本發(fā)明涉及顯示技術領域，特別是涉及一種顯示器及其制備方法。

背景技術：

顯示器是屬于電腦的I/O設備，即輸入輸出設備。它是一種將一定的電子文件通過特定的傳輸設備顯示到屏幕上再反射到人眼的顯示工具。對于傳統(tǒng)的顯示器，由于其生產(chǎn)過程中顯示屏的制作階段容易發(fā)生蒸鍍偏位，容易導致出射光的波長發(fā)生偏移，從而產(chǎn)生彩斑Mura或邊緣Mura，即亮度不均勻、造成各種痕跡的現(xiàn)象，影響了顯示器的應用。

技術實現(xiàn)要素：

基于此，有必要針對傳統(tǒng)的顯示器存在亮度不均勻現(xiàn)象的問題，提供一種亮度均勻的顯示器。

一種顯示器，包括：

發(fā)光元件，包括若干個子像素；

第一電介質(zhì)層，位于所述子像素的出光側(cè)；

以及金屬膜結構，位于所述第一電介質(zhì)層遠離所述發(fā)光元件的一側(cè)，且所述金屬膜結構與所述子像素對應設置，所述金屬膜結構可使對應位置的所述子像素的中心波長的光透射增強。

上述顯示器的金屬膜結構靠近第一電介質(zhì)層的表面能夠產(chǎn)生金屬表面等離子激元，當顯示器因蒸鍍偏位等原因，導致出射光的波長發(fā)生偏移時，通過調(diào)整金屬膜結構的尺寸，利用金屬局域表面等離子激元濾波效應和光增強效應，能夠使對應位置的子像素的中心波長的光透射增強，而使偏移中心波長范圍的光透射減弱，從而達到減輕彩斑Mura或邊緣Mura的效果，從而使顯示器的亮度保持均勻。

在其中一個實施方式中，所述第一電介質(zhì)層為氮化硅層、氧化硅層或者氮化硅層和氧化硅層的堆疊結構。

在其中一個實施方式中，所述金屬膜結構的材質(zhì)為貴金屬。

在其中一個實施方式中，所述金屬膜結構包括若干個子金屬膜結構，每個所述子像素上均設置有至少兩個相互調(diào)制的子金屬膜結構。

在其中一個實施方式中，所述子金屬膜結構為長方體或者圓柱體。

在其中一個實施方式中，所述顯示器還包括第二電介質(zhì)層，所述第二電介質(zhì)層位于所述金屬膜結構遠離所述發(fā)光元件的一側(cè)。

在其中一個實施方式中，所述第二電介質(zhì)層為氮化硅層、氧化硅層或者氮化硅層和氧化硅層的堆疊結構。

在其中一個實施方式中，所述顯示器為OLED顯示器。

此外，還提供一種顯示器的制備方法，包括以下步驟：

提供發(fā)光元件，所述發(fā)光元件包括若干個子像素；

在所述子像素的出光側(cè)形成第一電介質(zhì)層；

以及在所述第一電介質(zhì)層遠離所述發(fā)光元件的一側(cè)形成金屬膜結構，所述金屬膜結構與所述子像素對應設置，所述金屬膜結構可使對應位置的所述子像素的中心波長的光透射增強。

在其中一個實施方式中，還包括以下步驟：在所述金屬膜結構遠離所述發(fā)光元件的一側(cè)形成第二電介質(zhì)層。

當采用本發(fā)明的顯示器的制備方法得到的顯示器因蒸鍍偏位等原因，導致出射光的波長發(fā)生偏移時，通過調(diào)整金屬膜結構，利用金屬局域表面等離子激元濾波效應和光增強效應，能夠使對應位置的子像素的中心波長的光透射增強，而使偏移中心波長范圍的光透射減弱，從而達到減輕彩斑Mura或邊緣Mura的效果，從而使顯示器的亮度保持均勻。

附圖說明

圖1為一實施方式的顯示器的示意圖；

圖2為一實施方式的顯示器中發(fā)光區(qū)域上子金屬膜結構的排列示意圖；

圖3為另一實施方的顯示器的示意圖；

圖4為一實施方式的顯示器的制備方法的流程圖。

具體實施方式

為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖對本發(fā)明的具體實施方式做詳細的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來實施，本領域技術人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似改進，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式的限制。

請參見圖1和圖2，一實施方式的顯示器100包括依次層疊設置的TFT(薄膜晶體管)110、發(fā)光元件120、第一電介質(zhì)層130、金屬膜結構140、第二電介質(zhì)層150以及封裝層160。

