本發(fā)明涉及顯示裝置的制造領(lǐng)域，具體地，涉及一種陣列基板的制造方法、由該方法制得的陣列基板和一種包括該陣列基板的顯示面板。

背景技術(shù)：

液晶顯示裝置包括陣列基板，該陣列基板包括第一透明電極和第二透明電極，利用第一透明電極和第二透明電極之間形成的電容來驅(qū)動液晶分子旋轉(zhuǎn)。第一透明電極和第二透明電極中的一者為像素電極，第一透明電極和第二透明電極中的另一者為公共電極。

通常，需要分別向第一透明電極和第二透明電極提供電壓信號。以第一透明電極為例，利用第一導(dǎo)電圖形向第一透明電極提供電壓信號，第一導(dǎo)電圖形與第一透明電極之間形成有第一絕緣層，第一透明電極通過貫穿第一絕緣層的過孔與第一導(dǎo)電圖形電連接。

通常，通過干刻法形成所述過孔。如圖1(a)所示，在第一絕緣層200上形成第一掩膜圖形層，該第一掩膜圖形層包括多個第一掩膜圖形300，該第一掩膜圖形300上形成有通孔300a。干刻形成過孔后，過孔的底部形成有倒角(如圖1(a)中的I區(qū)域中所示的部分)。

形成了過孔后，沉積透明導(dǎo)電膜400，由于倒角的存在，透明導(dǎo)電膜400在過孔側(cè)壁上的部分與過孔底壁上的部分?jǐn)嚅_，這種斷開被稱為底切缺陷。

如何防止透明電極位于過孔中的部分出現(xiàn)底切缺陷成為本領(lǐng)域亟待解決的技術(shù)問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種陣列基板的制造方法、由該制造方 法制得的陣列基板、包括該陣列基板的顯示面板。利用所述制造方法制成的陣列基板中，至少可以減少透明電極位于過孔中的部分出現(xiàn)底切的現(xiàn)象。

為了實現(xiàn)上述目的，作為本發(fā)明的一個方面，提供一種陣列基板的制造方法，所述制造方法包括：

提供初始基板，所述初始基板包括第一導(dǎo)電圖形和覆蓋在所述第一導(dǎo)電圖形上的第一絕緣層，所述第一導(dǎo)電圖形包括至少一個電連接部；

在所述第一絕緣層上形成第一掩膜圖形層，所述第一掩膜圖形層包括多個第一掩膜圖形，所述第一掩膜圖形上形成有通孔，所述通孔的位置與所述電連接部的位置對應(yīng)；

對設(shè)置有所述第一掩膜圖形層的第一絕緣層進(jìn)行干刻，以在所述通孔對應(yīng)的位置形成貫穿所述第一絕緣層的初始過孔；

向工藝腔內(nèi)通入等離子體，在第一預(yù)設(shè)工藝參數(shù)下對形成有初始過孔的第一絕緣層進(jìn)行處理，以使得所述初始過孔在所述等離子體的作用下形成最終過孔，所述最終過孔的側(cè)壁連續(xù)，且所述最終過孔的一部分形成在所述電連接部上，所述等離子體由不與所述第一絕緣層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的惰性氣體等離子化而成；

剝離所述第一掩膜圖形層。

優(yōu)選地，向所述工藝腔內(nèi)通入等離子體的步驟包括：

對所述工藝腔進(jìn)行抽真空，使得所述工藝腔內(nèi)本底真空度為5×10^-4Pa至7×10^-4Pa；

向抽真空后的工藝腔內(nèi)通入氬氣，并對所述氬氣進(jìn)行等離子化獲得所述等離子體，所述氬氣的流量為4sccm至6sccm，所述第一預(yù)設(shè)工藝參數(shù)包括：放電電壓為40V至50V，加速電壓為150V至250V，對所述第一絕緣層進(jìn)行處理持續(xù)的時間為50s至70s。

