本申請(qǐng)涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及其制作工藝、顯示面板、顯示裝置。

背景技術(shù)：

為了提高薄膜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(Thin Film Transistor，TFT)面板的顯示品質(zhì)，需要TFT面板更加精細(xì)化、每英寸所擁有的像素(Pixel)數(shù)目(Pixels Per Inch，PPI)更多。因此，使用銅配線取代原有的鋁配線，而銅配線一般會(huì)采用濕法刻蝕，以形成需要的圖形，而刻蝕液中水含量超過80％，使得銅配線在進(jìn)行濕法刻蝕的過程中容易發(fā)生光阻在銅薄膜表面的脫落現(xiàn)象，導(dǎo)致無(wú)法順利得到需要的圖形，陣列基板制作失敗。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作工藝、顯示面板、顯示裝置，用以避免在對(duì)金屬層進(jìn)行刻蝕過程中其表面光阻的脫落問題，從而提高陣列基板的制作成功率。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作工藝，包括：

形成第一金屬層；

在所述第一金屬層表面形成凹凸結(jié)構(gòu)；

在形成有凹凸結(jié)構(gòu)的第一金屬層表面設(shè)置光阻；

對(duì)設(shè)置有所述光阻的第一金屬層分別進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，形成第一金屬圖形。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板的制作工藝，通過在第一金屬層表面形成凹凸結(jié)構(gòu)，然后在形成有凹凸結(jié)構(gòu)的第一金屬層表面設(shè)置光阻，從而增加第一金屬層對(duì)其表面附著的光阻的粘附力，避免在對(duì)設(shè)置有光阻的第一金屬層分別進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕以形成源極、漏極的過程中的光阻脫落問題，進(jìn)而使得制作過程可以順利進(jìn)行，提高了陣列基板的制作成功率。

可選地，所述第一金屬層為源漏金屬層，所述第一金屬圖形為包括源極、漏極的圖形。

可選地，還包括：

在基板上制作柵極；

在柵極之上制作柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上制作半導(dǎo)體層；

所述第一金屬層設(shè)置在所述半導(dǎo)體層之上。

可選地，通過對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行等離子體處理，在所述第一金屬層表面形成凹凸結(jié)構(gòu)。

可選地，利用含有鹵素元素的氣體，對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行等離子體處理。

可選地，所述源漏金屬層的材料為銅Cu。

可選地，所述顆粒狀結(jié)構(gòu)為CuClx固體結(jié)構(gòu)。

可選地，所述含有鹵素元素的氣體為含有下列一種或多種元素的氣體：Cl₂、Br₂、I₂、HCl、HBr、HI。

可選地，對(duì)所述第一金屬層進(jìn)行等離子體處理時(shí)的溫度低于200攝氏度。

可選地，所述刻蝕為濕法刻蝕。

可選地，所述柵極包括下列材料之一或組合：Cu、Ti、Mo、Al、W、Cr。

可選地，所述柵極絕緣層包括下列材料之一或組合：TiO₂、Yi₂O₃、Al₂O₃、SiNx、SiON、SiO₂。

可選地，所述半導(dǎo)體層的材料為a-Si，或者所述半導(dǎo)體層為氧化物半導(dǎo)體。

可選地，所述氧化物半導(dǎo)體為下列半導(dǎo)體之一：IGZO、IZO、IGO、GZO、ZnO、ITZO。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板，該陣列基板包括：

第一金屬圖形，其中在所述第一金屬圖形表面具有凹凸結(jié)構(gòu)。

可選地，所述凹凸結(jié)構(gòu)為顆粒狀結(jié)構(gòu)。

顆粒狀結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步增加第一金屬層對(duì)其表面附著的光阻的粘附力。

可選地，所述第一金屬圖形表面的凹凸結(jié)構(gòu)的材料為金屬鹵化物。

可選地，所述第一金屬圖形包括柵極、和/或源極、和/或漏極。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示面板，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的所述的陣列基板。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的所述的顯示面板。

附圖說明

為了更清楚地說明本申請(qǐng)實(shí)施例中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)要介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本申請(qǐng)的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來(lái)講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板及其制作工藝的流程示意圖；

圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的在基板上制作有柵極的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的在基板上制作有柵極、柵極絕緣層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的在基板上制作有柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的在基板上制作有柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的對(duì)圖5所示的源漏金屬層進(jìn)行等離子體處理后得到的具有不平整的表面的源漏金屬層的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的在基板上制作有柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層、源漏金屬層、光阻的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8為本申請(qǐng)實(shí)施例提供的對(duì)圖6所示的結(jié)構(gòu)進(jìn)行濕法刻蝕后得到的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

