本發(fā)明的實(shí)施例涉及半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。

背景技術(shù)：

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體芯片/管芯變得越來越小。同時(shí)，更多功能需要集成在半導(dǎo)體管芯內(nèi)。因此，半導(dǎo)體管芯需要將越來越多的i/o焊盤封裝在更小的區(qū)域內(nèi)，并且i/o焊盤的密度隨著時(shí)間的推移快速提高。結(jié)果，半導(dǎo)體管芯的封裝變得更加困難，這會(huì)對(duì)封裝產(chǎn)量產(chǎn)生不利影響。

傳統(tǒng)的封裝技術(shù)可以劃分為兩類。在第一類中，晶圓上的管芯在被切割之前進(jìn)行封裝。這種封裝技術(shù)具有一些有利的特征，諸如更大的生產(chǎn)量和更低的成本。此外，需要較少的底部填充物或模塑料。然而，這種封裝技術(shù)也存在缺陷。如前所述，管芯的尺寸變得越來越小，并且對(duì)應(yīng)的封裝件僅可為扇入型封裝件，其中，每個(gè)管芯的i/o焊盤都被限于直接位于對(duì)應(yīng)管芯的表面上方的區(qū)域。由于管芯的面積有限，i/o焊盤的數(shù)量由于i/o焊盤的間距的限制而受到限制。如果焊盤的間距減小，則可能發(fā)生焊料橋接。此外，在固定的焊球尺寸需求下，焊球必須具有特定尺寸，這進(jìn)而限制可以封裝在管芯表面上的焊球的數(shù)量。

在另一類封裝中，管芯在它們被封裝之前被切割而與晶圓分離，并且僅封裝“已知良好管芯”。這種封裝技術(shù)的有利特征在于可能形成扇出型封裝件，這意味著管芯上的i/o焊盤可以被重新分布至比管芯更大的區(qū)域，并且因此可以增加封裝在管芯表面上的i/o焊盤的數(shù)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：介電層，設(shè)置在再分布層上；空腔，位于所述介電層中，多個(gè)接觸件定位在所述再分布層上方的所述空腔中；部件，接合至所述多個(gè)接觸件；底部填充物，設(shè)置在位于所述介電層和所述部件之間的所述空腔中；以及多個(gè)連接件，位于所述介電層上，所述連接件穿過所述介電層連接至導(dǎo)體，所述導(dǎo)體與所述多個(gè)接觸件處于相同的金屬化水平。

本發(fā)明的另一實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：圖案化介電層以在所述介電層中產(chǎn)生空腔，多個(gè)接觸件暴露在所述空腔中；將部件接合至所述多個(gè)接觸件，所述空腔的周界圍繞所述部件的周界延伸；在所述空腔中以使得所述底部填充物填充位于所述部件下方和所述多個(gè)接觸件周圍的空間的方式放置底部填充物；以及在所述空腔旁邊的所述介電層上方形成連接件，其中，所述連接件延伸穿過所述介電層以接觸下面的導(dǎo)體，所述導(dǎo)體與所述多個(gè)接觸件處于相同的金屬化水平。

本發(fā)明的又一實(shí)施例提供了一種形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的方法，包括：在襯底上形成多個(gè)接觸件和多個(gè)導(dǎo)線；在所述多個(gè)接觸件和所述多個(gè)導(dǎo)線上方沉積介電層；圖案化所述介電層以形成第一空腔，通過所述第一空腔暴露所述多個(gè)接觸件；圖案化所述介電層以形成多個(gè)第二空腔，其中通過所述多個(gè)第二空腔的每個(gè)暴露導(dǎo)線；在所述多個(gè)第二空腔的每個(gè)中形成連接件，每個(gè)連接件連接至在每個(gè)第二空腔中暴露的相應(yīng)的導(dǎo)線；將器件接合至所述多個(gè)接觸件，以所述器件的底面超過所述第一空腔的側(cè)壁的上部邊緣的方式將所述器件定位在所述第一空腔上方；以及在所述第一空腔中放置底部填充物，所述底部填充物沿著所述多個(gè)接觸件的側(cè)壁和所述第一空腔的側(cè)壁延伸。

附圖說明

當(dāng)結(jié)合附圖進(jìn)行閱讀時(shí)，根據(jù)下面詳細(xì)的描述可以最佳地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。應(yīng)該注意，根據(jù)工業(yè)中的標(biāo)準(zhǔn)實(shí)踐，各個(gè)部件沒有按比例繪制。實(shí)際上，為了清楚的討論，各個(gè)部件的尺寸可以任意增加或減少。

圖1、圖2、圖3、圖4、圖5以及圖6a是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各個(gè)中間階段的截面圖。

圖6b是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的中間階段的平面圖。

圖7和圖8a是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的各個(gè)中間階段的截面圖。

圖8b是根據(jù)一些實(shí)施例的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的平面圖。

圖9是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的中間階段的截面圖和平面圖。

圖10是根據(jù)一些實(shí)施例的形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的中間階段的截面圖和平面圖。

