1.一種基于動態(tài)耦合效應(yīng)的半導(dǎo)體光電傳感器，其特征在于，包括：
不摻雜或是弱摻雜的襯底(1)，埋層氧化層(2)和具有梯形臺面狀的半導(dǎo)體溝道區(qū)(3)，在半導(dǎo)體溝道之上且覆蓋溝道的柵氧化層(4)，部分覆蓋溝道區(qū)域且在溝道中間的正柵極(5)；
以及，在左邊的源極區(qū)域（6）和右邊的漏極區(qū)域（7），源極區(qū)域（6）和漏極區(qū)域（7）是與半導(dǎo)體溝道具有良好的肖特基接觸的金屬或者金屬硅化物；
器件有四個金屬電極，分別是源極金屬接觸，漏極金屬接觸，正柵極金屬接觸和背柵極金屬接觸。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電傳感器，其特征在于，所述襯底為絕緣層上硅或者建立在絕緣層上的鍺、鍺硅或氮化鎵材料。
3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電傳感器，其特征在于，所述源、漏極為肖特基金屬接觸，覆蓋整個溝道區(qū)域的臺面邊緣。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體光電傳感器，其特征在于，所述柵極只覆蓋部分溝道，柵極離源極和漏極有一段距離，分別L1和L2；L1和L2大于50nm，且L1=L2。
5.如權(quán)利要求1-4之一所述的半導(dǎo)體光電傳感器的制備方法，其特征在于，具體步驟為：
（1）起始的絕緣層上硅，包括襯底(1)，埋層氧化層(2)和上層半導(dǎo)體(3)；
（2）通過光刻和濕法腐蝕形成具有梯形結(jié)構(gòu)的溝道臺面；
（3）淀積一層?xùn)叛趸瘜?4)和正柵極材料；
（3）光刻并刻蝕以形成正柵極圖形(5)；
（4）光刻以打開源漏的窗口，之后刻蝕掉柵氧化層，再淀積金屬以形成源漏極；
（5）光刻并淀積金屬接觸以形成正柵和背柵的金屬接觸。