本申請(qǐng)實(shí)施例提供了一種陣列基板及其制作工藝、顯示面板、顯示裝置，用以避免在對(duì)源漏金屬層進(jìn)行刻蝕過程中其表面光阻的脫落問題，從而提高陣列基板的制作成功率。

參見圖1，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板的制作工藝，包括：

S101、形成第一金屬層；

S102、在所述第一金屬層表面形成凹凸結(jié)構(gòu)；

S103、在形成有凹凸結(jié)構(gòu)的第一金屬層表面設(shè)置光阻；

S104、對(duì)設(shè)置有所述光阻的第一金屬層分別進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕，形成第一金屬圖形。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板的制作工藝，通過在第一金屬層表面形成凹凸結(jié)構(gòu)，然后在形成有凹凸結(jié)構(gòu)的第一金屬層表面設(shè)置光阻，從而增加第一金屬層對(duì)其表面附著的光阻的粘附力，避免在對(duì)設(shè)置有光阻的第一金屬層分別進(jìn)行曝光、顯影、刻蝕以形成源極、漏極的過程中的光阻脫落問題，進(jìn)而使得制作過程可以順利進(jìn)行，提高了陣列基板的制作成功率。

可選地，所述第一金屬層為源漏金屬層，所述第一金屬圖形為包括源極、漏極的圖形。

除了源漏金屬層之外，所述第一金屬層還可以為柵極金屬層，即第一金屬圖形也可以用于形成柵極和柵線的圖形。以下本申請(qǐng)實(shí)施例中以源漏金屬層為例進(jìn)行說明，但并不限于此。

可選地，還包括：

在基板上制作柵極；

在柵極之上制作柵極絕緣層；

在所述柵極絕緣層上制作半導(dǎo)體層；

所述第一金屬層設(shè)置在所述半導(dǎo)體層之上。

可選地，所述凹凸結(jié)構(gòu)具體為顆粒狀結(jié)構(gòu)。

當(dāng)然，所述凹凸結(jié)構(gòu)也可以為其他形狀的結(jié)構(gòu)，只要源漏金屬層表面不是光滑的，都可以達(dá)到一定的提高光阻附著力的效果。

顆粒狀結(jié)構(gòu)可以進(jìn)一步增加源漏金屬層對(duì)其表面附著的光阻的粘附力。

可選地，通過對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行等離子體處理，在所述源漏金屬層表面形成顆粒狀結(jié)構(gòu)。

可選地，利用含有鹵素元素的氣體，對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行等離子體處理。

可選地，所述源漏金屬層的材料為銅(Cu)。

可選地，所述顆粒狀結(jié)構(gòu)為氯化銅(CuClx)固體結(jié)構(gòu)。

可選地，所述含有鹵素元素的氣體為含有下列一種或多種元素的氣體：氯氣(Cl₂)、溴氣(Br₂)、碘氣(I₂)、氯化氫(HCl)、溴化氫(HBr)、碘化氫(HI)。

由于銅的鹵素化合物在200度以上會(huì)成為氣態(tài)，所以在進(jìn)行銅的鹵素等離子體處理的溫度不高于200度。因此，當(dāng)采用銅作為源漏金屬層的材料時(shí)，對(duì)所述源漏金屬層進(jìn)行等離子體處理時(shí)的溫度低于200攝氏度。

可選地，所述刻蝕為濕法刻蝕。

可選地，所述柵極包括下列材料之一或組合：Cu、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、鎢(W)、鉻(Cr)。

可選地，所述柵極絕緣層包括下列材料之一或組合：TiO₂、Yi₂O₃、Al₂O₃、SiNx、SiON、SiO₂。

可選地，所述半導(dǎo)體層的材料為非晶硅(a-Si)，或者所述半導(dǎo)體層為氧化物半導(dǎo)體(Oxide semiconductor)。

可選地，所述氧化物半導(dǎo)體為下列半導(dǎo)體之一：銦鎵鋅氧化物(InGaZnO，IGZO)、銦鋅氧化物(IZO)、銦鎵氧化物(IGO)、鎵鋅氧化物(GZO)、氧化鋅(ZnO)、銦錫鋅氧化物(ITZO)。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種陣列基板，采用本申請(qǐng)實(shí)施例所述的制作工藝制得，第一金屬圖形，其中在所述第一金屬圖形表面具有凹凸結(jié)構(gòu)。

