本文涉及但不限于有機(jī)電致發(fā)光器件(OLED)領(lǐng)域，尤指一種OLED器件的制作方法。

背景技術(shù)：

AMOLED(或OLED，有機(jī)電致發(fā)光器件)由于其較好的顯示畫質(zhì)在消費(fèi)電子類產(chǎn)品市場(chǎng)上迅速擴(kuò)張，隨著OLED技術(shù)的日趨成熟，OLED面板的亮度、功耗、色域、色偏等問(wèn)題都有很大的提升，OLED器件壽命的提升仍是一項(xiàng)比較大的挑戰(zhàn)。OLED器件壽命的衰減機(jī)制包括內(nèi)部因素和外部因素，內(nèi)部因素主要是跟材料本身的特性決定的，需要尋找更穩(wěn)定的材料以及更佳的材料組合來(lái)提升器件壽命；外部因素主要包括環(huán)境污染引入的雜質(zhì)、金屬元素的遷移以及水分子殘留等。其中，水分子殘留對(duì)壽命影響尤為嚴(yán)重，OLED器件中水分子的來(lái)源包括：

1.材料吸水，當(dāng)前去除該部分水的方式是“在沉積前要對(duì)材料進(jìn)行預(yù)熱”；

2.基板吸水，當(dāng)前去除該部分水的方式是“在沉積前對(duì)基板進(jìn)行烘烤”；

3.環(huán)境中的水，當(dāng)前去除該部分水的方式是“在沉積前進(jìn)行抽高真空除水”。

因?yàn)樗肿訛闃O性分子，很容易與有機(jī)材料吸附，即使在真空環(huán)境下也很難從有機(jī)材料中游離出來(lái)，因此無(wú)論采用上述哪種處理方式，均會(huì)有少量的水分子殘留。即：

在OLED器件的每一層界面，仍然會(huì)殘留有水分子，導(dǎo)致器件壽命降低。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

去除水分子通常用加熱的手段，即：材料預(yù)熱、基板烘烤等，但高真空環(huán)境中熱傳導(dǎo)效應(yīng)低，無(wú)法通過(guò)熱輻射的方式對(duì)蒸鍍基板進(jìn)行加熱，另外還可以用紅外加熱的方式對(duì)蒸鍍基板進(jìn)行加熱，但這種方式升溫速率比較慢，在加熱水分子的同時(shí)也對(duì)其他蒸鍍的有機(jī)材料進(jìn)行加熱，容易引起材料的晶化。

為了解決上述技術(shù)問(wèn)題中的至少之一，本文提供了一種OLED器件的制作方法，可快速去除OLED器件中的水分子，且不會(huì)引起OLED器件的材料晶化，以此來(lái)保證OLED器件的使用壽命。

為了達(dá)到本文目的，本文提供了一種OLED器件的制作方法，在真空環(huán)境下，對(duì)OLED器件中的一個(gè)或者多個(gè)有機(jī)膜層進(jìn)行微波共振除水。

可選地，所述有機(jī)膜層包括電子阻擋層和發(fā)光層；沉積所述電子阻擋層，通過(guò)微波對(duì)沉積的所述電子阻擋層進(jìn)行除水；在進(jìn)行微波除水后的所述電子阻擋層上沉積所述發(fā)光層，并通過(guò)所述微波對(duì)沉積的所述發(fā)光層進(jìn)行除水。

可選地，所述有機(jī)膜層還包括空穴注入層和空穴傳輸層；所述空穴注入層沉積在基板上，所述空穴傳輸層沉積在所述空穴注入層上，所述電子阻擋層沉積在所述空穴傳輸層上。

可選地，在進(jìn)行微波除水后的所述發(fā)光層上依次沉積空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和金屬電極。

可選地，所述基板的材質(zhì)為ITO。

可選地，微波的頻率為2.45×10⁹Hz。

可選地，微波的作用時(shí)間為1～10min。

可選地，所述OLED器件包括依次連接在一起的多個(gè)。

可選地，相鄰所述OLED器件之間通過(guò)電荷生成層連接在一起。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的OLED器件的制作方法，在真空條件下采用微波對(duì)OLED器件中的水分子快速地進(jìn)行選擇性加熱，以此來(lái)去除OLED器件中的水分子，在去除水分子的過(guò)程中不會(huì)改變物質(zhì)分子的內(nèi)部結(jié)構(gòu)或者破壞物質(zhì)分子的化學(xué)鍵，從而避免出現(xiàn)對(duì)有機(jī)材料造成分解的問(wèn)題，可有效提升OLED器件的使用壽命。

相較于有機(jī)材料分子，水分子的質(zhì)量相對(duì)較小，而且，水分子的構(gòu)成比較特殊，一個(gè)水分子是有兩個(gè)氫原子和一個(gè)氧原子組成的，兩個(gè)氫原子處于氧原子的同一側(cè)，這使得水分子在整體上看來(lái)它的電極性和磁極性具有不對(duì)稱性，這樣，在變化的電磁場(chǎng)中，水分子的電極方向會(huì)隨電磁場(chǎng)不斷變化，進(jìn)而引起水分子的運(yùn)動(dòng)，當(dāng)選擇微波的頻率與水分子振動(dòng)頻率相匹配時(shí)，水分子對(duì)此頻率的微波產(chǎn)生共振吸收，則動(dòng)能增大，從而從有機(jī)材料上脫附下來(lái)，進(jìn)而在高真空環(huán)境下被除去(水分子的共振頻率為2.45×10⁹Hz)。