優(yōu)選地，所述制造方法還包括：

形成第二掩膜圖形層，所述第二掩膜圖形層包括分別位于各個所述最終過孔中的多個第二掩膜圖形；

向所述工藝腔內(nèi)通入所述等離子體，在第二預(yù)設(shè)工藝參數(shù)下對 形成有所述最終過孔的第一絕緣層進(jìn)行減??；

剝離所述第二掩膜圖形層。

優(yōu)選地，所述第二預(yù)設(shè)工藝參數(shù)與所述第一預(yù)設(shè)工藝參數(shù)相同。

優(yōu)選地，形成所述第一掩膜圖形層的步驟包括：

在所述第一絕緣層上涂敷第一光刻膠層；

利用掩膜板對所述第一光刻膠層進(jìn)行曝光；

對曝光后的第一光刻膠層進(jìn)行顯影，以獲得所述第一掩膜圖形層；

形成所述第二掩膜圖形層的步驟包括：

在形成有最終過孔的第一絕緣層上涂敷第二光刻膠層，所述第一光刻膠層與所述第二光刻膠層中的一者由正性光刻膠形成，所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層中的另一者由負(fù)性光刻膠形成；

利用所述掩膜板對所述第二光刻膠層進(jìn)行曝光；

對曝光后的第二光刻膠層進(jìn)行顯影，以獲得所述第二掩膜圖形層。

優(yōu)選地，所述制造方法還包括：

形成包括第一透明電極的圖形，所述第一透明電極的部分材料位于最終過孔中，以與所述電連接部電連接。

優(yōu)選地，所述第一絕緣層包括從下至上依次設(shè)置的過渡層、主體層和頂層，所述過渡層、所述頂層、所述主體層的成分相同，且過渡層的密度小于所述主體層的密度。

優(yōu)選地，所述初始基板包括第二透明電極、位于所述第二透明電極和所述第一導(dǎo)電圖形之間的所述第一絕緣層，所述第一絕緣層位于所述第二透明電極上方，所述第一導(dǎo)電圖形包括公共電極線。

優(yōu)選地，所述第一導(dǎo)電圖形包括源極和漏極，所述初始基板還包括位于所述第一導(dǎo)電圖形上方的第二絕緣層、設(shè)置在所述第二絕緣層上的第二透明電極，所述第一絕緣層位于所述第二透明電極上方，所述第二絕緣層上與所述電連接部對應(yīng)的位置設(shè)置有凹槽，所述凹槽貫穿所述第二絕緣層。

優(yōu)選地，所述第一絕緣層的成分為硅的氮化物。

作為本發(fā)明的另一個方面，提供一種陣列基板，其中，所述陣列基板由本發(fā)明所提供的上述制造方法制得。

作為本發(fā)明的第三個方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。

在本發(fā)明所提供的方法中，形成了初始過孔后，通入不與第一絕緣層反應(yīng)的等離子體，會對形成有初始過孔的第一絕緣層進(jìn)行垂直方向的削減，因此可以將初始過孔上的倒角刻蝕掉，以形成所述最終過孔。由于在執(zhí)行等離子話的步驟時，第一絕緣層上仍然形成有第一掩膜圖形層，因此，第一掩膜圖形下方的部分不會被刻蝕，不會影響所述第一絕緣層的其他部分的結(jié)構(gòu)。并且，在所述制造方法中也不需要引入新的掩膜板，降低了所述制造方法的成本。

剝離了所述第一掩膜圖形層后，可以直接形成第一透明電極，也可以對形成有所述最終過孔的第一絕緣層進(jìn)行進(jìn)一步的處理，然后再形成第一透明電極。由于所述最終過孔的側(cè)壁是連續(xù)的，因此，第一透明電極位于所述最終過孔中的部分可以與所述最終過孔的側(cè)壁貼合，不會產(chǎn)生斷裂、開口等缺陷，從而避免了在所述第一絕緣層處產(chǎn)生斷裂的缺陷，提高了所述陣列基板的良率。

附圖說明

附圖是用來提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說明書的一部分，與下面的具體實施方式一起用于解釋本發(fā)明，但并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。在附圖中：

