本發(fā)明涉及半導體布置的領(lǐng)域。具體而言，本發(fā)明涉及常開晶體管和常關(guān)晶體管的共源共柵布置。
背景技術(shù)：
在利用基于iii-v的常開晶體管的共源共柵布置中，常關(guān)晶體管用于實現(xiàn)常關(guān)開關(guān)。此共源共柵布置包括常開晶體管與常關(guān)晶體管之間的浮動節(jié)點。在一些情形中，浮動節(jié)點處的電壓可能足以引起常關(guān)晶體管的雪崩擊穿。因此，可以有利地控制浮動節(jié)點處的電壓。
技術(shù)實現(xiàn)要素：
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種半導體布置，其包括：
常開晶體管，該常開晶體管具有第一和第二主端以及控制端，
常關(guān)晶體管，該常關(guān)晶體管具有第一和第二主端以及控制端，
該常開晶體管和該常關(guān)晶體管通過該常開晶體管的該第一和第二主端中的一個主端與該常關(guān)晶體管的該第一和第二主端中的一個主端之間的連接而連接在共源共柵布置中，
電流源布置，該電流源布置連接到該連接上的節(jié)點并且被配置成通過提供預定電流而提供在該常開晶體管與常關(guān)晶體管之間的所述節(jié)點處的電壓控制，
其中該半導體布置包括：具有形成于其中的常開晶體管的iii-v半導體類型的第一半導體管芯；以及具有形成于其中的常關(guān)晶體管的第二半導體管芯，電流源布置形成于第一和/或第二半導體管芯中。
這是有利的，因為已發(fā)現(xiàn)電流源布置有利于控制共源共柵布置中的浮動節(jié)點電壓。此外，可以在包括iii-v半導體管芯中的組件的共源共柵布置中有效地且高效地實施電流源布置。
在一個或多個實施例中，電流源布置包括：
晶體管，該晶體管具有漏極、源極和柵極；
晶體管的源極通過電阻器元件連接到晶體管的柵極；并且
其中節(jié)點連接到晶體管的漏極。
在一個或多個實施例中，晶體管的源極被配置成取決于布置的實施方案而連接到標稱電壓，例如接地，或任何其它電路電壓。在一個或多個實施例中，晶體管形成于第一半導體管芯中。在一個或多個實施例中，電阻器元件形成于第一半導體管芯中。
在一個或多個實施例中，電流源布置包括：
具有漏極、源極和柵極的第一晶體管以及具有漏極、源極和柵極的第二晶體管；
第一晶體管的源極連接到第二晶體管的漏極；
第一晶體管的源極連接到第一晶體管的柵極；
第二晶體管的源極通過電阻器元件連接到第二晶體管的柵極；
其中節(jié)點連接到第一晶體管的漏極。
在一個或多個實施例中，第二晶體管的源極被配置成取決于布置的實施而連接到標稱電壓，例如接地，或任何其它電路電壓。
在一個或多個實施例中，第一晶體管和第二晶體管形成于第一半導體管芯中。
在一個或多個實施例中，電阻器元件形成于第一半導體管芯中。在一個或多個實施例中，電阻器元件至少部分包括形成于第一半導體管芯的二維電子氣體區(qū)域中的軌道。這是有利的，因為半導體管芯的電阻可以方便地用于通過隔離管芯中的軌道而形成電阻器元件。
在一個或多個實施例中，電阻器元件形成于第二半導體管芯中。在一個或多個實施例中，電阻器元件是離散組件。
在一個或多個實施例中，第一和/或第二晶體管是hemt。在一個或多個實施例中，hemt是肖特基柵極類型或絕緣柵極類型。在一個或多個實施例中，從mos晶體管、hemt、mishemt、sic晶體管和bjt選擇第一和/或第二晶體管。
在一個或多個實施例中，從高電子遷移率晶體管(highelectronmobilitytransistor，hemt或mishemt)和功率晶體管選擇常開晶體管。
在一個或多個實施例中，從mos晶體管和lvmos晶體管選擇常關(guān)晶體管。
在一個或多個實施例中，第一半導體管芯具有氮化鎵或砷化鎵、磷化銦、氮化鋁、氮化銦鎵、氧化鎵(galliumoxide，ga2o3)或適用于功率開關(guān)應用的任何其它iii-v半導體材料。在一個或多個實施例中，第一半導體管芯具有用于形成常開裝置的材料。