本實施方式的發(fā)光元件120為有機發(fā)光二極管(OLED，Organic Light-Emitting Diode)，即，本實施方式的顯示器為OLED顯示器。OLED包括若干層疊設置的功能層，均通過蒸鍍工藝形成，而蒸鍍過程中極容易發(fā)生蒸鍍偏位，容易導致出射光的波長發(fā)生偏移而導致彩斑Mura或邊緣Mura現(xiàn)象，OLED的彩斑Mura或邊緣Mura現(xiàn)象嚴重影響了產(chǎn)品的良率。

為此，在發(fā)光元件120的子像素的出光側(cè)依次設置第一電介質(zhì)層130、金屬膜結構140以及第二電介質(zhì)層150。其中，金屬膜結構140與子像素對應設置，用以使對應位置的子像素的中心波長的光透射增強。

具體的，本實施方式的顯示器100為頂發(fā)光，發(fā)光元件120的子像素的出光側(cè)為圖1中所示的發(fā)光元件120的上方，故第一電介質(zhì)層130位于發(fā)光元件120的上方。

本實施方式的第一電介質(zhì)層130為氮化硅層。由于氮化硅的相對介電常數(shù)較大，為6～9，而金屬膜結構140位于第一電介質(zhì)層130遠離發(fā)光元件120的一側(cè)，在金屬膜結構140與第一電介質(zhì)層130之間形成了界面。因此，氮化硅層能夠增強金屬膜結構140表面等離子激元的激發(fā)作用，從而有利于增強該區(qū)域內(nèi)每個子像素的中心波長的光透射，而減弱偏移波長范圍的光透射，從而達到減輕彩斑Mura或邊緣Mura的效果，從而使顯示器的亮度保持均勻。

需要說明的是，第一電介質(zhì)層130不限于本實施方式的氮化硅層，亦可為其他介電常數(shù)較大的功能層，例如，還可以為氧化硅層或者氮化硅層和氧化硅層的堆疊結構。當將氧化硅層等介電常數(shù)較大的功能層設置于金屬膜結構140的一側(cè)時，亦能夠增強金屬膜結構140表面等離子激元的激發(fā)作用。

本實施方式的金屬膜結構140的材質(zhì)為貴金屬，具體的，貴金屬為Au(金)。當然，金屬膜結構140的材質(zhì)亦可選自其它的貴金屬，例如，Ag(銀)或者Cu(銅)。這些貴金屬表面激發(fā)的等離子激元均可使對應位置的子像素的中心波長的光透射增強。

請參見圖2，本實施方式的金屬膜結構140包括若干個子金屬膜結構，且每個子像素上均設置有至少兩個相互調(diào)制的子金屬膜結構。

具體的，R像素上設置有四個沿中心對稱設置的尺寸相同的第一子金屬膜結構141，且第一子金屬膜結構141為長方體。G像素上設置有四個沿中心對稱設置的尺寸相同的第二子金屬膜結構142，且第二子金屬膜結構142為長方體。B像素上設置有四個沿中心對稱設置的尺寸相同的第三子金屬膜結構143，且第三子金屬膜結構143為長方體。

本實施方式中的金屬膜結構140的厚度為200nm，即第一子金屬膜結構141、第二子金屬膜結構142以及第三子金屬膜結構143的厚度均為200nm。在此膜層厚度值時，一方面保證了金屬膜結構140表面等離子激元的激發(fā)效率，另一方面保證了光的透過率。當然，金屬膜結構140的厚度不限于此，亦可選自150nm～250nm之間的任意數(shù)值，具體可以根據(jù)實際需要進行設置。

此外，每個子金屬膜結構的形狀、尺寸以及位置不限于本實施方式，子金屬膜結構的形狀亦可為圓柱體等其他形狀，可以對每個子像素上的對應設置的子金屬膜結構的尺寸和位置進行適應性調(diào)整，以使多個子金屬膜結構起到相互調(diào)制的作用，從而達到使該區(qū)域內(nèi)每個子像素的中心波長的光透射增強，而使偏移中心波長范圍的光透射減弱的效果。

本實施方式的顯示器100還包括第二電介質(zhì)層150。第二電介質(zhì)層150位于金屬膜結構140遠離發(fā)光元件120的一側(cè)，即圖1中金屬膜結構140的上方。

本實施方式的第二電介質(zhì)層150為氮化硅層。與第一電介質(zhì)層130起到的作用相同，在金屬膜結構140與第二電介質(zhì)層150之間亦形成了界面，故能夠增強金屬膜結構140表面等離子激元的激發(fā)作用，從而使有利于該區(qū)域內(nèi)每個子像素的中心波長的光透射增強，而使偏移中心波長范圍的光透射減弱，從而達到減輕彩斑Mura或邊緣Mura的效果，從而使顯示器的亮度保持均勻。

