本發(fā)明關(guān)于一種質(zhì)譜儀，其包括四極桿離子光學(xué)裝置(例如，四極桿離子阱或存儲(chǔ)裝置)，并且特別地，關(guān)于一種三重四極桿質(zhì)譜儀。還考慮一種對(duì)應(yīng)的質(zhì)譜分析方法。

背景技術(shù)：

使用四極桿離子光學(xué)裝置的質(zhì)譜儀是眾所周知的。此類儀器的特定實(shí)例是三重四極桿質(zhì)譜儀，其通常用于串聯(lián)質(zhì)譜分析。這包括：第一質(zhì)量選擇四極桿裝置，q1；充當(dāng)碰撞池并用于離子斷裂的第二四極桿裝置，q2；以及第三質(zhì)量分辨四極桿質(zhì)量分析器，q3。這種類型的儀器的許多實(shí)例是已知的，如由賽默飛世爾科技公司(thermofisherscientific,inc)制造的tsq8000(rtm)或tsq量子(rtm)。有時(shí)提供另一四極桿裝置q0用作基本的濾質(zhì)器、離子導(dǎo)向器或斷裂池。這可準(zhǔn)許msⁿ操作。

每一四極桿裝置包括四個(gè)平行桿，它們被布置成相對(duì)的兩對(duì)電極。一般來(lái)說(shuō)，桿電極對(duì)具有施加到它們的射頻(rf)電壓和任選地dc電壓的相反相位。質(zhì)量選擇四極桿一般具有施加到電極的rf和dc，而充當(dāng)碰撞池或離子導(dǎo)向器的四極桿通常僅施加有rf。然而，某些四極桿裝置可僅具有施加到它們的靜電電壓，舉例來(lái)說(shuō)，以用于波束成形或靜電透鏡陣列。桿可具有圓形、橢圓或雙曲線的橫截面。替代地，在被稱作平桿(flatapole)或方形四極桿的配置中，桿可具有矩形橫截面，并被稱作平桿電極。平桿電極可具有斜切的或筆直的邊緣。在所有情況下，桿是經(jīng)延長(zhǎng)的，并且離子沿著桿延長(zhǎng)的方向行進(jìn)。通常，一個(gè)四極桿裝置中的桿在垂直于離子行進(jìn)方向的平面中以與另一四極桿裝置的那些桿相同的方式定向。

但是存在其中桿的相對(duì)定向已經(jīng)變化的儀器的實(shí)例。例如，在tsq量子(rtm)儀器中，桿在q1和q3裝置中的相對(duì)定向是相同的，但相對(duì)于曲面的q2碰撞池旋轉(zhuǎn)了45度。盡管已經(jīng)考慮到此類旋轉(zhuǎn)改變，但它們已基于實(shí)驗(yàn)試錯(cuò)法。此外，沒(méi)有確定最佳方法，也沒(méi)有識(shí)別出此類優(yōu)化的基本原理。因此，通過(guò)設(shè)置桿在四極桿離子光學(xué)裝置中的相對(duì)定向來(lái)改進(jìn)質(zhì)譜儀的性能在可靠性方面還是不可能的。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對(duì)這個(gè)背景技術(shù)，提供根據(jù)權(quán)利要求1的質(zhì)譜儀和符合權(quán)利要求34的質(zhì)譜分析的方法。權(quán)利要求中界定其它優(yōu)選的、任選的以及有利的特征。

四極桿裝置上游的離子光學(xué)裝置使離子的空間(可包含角度)分布變得不對(duì)稱。具體來(lái)說(shuō)，空間分布通常沿著軸線延長(zhǎng)，例如：如果空間分布的范圍變成橢圓形，那么它可沿著橢圓的長(zhǎng)軸延長(zhǎng)；以及如果空間分布的范圍變成矩形(通常具有弧形拐角)，那么它可沿著矩形的一個(gè)對(duì)角線(或多個(gè)對(duì)角線)或沿著矩形的長(zhǎng)軸延長(zhǎng)。四極桿裝置具有接受軸線，沿著所述接收軸線達(dá)到離子的最大接受性。例如，對(duì)于施加有負(fù)dc電位的第一對(duì)相對(duì)桿和施加有正dc電位的第二對(duì)相對(duì)桿的四極桿裝置來(lái)說(shuō)，接受軸線可界定在第一對(duì)相對(duì)桿之間。在另一實(shí)例中，四極桿裝置可具有平的延長(zhǎng)的電極，并且接受軸線可由兩個(gè)電極之間的間隙和另外兩個(gè)電極之間的相對(duì)的間隙界定，(具體來(lái)說(shuō)，所述接受軸線在這些間隙的中心之間)。通過(guò)匹配接受軸線和延長(zhǎng)的空間分布軸，明顯改進(jìn)了離子對(duì)四極桿裝置的接受性。

在替代的或者額外的意義上，可考慮特定情境。離子光學(xué)裝置可產(chǎn)生離子束的明顯偏轉(zhuǎn)，這使得離子束的空間分布從對(duì)稱變成不對(duì)稱(如上文所論述)。例如，大于45度的偏轉(zhuǎn)，特別地，大約90度的偏轉(zhuǎn)可導(dǎo)致此類改變。另外地或可替代地，不精確或不正確的機(jī)械或電子調(diào)整可使離子束在某種程度上離軸，或具有相對(duì)于理想情況略微傾斜的主軸線，還會(huì)導(dǎo)致不對(duì)稱的空間分布。

離子光學(xué)裝置還可包括四極桿(舉例來(lái)說(shuō)，彎曲的四極桿裝置)，并且四極桿裝置的桿可定向成相對(duì)于離子光學(xué)裝置的四極桿旋轉(zhuǎn)一個(gè)角度。這個(gè)角度可為約45度，或在30度和60度之間，并在一些實(shí)施例中，在35度和55度之間。如果離子束的空間分布的范圍更接近橢圓形，那么45度的角度可更為恰當(dāng)，并且如果離子束的空間分布的范圍更接近矩形，那么不同的角度(不同于45度的大約10度到15度)可更為合適。