可選地，本申請(qǐng)實(shí)施例提供的陣列基板還包括：

位于基板之上的柵極；

位于所述柵極之上的柵極絕緣層；

所述半導(dǎo)體層位于所述柵極絕緣層之上。

可選地，所述第一金屬層為源漏金屬層，所述第一金屬圖形為包括源極、漏極的圖形。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示面板，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的所述的陣列基板。

本申請(qǐng)實(shí)施例提供的一種顯示裝置，包括本申請(qǐng)實(shí)施例提供的所述的顯示面板。

以銅制作源極、漏極為例，本申請(qǐng)實(shí)施例涉及一種改善銅金屬表面光阻(也可以稱為光刻膠)粘附力的工藝，主要包括在襯底上形成柵極、柵極絕緣層、半導(dǎo)體層，然后磁控濺射源漏金屬層(銅)，并且對(duì)銅薄膜表面進(jìn)行等離子體處理，使其表面改性形成顆粒狀，增加光刻工藝中光阻與銅薄膜表面的粘附力，使在進(jìn)行銅的濕法刻蝕過程中光阻不發(fā)生脫落。

具體實(shí)施方案包括：先形成半導(dǎo)體層，然后形成源漏極層，使用兩道掩膜(Mask)工藝分別形成半導(dǎo)體層和源漏極層；也可以使用灰階光(Half Tone)或者灰度投影(Gray Tone)工藝，即半導(dǎo)體層和源漏極層使用1道Mask形成。該掩膜工藝也可以應(yīng)用在柵極(銅)的制作上。

如圖2、圖3、圖4所示，在基板01上先后制作柵極(Gate)層02、柵極絕緣(GI)層03和半導(dǎo)體(Active)層04。其中，Gate層金屬可以是Cu、Ti、Mo、Al、W、Cr等金屬或者合金；GI層可以是TiO2、Yi2O3、Al2O3、SiNx、SiON、SiO2的一種或者復(fù)合層；Active層可以是a-Si，也可以是Oxide半導(dǎo)體，例如IGZO、IZO、IGO、GZO、ZnO、ITZO等一系列Oxide半導(dǎo)體。

如圖5所示，使用磁控的方法制作源漏金屬層05，即在半導(dǎo)體層04及柵極絕緣層03之上鋪設(shè)銅薄膜。

然后，參見圖6，進(jìn)行Cl2、Br2、I2、HCl、HBr、HI等含有鹵素元素氣體07中的一種或幾種，對(duì)源漏金屬層05表面進(jìn)行等離子體處理，源漏金屬層05表面會(huì)變成顆粒狀的粗糙形態(tài)的顆粒狀的CuClx固體08。

本申請(qǐng)實(shí)施例中，要求襯底(即用于承載制作陣列基板的過程中的產(chǎn)品的基臺(tái))溫度低于200度，也就是說源漏金屬層05表面的溫度不能高于200度，因?yàn)镃uClx等Cu的鹵素化合物在200度以上容易在腔體中氣化被抽走。

CuClx固體的形成公式如下：

Cu(s)+xCl→CuClx(s)

其中，s表示固態(tài)，即銅是固態(tài)的銅，x表示大于零的整數(shù)，例如為1或2等。

參見圖7，在形成有CuClx固體08的源漏金屬層05之上設(shè)置光阻06。

進(jìn)行光刻工藝，并進(jìn)行源漏極銅的濕法刻蝕。由于源漏金屬層05表面形成有顆粒狀的粗糙形態(tài)的CuClx固體08，這樣可以大大增加源漏金屬層05在濕法刻蝕過程中對(duì)光阻06的粘附力，使得光阻不發(fā)生脫落，從而如圖8所示，順利得到源極051和漏極052。

綜上所述，本申請(qǐng)實(shí)施例利用銅薄膜經(jīng)鹵素等離子體(如Cl、Br、I等)處理表面，使其變成顆粒狀的不均勻、不平整、不光滑的表面結(jié)構(gòu)，從而在對(duì)銅進(jìn)行濕法刻蝕以形成例如源極、漏極的過程中，增加其表面附著的光刻膠的粘附能力，成功制得源極和漏極等金屬結(jié)構(gòu)，提高整個(gè)產(chǎn)品的制作成功率，并且制作工藝簡(jiǎn)單，成本較低。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本申請(qǐng)進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本申請(qǐng)的精神和范圍。這樣，倘若本申請(qǐng)的這些修改和變型屬于本申請(qǐng)權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本申請(qǐng)也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。