具體實(shí)施方式

以下公開內(nèi)容提供了多種不同實(shí)施例或?qū)嵗?，以?shí)現(xiàn)本發(fā)明的不同特征。下面描述部件和布置的具體實(shí)例以簡化本發(fā)明。當(dāng)然，這些僅是實(shí)例并且不意欲限制本發(fā)明。例如，在以下描述中，在第二部件上方或上形成第一部件可包括第一部件和第二部件直接接觸的實(shí)施例，也可包括形成在第一部件和第二部件之間的附加部件，使得第一部件和第二部件不直接接觸的實(shí)施例。此外，本發(fā)明可以在各個(gè)實(shí)例中重復(fù)參考標(biāo)號(hào)和/或字符。這種重復(fù)是為了簡化和清楚的目的，并且其本身并不表示所討論的實(shí)施例和/或配置之間的關(guān)系。

此外，為了便于描述，本文中可以使用諸如“在…下方”、“在…下面”、“下部”、“在…上面”、“上部”等的空間關(guān)系術(shù)語，以描述如圖中所示的一個(gè)元件或部件與另一元件或部件的關(guān)系。除了圖中所示的方位外，空間關(guān)系術(shù)語旨在包括在使用或操作過程中器件的不同方位。裝置可以以其它方式定位(旋轉(zhuǎn)90度或在其它方位)，并且在本文中使用的空間關(guān)系描述符可以同樣地作相應(yīng)地解釋。

根據(jù)各個(gè)示例性實(shí)施例提供了一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法。示出了形成半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的中間階段并且討論了實(shí)施例的變形。在一些實(shí)施例中，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)可包括結(jié)合至封裝件的部件?？梢允褂枚鄠€(gè)連接件將部件接合至封裝件。在一些實(shí)施例中，封裝件的上表面可包括位于部件下方的空腔，并且多個(gè)連接件可定位在空腔中。在一些實(shí)施例中，底部填充物可設(shè)置在空腔中并且底部填充物圍繞位于部件和封裝件之間的連接件。在一些實(shí)施例中，空腔可有助于限制底部填充物免于延伸超出空腔的側(cè)壁，從而防止或減少底部填充物滲出到封裝件的表面的其它區(qū)域并且造成與其它連接間或部件的干擾。在一些實(shí)施例中，空腔可以減少遮擋區(qū)，遮擋區(qū)是包圍著部件的區(qū)域，由于來底部填充物滲出的污染的可能性很高，在遮擋區(qū)中不能放置連接件和其它部件。

圖1示出了根據(jù)一些實(shí)施例的集成扇出式封裝件100的實(shí)例。雖然在本文中進(jìn)行討論扇出封裝件，但是可以使用其它封裝件。例如，在一些實(shí)施例中，可以使用扇入封裝件。

可使用任何合適的方法形成封裝件100。例如，載體襯底(未示出)可具有在載體襯底上形成的緩沖層24。通常地，在后續(xù)的加工步驟期間，載體襯底提供臨時(shí)的機(jī)械和結(jié)構(gòu)支撐。例如，載體襯底可以包括任何合適的材料，任何合適的材料諸如硅基材料(諸如硅晶圓、玻璃或氧化硅)或其它材料(諸如氧化鋁、陶瓷材料)、這些材料的任意組合等。在一些實(shí)施例中，載體襯底是平坦的以適應(yīng)進(jìn)一步的處理。

緩沖層24可以是介電層，該介電層可以是聚合物(諸如聚苯并惡唑(pbo)、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(bcb)等)、氮化物(諸如氮化硅等)、氧化物(諸如氧化硅、磷硅酸鹽玻璃(psg)、硼硅酸鹽玻璃(bsg)、硼摻雜的磷硅酸鹽玻璃(bpsg)或它們的組合等)等，并且例如，可以通過旋涂、層壓、化學(xué)汽相沉積(cvd)等來形成緩沖層24。在一些實(shí)施例中，緩沖層24是具有介于約2μm與約6μm之間的均勻厚度的平面層。緩沖層的頂面和底面是平坦的。

接下來，根據(jù)一些實(shí)施例，在圖1中描述的通孔(“tv”)33可以形成在緩沖層上方。如在圖1中可以看出，通孔33提供從封裝件的一側(cè)到封裝件的另一側(cè)的電連接。例如，可以通過在緩沖層上方形成導(dǎo)電晶種層26形成導(dǎo)電通孔33。在一些實(shí)施例中，晶種層26是金屬層，其可以是單層或包括由不同材料形成的多個(gè)子層的復(fù)合層。晶種層可由銅、鈦、鎳、金或它們的組合等制成。在一些實(shí)施例中，晶種層26包括鈦層和位于鈦層上方的銅層。例如，可以使用物理汽相沉積(pvd)、cvd、原子層沉積(ald)、它們的組合等形成晶種層26。

接下來，可以沉積和圖案化掩模層(未示出)，掩模層諸如圖案化的光刻膠層，其中，掩模層中的開口暴露了晶種層26。例如，使用化學(xué)鍍工藝或電化學(xué)鍍工藝?yán)脤?dǎo)電材料填充開口，從而產(chǎn)生tv33。tv33可包括銅、鋁、鎢、鎳、焊料或它們的合金。tv33的頂視圖形狀可以為矩形、正方形、圓形等。通過隨后放置的管芯34的厚度來確定tv33的高度，在一些實(shí)施例中，tv33的高度大于管芯34的厚度。