本發(fā)明的益處可包含在四極桿離子光學(xué)裝置的輸出處，特別地，在波峰的較低質(zhì)量側(cè)(所謂的“左”側(cè))處的更佳的傳遞和更佳的波峰形狀。這可允許使用較短的四極桿離子光學(xué)裝置來(lái)實(shí)現(xiàn)相同的性能和/或?yàn)闄C(jī)械不耐受性提供改進(jìn)的穩(wěn)定性。

在正上方論述的情況中，四極桿裝置可為質(zhì)譜儀的q1裝置。另外地或可替代地，四極桿裝置可在質(zhì)譜儀的q1裝置的下游，如q2或q3裝置。隨后，四極桿裝置的桿可定向成相對(duì)于緊靠著上游的四極桿裝置的四極桿旋轉(zhuǎn)一個(gè)角度，所述角度(例如)具有上文所論述的值或范圍。舉例來(lái)說(shuō)，q2裝置可相對(duì)于q1裝置旋轉(zhuǎn)，q3裝置可相對(duì)于q2裝置旋轉(zhuǎn)。

附圖說(shuō)明

本發(fā)明可以通過(guò)多種方式實(shí)踐并且現(xiàn)將僅借助于實(shí)例且參考附圖來(lái)描述優(yōu)選實(shí)施例，在附圖中：

圖1描繪可根據(jù)本發(fā)明操作的icp質(zhì)譜儀的示意性實(shí)施例；

圖2a繪示在垂直于桿延長(zhǎng)方向的平面中的已知的四極桿裝置的桿的橫截面；

圖2b繪示在垂直于桿延長(zhǎng)方向的平面中的符合本發(fā)明的四極桿裝置的桿的橫截面，其示出了桿相比于圖2a的旋轉(zhuǎn)；

圖3展示根據(jù)圖2b的離子到四極桿裝置中、穿過(guò)四極桿裝置和離開(kāi)四極桿裝置的模擬移動(dòng)；

圖4描繪用于圖3的模擬的離子相對(duì)于質(zhì)量的傳遞和損耗；

圖5繪示在圖3的模擬中用于在到四極桿裝置的入口處的具有特定質(zhì)量的離子的實(shí)例空間分布；

圖6a到6d繪示在圖3的模擬中用于在到四極桿裝置的入口處的具有不同特定質(zhì)量的離子的其它實(shí)例空間分布；

圖7繪示在圖3的模擬中用于在到四極桿裝置的出口處的具有特定質(zhì)量的離子的實(shí)例空間分布；

圖8繪示在垂直于桿延長(zhǎng)方向的平面中符合本發(fā)明的具有平桿電極的四極桿裝置的桿的橫截面，其中反應(yīng)池示出了相比于圖2b的桿的旋轉(zhuǎn)；以及

圖9以三維視圖展示基于圖1的配置的根據(jù)實(shí)施例的三個(gè)四極桿裝置的示意圖。

具體實(shí)施方式

首先參看圖1，描繪了icp質(zhì)譜儀的示意性實(shí)施例，其包括：離子源10，其在這個(gè)實(shí)施例中確切地說(shuō)，為icp炬；采樣器錐體20；撇渣器錐體30；離子光學(xué)裝置40；第一四極桿(q1)濾質(zhì)器50；四極桿碰撞/反應(yīng)池(q2)60；差異抽吸孔口70；第二四極桿(q3)濾質(zhì)器80；以及離子檢測(cè)器90。q3濾質(zhì)器80可視為質(zhì)量分析儀或質(zhì)量分析儀的一部分。還示出了方向性基礎(chǔ)軸線(‘x’和‘z’)，特別地為了參考所示出的裝置的定向。第三基礎(chǔ)軸線(‘y’)處于與x和z基礎(chǔ)軸線兩者正交的方向(換句話說(shuō)，從頁(yè)面中出來(lái))。

在這個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，離子在icp炬10中產(chǎn)生，經(jīng)由采樣器20和撇渣器30引入到真空中，傳送穿過(guò)(彎曲)離子光學(xué)裝置40且由q1四極桿濾質(zhì)器50選擇。應(yīng)注意，相比于q2反應(yīng)池60和q3濾質(zhì)器80，q1濾質(zhì)器50相對(duì)較短，且如此進(jìn)行示意性地描繪。此外，q1濾質(zhì)器50的真空條件不如用于后續(xù)級(jí)的真空條件苛刻。這個(gè)可能是因?yàn)檩^短的q1濾質(zhì)器50，并且因此降低這個(gè)裝置內(nèi)部離子到分子碰撞的風(fēng)險(xiǎn)。此處，離子光學(xué)裝置40和q1濾質(zhì)器50在大體上相同的壓力下操作。選定質(zhì)量范圍的離子傳遞到四極桿反應(yīng)池60中，且反應(yīng)產(chǎn)物經(jīng)由離子光學(xué)裝置和差異抽吸孔隙70引導(dǎo)到分析四極桿濾質(zhì)器q380中并由高動(dòng)態(tài)范圍檢測(cè)器90(例如，sem)檢測(cè)。控制器(未示出)操作光譜儀。所述控制器通常包括計(jì)算機(jī)處理器。計(jì)算機(jī)程序在由所述處理器執(zhí)行時(shí)實(shí)現(xiàn)光譜儀的控制以便根據(jù)本發(fā)明的方法操作。操作根據(jù)這種配置的質(zhì)譜儀的方法在我們同在申請(qǐng)中的專利申請(qǐng)案gb1516508.7中進(jìn)行論述，并且那一申請(qǐng)案的內(nèi)容以引入的方式并入本文中。

質(zhì)量分辨四極桿裝置(q1四極桿濾質(zhì)器50和/或分析四極桿濾質(zhì)器q380)經(jīng)常具有預(yù)過(guò)濾器和/或后過(guò)濾器。它們的目的是輔助(且旨在確保)離子從四極桿裝置之前的透鏡孔口到四極桿中的有效轉(zhuǎn)移(在預(yù)過(guò)濾器的情況下)或從四極桿裝置到透鏡孔口和其后方的下游光學(xué)裝置中的轉(zhuǎn)移(針對(duì)后過(guò)濾器)。因?yàn)檫@些裝置僅僅支持離子轉(zhuǎn)移，所以它們并不改變?cè)诒疚闹姓撌龅模唧w地在下文中論述的考慮因素中的任一者。因此，此處它們僅以過(guò)渡的形式提及，但是它們可包含于任一實(shí)施方案中。

