技術特征：

技術總結(jié)
一種方法包括形成介電層，在介電層上方形成光刻膠，在光刻膠上方形成第一掩模層，以及在第一掩模層上方形成第二掩模層。執(zhí)行第一光刻第一蝕刻以在第二掩模層中形成第一通孔圖案，其中，第一光刻第一蝕刻停止在第一掩模層的頂面上。執(zhí)行第二光刻第二蝕刻以在第二掩模層中形成第二通孔圖案，其中，第二光刻第二蝕刻停止在第一掩模層的頂面上。使用第二掩模層作為蝕刻掩模以蝕刻第一掩模層。蝕刻光刻膠和介電層以同時將第一通孔圖案和第二通孔圖案轉(zhuǎn)印至介電層內(nèi)。本發(fā)明實施例涉及使用多重光刻多重蝕刻的通孔圖案化的方法。

技術研發(fā)人員：許仲豪;柯忠祁;李資良;謝文國;彭羽筠
受保護的技術使用者：臺灣積體電路制造股份有限公司
技術研發(fā)日：2017.01.10
技術公布日：2017.08.04