本實施方式中，金屬膜結構140的兩側(cè)分別設置有第一電介質(zhì)層130和第二電介質(zhì)層150，因此，第一電介質(zhì)層130和第二電介質(zhì)層150起到了協(xié)同的作用，在金屬膜結構140的兩個表面均能夠激發(fā)等離子激元，更有利于該區(qū)域內(nèi)的特定波段的光透射增強，而使偏移中心波長范圍的光透射減弱，從而達到減輕彩斑Mura或邊緣Mura的效果，從而使顯示器的亮度保持均勻。

需要說明的是，由于第二電介質(zhì)層150遠離發(fā)光元件120，因此，與第一電介質(zhì)層130相比，第二電介質(zhì)層150起到的作用相對較弱，即對金屬膜結構140表面等離子激元的激發(fā)作用較弱，故本發(fā)明的顯示器亦可不設置第二電介質(zhì)層150。

此外，第二電介質(zhì)層150不限于本實施方式的氮化硅層，亦可為其他介電常數(shù)較大的功能層，例如，還可以為氧化硅層或者氮化硅層和氧化硅層的堆疊結構。

封裝層160用于對其內(nèi)部的發(fā)光元件120、第一電介質(zhì)層130、金屬膜結構140以及第二電介質(zhì)層150進行封裝，起到阻隔水氧的作用，用于保護其內(nèi)部的功能層，提高顯示器100的壽命。

此外還需要說明的是，本實施方式的顯示器為OLED顯示器，然而，顯示器的類型不限于此，亦可為LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示器)等其他存在Mura現(xiàn)象的顯示器。

此外，顯示器還可以為底發(fā)光，此時，金屬膜結構則位于發(fā)光元件的下方。

請參見圖3，另一實施方式的顯示器200包括依次層疊的TFT(薄膜晶體管)210、第二電介質(zhì)層220、金屬膜結構230、第一電介質(zhì)層240、發(fā)光元件250以及封裝層260。

本實施方式的顯示器200為底發(fā)光，發(fā)光元件250的子像素的出光側(cè)為圖3中所示的發(fā)光元件250的下方，故第一電介質(zhì)層240位于發(fā)光元件250的下方。

當本發(fā)明的顯示器因蒸鍍偏位等原因，導致出射光的波長發(fā)生偏移時，通過調(diào)整金屬膜結構的尺寸，利用金屬局域表面等離子激元濾波效應和光增強效應，能夠使對應位置的子像素的中心波長的光透射增強，而使偏移中心波長范圍的光透射減弱，從而達到減輕彩斑Mura或邊緣Mura的效果，從而使顯示器的亮度保持均勻。

請參見圖4，一實施方式的顯示器的制備方法，包括以下步驟：

S10、提供發(fā)光元件，發(fā)光元件包括若干個子像素。

S20、在子像素的出光側(cè)形成第一電介質(zhì)層。

可以通過蒸鍍等工藝在子像素的出光側(cè)形成第一電介質(zhì)層。

S30、在第一電介質(zhì)層遠離發(fā)光元件的一側(cè)形成金屬膜結構，金屬膜結構與子像素對應設置，金屬膜結構可使對應位置的子像素的中心波長的光透射增強。

優(yōu)選采用FMM mask(精密金屬遮罩)制作金屬膜結構，以調(diào)高金屬膜結構中圖形的制作精度，保障透射增強的波長不因圖形精度偏差發(fā)生偏移。

S40、在金屬膜結構遠離發(fā)光元件的一側(cè)形成第二電介質(zhì)層。

可以通過蒸鍍等工藝在在金屬膜結構遠離發(fā)光元件的一側(cè)形成第二電介質(zhì)層。

當采用本發(fā)明的顯示器的制備方法得到的顯示器因蒸鍍偏位等原因，導致出射光的波長發(fā)生偏移時，通過調(diào)整金屬膜結構的尺寸，利用金屬局域表面等離子激元濾波效應和光增強效應，能夠使對應位置的子像素的中心波長的光透射增強，而使偏移中心波長范圍的光透射減弱，從而達到減輕彩斑Mura或邊緣Mura的效果，從而使顯示器的亮度保持均勻。

以上所述實施例的各技術特征可以進行任意的組合，為使描述簡潔，未對上述實施例中的各個技術特征所有可能的組合都進行描述，然而，只要這些技術特征的組合不存在矛盾，都應當認為是本說明書記載的范圍。

以上所述實施例僅表達了本發(fā)明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對發(fā)明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發(fā)明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發(fā)明的保護范圍。因此，本發(fā)明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。