接下來，例如，可以在灰化和/或濕法剝除工藝中去除掩模層。實(shí)施蝕刻步驟以去除晶種層26的暴露部分，其中，蝕刻可以是各向異性蝕刻。另一方面，與tv33重疊的晶種層26的部分保留未蝕刻。

tv33也可以利用通過引線接合工藝放置的金屬絲釘來實(shí)現(xiàn)，引線接合工藝諸如銅引線接合工藝。

接下來，根據(jù)一些實(shí)施例，管芯34附接至緩沖層24的后側(cè)。在一些實(shí)施例中，管芯34可以通過粘合層(諸如管芯附接膜(daf))粘合至緩沖層。如圖1所示的，管芯34可以是單個(gè)管芯，或在一些實(shí)施例中，可以附接兩個(gè)或兩個(gè)以上的管芯，并且管芯34可以包括適合特定方法的任何管芯。例如，管芯34可以包括靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(sram)芯片或動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(dram)芯片、處理器、存儲(chǔ)器芯片、邏輯芯片、模擬芯片、數(shù)字芯片、中央處理單元(cpu)、圖形處理單元(gpu)或它們的組合等。管芯34可以附接至用于特定設(shè)計(jì)或應(yīng)用的合適的位置。例如，圖1示出了一個(gè)實(shí)施例，其中，集成電路管芯34安裝在中心區(qū)中，其中，tv33定位在周界周圍。在其它實(shí)施例中，管芯34可以從中心偏移。

管芯34可包括襯底35，襯底35耦合至粘合層36，其中，半導(dǎo)體襯底35的后表面耦合至粘合層36。例如，襯底35可包括摻雜或未摻雜的塊狀硅或絕緣體上半導(dǎo)體(soi)襯底的有源層。通常，soi襯底包括形成在絕緣體層上的諸如硅的半導(dǎo)體材料的層。例如，絕緣層可以是掩埋氧化物(box)層或氧化硅層。在諸如硅或玻璃襯底的襯底上提供絕緣體層?？蛇x地，襯底可以包括另一元素半導(dǎo)體，諸如鍺；化合物半導(dǎo)體，包括碳化硅、砷化鎵、磷化鎵、磷化銦、砷化銦和/或銻化銦；合金半導(dǎo)體，包括sige、gaasp、alinas、algaas、gainas、gainp和/或gainasp；或它們的組合。也可以使用諸如多層或梯度襯底的其它襯底。

可以在襯底的頂面處形成諸如晶體管、電容器、電阻器、二極管、光電二極管、熔斷器等的有源器件(未示出)?？梢栽谝r底上方形成互連結(jié)構(gòu)(未示出)并且互連結(jié)構(gòu)電連接有源器件以形成功能電路。在一些示例性實(shí)施例中，管芯34包括金屬柱40(諸如銅柱)，金屬柱40通過互連結(jié)構(gòu)電耦合至管芯34中的諸如晶體管(未示出)的器件。在一些實(shí)施例中，介電層38形成在相應(yīng)管芯34的頂面處，金屬柱40的至少下部位于介電層38中。在一些實(shí)施例中，金屬柱40的頂面還可以與金屬柱38的頂面平齊?？蛇x地，不形成介電層38，并且金屬柱40突出于管芯34的頂層之上。

接下來，可以在管芯34和tv33上模塑模制材料42。模制材料42填充位于管芯34和tv33之間的間隙，并且模制材料42可以與緩沖層接觸。此外，當(dāng)金屬柱40是突出金屬柱時(shí)，模制材料42填充到各金屬柱40之間的間隙中。模塑材料42可包括模塑料、模制底部填充物、環(huán)氧樹脂或樹脂。在模塑后，模制材料42的頂面可高于金屬柱40和tv33的頂端。

接下來，實(shí)施研磨步驟以減薄模制材料42，直至暴露金屬柱40和tv33。由于研磨，tv33的頂端與金屬柱40的頂端基本上齊平(共面)，并且tv33的頂端與模制材料42的頂面基本上齊平(共面)。作為研磨的結(jié)果，可以生成諸如金屬顆粒的金屬殘留物，并且留在頂面上。因此，在研磨之后，例如，可以通過濕法蝕刻實(shí)施清潔，使得去除金屬殘留物。

接下來，參考圖2，形成一個(gè)或多個(gè)再分布層(rdl)43。通常，rdl提供與tv33和/或金屬柱40的圖案不同的允許用于完整的封裝件的引腳輸出接觸圖案的導(dǎo)電圖案，以允許更加靈活地放置tv33和管芯34。rdl可以用于提供至管芯34或tv33的外部電連接。rdl可以進(jìn)一步用于將管芯34電耦合至tv33，tv33可以電耦合至一個(gè)或多個(gè)其它封裝件、封裝襯底、部件等或它們的組合。rdl包括導(dǎo)線44和通孔連接件48，其中通孔連接件48將上面的線(例如，上面的導(dǎo)線44)連接至下面的導(dǎo)電部件(例如，tv33、金屬柱40和/或?qū)Ь€44)。

可以使用任何合適的工藝來形成rdl43。例如，在一些實(shí)施例中，在模制材料42和管芯34上形成介電層50。在一些實(shí)施例中，介電層50由聚合物形成，聚合物可以是可以使用光刻圖案化的光敏材料，光敏材料諸如聚苯并惡唑(pbo)、聚酰亞胺、苯并環(huán)丁烯(bcb)等。在其它實(shí)施例中，介電層50由諸如氮化硅的氮化物、諸如氧化硅的氧化物、磷硅酸鹽玻璃(psg)、硼硅酸鹽玻璃(bsg)、硼摻雜的磷硅酸鹽玻璃(bpsg)等形成。介電層50可以通過旋涂、層壓、cvd等或它們的組合來形成。然后，圖案化介電層50以形成開口從而暴露金屬柱40和tv33。在實(shí)施例中，介電層50由光敏材料形成，可以根據(jù)所需的圖案通過暴露介電層50來實(shí)施圖案化并且顯影以去除不期望的材料，從而暴露金屬柱40和tv33。諸如使用圖案化的掩模和蝕刻的其它方法也可以用于圖案化介電層50。