在一個或多個實施例中，第二半導體管芯具有硅、鍺化硅(silicongermanium，sige)、碳化硅(siliconcarbide，sic)或適用于功率應用的任何其它半導電材料。
在一個或多個實施例中，電流源被配置成提供0.1μa與10μa之間的電流并且常關(guān)晶體管具有小于40v的擊穿電壓。在一個或多個實施例中，電流源被配置成提供基本上5μa的電流并且常關(guān)晶體管具有基本上40v的擊穿電壓。
在一個或多個實施例中，第一半導體管芯和第二半導體管芯包括僅并入到共源共柵布置和電流源布置中的半導體封裝中的管芯。
根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供一種包括第一方面的半導體布置的半導體封裝。
在一個或多個例子中，第一半導體管芯和第二半導體管芯包括僅實施共源共柵布置和電流源布置的半導體封裝中的管芯。這是有利的，因為半導體布置和半導體封裝通過浮動節(jié)點電壓控制提供iii-v和iv半導體材料中的共源共柵布置的兩個管芯實施方案。對浮動節(jié)點電壓的控制確保正確地設定浮動節(jié)點電壓，這進而確保在從接通狀態(tài)切換到斷開狀態(tài)期間，常開裝置正確地保持在其斷開狀態(tài)并且常開裝置不會遭受偏移到其雪崩擊穿操作模式中。
根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供一種電子裝置，該電子裝置包括第一方面的半導體布置或第二方面的半導體封裝。電子裝置可以包括放大器、移動電話網(wǎng)絡的手機信號塔、各種應用中的電源、反相器、功率因數(shù)校正(powerfactorcorrection，pfc)電路、半橋或全橋以及其它電力電路拓撲。
根據(jù)本發(fā)明的第四方面，提供一種方法，包括：
通過常關(guān)晶體管驅(qū)動常開晶體管，該常開晶體管和該常關(guān)晶體管通過該常開晶體管的第一和第二主端中的一個主端與該常關(guān)晶體管的第一和第二主端中的一個主端之間的連接而連接在共源共柵布置中，
借助于連接到節(jié)點并且被配置成當處于斷開狀態(tài)時提供用于控制所述節(jié)點處的電壓的電流源布置來提供來自該連接上的節(jié)點的預定固定電流，
其中常開晶體管形成于iii-v半導體類型的第一半導體管芯中并且常關(guān)晶體管形成于第二不同的半導體管芯中，電流源布置形成于第一和/或第二半導體管芯中。
雖然本發(fā)明容許各種修改和替代形式，但其細節(jié)已經(jīng)以例子的方式在附圖中示出且將詳細地描述。然而，應理解，也可能存在除所描述的具體實施例以外的其它實施例。也涵蓋落入所附權(quán)利要求書的精神和范圍內(nèi)的所有修改、等效物和替代實施例。
以上論述并非意圖呈現(xiàn)在當前或?qū)頇?quán)利要求集的范圍內(nèi)的每個示例實施例或每個實施方案。以下各圖和具體實施方式還舉例說明了各種實例實施例?？紤]以下結(jié)合附圖的具體實施方式可以更全面地理解各種示例實施例。
附圖說明
現(xiàn)將僅借助于例子參考附圖描述一個或多個實施例，在附圖中：
圖1示出第一示例半導體布置的示意圖；
圖2示出第二示例半導體布置的示意圖；
圖3示出可以根據(jù)第一和第二示例半導體布置來布置的半導體組件布局圖；以及
圖4示出具有示例電流源半導體組件布局的圖3的半導體組件布局圖；
圖5示出電流源半導體組件布局的示例示意性布局；
圖6示出示例電子裝置和封裝；
圖7示出示出方法的流程圖；以及
圖8示出示出處于不同溫度的晶體管的電流泄漏曲線和電流源的負載線的圖形。
具體實施方式
在利用基于iii-v的常開晶體管的共源共柵布置中，常關(guān)晶體管用于實現(xiàn)常關(guān)開關(guān)。此共源共柵布置包括常開晶體管與常關(guān)晶體管之間的浮動節(jié)點。在一些情形中，浮動節(jié)點處的電壓可能足以引起常關(guān)晶體管的雪崩擊穿。因此，可以有利地控制浮動節(jié)點處的電壓。