從提取區(qū)域(離子源10、采樣器錐體20、撇渣器錐體30)出來(lái)的離子束具有高度的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱。舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)通過(guò)大量測(cè)量查看離子束的平均空間分布時(shí)，旋轉(zhuǎn)對(duì)稱至少是可辨的。在機(jī)械不準(zhǔn)確性的情況下，特定離子束可具有對(duì)稱性的隨機(jī)或偶然偏差，而不是系統(tǒng)性偏差。換句話說(shuō)，這是一種具有優(yōu)先定向的偏差(舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)通過(guò)大量測(cè)量進(jìn)行平均化時(shí))。在此背景下，離子束行進(jìn)所沿著的軸線是對(duì)稱軸。離子光學(xué)裝置40將所提取的離子束偏轉(zhuǎn)90°。偏轉(zhuǎn)的離子束不再具有圍繞由離子束的行進(jìn)方向界定的軸線的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性。具體來(lái)說(shuō)，如果離子具有能量的寬分布，那么它們的角分布將是不同的，即使這些離子仍然聚焦到同一點(diǎn)(用于q1濾質(zhì)器50的進(jìn)入透鏡)。

具體來(lái)說(shuō)，離子光學(xué)裝置40使離子束在圖1繪制的平面中擴(kuò)散得更加廣泛。如果機(jī)械不準(zhǔn)確性出現(xiàn)，那么可導(dǎo)致更大的角分布或可存在具有優(yōu)選定向的系統(tǒng)性偏差(舉例來(lái)說(shuō)，當(dāng)通過(guò)大量測(cè)量進(jìn)行平均化時(shí))。這個(gè)分布的一些具體實(shí)例將在下文論述。

參看圖2a，示出了在垂直于桿延長(zhǎng)方向的平面中的已知四極桿裝置的桿的橫截面。如對(duì)四極桿裝置所眾所周知的，示出了相對(duì)的兩對(duì)桿。第一對(duì)相對(duì)的桿電極51具有施加到它們的負(fù)dc電位。第二對(duì)相對(duì)的桿電極52具有施加到它們的正dc電位。出于與圖1和后續(xù)圖式比較的目的，還示出了二維平面中的x和y基礎(chǔ)軸線。為了在四極桿裝置中導(dǎo)引離子，rf電位通常還施加到桿電極。然而，為簡(jiǎn)單起見(jiàn)，并未示出這些。

接著參看圖2b，示出了在垂直于桿延長(zhǎng)方向的平面中的符合本發(fā)明的四極桿裝置的桿的橫截面。類似于圖2a，x和y基礎(chǔ)軸線以與前圖中相同的定向示出。類似地，示出了施加有負(fù)dc電位的第一對(duì)相對(duì)的桿電極51和施加有正dc電位的第二對(duì)相對(duì)的桿電極52。相比于圖2a中所示的桿電極，這些桿電極在二維平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)45°。因此，施加有負(fù)dc電位的桿電極51現(xiàn)在與x軸對(duì)準(zhǔn)。這也是離子束的空間分布(在此背景下，這可包含角分布)的延長(zhǎng)所沿著的軸線，如上文所論述。

為了觀測(cè)此類定向的益處，已根據(jù)圖2b使用四極桿裝置進(jìn)行模擬。現(xiàn)參看圖3，展示離子到此類四極桿裝置中、穿過(guò)此類四極桿裝置和離開(kāi)此類四極桿裝置的模擬移動(dòng)。示出了基礎(chǔ)軸線(‘z’和‘y’)，以與先前的圖式進(jìn)行比較。所述模擬曾應(yīng)用到正離子的情況中。然而，應(yīng)立刻了解，通過(guò)恰當(dāng)?shù)馗淖兏鞣N離子光學(xué)裝置和電極上的極性，本發(fā)明同等地應(yīng)用到負(fù)離子的情況中。在這個(gè)圖式中，假設(shè)四極桿裝置為q1濾質(zhì)器50。在四極桿裝置50上游提供入口透鏡55，并在四極桿裝置50下游提供出口透鏡56。還示出了出口透鏡56下游的測(cè)試平面57。額外示出了模擬的離子路徑58，其開(kāi)始于圖式的右側(cè)并向左移動(dòng)。針對(duì)模擬，離子開(kāi)始為具有均勻的波束密度和直徑為1mm的圓形、對(duì)稱空間分布的平行波束。具體來(lái)說(shuō)，入口透鏡55使這個(gè)平行波束被轉(zhuǎn)換為具有空間和角分布的波束。

接著參看圖4，描繪了用于此模擬的離子相對(duì)于質(zhì)量的傳遞和損耗的曲線。傳遞(接受)曲線101示出了通過(guò)四極桿裝置50傳遞的離子的比例，損耗曲線102示出了在四極桿裝置50的出口處損耗的離子的比例。模擬四極桿裝置50標(biāo)稱地設(shè)定成接受具有質(zhì)量240amu的離子。傳遞曲線101因此示出了波峰內(nèi)對(duì)應(yīng)于質(zhì)量位置240的峰值。然而，應(yīng)注意，質(zhì)量位置240不位于波峰的中心。實(shí)際上，傳遞曲線101的中心在大致質(zhì)量238.8amu處。因此，四極桿裝置50的校準(zhǔn)是高度需要的。離子在波峰的兩側(cè)處損耗，如損耗曲線102所示。當(dāng)四極桿的總體傳遞接近零時(shí)，離子在四極桿裝置內(nèi)或在四極桿裝置的開(kāi)始處被排斥。然而，在峰側(cè)，數(shù)個(gè)離子在四極桿裝置50的出口區(qū)域處損耗。