本文的其它特征和優(yōu)點(diǎn)將在隨后的說(shuō)明書中闡述，并且，部分地從說(shuō)明書中變得顯而易見，或者通過(guò)實(shí)施本文而了解。本文的目的和其他優(yōu)點(diǎn)可通過(guò)在說(shuō)明書、權(quán)利要求書以及附圖中所特別指出的結(jié)構(gòu)來(lái)實(shí)現(xiàn)和獲得。

附圖說(shuō)明

附圖用來(lái)提供對(duì)本文技術(shù)方案的進(jìn)一步理解，并且構(gòu)成說(shuō)明書的一部分，與本申請(qǐng)的實(shí)施例一起用于解釋本文的技術(shù)方案，并不構(gòu)成對(duì)本文技術(shù)方案的限制。

圖1為本申請(qǐng)一個(gè)實(shí)施例所述的OLED器件的制作方法的流程圖。

圖2為兩個(gè)OLED器件連接在一起的串聯(lián)結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本文的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，下文中將結(jié)合附圖對(duì)本文的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。需要說(shuō)明的是，在不沖突的情況下，本申請(qǐng)中的實(shí)施例及實(shí)施例中的特征可以相互任意組合。

在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本文，但是，本文還可以采用其他不同于在此描述的方式來(lái)實(shí)施，因此，本文的保護(hù)范圍并不受下面公開的具體實(shí)施例的限制。

下面結(jié)合附圖描述本文一些實(shí)施例的OLED器件的制作方法。

本文提供的OLED器件的制作方法，在真空環(huán)境下制作OLED器件的過(guò)程中，對(duì)OLED器件中的一個(gè)或者多個(gè)有機(jī)膜層進(jìn)行微波共振除水。

本發(fā)明提供的OLED器件的制作方法，在真空條件下采用微波對(duì)OLED器件中的水分子快速地進(jìn)行選擇性加熱，以此來(lái)去除OLED器件中的水分子，在去除水分子的過(guò)程中不會(huì)改變物質(zhì)分子的內(nèi)部結(jié)構(gòu)或者破壞物質(zhì)分子的化學(xué)鍵，從而避免出現(xiàn)對(duì)有機(jī)材料造成分解的問(wèn)題，可有效提升OLED器件的使用壽命。

相較于有機(jī)材料分子，水分子的質(zhì)量相對(duì)較小，而且，水分子的構(gòu)成比較特殊，一個(gè)水分子是有兩個(gè)氫原子和一個(gè)氧原子組成的，兩個(gè)氫原子處于氧原子的同一側(cè)，這使得水分子在整體上看來(lái)它的電極性和磁極性具有不對(duì)稱性，這樣，在變化的電磁場(chǎng)中，水分子的電極方向會(huì)隨電磁場(chǎng)不斷變化，進(jìn)而引起水分子的運(yùn)動(dòng)，當(dāng)選擇微波的頻率與水分子振動(dòng)頻率相匹配時(shí)，水分子對(duì)此頻率的微波產(chǎn)生共振吸收，則動(dòng)能增大，從而從有機(jī)材料上脫附下來(lái)，進(jìn)而在高真空環(huán)境下被除去(水分子的共振頻率為2.45×10⁹Hz)。

其中，較好地，微波的頻率與水分子的共振頻率相同，為2.45×10⁹Hz。

可選地，所述有機(jī)膜層包括電子阻擋層和發(fā)光層；沉積所述電子阻擋層，通過(guò)微波對(duì)沉積的所述電子阻擋層進(jìn)行除水；在進(jìn)行微波除水后的所述電子阻擋層上沉積所述發(fā)光層，通過(guò)所述微波對(duì)沉積的所述發(fā)光層進(jìn)行除水。

電子阻擋層和發(fā)光層沉積后的界面對(duì)OLED器件壽命的影響比較大，對(duì)電子阻擋層和發(fā)光層進(jìn)行除水可較大地提升OLED器件的使用壽命。

當(dāng)然，也可以是對(duì)電子阻擋層和發(fā)光層沉積后的界面中的一個(gè)進(jìn)行微波除水，也可實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)?zhí)嵘龎勖哪康?，可根?jù)不同產(chǎn)品對(duì)OLED器件的壽命要求的不同進(jìn)行選擇，其宗旨未脫離本發(fā)明的設(shè)計(jì)思想，在此不再贅述，應(yīng)屬于本申請(qǐng)的保護(hù)范圍內(nèi)。

具體地，所述有機(jī)膜層還包括空穴注入層和空穴傳輸層；所述空穴注入層沉積在基板(其材質(zhì)優(yōu)選為ITO)上，所述空穴傳輸層沉積在所述空穴注入層上，所述電子阻擋層沉積在所述空穴傳輸層上。