參考圖1至4，示例半導體布置100示為包括常開晶體管101，該常開晶體管101具有第一主端102和第二主端103以及控制端104。布置100另外包括常關(guān)晶體管105，該常關(guān)晶體管105具有第一主端106和第二主端107以及控制端108。常開晶體管101和常關(guān)晶體管105通過該常開晶體管101的第一主端102和第二主端103中的一個主端與該常關(guān)晶體管105的第一主端106和第二主端107中的一個主端之間的連接111而連接在共源共柵布置110中。應了解，對于晶體管，主端是連接到穿過晶體管的主要電流路徑的那些主端(通常被稱為源極和漏極)，而控制端被配置成接收用于控制該主要電流路徑的傳導的信號(通常被稱為柵極)。
當圖3中的共源共柵布置從接通狀態(tài)切換到斷開狀態(tài)時，在此例子中，通過提供預定電流由電流源布置113控制連接111上的浮動節(jié)點112處的電壓，該電流源布置113連接到節(jié)點112并且被配置成提供用于控制常開晶體管與常關(guān)晶體管之間的電壓。在開關(guān)事件之后，浮動節(jié)點安定的電壓在確保晶體管101保持斷開并且晶體管105不經(jīng)受雪崩時具有重要作用。因此，借助于電流源布置的本質(zhì)，預定和主要(相對于其它可用的泄漏路徑)電流可以設定在節(jié)點112與地面之間，已發(fā)現(xiàn)這可有效地控制在節(jié)點112處可以達到的電壓。電流包括泄漏電流。通過電流源內(nèi)的128和124的組合電阻來確定和控制泄漏電流。當正確地選擇時，此泄漏電流可以執(zhí)行將常開晶體管101保持在其斷開狀態(tài)以及防止常關(guān)晶體管105達到其雪崩擊穿電壓的雙重角色。
半導體布置100包括：iii-v半導體類型的第一半導體管芯114，該第一半導體管芯114具有形成于其中的常開晶體管101；以及第二半導體管芯115，該第二半導體管芯115具有形成于其中的常關(guān)晶體管105。電流源布置113可以基本上完全形成于第一半導體管芯114內(nèi)，基本上完全形成于第二半導體管芯115內(nèi)或可以分布在第一半導體管芯114和第二半導體管芯115上。
在此例子中，第一半導體管芯114具有氮化鎵(galliumnitride，gan)。在其它例子中，該第一半導體管芯114可以具有砷化鎵(galliumarsenide，gaas)、磷化銦、氮化鋁、氮化銦鎵、氧化鎵(galliumoxide，ga2o3)或其它iii-v半導體。第二半導體管芯115具有硅，但是同樣可以由例如sige或sic的其它半導電材料制成。
在此例子中，為iii-v晶體管的常開晶體管101是具有絕緣柵極的高電子遷移率晶體管(highelectronmobilitytransistorwithaninsulatedgate，mishemt)。然而，應了解，常開晶體管可以為被配置成在耗盡模式下操作的另一類型的功率晶體管，例如jfet。在此例子中，常關(guān)晶體管105是mos晶體管以及具體來說低電壓mos晶體管(lowvoltagemostransistor，lvmos)。應了解，在其它例子中，常關(guān)晶體管可以包括不同類型的功率晶體管，例如，溝槽mos晶體管、dmos、智能電源、sic、bjt以及用于功率應用的其它增強型裝置。
hemt101的第一主端102和第二主端103分別包括漏極和源極。hemt101的控制端104包括柵極。漏極102被配置成連接到電源電壓vdd。mos晶體管105的第一主端106和第二主端107分別包括漏極和源極。mos晶體管的控制端108包括柵極。連接111形成于hemt101的源極103與mos晶體管105的漏極106之間。因此，節(jié)點111可以被認為處于hemt的源極103或mos晶體管的漏極106處。連接111可以實施為在半導體管芯之間的hemt101和mos晶體管105的相應源極接合墊與漏極接合墊之間延伸的鍵合線。
參考共源共柵布置110，mos晶體管105的源極被配置成連接到標稱電壓，例如接地。另外，在此例子中，mos晶體管105(常關(guān)晶體管)的源極107連接到hemt104(常開晶體管)的柵極?？刂齐妷簐g提供于mos晶體管的柵極108處以控制共源共柵布置110。