圖1(a)是現(xiàn)有技術(shù)中，襯底上形成有貫穿鈍化層的過孔的示意圖；

圖1(b)是在圖1(a)中所獲得的襯底上形成像素電極后、像素電極上產(chǎn)生缺口的示意圖；

圖2(a)是本發(fā)明所提供的方法中，對形成有初始過孔的初始基板進(jìn)行等離子處理的示意圖；

圖2(b)是等離子處理后，形成最終過孔的示意圖；

圖2(c)是形成有最終過孔的襯底剝離掩膜圖形后的示意圖；

圖2(d)是在剝離掩膜圖形的襯底上形成光刻膠的示意圖；

圖2(e)是對光刻膠進(jìn)行圖形化、獲得了第二掩膜圖形的示意圖；

圖2(f)是對形成有第二掩膜圖形的第一絕緣層進(jìn)行等離子化后的示意圖；

圖2(g)是剝離了第二掩膜圖形后的基板的示意圖；

圖2(h)是透明導(dǎo)電膜與最終過孔的接觸情況示意圖；

圖3(a)是一種實施方式的陣列基板的第一絕緣層上形成初始過孔后的示意圖；

圖3(b)是圖3(a)中II處的放大圖；

圖3(c)是另一種實施方式的陣列基板的第一絕緣層上形成初始過孔過后的示意圖；

圖3(d)是圖3(c)中II處的放大圖；

圖3(e)是圖3(d)中的基板形成第一透明電極后的示意圖；

圖4(a)是另一種實施的陣列基板的初始基板的示意圖；

圖4(b)是圖4(a)中的初始基板上的鈍化膜形成初始過孔后的示意圖；

圖4(c)是圖4(a)中的初始基板上形成最終過孔后的示意圖；

圖4(d)是圖4(c)中的基板上形成第一透明電極后的示意圖；

圖5(a)是本發(fā)明所提供的制造方法的流程示意圖；

圖5(b)是在所述第一絕緣層上形成第一掩膜圖形層的流程圖；

圖5(c)是形成第二掩膜圖形層的流程圖。

附圖標(biāo)記說明

100：電連接部 200：第一絕緣層

200a：初始過孔 200b：最終過孔

210：過渡層 220：主體層

230：頂層 300：第一掩膜圖形

300a：通孔 400：第二光刻膠層

410：第二掩膜圖形 500：第一透明電極

600：第二絕緣層 700：有源層

810：源極 820：漏電極

900：第二透明電極 110：柵極

230a：豎直壁 230b：傾斜壁

具體實施方式

以下結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式進(jìn)行詳細(xì)說明。應(yīng)當(dāng)理解的是，此處所描述的具體實施方式僅用于說明和解釋本發(fā)明，并不用于限制本發(fā)明。

在本發(fā)明中，方位詞“上”、“下”是指附圖中的“上”、“下”方向。

經(jīng)本發(fā)明的發(fā)明人研究發(fā)現(xiàn)，過孔底部出現(xiàn)倒角的原因在于，與中部和底部相比，絕緣層底部的材料密度較低，在利用等離子體對絕緣層進(jìn)行干刻時，等離子體對絕緣層底部的刻蝕速率與等離子體對絕緣層中部的刻蝕速率不同，絕緣層底部更容易被刻蝕，從而導(dǎo)致了刻蝕形成過孔后，過孔的底部形成倒角。

針對上述原因產(chǎn)生的缺口，作為本發(fā)明的一個方面，提供一種陣列基板的制造方法，其中，如圖5(a)所示，所述制造方法包括：

在步驟S100中，提供初始基板，所述初始基板包括第一導(dǎo)電圖形和覆蓋在該第一導(dǎo)電圖形上的第一絕緣層，所述第一導(dǎo)電圖形包括至少一個電連接部；

在步驟S200中，在所述第一絕緣層上形成第一掩膜圖形層，所述第一掩膜圖形層包括多個第一掩膜圖形300(如圖2(a)所示)，所述第一掩膜圖形上形成有通孔，所述通孔的位置與所述電連接部的位置對應(yīng)；