在介電層50上方和在形成于介電層中50的開口中形成晶種層(未示出)。在一些實(shí)施例中，晶種層是金屬層，晶種層可以是單層或包括由不同的材料形成的多個(gè)子層的復(fù)合層。在一些實(shí)施例中，該晶種層包括鈦層和位于鈦層上方的銅層。例如，可以使用pvd等形成晶種層。然后根據(jù)期望的再分布圖案(諸如圖1所示的圖案)在晶種層上形成并且圖案化掩模。在一些實(shí)施例中，掩模是通過旋涂等形成的光刻膠并且暴露于光以用于圖案化。圖案化形成穿過掩模的開口以暴露晶種層。在掩模的開口中和晶種層的暴露部分上形成導(dǎo)電材料?？赏ㄟ^諸如電鍍或化學(xué)鍍等的鍍形成導(dǎo)電材料。導(dǎo)電材料可以包括金屬，金屬如銅、鈦、鎢、鋁等。然后，去除光刻膠和晶種層的在其上未形成導(dǎo)電材料的部分。可以通過諸如使用氧等離子體等的可接受的灰化或剝離工藝去除光刻膠。一旦去除光刻膠，諸如通過使用可接受的蝕刻工藝(諸如通過濕蝕刻或干蝕刻)去除晶種層的暴露部分。晶種層的剩余部分和導(dǎo)電材料形成導(dǎo)線44和通孔連接件48。介電層52形成在介電層50上方以為后續(xù)層提供更平坦的表面，并且可以使用與用于形成介電層50類似的材料和工藝來形成介電層52。在一些實(shí)施例中，介電層52由聚合物、氮化物、氧化物等形成。在一些實(shí)施例中，介電層52是通過旋涂工藝形成的pbo。

在一些實(shí)施例中，可以形成額外的rdl43。可以使用與以上參考其它rdl描述的類似的工藝和材料形成額外的rdl。

接下里，參照圖3，在rdl43上形成最上部的金屬化層300。為簡單起見，在圖3至圖5、圖6a、圖7、圖8a中以及在圖9和圖10的截面圖中省略了封裝的細(xì)節(jié)，并且僅僅示出rdl43的將要接合部件的部分。然而，上述有關(guān)封裝件100的討論適用于在每個(gè)圖中所描繪的每個(gè)實(shí)施例。

最上部金屬化層300可以使用與上面關(guān)于rdl43描述的那些相同或相似的工藝形成。最上部金屬化層300可包括接觸件202和導(dǎo)線44。在一些實(shí)施例中，接觸件302可以用于至部件的外部連接，而最上部金屬化層300中的導(dǎo)線44不直接用于外部連接。

接下來，參考圖4，介電層400沉積在最上部金屬化層300上方并且圖案化介電層400。介電層400可以使用與上面描述的那些相同或相似的工藝形成。例如，使用光刻法圖案化介電層400以暴露導(dǎo)線44的部分。例如，還使用光刻法圖案化介電層400以暴露接觸件302并且產(chǎn)生圍繞接觸件302的空腔402。如下面更詳細(xì)地討論的，部件將接合至接觸件302并且底部填充物將設(shè)置在位于部件和下面的rdl43之間的接觸件302周圍?？涨?02可以限定或有助于限定底部填充物進(jìn)入所需區(qū)域，并且空腔402防止或減少底部填充物滲出到封裝件的表面的其它區(qū)域從而導(dǎo)致不良的干擾。

如可以從圖4中看出，產(chǎn)生的空腔402圍繞接觸件302，使得在空腔402的一側(cè)上具有比空腔402的其它側(cè)更大的開口區(qū)域?？涨?02的更大開口區(qū)域形成了底部填充物分配區(qū)404。如將在下面進(jìn)一步詳細(xì)解釋的，底部填充物將會(huì)沉積在空腔的底部填充物分配區(qū)404，并且例如，底部填充物將由于毛細(xì)作用力流入到圍繞接觸件302的空間。底部填充物分配區(qū)404的開口區(qū)域提供了用于底部填充工藝的處理空間。

接下來，根據(jù)一些實(shí)施例在最上部金屬化層300的導(dǎo)線44上方形成并且圖案化凸塊下金屬(ubm)70，從而形成與圖5中實(shí)施例示出的導(dǎo)線44的電連接。ubm70提供了電連接，可以在ubm70上面放置電連接件(例如，焊球/凸塊、導(dǎo)電柱等)。在實(shí)施例中，凸塊下金屬70包括擴(kuò)散阻擋層、晶種層或它們的組合。擴(kuò)散阻擋層可以包括ti、tin、ta、tan或它們的組合。晶種層可以包括銅或銅合金。然而，其它金屬，諸如鎳、鈀、銀、金、鋁、他們的組合以及它們的多層也可以包括在內(nèi)。在實(shí)施例中，使用濺射形成凸塊下金屬70。在其它實(shí)施例中，可以使用電鍍。