在此例子中，電流源布置113具有兩個端，包括第一端116和第二端117。第一端116連接到節(jié)點112。第二端117被配置成連接到標稱電壓，例如接地。
電流源布置113可以包括串聯(lián)的二極管和晶體管，該晶體管被配置成經(jīng)由電阻器元件連接到標稱電壓，例如接地。第一端116可以由二極管的第一端提供，其中二極管的第二端連接到晶體管。晶體管的柵極可以被配置成連接到標稱電壓，例如接地。二極管布置可以包括晶體管，其中該晶體管的源極連接到該晶體管的柵極并且該晶體管的漏極包括電流源布置113的第一端116。
在此例子中，參考圖4的電流源布置113包括：第一晶體管120，該第一晶體管120具有漏極121、源極122和柵極123(例如，肖特基柵極)；以及第二晶體管124，該第二晶體管124具有漏極125、源極126和柵極127。第一晶體管和第二晶體管串聯(lián)布置。第一晶體管120的源極122連接到第二晶體管124的漏極125。第一晶體管120的源極122連接到第一晶體管120的柵極123，這有效地形成二極管布置。第二晶體管124的源極126通過電阻器元件128連接到第二晶體管124的柵極127。另外，第二晶體管124的源極126被配置成通過電阻器元件128連接到標稱電壓，例如接地。電流源布置的第一端116由此包括第一晶體管120的漏極121，該第一晶體管120的該漏極121連接到浮動節(jié)點112。
在另一例子中，電流源布置113不包括第一晶體管120并且第二晶體管124的漏極125包括電流源布置的第一端116。因此，第二晶體管120的漏極125連接到浮動節(jié)點112。應了解，在此例子中，“第二”晶體管可以重新命名為電流源的晶體管。
在圖1和2的布置中，電流源布置113的第一晶體管120和第二晶體管124形成于第一半導體管芯114中。然而，應了解，該第一晶體管120和該第二晶體管124可以在其它例子中形成于第二半導體管芯中或?qū)嵤┯趩为毜牡谌苄局?。在此例子中，電流源布?13的第一晶體管120和第二晶體管124包括hemt。電流源布置的hemt120、124可以具有基本上相同的大小，例如約200μm的柵極寬度。電流源布置的hemt120、124可以比共源共柵布置110的hemt101小(小得多)。盡管在此例子中電流源布置113的晶體管120、124包括hemt，但是該晶體管120、124可以是不同類型的晶體管，例如，在gan或硅晶體管中實施的mishemt，該mishemt包括實施于單獨的管芯上并且經(jīng)由鍵合線連接到浮動節(jié)點112的電流源。
在此例子中，電阻器元件在100kω與10mω或500kω與1.5mω之間或基本上為1mω。具體而言，電阻器元件可以被設定大小以實現(xiàn)1μa與10μa之間(例如，基本上5μa)的通過電流源布置113的電流。已發(fā)現(xiàn)此電流提供用于有效地控制浮動節(jié)點112處的電壓。
選擇穿過電流源113的電流，使得在晶體管101達到其斷開狀態(tài)條件之后，該電流控制共源共柵電路中的泄漏。這樣確保浮動節(jié)點112在基本上完全由電流源113控制的可預測電壓下安定。
當浮動節(jié)點電壓高于晶體管101的閾值電壓(vt)時，符合晶體管101的斷開狀態(tài)條件。晶體管101的vt通常為-10v至-20v，這表示浮動節(jié)點電壓將在略高于此值處安定。
流過電流源113的安全且主要的泄漏電流可以比晶體管101和/或105的泄漏電流至少大50倍或100倍，該泄漏電流每na將通常泄漏10s。因此，由電流源提供的電流可以為若干μa。
出于說明的目的，假設晶體管101的閾值電壓vt是-20v并且晶體管101和/或晶體管105的泄漏是20na，這表示穿過電流源113的泄漏可以設定成100x20na＝2μa(100x泄漏電流)。
已知2μa的所需電流源泄漏，可以使用歐姆定律來算出電流源布置113的所需總電阻：
其中r113是電流源布置113的電阻，vt101是晶體管101的閾值電壓并且i113是穿過電流源布置的所需電流。