在步驟S300中，如圖1(a)所示，對設(shè)置有所述第一掩膜圖形層的第一絕緣層200進(jìn)行干刻，以在通孔300a對應(yīng)的位置形成貫穿第一絕緣層200的初始過孔200a；

在步驟S400中，如圖2(a)所示，向工藝腔內(nèi)通入等離子體，在第一預(yù)設(shè)工藝參數(shù)下對形成有初始過孔的第一絕緣層200進(jìn)行處 理，以使得所述初始過孔在所述等離子體的作用下形成最終過孔200b(如圖2(b)所示)，其中，如圖2(b)中所示，最終過孔200b的側(cè)壁連續(xù)，且最終過孔200b的一部分形成在電連接部100上，所述等離子體由不與所述第一絕緣層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的惰性氣體等離子化而成；

在步驟S500中，如圖2(c)所示，剝離所述第一掩膜圖形層。

如上文中所述，當(dāng)對第一絕緣層200進(jìn)行干刻形成初始過孔200a時，初始過孔200a上與第一絕緣層200的底部對應(yīng)的部分可能會出現(xiàn)倒角(如圖1(a)中的區(qū)域I中所示的部分)，即初始過孔200a的側(cè)壁與第一絕緣層200a下方的部分(該部分可以是電連接部100，也可以是其他絕緣層。在圖1(a)中所示的實施方式中，該部分為電連接部100)的上表面之間的角度為銳角。

在步驟S400中通入的不與第一絕緣層200反應(yīng)的等離子體后，會對形成有初始過孔的第一絕緣層200進(jìn)行垂直方向的削減，因此可以將初始過孔上的倒角刻蝕掉，以形成所述最終過孔200b。惰性氣體不會與第一絕緣層200發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，因而不會加劇步驟S300中的倒角。并且，惰性氣體分子量大，具有較好的刻蝕效果，從而可以提高執(zhí)行步驟S400的效率。由于在執(zhí)行步驟S400時，第一絕緣層200上仍然形成有第一掩膜圖形層，因此，第一掩膜圖形300下方的部分不會被刻蝕，不會影響所述第一絕緣層200的其他部分的結(jié)構(gòu)。并且，在步驟S400中也不需要引入新的掩膜板，降低了所述制造方法的成本。

剝離了所述第一掩膜圖形層后，可以直接形成第一透明電極，也可以對形成有所述最終過孔的第一絕緣層進(jìn)行進(jìn)一步的處理，然后再形成第一透明電極。

不管是直接形成第一透明電極、還是對所述第一絕緣層進(jìn)行進(jìn)一步處理后再形成第一透明電極，該第一透明電極的一部分都位于所述最終通孔中。由于所述最終過孔的側(cè)壁是連續(xù)的，因此，第一透明電極位于所述最終過孔中的部分可以與所述最終過孔的側(cè)壁貼合，不會產(chǎn)生斷裂、開口等缺陷，從而避免了在所述第一絕緣層處產(chǎn)生斷裂 的缺陷，提高了所述陣列基板的良率。

如圖2(h)中所示，第一透明電極500的一部分位于所述最終過孔中，由于最終過孔的側(cè)壁是連續(xù)的，因此，第一透明電極500可以緊密地貼合在最終過孔的側(cè)壁以及底壁上，不會產(chǎn)生缺口。由于最終過孔的底壁形成在電連接部100上，因此，第一透明電極500可以與電連接部100之間形成穩(wěn)定的電連接。

需要解釋的是，此處第一絕緣層覆蓋第一導(dǎo)電圖形層的意思是，第一絕緣層位于第一導(dǎo)電圖形層的上方，可以直接與第一導(dǎo)電圖形接觸，也可以與第一導(dǎo)電圖形間隔設(shè)置，只要第一絕緣層位于第一導(dǎo)電圖形層上方即可。

