本發(fā)明涉及基板處理裝置以及半導體器件的制造方法。

背景技術(shù)：

通常，半導體器件的制造工序中使用的立式基板處理裝置會在處理晶圓的處理室的下方配置用于進行晶圓向基板保持件的裝填及取出的移載室。在移載室內(nèi)，沿著一側(cè)的側(cè)壁設(shè)置有清潔單元。通過從清潔單元向移載室內(nèi)吹出清潔空氣，而在移載室內(nèi)形成氣流(例如參照專利文獻1)。

現(xiàn)有技術(shù)文獻

專利文獻1：日本特開2002-175999號公報

然而，在基于上述以往技術(shù)的移載室的結(jié)構(gòu)中，存在難以使基板處理裝置小型化的情況。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種能夠使基板處理裝置小型化的技術(shù)。

根據(jù)本發(fā)明的一個方式，提供一種基板處理裝置，其具備：

移載室，其將基板移載到基板保持件上；

上部氣體供給機構(gòu)，其從第1氣體供給口向所述移載室內(nèi)的上部區(qū)域供給氣體；和

下部氣體供給機構(gòu)，其與所述上部氣體供給機構(gòu)的下方相鄰地設(shè)置，并從第2氣體供給口向所述移載室內(nèi)的下部區(qū)域供給氣體，

所述上部氣體供給機構(gòu)具有：

第1緩沖室，其形成在第1氣體供給口的背面；

第1管道，其在所述第1緩沖室的兩側(cè)面形成有一對；和

第1送風部，其設(shè)置在所述第1管道的下端，

所述下部氣體供給機構(gòu)具有：

第2緩沖室，其形成在第2氣體供給口的背面；

第2管道，其形成在所述第2緩沖室的下表面；和

第2送風部，其設(shè)置在所述第2管道的下端。

根據(jù)本發(fā)明的另一個方式，提供一種半導體器件的制造方法，其具有：

在移載室內(nèi)將基板移載至基板保持件上的工序；和

在處理室內(nèi)處理所述基板保持件上所保持的所述基板的工序，

在所述移載的工序中，從上部氣體供給機構(gòu)向所述移載室內(nèi)的上部區(qū)域供給氣體，并從下部氣體供給機構(gòu)向所述移載室內(nèi)的下部區(qū)域供給氣體，其中，所述上部氣體供給機構(gòu)具有：形成在第1氣體供給口的背面的第1緩沖室；在所述第1緩沖室的兩側(cè)面形成有一對的第1管道；和在所述第1管道的下端設(shè)置有一對的第1送風部，所述下部氣體供給機構(gòu)具有：形成在第2氣體供給口的背面的第2緩沖室；形成在所述第2緩沖室的下表面的第2管道；和設(shè)置在所述第2管道的下端的第2送風部，并與所述上部氣體供給機構(gòu)的下方相鄰地設(shè)置。

發(fā)明效果

根據(jù)本發(fā)明，能夠使基板處理裝置小型化。

附圖說明

圖1是表示本發(fā)明的一個實施方式中適用的基板處理裝置的概要結(jié)構(gòu)例的立體透視圖。

圖2是表示本發(fā)明的一個實施方式的基板處理裝置中使用的處理爐的結(jié)構(gòu)例的縱剖視圖。

圖3是表示本發(fā)明的第1實施方式中適用的基板處理裝置的移載室的結(jié)構(gòu)例和氣流的縱剖視圖。

圖4中，(a)是表示本發(fā)明的第1實施方式中適用的基板處理裝置的移載室的氣體供給機構(gòu)的結(jié)構(gòu)例的俯視圖，(b)是表示氣體供給機構(gòu)的結(jié)構(gòu)例的側(cè)視圖。

圖5是圖3的a-a剖視概要圖。

圖6是圖3的c-c剖視概要圖。

圖7是本發(fā)明的第1實施方式中適用的清潔單元的立體圖。

圖8中，(a)是用于說明第1清潔單元的氣流的概要圖，(b)是用于說明第2清潔單元的氣流的概要圖。

圖9是用于說明風向板的圖。

圖10是在清潔單元上設(shè)置有風向板的圖。

圖11是用于說明以往結(jié)構(gòu)的圖。

附圖標記說明

10基板處理裝置

14晶圓(基板)