因此，電流源布置可以被配置成使得在此例子中，10毫歐姆由電阻器128和晶體管124的電阻組成，該晶體管124的電阻由其子閾值操作跨導確定。任何晶體管的跨導由該晶體管的制造技術(shù)設定并且將在產(chǎn)品之間不同。因此，有必要選擇電阻器128的值，直到128和124的組合電阻大致為10毫歐姆。應了解，具有各種電阻的晶體管可以用于晶體管124并且因此電阻器128的值可以在100千歐姆與5毫歐姆之間。
借助于另外的說明，下文解釋使電流源113中的泄漏基本上顯著的原因。
在瞬時事件期間，浮動節(jié)點電壓通過晶體管101和105中的coss電容的比率設定，而在穩(wěn)態(tài)操作(遠離瞬態(tài))中，浮動節(jié)點電壓可安定在晶體管101或105的電流源113、負載線800和泄漏曲線801、802(曲線801表示25℃處的典型泄漏曲線并且曲線802表示100℃處的典型泄漏曲線)的交點803、804處，如圖8中示意性地示出。圖8示出晶體管101的漏極-源極電流與晶體管101的源極-柵極電流。在圖8的左側(cè)部分中，示出晶體管101的漏極-源極電流與晶體管101的源極-柵極電流，而在圖8的右側(cè)部分中，示意性地示出晶體管105的泄漏和擊穿電壓曲線(805和806)與晶體管101的源極-柵極電流。
當晶體管101進入其斷開狀態(tài)時，在晶體管101的柵極泄漏idg與晶體管105的漏極泄漏ids之間將存在競爭。因此，可能不良地限定浮動節(jié)點電壓并且該浮動節(jié)點電壓在裝置之間不一致。
為了抵消此競爭并且為了準確地設定浮動節(jié)點電壓，電流源布置113提供并行泄漏路徑，該并行泄漏路徑可以高于到地面泄漏路徑的浮動節(jié)點。通過電流源布置113建立且基本上確定對浮動節(jié)點電壓的此控制方式。
出于可靠操作的目的，浮動節(jié)點電壓可能需要安定在晶體管101的vt之上以及晶體管105的擊穿電壓bvdss之下，例如，安定在這兩個電壓之間的一半處。這在圖8中示意性地指示為交點803、804。
可以根據(jù)以下條件中的一個或多個條件選擇交點803以及因此由電流源布置提供的電流(參考圖8)：
■電流使得節(jié)點112處的電壓可以大于晶體管101的vt，例如，大1至5伏特；
■電流使得節(jié)點112處的電壓可以使電流源113負載線與晶體管101和/或105的泄漏曲線在點803處相交，這表示電流比晶體管101和/或105的背景泄漏大得多。在此例子中，交點處于2μa對20na的泄漏處，即，大于100倍的因數(shù)；
■電流使得節(jié)點112處的電壓可以比晶體管105的擊穿電壓低基本上3至5伏特。
在未示出的另一例子中，電流源布置113的晶體管120、124提供于具有mos晶體管105的第二半導體管芯115中。在未示出的另一例子中，電流源布置113的晶體管120、124中的一個晶體管提供于第一半導體管芯114中并且另一個晶體管提供于第二半導體管芯115中。
在圖1中，電阻器元件128形成于第一gan半導體管芯114中。因此，電流源布置基本上排他性地形成于第一半導體管芯114中。在圖2中，提供其中電流源布置113在兩個半導體管芯114、115上拆分的可替換布置。在此例子中，電流源布置113的晶體管120、124位于由框130表示的第一半導體管芯114中，并且電阻器元件128位于由框131表示的第二半導體管芯115中。電阻器元件128可以包括離散組件或包括薄膜電阻器。在另一個例子中，電阻器元件128提供于第一半導體管芯114和第二半導體管芯115上。
應了解，盡管形成電阻器元件，但是該電阻器元件實質(zhì)上包括電阻材料的路徑，該路徑可以包括管芯的部分之間的連接。因此，盡管由電阻器元件128提供的大部分電阻可以位于管芯114、115中的一個管芯上，但是應了解，管芯之間的連接可以促成其所需總電阻。
首先考慮圖1的布局，電阻器元件128形成于iii-v半導體材料內(nèi)。因此，通過組件隔離技術(shù)形成的軌道布置在第一iii-v半導體管芯114中，該第一iii-v半導體管芯114具有所需電阻。對于gan半導體管芯，導電二維電子氣體區(qū)域(twodimensionalelectrongasregion，2deg)具有大致650ω/sq的薄層電阻。因此，對于大致5μm的軌道寬度以及7.7mm的軌道長度，可以實現(xiàn)具有1mω電阻的電阻器元件。