根據(jù)一些實(shí)施例，參考圖6a，在凸塊下金屬70上方形成連接件68。連接件68可以是焊球、金屬柱、可控坍塌芯片連接(c4)凸塊、微凸塊、化學(xué)鍍鎳-化學(xué)鍍鈀浸金技術(shù)(enepig)形成的凸塊、它們的組合(例如，具有與其附接的焊球的金屬柱)等。連接件68可以包括諸如焊料、銅、鋁、金、鎳、銀、鈀、錫等或它們的組合的導(dǎo)電材料。在一些實(shí)施例中，如實(shí)例，連接件68包括共晶材料并且連接件68可以包括焊料凸塊或焊球。例如，焊料材料可以是鉛基焊料和無鉛焊料，諸如用于鉛基焊料的pb-sn組分、包括insb的無鉛焊料；錫、銀和銅(sac)組分，以及具有共同熔點(diǎn)并且在電氣應(yīng)用中形成導(dǎo)電焊料連接的其它共晶材料。如實(shí)例，對(duì)于無鉛焊料，可以使用不同組分的sac焊料，諸如sac105(錫98.5％、銀1.0％、銅0.5％)、sac305和sac405。諸如焊球的無鉛連接件也可以由錫銅(sncu)化合物形成，而不使用銀(ag)。可選地，無鉛焊料連接件可以包括錫和銀、sn-ag，不使用銅。在一些實(shí)施例中，可以實(shí)施回流工藝，在一些實(shí)施例中給出局部球形形狀的連接件68?？蛇x地，連接件68可以包括其它形狀。例如，連接件68也可以包括非球形導(dǎo)電連接件。

在一些實(shí)施例中，連接件68包括通過濺射、印刷、電鍍、化學(xué)鍍、cvd等形成的金屬柱(諸如銅柱)，在連接件528上具有或不具有焊料材料。金屬柱可以無焊料并且具有基本垂直的側(cè)壁或錐形的側(cè)壁。

雖然在圖6a中僅示出一個(gè)連接件68，在一些實(shí)施例中，圍繞空腔402形成多個(gè)連接件68。這示出在圖6b中。在一些實(shí)施例中，連接件68可大致均勻地沿著腔402的周界進(jìn)行分配。在一些實(shí)施例中，連接件可以沿著遮擋區(qū)的邊緣間隔開，由于通過對(duì)封裝件的區(qū)域施加底部填充物并且所需區(qū)域的底部填充物滲出至封裝件表面的周圍區(qū)域?qū)е碌母蓴_，遮擋區(qū)是不放置連接件68的區(qū)域。

接下來，參考圖7，部件700接合至接觸件302。在一些實(shí)施例中，部件700可以是集成無源器件。在一些實(shí)施例中，部件700可以是有源器件。在一些實(shí)施例中，部件700可以是管芯?？梢允褂眠m合于特定應(yīng)用的任何部件。在一些實(shí)施例中，部件700可以是多終端部件。例如，在一些實(shí)施例中，部件700可以具有多于兩個(gè)終端。在一些實(shí)施例中，部件700可以具有兩個(gè)以下的終端。

如圖7中示出的，部件700可以通過接觸件302接合至封裝件100。部件70可包括位于部件700的表面上的一個(gè)或多個(gè)連接件702。通過將接觸件302接合至連接件702，部件700可以接合至封裝件100。在一些實(shí)施例中，多于兩個(gè)的連接件702分別接合至相同數(shù)量的接觸件302。

參考圖8a，底部填充物800添加到空腔402。在一些實(shí)施例中，底部填充物800是用于墊層的保護(hù)材料并且支撐部件700免于操作和環(huán)境退化(諸如通過在操作期間產(chǎn)生的熱量導(dǎo)致的應(yīng)力)。例如，底部填充物800可包括液體環(huán)氧樹脂或其它保護(hù)材料，然后固化底部填充物800從而硬化。

在一些實(shí)施例中，可通過分配底部填充物800進(jìn)入空腔402的底部填充物分配區(qū)404將底部填充物800放置在部件700和rdl43之間。底部填充物800可以以液體形式注入到底部填充物分配區(qū)404，使得底部填充物800使用毛細(xì)作用力流入到部件700下方和圍繞接觸件302的空間?？涨?02將有助于限定進(jìn)入空腔402的底部填充物800，并且空腔402可以減少或防止底部填充物800從所需的區(qū)域流出和對(duì)于連接件68的不希望的干擾。

參考圖8b，圖8b是根據(jù)一些實(shí)施例示出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的平面圖。部件700在空腔402上方接合至封裝件100。以底部填充物填充到位于接觸件302(在圖8a中示出的)之間和位于部件700和最上部rdl43之間的間隙中的方式將底部填充物800設(shè)置在空腔402中，最上部rdl43形成了空腔402的底面。如通過圖8b示出的，部分的底部填充物80可以或可以不延伸至介電層400(諸如空腔402的側(cè)壁)。此外，在自頂向下視圖中雖然底部填充物800示出為僅部分地填充空腔402，在其它實(shí)施例中，在自頂向下視圖中底部填充物800可以完全填充空腔402。部件700的中心點(diǎn)可以與底部填充物800的中心點(diǎn)偏移，使得底部填充物800從部件700的第一側(cè)比從部件700的第二側(cè)延伸得更遠(yuǎn)。在一些實(shí)施例中，底部填充物800被限定在空腔402中。沿著空腔402的周界定位多個(gè)連接件68。

