技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種DFB半導(dǎo)體激光器的制備方法，包括以下步驟：步驟S11、制備基片：在襯底層上形成量子阱結(jié)構(gòu)和外延結(jié)構(gòu)，制成基片；步驟S12、制備脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)：在步驟S11制備的基片表面靠近出光端面的區(qū)域腐蝕形成脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)；步驟S13、制備腔外結(jié)構(gòu)：在經(jīng)過步驟S12的基片表面靠近脊型波導(dǎo)結(jié)構(gòu)的區(qū)域形成刻蝕到襯底層的周期性均勻光柵；并在靠近背光端面的區(qū)域形成探測器，探測器靠近光柵。本發(fā)明還提出一種由該方法制得的激光器。本發(fā)明通過采用在激光器腔外單芯片集成了光柵和探測器，與常規(guī)的DFB半導(dǎo)體激光器相比，無需光柵的二次掩埋生長；對于器件應(yīng)用來說無需外加的背光探測器芯片，能有效降低器件成本。

技術(shù)研發(fā)人員：薛正群;蘇輝;王凌華;陳陽華;林琦;林中晞
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國科學(xué)院福建物質(zhì)結(jié)構(gòu)研究所
文檔號(hào)碼：201710031282
技術(shù)研發(fā)日：2017.01.17
技術(shù)公布日：2017.05.31