在本發(fā)明中，對所述惰性氣體并沒有特殊的要求，只要不與所述第一絕緣層發(fā)生反應(yīng)即可。優(yōu)選地，可以選用氬氣作為等離子處理的惰性氣體。氬氣分子量較大，可以產(chǎn)生足夠的沖擊力，以將形成在初始過孔側(cè)壁上的倒角徹底刻除，并形成側(cè)壁連續(xù)的最終過孔。

在本發(fā)明中，對步驟S400中的第一預(yù)設(shè)參數(shù)沒有特殊的要求，只要能夠在初始過孔的基礎(chǔ)上形成所述最終過孔、且所述最終過孔位于電連接部上的部分的深度不至于過大(例如，不超過5nm)，即可。例如，向所述工藝腔內(nèi)通入等離子體的步驟包括：

在步驟S410中，對所述工藝腔進(jìn)行抽真空，使得所述工藝腔內(nèi)本底真空度為5×10^-4Pa至7×10^-4Pa，優(yōu)選地，所述工藝腔內(nèi)本底真空度為6×10^-4Pa；

在步驟S420中，向抽真空后的工藝腔內(nèi)通入氬氣，并對所述氬氣進(jìn)行等離子化獲得所述等離子體，所述氬氣的流量為4sccm至6sccm(優(yōu)選地，氬氣流量為5sccm)，所述第一預(yù)設(shè)工藝參數(shù)包括：放電電壓為40V至50V(優(yōu)選地，放電電壓為45V)，加速電壓200V，對所述第一絕緣層進(jìn)行處理持續(xù)的時間為60s。

通常，電連接部的厚度可以為300nm左右，因此，5nm深的凹槽并不會對電連接部的導(dǎo)電性能造成影響。

利用所述第一預(yù)設(shè)工藝參數(shù)獲得的等離子體具有以下參數(shù)：離子束能量300eV，離子束流80mA，所述工藝腔內(nèi)通氣入氬氣后的腔 室壓力1.8×10-2Pa。

由于對形成有初始過孔的第一絕緣層進(jìn)行了等離子處理，因此，第一絕緣層被整體減薄，因此，初始過孔的頂部的側(cè)壁與絕緣層的頂面之間的角度可能較小(例如，90°左右)，即，如圖2(b)和圖2(c)中所示，第一絕緣層環(huán)繞所述最終過孔的部分包括位于頂部的豎直壁230a和位于該豎直壁230a下方的傾斜壁230b。為了防止所述第一透明電極在所述豎直壁處出現(xiàn)跨斷缺陷、提高第一透明電極的良率和導(dǎo)電性能，優(yōu)選地，可以對第一絕緣層進(jìn)行減薄，以將第一絕緣層上與豎直壁對應(yīng)的部分刻除。具體地，所述制造方法還可以包括：

在步驟S600中，形成第二掩膜圖形層，如圖2(e)所示，所述第二掩膜層包括分別位于各個所述最終過孔中的多個第二掩膜圖形410；

在步驟S700中，向所述工藝腔內(nèi)通入所述等離子體，在第二預(yù)設(shè)工藝參數(shù)下對形成有所述最終過孔的第一絕緣層進(jìn)行減薄；

在步驟S800中，剝離所述第二掩膜圖形層。

在步驟S700中，等離子體對所述第一絕緣層進(jìn)行了厚度方向的減薄，從而可以減少甚至刻除豎直壁230a，從而可以降低甚至消除透明電極膜的頂部出現(xiàn)跨斷的風(fēng)險。并且，在此步驟中，第二掩膜圖形層還未剝離，因此最終過孔的深度、側(cè)壁形貌等均不會受到影響。所述等離子體仍然是對不與所述第一絕緣層反應(yīng)的惰性氣體等離子化獲得的。

為了便于設(shè)置、降低工藝成本，優(yōu)選地，所述第二預(yù)設(shè)工藝參數(shù)與所述第一預(yù)設(shè)工藝參數(shù)相同。

在本發(fā)明中，對形成第一掩膜圖形層的具體步驟不做特殊的限定。可以通過打印的方法形成第一掩膜圖形層，也可以通過光刻構(gòu)圖工藝形成第一掩膜圖形層。作為一種具體的實施方式，利用光刻構(gòu)圖工藝形成所述第一掩膜圖形層，具體地，如圖5(b)所示，形成所述第一掩膜圖形層的步驟(即，步驟S200)包括：