最終，隨著載體襯底(未示出)從封裝件100分離并且緩沖層(未示出)從封裝件100清除，封裝件100的工藝可以結(jié)束。如果在晶圓上形成多個(gè)封裝件100，晶圓可以被分割成多個(gè)封裝件100。

參考圖9，根據(jù)一些實(shí)施例示出了半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的平面圖和截面圖。截面圖是沿著在平面圖中描述的線x-x截取的。

該結(jié)構(gòu)包括部件700，部件700接合至封裝件100的表面。封裝件100包括位于rdl43上方的上部金屬化層300。部件700使用接觸件302接合至封裝件100，接觸件302包括在上部金屬化層300中。多個(gè)連接件68設(shè)置在封裝件100上。每個(gè)連接件68通過ubm70電連接并且物理連接至上部金屬化層300。ubm延伸穿過位于封裝件100的上表面上的介電層400，以接觸上部金屬化層300。

在空腔402上方定位部件700?？涨?02是位于封裝件100的上表面上的介電層400中的開口?？涨?02的周界圍繞部件700的周界延伸。如上面討論的，空腔402包括底部填充物分配區(qū)404。底部填充物800可以以液體形式注入到底部填充物分配區(qū)404，使得底部填充物800使用毛細(xì)作用力流入到部件700下方和接觸件302周圍的空間。空腔402可以有助于限定底部填充物800進(jìn)入空腔402，并且空腔402可以減少或防止底部填充物800免于流出所需的區(qū)域并且導(dǎo)致對(duì)于連接件68的不希望的干擾。

部件700的鄰近于底部填充物分配區(qū)404的一側(cè)可以稱為“流入側(cè)”，因?yàn)榉峙涞降撞刻畛湮锓峙鋮^(qū)404的底部填充物800將會(huì)從該側(cè)“流入”至部件700下方的區(qū)域。部件700的另一側(cè)可以稱為“流出側(cè)”，因?yàn)榈撞刻畛湮?00可以從位于部件700下方的該側(cè)流出并且進(jìn)入空腔402的周界區(qū)。這些名稱僅是方便參考但不意欲限制本發(fā)明。

在一些實(shí)施例中，定位的部件700的流出側(cè)的邊緣距離介電層400的最近邊緣為最小距離b。在一些實(shí)施例中，如圖9中描述的，部件700可包括三個(gè)流出側(cè)。第一流出側(cè)的位置距離介電層400的最近邊緣為最小距離b1，第二流出側(cè)的位置距離介電層400的最近邊緣為最小距離b2，以及第三流出側(cè)的位置距離介電層400的最近邊緣為最小距離b3。在一些實(shí)施例中，距離b1、距離b2以及距離b3是大約相等的距離。在一些實(shí)施例中，最小距離b1、最小距離b2以及最小距離b3可以是不同的距離。在一些實(shí)施例中，最小距離b(包括最小距離b1、最小距離b2以及最小距離b3)可以是約0μm至約100μm(諸如50μm)。

在流入側(cè)上的部件700的邊緣距離介電層400的最近邊緣處可以定位為最小距離c。在一些實(shí)施例中，最小距離c可大于距離b。例如，附加的空間可有利于特定的工藝步驟(諸如分配底部填充物800進(jìn)入底部填充物分配區(qū)404)。在一些實(shí)施例中，最小距離c可以是約100μm至約200μm(諸如150μm)。

在一些實(shí)施例中，連接件68距離形成空腔402的介電層400的邊緣處定位為最小距離a。例如，最小距離a可以是限定遮擋區(qū)的邊緣的最小距離，為了消除或減小底部填充800滲出空腔402對(duì)連接件68造成干擾的可能性，遮擋區(qū)的區(qū)域通常不放置連接件。在一些實(shí)施例中，距離a可以是約0μm至約150μm(諸如75μm)。

其它的實(shí)施例也是可能的。參考圖10，圖10是根據(jù)一些實(shí)施例示出的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的平面圖和截面圖。該結(jié)構(gòu)包括部件700，部件700接合至封裝件200的表面。封裝件200包括位于rdl43上方的上部金屬化層300。部件700使用接觸件302接合至封裝件200，接觸件302包括在上部金屬化層300中。多個(gè)連接件68設(shè)置在封裝件100上。每個(gè)連接件68通過ubm70電連接并且物理連接至上部金屬化層300。ubm延伸穿過位于封裝件200的上表面上的介電層400，以連接至上部金屬化層300。

在空腔402上方定位部件700?？涨?02是位于封裝件200的上表面上的介電層400中的開口?？涨?02的周界圍繞部件700的周界延伸?？涨?02包括底部填充物分配區(qū)404。底部填充物800可以以液體形式注入到底部填充物分配區(qū)404，使得底部填充物800使用毛細(xì)作用力流入到部件700下方和接觸件302周圍的空間?？涨?02可以有助于限定底部填充物800進(jìn)入空腔402，并且空腔402可以減少或防止底部填充物800免于流出所需的區(qū)域并且導(dǎo)致對(duì)于連接件68的不希望的干擾。