圖5示出電流源布置113的第二半導體管芯114中的示例布局。圖5示出連接到第二晶體管124的第一晶體管120以及提供連接在第二晶體管124的源極126和柵極127之間的電阻器元件128的電阻軌道132。
圖6示出包括上述半導體布置100的封裝600。封裝600可以僅包括兩個半導體管芯，該兩個半導體管芯包括第一iii-v半導體管芯114和第二半導體管芯115。封裝600通常包括用于連接到其它組件(未示出)的引線。封裝示為電子裝置601的一部分。電子裝置601可以包括放大器、手機信號塔、通信裝置、具有半橋或全橋電路拓撲的電源、pfc控制電路或太陽能面板中的逆變器。
圖7示出操作由常關(guān)晶體管驅(qū)動的常開晶體管的共源共柵布置的方法。該方法包括：通過常關(guān)晶體管105驅(qū)動701常開晶體管101；常開晶體管101和常關(guān)晶體管105通過常開晶體管的第一和第二主端103中的一個主端與常關(guān)晶體管的第一和第二主端106中的一個主端之間的連接111而連接在共源共柵布置110中。該方法包括：借助于電流源布置113提供702用于來自連接上的節(jié)點112的預定固定電流，該電流源布置113連接到節(jié)點并且被配置成提供用于控制所述節(jié)點處的電壓，其中常開晶體管形成于iii-v半導體類型的第一半導體管芯114中并且常關(guān)晶體管形成于第二不同半導體管芯115中，電流源布置形成于第一和/或第二半導體管芯114、115中。
除非明確陳述特定順序，否則可以任何順序執(zhí)行以上各圖中的指令和/或流程圖步驟。而且，本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認識到，盡管已經(jīng)論述一個示例指令集/方法，但是本說明書中的材料可以多種方式組合從而還產(chǎn)生其它例子，并且應在此詳細描述提供的上下文內(nèi)來理解。
在其它例子中，本文示出的指令集/方法以及與其相關(guān)聯(lián)的數(shù)據(jù)和指令存儲在相應存儲裝置中，這些存儲裝置實施為一個或多個非暫時性機器或計算機可讀或計算機可用存儲媒體。此計算機可讀或計算機可用存儲媒體被認為是物品(或制品)的一部分。物品或制品可以指代任何所制造的單個組件或多個組件。如本文所定義的非暫時性機器或計算機可用媒體不包括信號，但此類媒體可能夠接收和處理來自信號和/或其它暫時性媒體的信息。
在上文描述了不同的端連接到電源電壓、vdd或標稱電壓。應了解，本文所揭示的布置可以通過多種方式連接到其它電路并且因此標稱電壓可以是不同于供電電壓vdd的電源電壓或可以為接地。
本說明書中論述的材料的示例實施例可以整體或部分地經(jīng)由網(wǎng)絡、計算機或基于數(shù)據(jù)的裝置和/或服務實施。這些可包含云、因特網(wǎng)、內(nèi)聯(lián)網(wǎng)、移動裝置、臺式計算機、處理器、查找表、微控制器、消費者設備、基礎架構(gòu),或其它致能裝置和服務。如本文和權(quán)利要求書中可使用的，提供以下非排他性限定。
在一個例子中，使本文論述的一個或多個指令或步驟自動化。術(shù)語“自動化”或“自動”(及其類似變化)意味著使用計算機和/或機械/電氣裝置控制設備、系統(tǒng)和/或過程的操作，而不需要人類干預、觀測、努力和/或決策。
應了解，據(jù)稱將耦合的任何組件可以直接或間接耦合或連接。在間接耦合的情況下，另外的組件可以位于據(jù)稱將耦合的兩個組件之間。
在本說明書中，已經(jīng)依據(jù)選定的細節(jié)集合呈現(xiàn)示例實施例。然而，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將理解，可以實踐包括這些細節(jié)的不同選定集合的許多其它示例實施例。希望所附權(quán)利要求書涵蓋所有可能的示例實施例。