1.一種平面柵超級(jí)結(jié)器件的制造方法，其特征在于，包括如下步驟：
步驟一、在半導(dǎo)體襯底表面形成由P型薄層和N型薄層交替排列組成的超級(jí)結(jié)；
步驟二、在形成有所述超級(jí)結(jié)的所述半導(dǎo)體襯底表面形成場(chǎng)氧化層；
步驟三、進(jìn)行氬離子注入將氬注入到所述場(chǎng)氧化層中；
步驟四、采用有源區(qū)的光罩形成定義有所述有源區(qū)的光刻膠圖形；
步驟五、以所述光刻膠圖形為掩模對(duì)所述場(chǎng)氧化層進(jìn)行刻蝕，該刻蝕僅采用濕法刻蝕；由所述濕法刻蝕后的所述場(chǎng)氧化層圍繞形成所述有源區(qū)；所述濕法刻蝕使所述場(chǎng)氧化層在所述有源區(qū)邊界處形成平緩的傾斜側(cè)面；
步驟六、去除所述光刻膠圖形，采用形成犧牲氧化層并濕法去除的方法對(duì)所述半導(dǎo)體襯底表面進(jìn)行處理；
步驟七、生長(zhǎng)柵氧化層和多晶硅層，所述多晶硅層形成于所述有源區(qū)的所述柵氧化層表面并沿著所述場(chǎng)氧化層的傾斜側(cè)面爬坡并延伸到所述場(chǎng)氧化層上；
結(jié)合步驟三中的氬離子注入和步驟五的濕法刻蝕使所述多晶硅層在所述場(chǎng)氧化層的傾斜側(cè)面爬坡延伸時(shí)不形成隆起結(jié)構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的平面柵超級(jí)結(jié)器件的制造方法，其特征在于：步驟二中所述場(chǎng)氧化層的厚度為0.2μm～3μm。
3.如權(quán)利要求1所述的平面柵超級(jí)結(jié)器件的制造方法，其特征在于：步驟三中所述氬離子注入的注入能量為80kev，注入劑量為5E13cm-2。
4.如權(quán)利要求1所述的平面柵超級(jí)結(jié)器件的制造方法，其特征在于：通過(guò)所述述濕法刻蝕控制使所述場(chǎng)氧化層的傾斜側(cè)面的坡角為10°～60°。
5.如權(quán)利要求4所述的平面柵超級(jí)結(jié)器件的制造方法，其特征在于：通過(guò)所述述濕法刻蝕控制使所述場(chǎng)氧化層的傾斜側(cè)面的坡角為25°。
6.如權(quán)利要求1所述的平面柵超級(jí)結(jié)器件的制造方法，其特征在于：步驟六中形成所述犧牲氧化層的溫度小于等于1175攝氏度。
7.如權(quán)利要求1所述的平面柵超級(jí)結(jié)器件的制造方法，其特征在于：步驟一包括如下分步驟：
步驟11、提供一半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底表面形成有N型外延層；
步驟12、采用光刻刻蝕工藝在所述N型外延層中形成多個(gè)溝槽；
步驟13、采用外延生長(zhǎng)中在所述溝槽中填充P型外延層；
由填充于溝槽中的P型外延層組成P型薄層，由各所述P型薄層之間的N型外延層組成N型薄層；所述P型薄層和所述N型薄層交替排列組成所述超級(jí)結(jié)。
8.如權(quán)利要求1所述的平面柵超級(jí)結(jié)器件的制造方法，其特征在于：步驟一中所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底。
9.如權(quán)利要求7所述的平面柵超級(jí)結(jié)器件的制造方法，其特征在于：所述半導(dǎo)體襯底為硅襯底，所述P型外延層為P型硅外延層，所述N型外延層為N型硅外延層。
10.如權(quán)利要求1或7所述的平面柵超級(jí)結(jié)器件的制造方法，其特征在于：步驟七之后還包括步驟：
采用光刻刻蝕工藝對(duì)所述多晶硅層進(jìn)行刻蝕同時(shí)形成多晶硅柵和多晶硅延伸結(jié)構(gòu)；所述多晶硅柵位于所述有源區(qū)中的所述N型薄層頂部并沿著所述N型薄層的長(zhǎng)度方向延伸；所述多晶硅延伸結(jié)構(gòu)位于所述場(chǎng)氧化層頂部，所述多晶硅柵延伸到所述有源區(qū)邊緣后爬過(guò)所述場(chǎng)氧化層的傾斜側(cè)面和所述多晶硅延伸結(jié)構(gòu)相連接。
11.如權(quán)利要求10所述的平面柵超級(jí)結(jié)器件的制造方法，其特征在于：所述多晶硅延伸結(jié)構(gòu)組成多晶硅總線，所述有源區(qū)中的各所述多晶硅柵都和所述多晶硅總線連接，所述多晶硅總線連接到柵極襯墊。
12.如權(quán)利要求10所述的平面柵超級(jí)結(jié)器件的制造方法，其特征在于：平面柵超級(jí)結(jié)器件為MOSFET器件，在所述超級(jí)結(jié)形成后還包括在所述有源區(qū)中的所述超級(jí)結(jié)的各所述P型薄層的頂部形成P型體區(qū)的步驟，所述P型體區(qū)還延伸到相鄰的所述N型薄層中；
在所述多晶硅柵形成后還包括進(jìn)行N+注入形成源區(qū)的步驟，所述源區(qū)位于各所述P型體區(qū)表面且和對(duì)應(yīng)的所述多晶硅柵的側(cè)面自對(duì)準(zhǔn)；
所述半導(dǎo)體襯底為N型摻雜，漏區(qū)形成于所述半導(dǎo)體襯底背面。
13.如權(quán)利要求1所述的平面柵超級(jí)結(jié)器件的制造方法，其特征在于：步驟七中采用熱氧化工藝形成所述柵氧化層。