在步驟S210中，在所述第一絕緣層上涂敷第一光刻膠層；

在步驟S220中，利用掩膜板對所述第一光刻膠層進(jìn)行曝光；

在步驟S230，對曝光后的第一光刻膠層進(jìn)行顯影，以獲得所述第一掩膜圖形層。

相應(yīng)地，對如何形成第二掩膜圖形層也不做特殊的限定。例如，可以通過打印的方法形成第二掩膜圖形層，也可以通過光刻構(gòu)圖工藝形成所述第二掩膜圖形層。

當(dāng)利用光刻構(gòu)圖工藝形成所述第一掩膜圖形層時，優(yōu)選地，也使用光刻構(gòu)圖工藝形成所述第二掩膜層。具體地，如圖5(c)所示，利用光刻構(gòu)圖工藝形成第二掩膜圖形層的步驟(即，步驟S600)包括：

在步驟S610中，如圖2(d)所示，在形成有最終過孔的第一絕緣層上涂敷第二光刻膠層400，所述第一光刻膠層與所述第二光刻膠層中的一者由正性光刻膠形成，所述第一光刻膠層和所述第二光刻膠層中的另一者由負(fù)性光刻膠形成；

在步驟S620中，利用所述掩膜板對第二光刻膠層400進(jìn)行曝光；

在步驟S630中，對曝光后的第二光刻膠層400進(jìn)行顯影，以獲得所述第二掩膜圖形層。

在這種實施方式中，兩種不同的構(gòu)圖工藝使用同一掩膜板，從而可以降低制造成本。

如上文中所述，利用所述制造方法制得的陣列基板還包括第一透明電極。因此，所述制造方法還包括：

在步驟S900中，形成包括第一透明電極500的圖形，該第一透明電極500的部分材料位于所述最終過孔中，以與電連接部100電連接。

第一透明電極500可以由ITO制成，并且，第一透明電極的厚度可以為70nm左右。通常，可以利用PECVD的方法形成透明電極膜，然后在利用光刻構(gòu)圖工藝形成所述第一透明電極。

在本發(fā)明中，對第一絕緣層的具體成分并沒有特殊的限制。通常，該第一絕緣層應(yīng)當(dāng)由能夠被等離子刻蝕的材料。在本發(fā)明的一種具體實施方式中，第一絕緣層用作導(dǎo)電圖形的鈍化層。優(yōu)選地，如圖2(a)中所示，第一絕緣層200包括從下至上依次設(shè)置的過渡層210、 主體層220和頂層230。過渡層210、頂層230的成分與主體層220的成分相同，且過渡層210的密度小于頂層230的密度，頂層230的密度小于主體層220的密度。

在陣列基板中，除了存在第一透明電極之外，還存在第二透明電極。第一透明電極與第二透明電極中的一者為公共電極，第一透明電極與第二透明電極中的另一者為像素電極。在本發(fā)明中，第一透明電極和第二透明電極中的一者位于所述第一絕緣層厚度方向的一側(cè)，且與所述第一絕緣層接觸，所述第一透明電極和所述第二透明電極中的另一者位于所述第一絕緣層的另一側(cè)。

相應(yīng)地，將第一絕緣層200設(shè)置為三層結(jié)構(gòu)的優(yōu)點在于，過渡層210具有較為疏松的結(jié)構(gòu)，與透明電極材料直接接觸時不會出現(xiàn)黑點等現(xiàn)象。頂層230也具有較疏松的結(jié)構(gòu)，有利于等離子體的進(jìn)入，從而便于刻蝕的進(jìn)行。主體層220密度較大，可以起到保護(hù)第一絕緣層下方的第一透明電極的作用。作為一種具體的實施方式，所述第一絕緣層的成分為硅的氮化物(即，SiNx)。