在一些實(shí)施例中，定位的部件700的流出側(cè)的邊緣距離介電層400的最近邊緣為最小距離b。在一些實(shí)施例中，如圖10中描述的，部件700可包括三個(gè)流出側(cè)。第一流出側(cè)距離介電層400的最近邊緣定位最小距離b1，第二流出側(cè)距離介電層400的最近邊緣定位最小距離b2，以及第三流出側(cè)距離介電層400的最近邊緣定位最小距離b3。在一些實(shí)施例中，最小距離b1、最小距離b2以及最小距離b3是大約相等的距離。在一些實(shí)施例中，最小距離b1、最小距離b2以及最小距離b3可以是不同的距離。在一些實(shí)施例中，最小距離b(包括最小距離b1、最小距離b2以及最小距離b3)可以是約0μm至約100μm(諸如50μm)。

在流入側(cè)上部件700的邊緣距離介電層400的最近邊緣處可以定位為最小距離c。在一些實(shí)施例中，最小距離c可大于距離b。例如，附加的空間可有利于特定的工藝步驟(諸如分配底部填充物800進(jìn)入底部填充物分配區(qū)404)。在一些實(shí)施例中，最小距離c可以是約100μm至約200μm(諸如150μm)。

在一些實(shí)施例中，連接件68距離形成空腔402的介電層400的邊緣處定位為最小距離a。例如，最小距離a可以是限定遮擋區(qū)的邊緣的最小距離，為了消除或減少底部填充800滲出空腔402對(duì)連接件68造成干擾的可能性，遮擋區(qū)的區(qū)域通常不放置連接件。在一些實(shí)施例中，最小距離a可以是約0μm至約150μm(諸如75μm)。

在一些實(shí)施例中，可以在介電層400上定位壩狀物1000。壩狀物100可以以壩狀物100鄰近于空腔402并且壩狀物1000可以用作位于空腔402和一個(gè)或多個(gè)連接件68之間的阻擋件的方式定位。在一些實(shí)施例中，壩狀物1000以跟隨空腔402的部分周界的方式沿著介電層400延伸。例如，如圖10中描述的，壩狀物1000可以沿著空腔402的部分周界延伸，壩狀物1000鄰近于底部填充物分配區(qū)404，但是壩狀物1000可以定位在任何合適的位置。壩狀物1000可以具有包括三個(gè)分支的u形，每個(gè)分支沿著空腔402的不同邊緣延伸。如圖10中描述的，壩狀物1000可以具有完全沿著空腔402的一個(gè)側(cè)壁延伸的中間分支，以及接觸中間分支并且分別沿著空腔402的其它側(cè)壁部分地延伸的兩個(gè)次級(jí)分支。該u形可沿著底部填充物分配區(qū)404的三側(cè)延伸。在一些實(shí)施例中，壩狀物1000可具有厚度d，厚度d為約5μm至約15μm(諸如10μm)。在一些實(shí)施例中，距離a大于厚度d的尺寸的兩倍。

如上面描述的，位于空腔上方的部件可以接合至封裝件。在一些實(shí)施例中，空腔可有助于限制底部填充物免于延伸超出空腔的側(cè)壁，從而防止或減少底部填充物滲出到封裝件的表面的其他區(qū)域并且對(duì)位于封裝件的表面上的其它連接件的干擾。在一些實(shí)施例中，空腔可以減小圍繞部件的區(qū)域，由于來底部填充物滲出污染的可能性很高，連接件和其它部件不能放置在該區(qū)域中。

根據(jù)一些實(shí)施例提供了一種結(jié)構(gòu)。該結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在襯底上的介電層。空腔位于介電層中，并且多個(gè)接觸件定位在空腔中并且接合至襯底。該結(jié)構(gòu)包括接合至多個(gè)接觸件的部件。底部填充物設(shè)置在位于介電層和部件之間的空腔中。在介電層上包括多個(gè)連接件，連接件穿過介電層連接至導(dǎo)體，導(dǎo)體處于與多個(gè)接觸件相同的金屬化水平。

在上述結(jié)構(gòu)中，其中，所述部件是集成無源器件。

在上述結(jié)構(gòu)中，其中，所述底部填充物沿著所述介電層的側(cè)壁延伸，但是所述底部填充物不沿著所述介電層的頂面延伸。

在上述結(jié)構(gòu)中，其中，所述底部填充物沿著所述介電層的側(cè)壁延伸，但是所述底部填充物不沿著所述介電層的頂面延伸，還包括設(shè)置在所述介電層上的壩狀物，所述壩狀物定位在所述空腔的側(cè)邊緣和所述多個(gè)連接件的一個(gè)之間。

在上述結(jié)構(gòu)中，其中，所述底部填充物沿著所述介電層的側(cè)壁延伸，但是所述底部填充物不沿著所述介電層的頂面延伸，還包括設(shè)置在所述介電層上的壩狀物，所述壩狀物定位在所述空腔的側(cè)邊緣和所述多個(gè)連接件的一個(gè)之間，其中，所述壩狀物以跟隨所述空腔的周界的至少部分的方式沿著所述介電層延伸。

在上述結(jié)構(gòu)中，其中，所述底部填充物沿著所述介電層的側(cè)壁延伸，但是所述底部填充物不沿著所述介電層的頂面延伸，還包括設(shè)置在所述介電層上的壩狀物，所述壩狀物定位在所述空腔的側(cè)邊緣和所述多個(gè)連接件的一個(gè)之間，其中，所述壩狀物以跟隨所述空腔的周界的至少部分的方式沿著所述介電層延伸，從所述空腔的所述側(cè)邊緣至所述多個(gè)連接件的所述一個(gè)的距離大于所述壩狀物的厚度的兩倍。

