本發(fā)明涉及有機發(fā)光二極管技術(shù)領域，尤其涉及一種有機發(fā)光二極管、顯示基板及顯示裝置。

背景技術(shù)：

目前，OLED(有機發(fā)光二極管)器件通常由陽極、有機層和陰極(Cathode)等組成。由于陰極與有機層之間存在界面勢壘，電子注入能力不高，影響了OLED器件的效率和功耗。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明提供一種有機發(fā)光二極管、顯示基板及顯示裝置，用于解決現(xiàn)有的有機發(fā)光二極管器件的陰極與有機層之間存在界面勢壘，電子注入能力不高，影響了有機發(fā)光二極管器件的效率和功耗的問題。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種有機發(fā)光二極管，包括：陽極、有機層和陰極，其特征在于，還包括：設置于與所述陰極和所述有機層之間的陰極修飾層，所述陰極修飾層能夠降低陰極和有機層之間的界面勢壘。

優(yōu)選地，所述陰極修飾層采用金屬和金屬氟化物的摻雜材料形成。

優(yōu)選地，金屬和金屬氟化物的摻雜材料中，金屬的摻雜比例高于金屬氟化物的摻雜比例。

優(yōu)選地，所述陰極修飾層的厚度為2～5nm。

優(yōu)選地，所述陰極修飾層采用金屬氟化物形成。

優(yōu)選地，所述金屬氟化物的厚度為0.5nm～1.5nm。

優(yōu)選地，所述金屬為以下任意一種或多種的組合：Cs、Rb、K、Sr、Yb、Ce、Pr、Sm、Na、Eu、Ba，Ca、Li、Tb、Ge或Y。

優(yōu)選地，所述金屬氟化物為以下任意一種或多種的組合：LiF、NaF、KF、RbF或CsF。

本發(fā)明還提供一種有機發(fā)光二極管顯示基板，包括上述有機發(fā)光二極管。

本發(fā)明還提供一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，包括上述有機發(fā)光二極管顯示基板。

本發(fā)明的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

在有機發(fā)光二極管的陰極和有機層之間增加陰極修飾層，用于降低陰極與有機層之間的界面勢壘，提高陰極到有機層的電子注入能力，從而提高有機發(fā)光二極管的效率，降低有機發(fā)光二極管功耗。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實施例一的有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本發(fā)明實施例二的有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明實施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實施例的附圖，對本發(fā)明實施例的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述。顯然，所描述的實施例是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。基于所描述的本發(fā)明的實施例，本領域普通技術(shù)人員所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

除非另作定義，此處使用的技術(shù)術(shù)語或者科學術(shù)語應當為本發(fā)明所屬領域內(nèi)具有一般技能的人士所理解的通常意義。本發(fā)明專利申請說明書以及權(quán)利要求書中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數(shù)量或者重要性，而只是用來區(qū)分不同的組成部分。同樣，“一個”或者“一”等類似詞語也不表示數(shù)量限制，而是表示存在至少一個?！斑B接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理的或者機械的連接，而是可以包括電性的連接，不管是直接的還是間接的?！吧稀?、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系，當被描述對象的絕對位置改變后，則該相對位置關系也相應地改變。

為解決現(xiàn)有的有機發(fā)光二極管器件的陰極與有機層之間存在界面勢壘，電子注入能力不高，影響了有機發(fā)光二極管器件的效率和功耗的問題，本發(fā)明實施例提供一種有機發(fā)光二極管，包括：陽極、有機層和陰極，其特征在于，還包括：設置于與所述陰極和所述有機層之間的陰極修飾層，所述陰極修飾層能夠降低陰極和有機層之間的界面勢壘。

本發(fā)明實施例中，在有機發(fā)光二極管的陰極和有機層之間增加陰極修飾層，用于降低陰極與有機層之間的界面勢壘，提高陰極到有機層的電子注入能力，從而提高有機發(fā)光二極管的效率，降低有機發(fā)光二極管功耗。

本發(fā)明實施例中，優(yōu)選地，陰極可以采用金屬或金屬合金材料制成，例如Mg、Ag合金，Ca、Al合金，或Li、Al合金等。

當然，在本發(fā)明的其他一些實施例中，陰極也可以采用ITO等透明氧化物導電材料制成。

本發(fā)明實施例中，所述有機層除了發(fā)光層(EML)之外，還可以包括以下膜層中的任意一種或多種：空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、電子阻擋層(EBL)、電子傳輸層(ETL)和電子注入層(EIL)。