本發(fā)明所提供的制造方法適于制造多種不同結(jié)構(gòu)的陣列基板。例如，所述制造方法適于制造圖3(e)中所示的HADS結(jié)構(gòu)的陣列基板。具體地，具有HADS結(jié)構(gòu)的陣列基板的初始基板包括第二透明電極900、位于該第二透明電極900和所述第一導(dǎo)電圖形之間的第以絕緣層200，該第一絕緣層200位于所述第二透明電極500上方，所述第一導(dǎo)電圖形包括公共電極線。電連接部100為公共電極線的一部分。相應(yīng)地，第一透明電極500為公共電極，第二透明電極900為像素電極。

相應(yīng)地，提供所述初始基板的步驟包括：

提供襯底基板；

在所述襯底基板上形成柵極圖形層，所述柵極圖形層包括所述第一導(dǎo)電圖形；

在所述柵極圖形層上形成第二絕緣層；

在所述第二絕緣層上形成包括有源層的圖形；

在包括有源層的圖形上形成包括第二透明電極的圖形；

在所述第二透明電極圖形上方形成源漏圖形層，所述源漏圖形層包括源極和漏極，所述第二透明電極與漏極的一部分接觸；

在所述源漏圖形層上形成所述第一絕緣層，以獲得所述初始基板。

容易理解的是，所述柵極圖形層還包括柵極、柵線等圖形。

在這種實施方式中，所述第一透明電極為陣列基板的公共電極，所述第二透明電極為所述陣列基板的像素電極。

需要解釋的是，陣列基板被劃分為多個像素單元，每個像素單元內(nèi)均設(shè)置有一個第二透明電極(即，像素電極)，每個像素單元內(nèi)也都設(shè)置有與所述第二透明電極相連的薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括源極810、漏極820、有源層700和柵極110。

如圖3(a)和圖3(b)所示，在HADS結(jié)構(gòu)的陣列基板中，所述初始過孔的倒角形成在第一絕緣層200的底部，即，位于第二絕緣層600的上方。

下面結(jié)合圖3(a)至圖3(e)介紹利用本發(fā)明所提供的制造方法制造HADS結(jié)構(gòu)的陣列基板的方法。

在步驟S100中，提供初始基板，所述初始基板包括第一絕緣層；

在步驟S200中，在所述第一絕緣層上形成第一掩膜圖形層；

在步驟S300中，如圖3(a)所示，對設(shè)置有所述第一掩膜圖形層(未示出)的第一絕緣層200進(jìn)行干刻，以在所述通孔對應(yīng)的位置形成貫穿所述第一絕緣層的初始過孔。從圖3(a)和圖3(b)中可以看出，在初始過孔位于第一絕緣層200底部的部分形成有倒角。

在步驟S400中，向工藝腔內(nèi)通入等離子體，在第一預(yù)設(shè)工藝參數(shù)下對形成有初始過孔的第一絕緣層200進(jìn)行處理，以使得所述初始過孔在所述等離子體的作用下形成最終過孔，如圖3(c)所示，如圖3(d)中所示，最終過孔的側(cè)壁在第一絕緣層和第二絕緣層的交接處是連續(xù)的；

在步驟S500中，剝離所述第一掩膜圖形層；

在步驟S600中，形成第二掩膜圖形層；

在步驟S700中，向所述工藝腔內(nèi)通入所述等離子體，在第二預(yù) 設(shè)工藝參數(shù)下對形成有所述最終過孔的第一絕緣層進(jìn)行減??；

在步驟S800中，剝離所述第二掩膜圖形層；

在步驟S900中，形成包括第一透明電極500的圖形，如圖3(e)所示。

本發(fā)明所提供的制造方法還可以用于制造圖4(d)中所示的有機(jī)膜結(jié)構(gòu)的陣列基板。具體地，所述第一導(dǎo)電圖形包括源漏電極，所述電連接部為漏極的一部分。相應(yīng)地，所述初始基板還包括位于所述第一導(dǎo)電圖形上方的第二絕緣層600、設(shè)置在該第二絕緣層600上的第二透明電極900。第一絕緣層200位于第二透明電極900上方，第二絕緣層600上與電連接部100對應(yīng)的位置設(shè)置有凹槽，所述凹槽貫穿第二絕緣層600。如圖4(d)中所示，第一絕緣膜200的一部分位于所述凹槽中。在圖4(d)中所提供的實施方式中，第二絕緣層600為由有機(jī)物制成的有機(jī)膜。在圖4(d)中所示的實施方式中，第一透明電極500為像素電極，第二透明電極900為公共電極。