具體地，在進(jìn)行微波除水后的所述發(fā)光層上依次沉積空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和金屬電極。

在真空環(huán)境下制作OLED器件時(shí)，也可通過(guò)微波對(duì)空穴注入層、空穴傳輸層空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和金屬電極中的一個(gè)或者多個(gè)進(jìn)行除水，也可以是對(duì)空穴注入層、空穴傳輸層空穴阻擋層、電子傳輸層、電子注入層和金屬電極均不進(jìn)行微波除水，均可實(shí)現(xiàn)本申請(qǐng)的目的，其宗旨未脫離本發(fā)明的設(shè)計(jì)思想，在此不再贅述，均應(yīng)屬于本申請(qǐng)的保護(hù)范圍內(nèi)。

較好地，微波的頻率為2.45×10⁹Hz，微波的作用時(shí)間優(yōu)選為1～10min，如1min，5min或10min等，以在保證除水的同時(shí)具有較高的生產(chǎn)效率。

本發(fā)明提供了一種OLED器件的制作方法的具體實(shí)施例，如圖1所示，包括：

步驟102，在ITO基板上依次沉積空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)和電子阻擋層(EBL)；

步驟104，用2.45×10⁹Hz的微波作用于蒸鍍完的電子阻擋層1～10min；

步驟106，在電子阻擋層上蒸鍍發(fā)光層(EML)；

步驟108，用2.45×10⁹Hz的微波作用于蒸鍍完的發(fā)光層1～10min；

步驟110，在發(fā)光層上依次沉積空穴阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)和金屬電極(Cathode)。

其中，ITO表示“金屬導(dǎo)電氧化物-氧化銦錫”。

其中，如圖2所示，所述OLED器件包括依次連接在一起的多個(gè)，且相鄰所述OLED器件之間通過(guò)電荷生成層(CGL)連接在一起。

較好地，任一OLED器件中可以包括空穴阻擋層(HBL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)中的一個(gè)、兩個(gè)或三個(gè)。

綜上所述，本發(fā)明提供的OLED器件的制作方法，在真空條件下采用微波對(duì)OLED器件中的水分子快速地進(jìn)行選擇性加熱，以此來(lái)去除OLED器件中的水分子，在去除水分子的過(guò)程中不會(huì)改變物質(zhì)分子的內(nèi)部結(jié)構(gòu)或者破壞物質(zhì)分子的化學(xué)鍵，從而避免出現(xiàn)對(duì)有機(jī)材料造成分解的問(wèn)題，可有效提升OLED器件的使用壽命。

相較于有機(jī)材料分子，水分子的質(zhì)量相對(duì)較小，而且，水分子的構(gòu)成比較特殊，一個(gè)水分子是有兩個(gè)氫原子和一個(gè)氧原子組成的，兩個(gè)氫原子處于氧原子的同一側(cè)，這使得水分子在整體上看來(lái)它的電極性和磁極性具有不對(duì)稱性，這樣，在變化的電磁場(chǎng)中，水分子的電極方向會(huì)隨電磁場(chǎng)不斷變化，進(jìn)而引起水分子的運(yùn)動(dòng)，當(dāng)選擇微波的頻率與水分子振動(dòng)頻率相匹配時(shí)，水分子對(duì)此頻率的微波產(chǎn)生共振吸收，則動(dòng)能增大，從而從有機(jī)材料上脫附下來(lái)，進(jìn)而在高真空環(huán)境下被除去(水分子的共振頻率為2.45×10⁹Hz)。

在本文的描述中，術(shù)語(yǔ)“安裝”、“相連”、“連接”、“固定”等均應(yīng)做廣義理解，例如，“連接”可以是固定連接，也可以是可拆卸連接，或一體地連接；可以是直接相連，也可以通過(guò)中間媒介間接相連。對(duì)于本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員而言，可以根據(jù)具體情況理解上述術(shù)語(yǔ)在本文中的具體含義。

在本說(shuō)明書的描述中，術(shù)語(yǔ)“一個(gè)實(shí)施例”、“一些實(shí)施例”、“具體實(shí)施例”等的描述意指結(jié)合該實(shí)施例或示例描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點(diǎn)包含于本文的至少一個(gè)實(shí)施例或示例中。在本說(shuō)明書中，對(duì)上述術(shù)語(yǔ)的示意性表述不一定指的是相同的實(shí)施例或?qū)嵗６?，描述的具體特征、結(jié)構(gòu)、材料或特點(diǎn)可以在任何的一個(gè)或多個(gè)實(shí)施例或示例中以合適的方式結(jié)合。

雖然本文所揭露的實(shí)施方式如上，但所述的內(nèi)容僅為便于理解本文而采用的實(shí)施方式，并非用以限定本文。任何本文所屬領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)人員，在不脫離本文所揭露的精神和范圍的前提下，可以在實(shí)施的形式及細(xì)節(jié)上進(jìn)行任何的修改與變化，但本文的專利保護(hù)范圍，仍須以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。