因此值得對(duì)在到四極桿裝置50的入口處的離子的空間分布進(jìn)行更詳細(xì)的研究。接著參看圖5，示出了基于模擬結(jié)果的在到四極桿裝置的入口處傳遞穿過(guò)四極桿的具有標(biāo)稱質(zhì)量239的離子的實(shí)例空間分布。這是根據(jù)圖2b中所示的x和y軸繪制的。將會(huì)提到數(shù)個(gè)問(wèn)題。第一，可立即看到在這個(gè)平面中離子束的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性已不存在。離子束已在y方向上進(jìn)行擠壓，并因此在x方向上相對(duì)延長(zhǎng)。離子似乎在y軸上損耗，所述y軸更接近施加有正dc電位的桿電極52。實(shí)際上，離子的空間分布似乎更接近矩形形狀。盡管針對(duì)經(jīng)配置以傳遞某一標(biāo)稱質(zhì)量的四極桿裝置示出了這個(gè)空間分布，但是其它模擬示出了改變那一標(biāo)稱接受質(zhì)量似乎不會(huì)影響這個(gè)空間分布的形狀。

上述分析將傳遞曲線101的中心視為最高。參看圖6a，示出了在圖3的模擬中在到四極桿裝置的入口處的另一實(shí)例空間分布，集中在傳遞曲線波峰的“左”側(cè)，確切地說(shuō)，集中在質(zhì)量235.48amu。同樣，示出了在x、y平面中離子的空間分布。此處，沿著x方向的接受比沿著y方向的高得多。同樣，模擬結(jié)果表明針對(duì)所配置的四極桿裝置改變接受質(zhì)量并不改變這個(gè)結(jié)果。其結(jié)果是，將出現(xiàn)在這個(gè)接受范圍內(nèi)更定向的波束分布會(huì)產(chǎn)生更陡的峰側(cè)和更佳的豐度靈敏度。

接著參看圖6b，示出了在圖3的模擬中在到四極桿裝置的入口處的在質(zhì)量241.9處的另一實(shí)例空間分布。這是在接受曲線波峰的“右側(cè)”上。在本實(shí)例中，此情形較不清晰。實(shí)際上，在這個(gè)質(zhì)量處，大致維持了空間分布的旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性。

參看圖6c，示出了在圖3的模擬中在到四極桿裝置的入口處的傳遞離子在質(zhì)量242amu處的另一實(shí)例空間分布。即使在質(zhì)量稍微改變的情況下，也不再保留旋轉(zhuǎn)對(duì)稱性，并且x方向上的接受比y方向上的更大。

當(dāng)四極桿裝置的標(biāo)稱接受質(zhì)量改變成40amu時(shí)，觀測(cè)到了類似結(jié)果。然而，當(dāng)四極桿裝置的標(biāo)稱質(zhì)量經(jīng)調(diào)整以檢查在質(zhì)量8.2amu處的li峰值時(shí)，觀測(cè)到了不同結(jié)果?，F(xiàn)參看圖6d，示出了在圖3的模擬中在到四極桿裝置的入口處的離子在li峰值“右側(cè)”的空間分布。此處，接受似乎青睞y方向。這與中等和較高質(zhì)量進(jìn)行對(duì)比，其中，在“右”峰側(cè)處的接受類似地定向到“左”峰側(cè)上的接受。在一些情形中，青睞“左”峰側(cè)可更合乎需要，其中可實(shí)現(xiàn)對(duì)低了1amu的質(zhì)量的辨別。因此，在低質(zhì)量處，傳遞曲線101波峰的“右”側(cè)可能青睞不同配置的事實(shí)可能不是顯著相關(guān)。

基于這些結(jié)果，將因此觀測(cè)到以下各點(diǎn)。針對(duì)總體傳遞，以將施加有正dc電位的桿電極52定向在與由離子光學(xué)裝置40提供的90°偏轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)軸線相同的軸線中的方式定向四極桿裝置50是有利的。換句話說(shuō)，將在四極桿裝置中實(shí)現(xiàn)離子的最大接受性所沿著的軸線大體上定向成匹配離子的空間分布的延長(zhǎng)軸。此定向似乎還改進(jìn)了傳遞曲線波峰“左”側(cè)上的全部質(zhì)量的峰形狀側(cè)面，(或者表達(dá)為m<m，其中m是四極桿裝置的標(biāo)稱接受質(zhì)量或傳遞曲線波峰的中心質(zhì)量)。同等地，定向似乎也改進(jìn)了傳遞曲線波峰“右”側(cè)上的至少(或大于)40amu的質(zhì)量的峰形狀(或者，其中m>m)。

如果q1前面的離子束分布不是或可能不是均質(zhì)的，那么q1(或更一般地，任何下游四極桿)應(yīng)以連接具有負(fù)dc電壓的桿的線沿著更廣的波束分布的方式進(jìn)行定向。作為這個(gè)的特別情況，如果在q1的前方存在任何偏轉(zhuǎn)或彎曲元件(包含多次彎曲的元件，如‘z形彎曲’或‘z形透鏡’)，那么q1應(yīng)被安置成使得連接具有正dc電壓的桿的線平行于彎曲或偏轉(zhuǎn)軸。將q1定向進(jìn)一步旋轉(zhuǎn)10度或15度將略微更有利(潛在地鑒于離子束的矩形空間分布，以使得四極桿的接受軸線與矩形分布的對(duì)角線重合得更多)。

籠統(tǒng)地說(shuō)，這可表達(dá)為質(zhì)譜儀，包括：離子光學(xué)裝置，其經(jīng)配置以接收離子束并將接收到的離子束處理成輸出離子束，以使輸出離子束在輸出方向上行進(jìn)且在垂直于輸出方向的平面中具有空間分布(其可為角分布)，所述輸出方向在平面的一個(gè)維度中相對(duì)于平面的另一維度進(jìn)行延長(zhǎng)，并由此界定延長(zhǎng)軸；以及四極桿離子光學(xué)裝置，其包括第一和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極，所述延長(zhǎng)電極經(jīng)布置以接收沿著輸出方向行進(jìn)的輸出離子束。第一和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極界定垂直于第一和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極的延長(zhǎng)方向的平面中(或垂直于輸出方向的平面中)的接受軸線。接受軸線可被視為其上達(dá)到離子對(duì)四極桿離子光學(xué)裝置的最大接受性的軸線。第一和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極實(shí)質(zhì)上定向成匹配接受軸線與由空間分布界定的延長(zhǎng)軸。