相應(yīng)地，提供初始基板的步驟包括：

體統(tǒng)襯底基板；

在所述襯底基板上形成包括多個薄膜晶體管，所述薄膜晶體管包括柵極、柵絕緣層、有源層和源漏極；

形成所述第二絕緣層；

形成包括第二透明電極的圖形；

形成所述凹槽；

形成所述第一絕緣層。

在這種實施方式中，所述第一透明電極為所述陣列基板的像素電極，所述第二透明電極為所述陣列基板的公共電極。

由于所述第二絕緣層為有機(jī)膜，因此，可以通過曝光顯影的方式形成所述凹槽。

下面結(jié)合圖4(a)至圖4(d)介紹如何利用本發(fā)明所提供的制造方法制造陣列基板。

在步驟S100中，提供初始基板，如圖4(a)所示，所述初始基板包括第一絕緣層200；

在步驟S200中，在所述第一絕緣層上形成第一掩膜圖形層；

在步驟S300中，如圖4(b)所示，對設(shè)置有所述第一掩膜圖形層(未示出)的第一絕緣層200進(jìn)行干刻，以在所述通孔對應(yīng)的位置形成貫穿所述第一絕緣層的初始過孔。從圖4(b)中可以看出，在初始過孔的底部形成有倒角。

在步驟S400中，向工藝腔內(nèi)通入等離子體，在第一預(yù)設(shè)工藝參數(shù)下對形成有初始過孔的第一絕緣層進(jìn)行處理，以使得所述初始過孔在所述等離子體的作用下形成最終過孔；

在步驟S500中，剝離所述第一掩膜圖形層；

在步驟S600中，形成第二掩膜圖形層；

在步驟S700中，向所述工藝腔內(nèi)通入所述等離子體，在第二預(yù)設(shè)工藝參數(shù)下對形成有所述最終過孔的第一絕緣層進(jìn)行減??；

在步驟S800中，剝離所述第二掩膜圖形層；

在步驟S900中，形成包括第一透明電極500的圖形，如圖4(d)所示。

作為本發(fā)明的另一個方面，提供一種陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述制造方法制得。

如上文中所述，在制造所述陣列基板時，形成了初始過孔后，對初始過孔進(jìn)行等離子化處理，可以刻除初始過孔的側(cè)壁上的倒角，使得形成的最終過孔的側(cè)壁是連續(xù)的。在所述最終過孔中形成導(dǎo)電膜時，不會出現(xiàn)缺口、斷裂等現(xiàn)象，因此，所述陣列基板具有較高的良率。

下面詳細(xì)介紹利用本發(fā)明所提供的陣列基板的具體結(jié)構(gòu)。

具體地，所述陣列基板包括第一導(dǎo)電圖形、覆蓋該第一導(dǎo)電圖形的第一絕緣層和第一透明電極，所述第一導(dǎo)電圖形包括至少一個電連接部，所述陣列基板包括位置與所述電連接部對應(yīng)的最終過孔，所述最終過孔貫穿所述第一絕緣層，且所述最終過孔的一部分形成在所述電連接部上，所述第一透明電極的一部分位于所述最終通孔中，以與所述電連接部電連接。

所述陣列基板可以是圖3(e)中所示的HADS結(jié)構(gòu)的陣列基板， 也可以是圖4(d)中所示的有機(jī)膜陣列基板。

作為本發(fā)明的還一個方面，提供一種顯示面板，所述顯示面板包括陣列基板，其中，所述陣列基板為本發(fā)明所提供的上述陣列基板。

可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。