的第一區(qū)110上方設(shè)有開(kāi)口410。

圖26示出在時(shí)間上繼圖25中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

在鈍化層300和覆蓋層600中創(chuàng)建了開(kāi)口311和610。此后，犧牲層200已經(jīng)被溶解。

圖27示出在時(shí)間上繼圖26中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。電子組件10已經(jīng)由半導(dǎo)體主體100形成，所述電子組件在圖27示出的處理狀態(tài)中可能仍舊不完整。電子組件10可以是例如激光組件。

從圖26中示出的處理狀態(tài)繼續(xù)，光致抗蝕劑層400已經(jīng)從鈍化層300移除。在這種情況下或在另外的處理步驟期間，在第一區(qū)110上方突出的鈍化層300的部分和附著于其的覆蓋層600的部分已經(jīng)被分離和移除。然而，在這種情況下，布置在導(dǎo)電層500的邊緣區(qū)中在導(dǎo)電層500的頂側(cè)上方的鈍化層300的環(huán)320已被部分地保留。作為結(jié)果，在電子組件10中，鈍化層300的環(huán)320在波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115上方的導(dǎo)電層500的頂側(cè)上形成圓周邊緣。作為結(jié)果，在電子組件10的情況下，有利地確保通過(guò)鈍化層300對(duì)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115的側(cè)壁的特別可靠的覆蓋。

圖28示出根據(jù)該方法的另一變型的包括表面101的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。除了第一區(qū)110和鄰接第一區(qū)110的第二區(qū)120之外，在圖28中示出的示例中，表面101包括兩個(gè)第三區(qū)130，其布置在第一區(qū)110旁邊的兩側(cè)上并且通過(guò)第二區(qū)120的部分與第一區(qū)110分離。第一區(qū)110和第三區(qū)130可以被配置為例如半導(dǎo)體主體100的表面101上的彼此平行的條帶。

首先，導(dǎo)電層500、犧牲層200和覆蓋層600連續(xù)地布置在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110和第三區(qū)130上方。導(dǎo)電層500、犧牲層200和覆蓋層600因此在每種情況下包括彼此橫向地間隔開(kāi)的多個(gè)部分，其布置表面101的第一區(qū)110和第三區(qū)130上方，并且從而限定這些區(qū)110、130的位置。

此后，移除表面101的第二區(qū)120中的表面101的部分125，作為其結(jié)果，在第一區(qū)110中形成了波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115。在第三區(qū)130中，半導(dǎo)體主體100的表面101也升高到第二區(qū)120中的表面101上方。

圖29示出在時(shí)間上繼圖28中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

鈍化層300已經(jīng)布置在覆蓋層600上方并且在半導(dǎo)體主體100的表面101的第二區(qū)120上方。因此，鈍化層300在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110、第二區(qū)120和第三區(qū)130上方延伸。

圖30示出在時(shí)間上繼圖29中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

光致抗蝕劑層400已經(jīng)布置在鈍化層300上方。此后，光致抗蝕劑層400中的開(kāi)口410已經(jīng)在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方創(chuàng)建，作為其結(jié)果，鈍化層300的部分310已經(jīng)暴露。在第三區(qū)130上方，在光致抗蝕劑層400中沒(méi)有創(chuàng)建開(kāi)口。

圖31示出在時(shí)間上繼圖30中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。

開(kāi)口311和開(kāi)口610已經(jīng)在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方的鈍化層300和覆蓋層600中創(chuàng)建。此后，布置在表面101的第一區(qū)110上方的犧牲層200的部分已被移除。布置在表面101的第三區(qū)130上方的犧牲層200的部分保持被圍封在鈍化層300的未打開(kāi)的部分下方。

圖32示出在時(shí)間上繼圖31中的圖示之后的處理狀態(tài)中的半導(dǎo)體主體100的示意性截面?zhèn)纫晥D。電子組件10已經(jīng)由半導(dǎo)體主體100形成，所述電子組件在圖32中示出的處理狀態(tài)中可能仍舊不完整。電子組件10可以是例如激光組件。

從圖31中示出的處理狀態(tài)繼續(xù)，光致抗蝕劑層400已經(jīng)被移除。在這種情況下或在另外的處理步驟期間，分離并移除布置在半導(dǎo)體主體100的表面101的第一區(qū)110上方的鈍化層300的部分和附著于其的覆蓋層600的部分。作為結(jié)果，然后暴露表面101的第一區(qū)110上方的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115的頂側(cè)上的導(dǎo)電層500。

在第一區(qū)110和第二區(qū)120之間的邊界處的波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115的側(cè)壁被鈍化層300覆蓋。

鈍化層300還覆蓋表面101的第三區(qū)130中的半導(dǎo)體主體100的表面101的升高區(qū)，其具有在其上方布置的導(dǎo)電層500、犧牲層200和覆蓋層600的層序列。在半導(dǎo)體主體100的表面101的第三區(qū)130上方被鈍化層300圍封的這些結(jié)構(gòu)形成在垂直于半導(dǎo)體主體100的表面101的方向上突出越過(guò)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115的支撐結(jié)構(gòu)140。支撐結(jié)構(gòu)140可以充當(dāng)例如用于保護(hù)波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115免受損壞的機(jī)械停止件。

已經(jīng)在優(yōu)選的示例性實(shí)施例的基礎(chǔ)上更細(xì)節(jié)地圖示和描述了本發(fā)明。然而，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的實(shí)施例。相反，在不脫離本發(fā)明的保護(hù)范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以從其導(dǎo)出其他變型。

參考符號(hào)列表

電子組件10

半導(dǎo)體主體100

表面101

第一區(qū)110

波導(dǎo)結(jié)構(gòu)115

第二區(qū)120

已移除部分125

第三區(qū)130

支撐結(jié)構(gòu)140

犧牲層200

厚度201

犧牲層的暴露部分210

犧牲層的橫向溶解部分220

鈍化層300

厚度301

鈍化層的暴露部分310

鈍化層中的開(kāi)口311

開(kāi)口面積312

環(huán)320

光致抗蝕劑層400

光致抗蝕劑層中的開(kāi)口410

導(dǎo)電層500

覆蓋層600

覆蓋層中的開(kāi)口610。