等效地，可提供質(zhì)譜分析的一般方法，包括：在離子光學(xué)裝置處接收離子束；將在離子光學(xué)裝置處接收到的離子束處理成輸出離子束，以使輸出離子束在輸出方向上行進(jìn)，并在垂直于輸出方向的平面中具有空間分布，所述輸出方向在平面的一個(gè)維度中相對(duì)于平面的另一維度進(jìn)行延長(zhǎng)，并由此界定延長(zhǎng)軸；以及在四極桿離子光學(xué)裝置處接收沿著輸出方向行進(jìn)的輸出離子束。四極桿離子光學(xué)裝置包括第一和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極，所述延長(zhǎng)電極界定垂直于第一和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極的延長(zhǎng)方向的平面中(或垂直于輸出方向的平面中)的接受軸線。接受軸線是其上達(dá)到離子對(duì)四極桿離子光學(xué)裝置的最大接受性的軸線。第一和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極實(shí)質(zhì)上定向成匹配接受軸線與由空間分布界定的延長(zhǎng)軸。

數(shù)個(gè)任選的、優(yōu)選的和/或有利的特征可適用于質(zhì)譜儀和質(zhì)譜分析方法兩者。這些在本文中進(jìn)一步進(jìn)行定義，并且盡管一些可定義為結(jié)構(gòu)性的，但是這些可同等地實(shí)施為方法步驟。等效地，任何方法步驟可實(shí)施為結(jié)構(gòu)特征，例如通過(guò)經(jīng)配置以控制質(zhì)譜儀(或其特定部分)來(lái)執(zhí)行步驟的控制器。

離子的空間分布可界定超過(guò)一個(gè)延長(zhǎng)軸(但是在某些情況下可能僅有一個(gè))。這可取決于由空間分布的典型范圍界定的形狀。已經(jīng)考慮橢圓形或矩形形狀，這兩者可界定超過(guò)一個(gè)延長(zhǎng)軸。一般來(lái)說(shuō)，如果界定多個(gè)延長(zhǎng)軸，那么這些延長(zhǎng)軸中的最長(zhǎng)延長(zhǎng)軸可為接受軸線所匹配的延長(zhǎng)軸。例如，在橢圓形形狀中，橢圓的長(zhǎng)軸可被視為延長(zhǎng)軸。對(duì)于矩形形狀，矩形的對(duì)角線可為優(yōu)選延長(zhǎng)軸(并且在一些情況下，矩形范圍可界定兩個(gè)對(duì)角線，如果矩形范圍不是完美的矩形形狀，那么這些對(duì)角線的長(zhǎng)度可彼此不同)。矩形范圍的長(zhǎng)度維度還可被視為延長(zhǎng)軸(由于空間分布在超過(guò)寬度的長(zhǎng)度維度中延長(zhǎng))，但是這個(gè)可為次優(yōu)選的。接受軸線和延長(zhǎng)軸之間的匹配可能不需要精確。舉例來(lái)說(shuō)，接受軸線可將由空間分布界定的延長(zhǎng)軸匹配到以下各者中的一者內(nèi)：30度；25度；20度；15度；10度；5度；2度；以及1度。例如在空間分布具有更接近矩形形狀而不是橢圓形形狀的范圍的情況下，可特別地施加更大的變化，其中可考慮超過(guò)一個(gè)延長(zhǎng)軸。

四極桿離子光學(xué)裝置可由一系列不同的配置中選出。在一些配置中，第一對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極經(jīng)耦合以接收負(fù)dc電位，第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極經(jīng)耦合以接收正dc電位。例如，這可包含線性離子阱，或更優(yōu)選地，傳遞四極桿或四極桿濾質(zhì)器。在這些情況下，接受軸線可為由第一對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極界定(第一對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極之間)的軸線。

在四極桿離子光學(xué)裝置的另一配置中，第一和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極經(jīng)配置以不接收dc電位和/或僅接收rf電位。在此情況下，接受軸線可界定在以下兩者之間：第一對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極中的一個(gè)電極和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極中的一個(gè)電極之間的第一間隙；以及與第一間隙相對(duì)的第二間隙。換句話說(shuō)，接受軸線可界定在電極之間的兩個(gè)相對(duì)間隙之間。其中接受軸線在電極之間的兩個(gè)相對(duì)間隙之間界定的這個(gè)布置可為特別優(yōu)選的，其中延長(zhǎng)電極對(duì)僅具備rf電壓。

在一些實(shí)施例中，第一和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極中的每一個(gè)是桿電極，通常具有大體上弧形的(舉例來(lái)說(shuō)，圓形、橢圓形或雙曲線)橫截面。在其它實(shí)施例中，第一和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極中的每一個(gè)是平的延長(zhǎng)的電極(相比于桿電極，橫截面是相對(duì)矩形的)。這可為被稱為“平桿”或方形四極桿，如上所述。在任一情況下，四極桿離子光學(xué)裝置任選地包括以下兩者中的一個(gè)或兩個(gè)：用于聚焦在輸出離子束中接收到的離子的進(jìn)入透鏡；以及用于聚焦離開(kāi)四極桿離子光學(xué)裝置的離子的出口透鏡。

可理解，由離子光學(xué)裝置接收到的離子束具有初始行進(jìn)方向和在垂直于第一行進(jìn)方向的平面中的初始空間分布。在一些實(shí)施例中，初始空間分布在平面內(nèi)可旋轉(zhuǎn)地對(duì)稱。因此，離子光學(xué)裝置可使離子束的空間分布從相對(duì)對(duì)稱變成不對(duì)稱，并且確切地說(shuō)，在至少一個(gè)方向上延長(zhǎng)。離子光學(xué)裝置可包括四極桿電極布置，并可經(jīng)配置以充當(dāng)濾質(zhì)器(質(zhì)量選擇在輸出離子束中接收到的離子)、用于在輸出離子束中接收到的離子的碰撞池或充當(dāng)導(dǎo)引離子穿過(guò)某一距離的離子導(dǎo)向器。