在上述結(jié)構(gòu)中，其中，從所述部件的第一側(cè)壁至所述介電層的面向所述部件的所述第一側(cè)壁的第一側(cè)壁的距離大于從所述部件的第二側(cè)壁至所述介電層的面向所述部件的所述第二側(cè)壁的第二側(cè)壁的距離。

在上述結(jié)構(gòu)中，其中，所述部件定位在所述空腔中，使得所述部件的三個(gè)側(cè)壁離所述介電層的面向相應(yīng)的側(cè)壁的邊緣的距離相同。

在上述結(jié)構(gòu)中，其中，所述部件接合至所述多個(gè)接觸件的三個(gè)或者更多個(gè)。

根據(jù)一些實(shí)施例提供了一種方法。該方法包括圖案化介電層以在介電層中產(chǎn)生空腔。在空腔中暴露多個(gè)接觸件。該方法還包括將部件接合至多個(gè)接觸件，空腔的周界圍繞所述部件的周界延伸；該方法還包括以使得底部填充物填充圍繞多個(gè)接觸件的位于部件和介電層之間的空間的方式在空腔中放置底部填充物。該方法還包括在空腔旁邊的介電層上方形成連接件，其中，連接件延伸穿過介電層以接觸下面的導(dǎo)體，導(dǎo)體與多個(gè)接觸件處于相同的金屬化水平。

在上述方法中，其中，所述底部填充物沿著所述介電層的側(cè)壁延伸，但是所述底部填充物不沿著所述介電層的頂面延伸。

在上述方法中，其中，所述部件接合至所述多個(gè)接觸件的三個(gè)或者更多個(gè)。

在上述方法中，其中，所述部件接合至所述多個(gè)接觸件的三個(gè)或者更多個(gè)，還包括：在所述空腔的邊緣和所述連接件之間的所述介電層上形成壩狀物。

在上述方法中，其中，所述部件接合至所述多個(gè)接觸件的三個(gè)或者更多個(gè)，其中，所述部件的中心點(diǎn)與所述空腔的中心點(diǎn)偏移，并且其中，在所述空腔的第一區(qū)域中以液體形式放置所述底部填充物，所述底部填充物從所述第一區(qū)域流入至位于所述部件下方和所述多個(gè)接觸件周圍的空間。

在上述方法中，其中，所述部件接合至所述多個(gè)接觸件的三個(gè)或者更多個(gè)，其中，所述部件的中心點(diǎn)與所述空腔的中心點(diǎn)偏移，并且其中，在所述空腔的第一區(qū)域中以液體形式放置所述底部填充物，所述底部填充物從所述第一區(qū)域流入至位于所述部件下方和所述多個(gè)接觸件周圍的空間，所述部件不覆蓋所述第一區(qū)域。

根據(jù)一些實(shí)施例提供了一種方法。該方法包括在襯底上形成多個(gè)接觸件和多個(gè)導(dǎo)線以及在多個(gè)接觸件和多個(gè)導(dǎo)線上方沉積介電層。該方法還包括圖案化介電層以形成第一空腔，通過第一空腔暴露多個(gè)接觸件。該方法也包括圖案化介電層以形成多個(gè)第二空腔，其中通過多個(gè)第二空腔的每個(gè)暴露導(dǎo)線。該方法還包括在多個(gè)第二空腔的每個(gè)中形成連接件，每個(gè)連接件連接至在每個(gè)第二空腔中暴露的相應(yīng)的導(dǎo)線。該方法還包括將器件接合至多個(gè)接觸件，以器件的底面超過第一空腔的側(cè)壁的上部邊緣的方式將器件定位在第一空腔上方。該方法還包括在第一空腔中放置底部填充物，底部填充物沿著多個(gè)接觸件的側(cè)壁和第一空腔的側(cè)壁延伸。

在上述方法中，還包括：在所述介電層上方形成壩狀物，所述壩狀物定位在所述連接件的一個(gè)和所述第一空腔的側(cè)壁之間。

在上述方法中，還包括：在所述介電層上方形成壩狀物，所述壩狀物定位在所述連接件的一個(gè)和所述第一空腔的側(cè)壁之間，其中，所述壩狀物以跟隨所述空腔的周界的至少部分的方式沿著所述介電層延伸。

在上述方法中，其中，所述器件的中心點(diǎn)與所述第一空腔的中心點(diǎn)偏移。

在上述方法中，其中，在所述第一空腔的第一區(qū)域中以液體形式放置所述底部填充物，所述底部填充物從所述第一區(qū)域流入至位于所述器件和所述介電層之間的空間。

上述內(nèi)容概括了幾個(gè)實(shí)施例的特征使得本領(lǐng)域技術(shù)人員可更好地理解本發(fā)明的各個(gè)方面。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該理解，可以很容易地使用本發(fā)明作為基礎(chǔ)來設(shè)計(jì)或更改其它的處理和結(jié)構(gòu)以用于達(dá)到與本發(fā)明所介紹實(shí)施例相同的目的和/或?qū)崿F(xiàn)相同優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該意識(shí)到，這些等效結(jié)構(gòu)并不背離本發(fā)明的精神和范圍，并且在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以進(jìn)行多種變化、替換以及改變。