優(yōu)選地，所述有機層包括：電子注入層和/或電子傳輸層，電子注入層和電子傳輸層均可以提高陰極到有機層的電子注入能力。

本發(fā)明實施例中，所述陰極修飾層可以采用多種類型的導電材料制成，只要能夠提高降低陰極與有機層之間的界面勢壘，提高陰極到有機層的電子注入能力即可。

優(yōu)選地，本發(fā)明實施例中的陰極修飾層采用的材料中至少包括金屬氟化物，金屬氟化物與陰極、有機層可發(fā)生解離反應，生成自由基陰離子，同時還能形成界面偶極，降低陰極和有機層之間的界面勢壘，提高陰極到有機層的電子注入能力。

在本發(fā)明的一實施例中，所述陰極修飾層可以僅采用金屬氟化物形成，金屬氟化物在厚度較薄的情況下，也具有導電性能，優(yōu)選地，本發(fā)明實施例中，所述金屬氟化物的厚度為0.5nm～1.5nm。

優(yōu)選地，所述金屬氟化物可以為以下材料中的任意一種或多種的組合：LiF、NaF、KF、RbF或CsF。

在本發(fā)明的另一實施例中，所述陰極修飾層可以采用金屬和金屬氟化物的摻雜材料形成。

所述金屬可以為功函數(shù)低于預設閾值的金屬，例如功函數(shù)低于3.1eV的金屬，功函數(shù)較低的金屬可以降低陰極和有機層之間的勢壘，提高陰極到有機層的電子注入能力。

優(yōu)選地，所述金屬可以為以下材料中的任意一種或多種的組合：Cs、Rb、K、Sr、Yb、Ce、Pr、Sm、Na、Eu、Ba，Ca、Li、Tb、Ge或Y。

優(yōu)選地，所述金屬氟化物可以為以下材料中的任意一種或多種的組合：LiF、NaF、KF、RbF或CsF。

當陰極修飾層采用金屬和金屬氟化物的摻雜材料形成時金屬和金屬氟化物的摻雜材料中，金屬的摻雜比例高于金屬氟化物的摻雜比例，摻雜的金屬氟化物的比例不能過高，否則會影響陰極修飾層的導電性能。

優(yōu)選地，所述陰極修飾層的厚度為2～5nm，陰極修飾層的厚度較薄，從而不影響有機發(fā)光二極管的整體厚度。

本發(fā)明實施例還提供一種有機發(fā)光二極管顯示基板，包括上述有機發(fā)光二極管。

本發(fā)明實施例還提供一種有機發(fā)光二極管顯示裝置，包括上述有機發(fā)光二極管顯示基板。

本發(fā)明實施例還提供一種有機發(fā)光二極管的制作方法，用于制作上述有機發(fā)光二極管。

下面將結(jié)合附圖和實施例，對本發(fā)明的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本發(fā)明，但不用來限制本發(fā)明的范圍。

實施例一

請參考圖1，圖1為本發(fā)明實施例一的有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖，該有機發(fā)光二極管包括：陽極、有機層、陰極修飾層和陰極，其中，有機層包括：空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層、電子傳輸層和電子注入層。

本發(fā)明實施例中，陽極采用ITO材料形成，陰極采用金屬或金屬合金形成，陰極修飾層采用金屬和金屬氟化物的摻雜材料形成，陰極修飾層的厚度為2～5nm。

陰極修飾層可以降低陰極與電子注入層之間的界面勢壘，提高陰極到電子注入層的電子注入能力，從而提高有機發(fā)光二極管的效率，降低有機發(fā)光二極管功耗。

實施例二

請參考圖2，圖2為本發(fā)明實施例二的有機發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)示意圖，該有機發(fā)光二極管包括：陽極、有機層、陰極修飾層和陰極，其中，有機層包括：空穴注入層、空穴傳輸層、電子阻擋層、發(fā)光層和電子傳輸層。

本發(fā)明實施例中，陽極采用ITO材料形成，陰極采用金屬或金屬合金形成，陰極修飾層采用金屬和金屬氟化物的摻雜材料形成，陰極修飾層的厚度為2～5nm。

陰極修飾層可以降低陰極與電子傳輸層之間的界面勢壘，提高陰極到電子傳輸層的電子注入能力，從而提高有機發(fā)光二極管的效率，降低有機發(fā)光二極管功耗。

上述各實施例中，有機發(fā)光二極管還可以包括位于陽極的遠離有機層的一側(cè)的反射金屬層。有機發(fā)光二極管還可以包括位于陰極的遠離有機層的一側(cè)的陰極保護層。

以上所述是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術(shù)領域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明所述原理的前提下，還可以作出若干改進和潤飾，這些改進和潤飾也應視為本發(fā)明的保護范圍。