在實(shí)施例中，離子光學(xué)裝置經(jīng)配置以通過(guò)將接收到的離子束偏轉(zhuǎn)(或彎曲)一個(gè)角度或多個(gè)角度(舉例來(lái)說(shuō)，使用彎曲元件的組合，如‘z形透鏡’)而將接收到的離子束處理成輸出離子束。偏轉(zhuǎn)角度通常大于(或在一些情況下，至少)45度。45度或大于45度的角度可使離子束的空間分布變得不對(duì)稱。例如，偏轉(zhuǎn)角度可高達(dá)100度。優(yōu)選地，偏轉(zhuǎn)角度大約為90度(舉例來(lái)說(shuō)，加上或減去1、2、5或10度)。在此意義上，離子光學(xué)裝置可經(jīng)配置以圍繞至少一個(gè)偏轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)軸，并潛在地圍繞多個(gè)偏轉(zhuǎn)或旋轉(zhuǎn)軸來(lái)偏轉(zhuǎn)(或彎曲)接收到的離子束。在可獨(dú)立于本文所公開(kāi)的任何其它方面或與任何其它方面連接的方面中，其中第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極經(jīng)耦合以接收正dc電位，四極桿離子光學(xué)裝置被布置成使得第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極之間的軸線與偏轉(zhuǎn)軸(或偏轉(zhuǎn)軸中的兩個(gè)或更多個(gè))對(duì)準(zhǔn)。因此，一般化的離子光學(xué)裝置可與上文所論述的離子光學(xué)裝置40對(duì)應(yīng)。然而，不一定就是這樣，一般化的離子光學(xué)裝置可與另一離子光學(xué)裝置對(duì)應(yīng)，如離子光學(xué)裝置40下游的那些，(舉例來(lái)說(shuō))包含q1濾質(zhì)器50和q2池60。

在優(yōu)選實(shí)施例中，質(zhì)譜儀進(jìn)一步包括離子源，優(yōu)選地包括icp離子源，其經(jīng)布置以產(chǎn)生由離子光學(xué)裝置接收的離子束。隨后，質(zhì)譜儀可被配置成使得離子束的行進(jìn)方向與離子源和離子光學(xué)裝置之間保持相同。

任選地，在四極桿離子光學(xué)裝置上游(并且優(yōu)選地，在離子光學(xué)裝置下游)提供預(yù)過(guò)濾器。預(yù)過(guò)濾器可經(jīng)配置以支持或輔助離子從緊靠著四極桿離子光學(xué)裝置上游的透鏡孔口到四極桿離子光學(xué)裝置中的有效轉(zhuǎn)移。另外地或可替代地，可在四極桿離子光學(xué)裝置下游提供后過(guò)濾器。后過(guò)濾器可經(jīng)配置以支持或輔助離子從四極桿離子光學(xué)裝置到緊靠著四極桿離子光學(xué)裝置下游的透鏡孔口中的有效轉(zhuǎn)移。

在各種情況下，離子光學(xué)裝置經(jīng)配置以使得輸出離子束中的離子的質(zhì)荷比至少是閾值，例如以下各者中的一個(gè)：10amu；20amu；40amu；100amu。如上所述，在一些情況下，這個(gè)方法對(duì)于具有高質(zhì)量的離子來(lái)說(shuō)可能不是優(yōu)選的。

現(xiàn)將描述更具體的實(shí)施例。接著參看圖7，示出了在圖3的模擬中在四極桿裝置的出口處的離子的實(shí)例空間分布(也就是說(shuō)，當(dāng)離子撞擊測(cè)試平面57時(shí))。這處于u形波峰的特定標(biāo)稱質(zhì)量239amu處。此處，會(huì)看到y(tǒng)軸是受到青睞的。盡管未示出實(shí)例空間分布，但其它模擬已經(jīng)示出了這對(duì)全部質(zhì)量和全部質(zhì)量的波峰兩側(cè)有效。因此，將出現(xiàn)下游四極桿裝置應(yīng)相對(duì)于上游四極桿離子光學(xué)裝置旋轉(zhuǎn)90°，所述下游四極桿裝置從第一四極桿裝置50的出口接受離子束，其在此情況下將為q2反應(yīng)池60，所述上游四極桿離子光學(xué)裝置是q1濾質(zhì)器50。如果第二下游四極桿裝置具有施加到其相對(duì)的電極對(duì)的dc電壓，那么情況通常就是這樣。換句話說(shuō)，它的dc電位(極性)將相對(duì)于第一四極桿的dc電位旋轉(zhuǎn)90度。

然而，不一定就是此類旋轉(zhuǎn)角度。實(shí)際上，q2反應(yīng)池60可為不同種類的四極桿裝置。具體來(lái)說(shuō)，可考慮其中q2可僅包括rf四極桿(例如用作碰撞池)和/或平桿配置的實(shí)施例。在僅具有rf的四極桿的情況下，桿可具有圓形、橢圓形、雙曲線或矩形橫截面。如上文所描述，此類平桿配置的桿具有矩形橫截面。具體來(lái)說(shuō)，沒(méi)有dc電位施加到平桿的桿電極。因此，對(duì)于每一桿來(lái)說(shuō)接受是相同的。實(shí)際上，可以觀察到，接受在桿之間的對(duì)角線中較高。

接著參看圖8，示出了在垂直于桿延長(zhǎng)方向的平面中具有平桿電極的四極桿裝置的桿的橫截面，以用于展示相比于圖2b的桿的旋轉(zhuǎn)的反應(yīng)池。示出了相同的x軸和y軸。相比于q1四極桿裝置50的弧形的載有dc的桿電極，rf平桿電極61有效地旋轉(zhuǎn)45°，如參看圖2b所描述。

鑒于上文，提出q1dc/rf四極桿裝置50的放射(針對(duì)全部質(zhì)量和波峰兩側(cè))和q2僅具有rf的碰撞/反應(yīng)池60的接受是最佳配合的，如果這兩者裝置的桿定向相對(duì)于彼此旋轉(zhuǎn)45°。換句話說(shuō)，如果碰撞池具有(有效)四極場(chǎng)，那么它應(yīng)該定向成向q1四極場(chǎng)傾斜45°。

僅具有rf的四極桿裝置(如碰撞/反應(yīng)池60)的放射還青睞桿之間的位置，因?yàn)殡x子與中間軸相隔某一距離。換句話說(shuō)，此類僅具有rf的四極桿裝置的放射具有與其接受類似的空間分布。出于此原因，提出q380桿應(yīng)相對(duì)于碰撞池60(cct)桿旋轉(zhuǎn)45°。換句話說(shuō)，如果碰撞池具有(有效)四極場(chǎng)，那么q3四極場(chǎng)應(yīng)該定向成向碰撞池四極場(chǎng)傾斜45°。

sem檢測(cè)器90的定位和孔口開(kāi)口似乎對(duì)總體傳遞來(lái)說(shuō)不是關(guān)鍵的。這可能是因?yàn)闄z測(cè)器接受較為寬廣。由于q380和檢測(cè)器90之間的較大的加速電壓，這似乎也是合理的。

