本發(fā)明涉及發(fā)光二極管顯示裝置技術領域，具體涉及一種柔性電子器件及其制造方法。

背景技術：

有機發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)裝置可以作為顯示裝置及照明裝置的發(fā)光來源，已得到越來越廣泛的應用，尤其在電子產(chǎn)品技術領域。其中，可任意彎折的柔性OLED顯示技術是未來智能手機的發(fā)展技術方向，具有廣闊的應用前景。三星S6Edge產(chǎn)品即應用了柔性OLED顯示裝置，可實現(xiàn)邊緣彎折和窄邊框顯示，用戶體驗好。

柔性OLED裝置的制作工藝中，以剛性襯底作為載臺，并在剛性襯板上完成OLED裝置的制作，從而保證柔性OLED裝置制作的平整度，從而保證其產(chǎn)品性能。柔性OLED裝置制作完成后，其附著于所述剛性襯底上，然后將柔性OLED裝置與所述剛性襯板進行分離，得到柔性OLED裝置。

相關技術中，所述柔性OLED裝置與所述剛性襯底的分離采用308nmXeCl激光作為熱源，將激光聚焦掃描到所述柔性OLED裝置與所述剛性襯板的界面處，由于所述剛性襯底不吸收激光而所述柔性OLED裝置的柔性襯底能夠吸收激光而轉(zhuǎn)化為高溫，并將界面處的化學鍵高溫分解掉，從而實現(xiàn)兩者的分離。該分離技術能夠在一定程度上實現(xiàn)所述OLED裝置與所述剛性襯底的快速分離，同時也存在很大的技術風險，表現(xiàn)為：

1、所述柔性OLED裝置表面損傷。采用308nm XeCl的激光鐳射剝離技術，其核心的技術原理是采用紫外激光將柔性襯底與剛性襯底界面處的共價化學鍵通過吸收激光轉(zhuǎn)化為熱分解的方式進行高溫分解，這種方案一定程度上對激光剝離后的柔性襯底產(chǎn)生了機械損傷(例如，表面灼燒)，制備后的柔性OLED裝置在彎曲機械測試時不合格。

2、柔性襯底阻隔性能降低。由于激光鐳射后的柔性襯底已經(jīng)部分發(fā)生高溫化學分解，柔性襯底的厚度或表面性能受到損傷，水氧分子容易從這一側(cè)浸透進入OLED單元，使OLED單元氧化，產(chǎn)品性能劣化。如果為了彌補這一缺陷，需要進一步增加柔性襯底表面的無機阻隔層，工序較為復雜。

3、異物“爆炸”。由于相關技術中的柔性襯底一般是PI聚酰亞胺，通過旋涂單體和高溫固化形成的高分子薄膜，其成膜環(huán)境中經(jīng)常掉入環(huán)境異物P/T，這些環(huán)境異物P/T就會殘留在柔性襯底里面。當紫外鐳射激光掃到這些異物P/T時，由于能量聚集產(chǎn)生高溫，會將這些異物瞬間灰化而產(chǎn)生“爆炸”，導致柔性襯底上制作的電路失效。

因此，有必要提供一種新的工藝解決上述技術問題。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是克服上述技術問題，提供一種剝離無損傷的柔性電子器件的制造方法，能提高電子器件的性能。

本發(fā)明的技術方案是：

一種柔性電子器件的制造方法，包括如下步驟：

提供剛性襯底，在所述剛性襯底上依次制作形成光響應離型層、犧牲層及柔性襯底本體；

在所述柔性襯底本體上依次形成的電子器件及封裝薄膜；

對所述光響應離型層一側(cè)施加紫外光，使所述光響應離型層發(fā)生分子構型轉(zhuǎn)化而產(chǎn)生翹曲；

將已產(chǎn)生翹曲的所述光響應離型層從所述剛性襯底剝離，與所述剛性襯底分離的部分光響應離型層、犧牲層、柔性襯底本體、電子器件以及封裝薄膜共同形成所述柔性電子器件。

優(yōu)選的，所述光響應離型層為對300-400nm波段紫外光響應的光致異構體分子層。

優(yōu)選的，所述光響應離型層材料為偶氮苯衍生物、苯并螺吡喃衍生物、三苯基甲烷衍生物或肉桂酸衍生物中的一種。

優(yōu)選的，所述光響應離型層材料為偶氮苯聚酰亞胺衍生物。

優(yōu)選的，所述犧牲層為無機阻隔薄膜層，其材料為氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物或碳氧化物中的至少一種。

優(yōu)選的，所述犧牲層的材料為SiO_x或/和SiN。

優(yōu)選的，所述柔性襯底主體材料為聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜樹脂或聚碳酸酯中的一種。

優(yōu)選的，紫外光的波長為300-400nm。

本發(fā)明還提供一種柔性電子器件，由所述柔性電子器件的制造方法制造得到。

優(yōu)選的，所述柔性電子器件為有機發(fā)光二極管、柔性液晶顯示器或無機納米量子點顯示器。

與相關技術相比，本發(fā)明提供的柔性電子器件的制造方法，具有如下有益效果：

一、無損傷剝離。在所述剛性襯底和所述柔性襯底主體之間增加光響應離型層和犧牲層，使所述剛性襯底和所述柔性襯底主體緊密結(jié)合起來，且使剝離工藝發(fā)生變化，具體為：對所述光響應離型層一側(cè)施加特定波長的紫外光，使得所述光響應離型層發(fā)生分子構型轉(zhuǎn)化，如由反式異構體轉(zhuǎn)化成順式異構體，從而發(fā)生翹曲；然后通過刀片或蝕刻液剝離技術，將已產(chǎn)生翹曲的所述光響應離型層從所述剛性襯底剝離，而不損害所述柔性襯底本體的性能；當進行剝離工藝時，所述犧牲層用于保護所述柔性襯底主體的完整性，并進一步增加所述柔性襯底本體的氣體分子阻隔性。

二、所述柔性電子器件的制造工藝中，因采用無損傷的剝離技術，從而提高電子器件的性能，如水氧阻隔能力；同時，因采用紫外光進行剝離工藝，不會產(chǎn)生異物灰化的現(xiàn)象，從而保證了在所述柔性襯底本體上制作的電路的有效性。

三、設備成本低。本發(fā)明提供的柔性電子器件的制造方法，采用光響應剝離技術實現(xiàn)電子器件與剛性襯底的剝離，只需一臺紫外掃描儀對產(chǎn)品進行光照，與相關技術中采用激光剝離技術相比，設備成本低。

【附圖說明】

圖1示出了本發(fā)明提供的柔性電子器件的制造方法；

圖2為采用圖1所示的制造工藝得到的柔性電子器件的結(jié)構示意圖。

【具體實施方式】

下面將結(jié)合附圖和實施方式對本發(fā)明作進一步說明。

請參閱圖1，為本發(fā)明提供的柔性電子器件的制造方法的工藝流程圖。所述柔性電子器件的制造方法，包括如下步驟：

步驟S1：提供剛性襯底11，在所述剛性襯底11上依次制作形成光響應離型層12、犧牲層13及柔性襯底本體14(參閱圖1(a)、(b))；

具體的，通過在所述剛性襯底11上涂敷所述光響應離型層12的前軀體，然后通過高溫固化的方式形成反式異構體結(jié)構的所述光響應離型層12；再在所述光響應離型層12上沉積形成所述犧牲層13；然后再按照常規(guī)發(fā)光二極管技術依次制作成型所述柔性襯底主體14；

其中，所述剛性襯底11作為載臺，保證電子器件制作的平整度，其材料可以為玻璃、金屬、硅片或其它材料。

所述光響應離型層12是一種對特定光線響應的高分子材料層，吸收特定光線后，所述光響應離型層12發(fā)生分子構型轉(zhuǎn)化，從而產(chǎn)生翹曲，方便與所述剛性襯底11分離。

其中，特定光線為300-400nm波段紫外光；且所述光響應離型層12的材料為偶氮苯衍生物、苯并螺吡喃衍生物、三苯基甲烷衍生物或肉桂酸衍生物中的一種；優(yōu)選為偶氮苯衍生物。

偶氮苯衍生物是一種典型的光致異構體分子，在高溫制程中可以保持相對耐熱性，以保證完成所述柔性襯底主體14上的電路制作。

反式異構體的偶氮苯及其衍生物，兩個偶氮苯分子間距較長，約為0.9nm，熱力學結(jié)構較穩(wěn)定，適合后續(xù)的高溫制程。當施加波長為315nm的紫外光照射反式異構體時，反式異構體將發(fā)生分子構型轉(zhuǎn)化，形成順式異構體。順式異構體的偶氮苯及其衍生物，兩個偶氮苯分子間距較短，約縮短一半分子間距。反式異構體轉(zhuǎn)化為順式異構體宏觀表現(xiàn)為材料與附著物發(fā)生翹曲，減弱與附著物的粘性。

偶氮苯衍生物光響應原理如下：

特別優(yōu)選的，所述光響應離型層12的材料為偶氮苯聚酰亞胺衍生物。通過在所述剛性襯底11上涂敷偶氮苯聚酰亞胺單體，然后通過高溫固化形成反式偶氮苯聚酰亞胺離型層。

所述犧牲層13為無機阻隔薄膜層，形成于所述柔性襯底主體14與所述光響應離型層12之間，當進行光感應剝離工藝時，所述犧牲層13用于保護所述柔性襯底主體14的完整性，并進一步增強所述柔性襯底主體14的氣體分子阻隔性。