一起看到三個(gè)四極桿裝置的相對(duì)配置是有用的。現(xiàn)參看圖9，因此以三維視圖展示基于圖1的配置的根據(jù)實(shí)施例的三個(gè)四極桿裝置的示意圖。在描繪了相同的裝置的圖9中，已使用相同的參考標(biāo)號(hào)。因此示出了：離子光學(xué)裝置40；第一四極桿(q1)濾質(zhì)器50；四極桿碰撞/反應(yīng)池(q2)60；以及第二四極桿(q3)濾質(zhì)器80。還示出了(出于說(shuō)明性目的)離子束200的路徑，并描繪了在以下四個(gè)位置處的波束橫截面的角分布(在一定程度上可表示空間分布)：緊靠著離子光學(xué)裝置40上游的第一分布201；在到q1濾質(zhì)器50的入口處的第二分布210；在到q2池60的入口(也就是說(shuō)，q1的出口)處的第三分布220；以及在到q3濾質(zhì)器80的入口(也就是說(shuō)，q2的出口)處的第四分布230。此外，進(jìn)一步示出了由離子光學(xué)裝置40導(dǎo)致的偏轉(zhuǎn)軸a。

第一分布201是大致對(duì)稱的，并與第二分布210對(duì)比，所述第二分布210由于由離子光學(xué)裝置40導(dǎo)致的90度波束偏轉(zhuǎn)而延長(zhǎng)。q1濾質(zhì)器50包括：施加有負(fù)dc電位的第一對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極51a；以及施加有正dc電位的第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極52a。第一對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極51a被定向成與第一分布210的延長(zhǎng)軸對(duì)準(zhǔn)。在另一意義上，可看到第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極52a被定向成與由離子光學(xué)裝置40導(dǎo)致的偏轉(zhuǎn)軸a對(duì)準(zhǔn)。

相比于第二分布210，第三分布220旋轉(zhuǎn)90度。然而，由于q2池60是僅具有rf的“平桿”四極桿裝置，其包括平電極61(根據(jù)圖8中所示的那些)，裝置的接受軸線由電極之間的間隙界定。因此，相比于q1濾質(zhì)器50的桿電極51和52的定向，平電極61的定向偏移45度。

q3濾質(zhì)器80包括：施加有負(fù)dc電位的第一對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極51b；以及施加有正dc電位的第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極52b。第四分布230是延長(zhǎng)的(盡管相比于第二分布210或第三分布220更加對(duì)稱)，第一對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極51b被定向成與第四分布230的延長(zhǎng)軸對(duì)準(zhǔn)。因此，相比于q2池60的定向，q3濾質(zhì)器80的定向偏移45度，并且因此相比于q1濾質(zhì)器50的定向，q3濾質(zhì)器80的定向偏移90度。

籠統(tǒng)地說(shuō)，可進(jìn)一步考慮以下各者。技術(shù)人員可將四極桿離子光學(xué)裝置視為第一四極桿離子光學(xué)裝置。第一四極桿離子光學(xué)裝置可經(jīng)配置以通過(guò)在輸出離子束中接收到的離子的質(zhì)量選擇來(lái)提供第一離子束。質(zhì)譜儀任選地包括第一四極桿離子光學(xué)裝置下游的至少一個(gè)其它四極桿離子光學(xué)裝置。例如，所述至少一個(gè)其它四極桿離子光學(xué)裝置可包括第一四極桿離子光學(xué)裝置下游的第二四極桿離子光學(xué)裝置。在一些實(shí)施例中，所述至少一個(gè)其它四極桿離子光學(xué)裝置可進(jìn)一步包括第二四極桿離子光學(xué)裝置下游的第三四極桿離子光學(xué)裝置。

在(四極桿離子光學(xué)裝置上游的)離子光學(xué)裝置包括四極桿電極布置的情況下，在垂直于輸出方向的平面中，(四極桿離子光學(xué)裝置的)第一和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極有利地定向成相對(duì)于離子光學(xué)裝置的四極桿電極布置旋轉(zhuǎn)一個(gè)初始旋轉(zhuǎn)角度。初始旋轉(zhuǎn)角度通常為至少(或大于)30和/或不超過(guò)(或小于)60度，并且優(yōu)選地，為大約45度?？商娲兀谀欠N情況下，初始旋轉(zhuǎn)角度可為至少(或大于)75和/或不超過(guò)(或小于)105度，并且優(yōu)選地，為大約90度。

第二四極桿離子光學(xué)裝置有利地經(jīng)配置以接收第一離子束。有益的是，第二四極桿離子光學(xué)裝置包括第三和第四對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極，所述延長(zhǎng)電極經(jīng)配置以從第一四極桿離子光學(xué)裝置接收第一離子束。在垂直于第一離子束的行進(jìn)方向(和/或第三和第四對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極的延長(zhǎng)方向)的平面中，第三和第四對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極優(yōu)選地定向成相對(duì)于第一和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極旋轉(zhuǎn)第一旋轉(zhuǎn)角度。在此情況下，第一旋轉(zhuǎn)角度通常是至少(或大于)30和/或不超過(guò)(或小于)60度(尤其在第一和第二對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極施加有dc電位，第三和第四對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極沒(méi)有dc電位或僅施加有rf電位，或反之亦然時(shí))，并且優(yōu)選地，是大約45度。可替代地，第一旋轉(zhuǎn)角度可為至少(或大于)75和/或不超過(guò)(或小于)105度，并且優(yōu)選地，為大約90度。這可為其中第一和第二四極桿離子光學(xué)裝置兩者是dc/rf裝置的情況。

在優(yōu)選實(shí)施例中，第二四極桿離子光學(xué)裝置經(jīng)進(jìn)一步配置以充當(dāng)用于在第一離子束中接收到的離子的碰撞池。由此，接收到的離子的斷裂和/或碰撞冷卻可為可能的。在此情況下，第二四極桿離子光學(xué)裝置可被布置為充氣的。另外地或可替代地，它可經(jīng)配置以提供來(lái)自在第一離子束中接收到的離子的第二離子束。