所述犧牲層13的材料為氧化物、氮化物、碳化物、氮氧化物或碳氧化物中的至少一種；優(yōu)選為SiO_x或/和SiN。所述犧牲層13通過化學氣相沉積(CVD)、物理氣相沉積(PVD)、濺鍍工藝(sputter)、或原子層沉積(ALD)等方式形成。

所述柔性襯底主體14材料為聚酰亞胺、聚對苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚醚砜樹脂或聚碳酸酯中的一種；優(yōu)選為聚酰亞胺。

步驟S2：在所述柔性襯底本體14上依次形成電子器件15及封裝薄膜16(參閱圖1(c))；

以制作柔性OLED裝置為例，所述電子器件為顯示單元15包括依次沉積形成的導電陽極、空穴傳輸部、發(fā)光層、電子傳輸部以及陰極，所述導電陽極形成于所述柔性襯底主體14上，所述陰極與所述導電陽極電連接。所述空穴傳輸部、發(fā)光層、電子傳輸部以及陰極通過真空蒸鍍工藝沉積形成。

所述封裝薄膜16包裹于所顯示單元15外，且與所述柔性襯底主體14粘接，用于封裝所述顯示單元15。所述封裝薄膜16可以由兩層無機阻隔層和一層有機阻隔層形成，其中有機阻隔層形成于兩層無機阻隔層之間。無機阻隔層的材料為氮化物、氧化物、碳化物、碳氮化物、碳氧化物、氮氧化物中的一種，或者它們的組合，分別通過物理或化學方法沉積形成，可以是濺射、真空沉積、化學氣相沉積或原子層沉積法等沉積方法。有機阻隔層由高分子材料制成，如硅氧烷聚合物。

步驟S3：對所述光響應離型層12一側(cè)施加紫外光，使所述光響應離型層12發(fā)生分子構型轉(zhuǎn)化而產(chǎn)生翹曲(參閱圖1(d))；

具體的，對所述光響應離型層12的一側(cè)施加波段為300-400nm的紫外光，優(yōu)選為315nm；所述光響應離型層12中的分子由反式異構體轉(zhuǎn)化為順勢異構體，從而產(chǎn)生翹曲，減弱與所述剛性襯底11的粘性；

步驟S4：將已產(chǎn)生翹曲的所述光響應離型層12從所述剛性襯底剝離，與所述剛性襯底11分離的部分形成所述柔性電子器件100(參閱圖1(e))。

具體的，使用刀片或蝕刻液將所述光響應離型層12從所述剛性襯底11剝離。

為方便以下對所述柔性電子器件100進行描述，將已產(chǎn)生翹曲的光響應離型層定義為光響應轉(zhuǎn)化層12＇。

請參閱圖2，為采用圖1所示的制造工藝得到的柔性電子器件的結(jié)構示意圖。所述柔性電子器件100包括依次形成的所述光響應轉(zhuǎn)化層12＇、犧牲層13、柔性襯底本體14、顯示單元15及封裝薄膜16。所述光響應轉(zhuǎn)化層12＇的分子結(jié)構為順式異構體。

根據(jù)所述電子器件15不同，所述柔性電子器件100為有機發(fā)光二極管、柔性液晶顯示器或無機納米量子點顯示器，或者其它類型的電子器件。

與相關技術相比，本發(fā)明提供的柔性電子器件的制造方法，具有如下有益效果：

一、無損傷剝離。在所述剛性襯底11和所述柔性襯底主體14之間增加所述光響應離型層12和犧牲層13，使所述剛性襯底11和所述柔性襯底主體14緊密結(jié)合起來，且使剝離工藝發(fā)生變化，具體為：對所述光響應離型層12一側(cè)施加特定波長的紫外光，使得所述光響應離型層12發(fā)生分子構型轉(zhuǎn)化，如由反式異構體轉(zhuǎn)化成順式異構體，從而發(fā)生翹曲；然后通過刀片或蝕刻液剝離技術，將已產(chǎn)生翹曲的所述光響應離型層12從所述剛性襯底11剝離，而不損害所述柔性襯底本體14的性能；當進行剝離工藝時，所述犧牲層13用于保護所述柔性襯底主體14的完整性，并進一步增加所述柔性襯底本體14的氣體分子阻隔性。

二、所述柔性電子器件100的制造工藝中，因采用無損傷的剝離技術，從而提高電子器件的性能，如水氧阻隔能力；同時，因采用紫外光進行剝離工藝，不會產(chǎn)生異物灰化的現(xiàn)象，從而保證了在所述柔性襯底本體14上制作的電路的有效性。

三、設備成本低。本發(fā)明提供的柔性電子器件的制造方法，采用光響應剝離技術實現(xiàn)電子器件與所述剛性襯底11的剝離，只需一臺紫外掃描儀對產(chǎn)品進行光照，與相關技術中采用激光剝離技術相比，設備成本低。

以上所述的僅是本發(fā)明的實施方式，在此應當指出，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明創(chuàng)造構思的前提下，還可以做出改進，但這些均屬于本發(fā)明的保護范圍。