第三四極桿離子光學(xué)裝置可優(yōu)選地經(jīng)配置以通過(guò)在第二離子束中接收到的離子的質(zhì)量選擇來(lái)提供第三離子束。有利的是，第三四極桿離子光學(xué)裝置包括第五和第六對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極，所述延長(zhǎng)電極經(jīng)配置以從第二四極桿離子光學(xué)裝置接收離子束。在垂直于第二離子束的行進(jìn)方向的平面中，第五和第六對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極可定向成相對(duì)于第三和第四對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極旋轉(zhuǎn)第二旋轉(zhuǎn)角度。在此情況下，第二旋轉(zhuǎn)角度通常是至少(或大于)30和/或不超過(guò)(或小于)60度(尤其在第三和第四對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極沒(méi)有dc電位施加或僅施加有rf電位，第五和第六對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極施加有dc電位，或反之亦然時(shí))，并且優(yōu)選地，是大約45度?？商娲?，第二旋轉(zhuǎn)角度可為至少(或大于)75和/或不超過(guò)(或小于)105度，并且優(yōu)選地，為大約90度。這可為(例如)其中第三和第四對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極兩者以及第五和第六對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極是dc/rf電極的情況。

第三和第四對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極可各自為具有弧形(圓形、橢圓形、雙曲線)或矩形橫截面的桿電極(第三和第四對(duì)的電極中的每一個(gè)通常具有相同形狀，并且優(yōu)選地，具有已設(shè)定大小的橫截面)。通常，第三和第四對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極的橫截面是矩形的。類似地，第五和第六對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極可各自為具有弧形(圓形、橢圓形、雙曲線)或矩形橫截面的桿電極(第五和第六對(duì)的電極中的每一個(gè)通常具有相同形狀，并且優(yōu)選地，具有已設(shè)定大小的橫截面)。通常，第五和第六對(duì)相對(duì)的延長(zhǎng)電極的橫截面是弧形的。

盡管已描述具體實(shí)施例，但技術(shù)人員應(yīng)了解，各種修改和改變都是可能的。例如，替代性方法可為應(yīng)用在q1四極桿裝置50和q2碰撞池60之間具有(靜電)四極場(chǎng)的離子聚焦元件，以將離子束塑形成更均勻的形狀。

籠統(tǒng)地說(shuō)，質(zhì)譜儀任選地進(jìn)一步包括離子聚焦元件，其經(jīng)配置以接收第一離子束和產(chǎn)生來(lái)自第一離子束的聚焦離子束。聚焦離子束在垂直于聚焦離子束的行進(jìn)方向的平面中具有空間分布。有利的是，離子聚焦元件被配置成使得聚焦離子束的空間分布是實(shí)質(zhì)上對(duì)稱的。有益的是，離子聚焦元件包括四極桿離子光學(xué)裝置。更優(yōu)選地，離子聚焦元件的四極桿離子光學(xué)裝置經(jīng)配置以產(chǎn)生靜電四極場(chǎng)。

離子光學(xué)裝置40通常彎曲或反射離子束一次或數(shù)次。離子光學(xué)裝置不必在離子束方向上產(chǎn)生90度彎曲，以使離子束空間分布變得不對(duì)稱。例如，不精確或不正確的機(jī)械或電子調(diào)整可使離子束在某種程度上離軸，或具有相對(duì)于理想情況略微傾斜的主軸線。在另一方法中，可組合具有平行旋轉(zhuǎn)軸線的彎曲元件，這會(huì)引起離子束的方向的“z形”或“狗腿形”改變。此類離子光學(xué)裝置可作為實(shí)施例中的離子光學(xué)裝置40的添加或替代提供。

因此應(yīng)了解，可對(duì)本發(fā)明的上述實(shí)施例作出變化，但這些變化仍落入在本發(fā)明的范疇內(nèi)。除非另外說(shuō)明，否則本說(shuō)明書中所公開(kāi)的每一特征都可被用于相同、等效或類似目的的替代性特征替換。因此，除非另外說(shuō)明，否則所公開(kāi)的每一特征僅為一系列通用等效或類似特征的一個(gè)實(shí)例。

如本文中所使用(包含權(quán)利要求書中所使用)，除非上下文另外指示，否則本文中的術(shù)語(yǔ)的單數(shù)形式將被解釋為包含復(fù)數(shù)形式，且反之亦然。舉例來(lái)說(shuō)，除非上下文另外指示，否則包含權(quán)利要求書中的本文中的單數(shù)參考，如“一(a/an)”(如模/數(shù)轉(zhuǎn)換器)表示“一個(gè)或多個(gè)”(舉例來(lái)說(shuō)，一個(gè)或多個(gè)模/數(shù)轉(zhuǎn)換器)。在本發(fā)明的整個(gè)說(shuō)明書和權(quán)利要求書中，詞語(yǔ)“包括(comprise)”、“包含”、“具有”和“含有”以及這些詞語(yǔ)的變化形式，例如，“包括(comprising)”和“包括(comprises)”或類似詞語(yǔ)表示“包含但不限于”，且并不意圖(且并不)排除其它組件。

本文提供的任何和所有實(shí)例或示例性語(yǔ)言(“舉例來(lái)說(shuō)”、“如”、“例如”以及類似語(yǔ)言)的使用僅意圖更好地說(shuō)明本發(fā)明，并且除非另外要求，否則并不指示對(duì)本發(fā)明的范疇的限制。本說(shuō)明書中的任何語(yǔ)言均不應(yīng)解釋為指示實(shí)踐本發(fā)明所必需的任何未主張要素。

除非另外陳述或上下文另外需要，否則本說(shuō)明書中描述的任何步驟可按任何次序執(zhí)行或同時(shí)執(zhí)行。

本說(shuō)明書中所公開(kāi)的全部特征可以任何組合形式組合，但所述特征和/或步驟中的至少一些會(huì)互斥的組合除外。具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的優(yōu)選的特征適用于本發(fā)明的所有方面且可以任何組合形式使用。同樣，可單獨(dú)地使用(不以組合形式)以非必需組合形式描述的特征。