30舟皿(基板保持件)

50移載室

52a上部清潔單元

52b下部清潔單元

56a、56b送風機

90a、90b、90c、90d、90f管道

具體實施方式

<本發(fā)明的一個實施方式>

以下，主要使用圖1～2對本發(fā)明的一個實施方式進行說明。

(1)基板處理裝置的結(jié)構(gòu)

如圖1所示，基板處理裝置10具備在內(nèi)部配置有處理爐40等主要部分的箱體12。在箱體12的正面?zhèn)扰渲糜腥萜髋_(podstage)18。容器臺18在與未圖示的外部輸送裝置之間進行作為收納晶圓(基板)14的基板收納用具的晶片盒(容器)16的交接。

在箱體12內(nèi)的正面?zhèn)惹遗c容器臺18相對的位置上，配置有容器輸送裝置20、容器架22、和容器開啟器24。容器輸送裝置20以在容器臺18、容器架22和容器開啟器24之間輸送容器16的方式構(gòu)成。容器架22具有多層架板，并將容器16以載置有多個的狀態(tài)進行保持。

在與容器開啟器24相比靠箱體12內(nèi)的背面?zhèn)?，相鄰地形成有基板輸送?0與移載室50。關(guān)于移載室50詳見后述。

在基板輸送室80內(nèi)配置有作為基板輸送機構(gòu)的基板移載機28。在移載室50內(nèi)配置有作為基板保持件的舟皿30。

基板移載機28具有能夠取出晶圓14的臂(鑷子)32，并以通過使臂32上下旋轉(zhuǎn)地動作，而在載置于容器開啟器24上的容器16與舟皿30之間輸送晶圓14的方式構(gòu)成。

舟皿30以將多枚(例如25枚～150枚左右)晶圓14以水平姿勢在縱向上保持多層的方式構(gòu)成。在舟皿30的下方設(shè)有絕熱部75。絕熱部75由例如石英或sic等具有絕熱效果的耐熱性材料形成，例如通過絕熱板74構(gòu)成。此外，還可以不設(shè)置絕熱板74，而是將構(gòu)成為筒狀部件的絕熱筒設(shè)為絕熱部75。舟皿30及絕熱板75以通過作為升降機構(gòu)的舟皿升降機34來升降的方式構(gòu)成。

在箱體12內(nèi)的背面?zhèn)壬喜俊⒓匆戚d室50的上方側(cè)配置有處理爐40。舟皿30從下方被送入至處理爐40內(nèi)。

在移載室50的頂部，以舟皿30能夠通過的形狀及大小設(shè)有與后述的處理室42內(nèi)連通的晶圓輸送出入口51。

(處理爐)

如圖2所示，處理爐40具備大致圓筒形狀的反應(yīng)管41。反應(yīng)管41由例如石英(sio2)或碳化硅(sic)等具有耐熱性的非金屬材料構(gòu)成，并構(gòu)成為上端部封閉且下端部開放的形狀。

在反應(yīng)管41的內(nèi)部形成有處理室42。收容在處理室42內(nèi)的舟皿30通過由旋轉(zhuǎn)機構(gòu)43使旋轉(zhuǎn)軸44旋轉(zhuǎn)，而能夠在搭載有多個晶圓14的狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)。

在反應(yīng)管41的下方，與該反應(yīng)管41呈同心圓狀地配置有歧管45。歧管45是由例如不銹鋼等金屬材料構(gòu)成的圓筒形狀。通過該歧管45，將反應(yīng)管41從下端部側(cè)在縱向上進行支承。歧管45的下端部以通過密封蓋46或擋板64被氣密式密封的方式構(gòu)成。在密封蓋46及擋板64的上表面，設(shè)有將處理室42內(nèi)氣密地密封的o型圈等密封部件46a。在歧管45上，分別連接有用于向處理室42內(nèi)導入處理氣體或吹掃氣體等的氣體導入管47、和用于將處理室42內(nèi)的氣體排出的排氣管48。

在氣體導入管47上，從上游方向起依次設(shè)有對處理氣體的流量進行控制的流量控制器(流量控制部)即質(zhì)量流量控制器(mfc)以及開閉閥即閥門。在氣體導入管47的前端連接有噴嘴，經(jīng)由mfc、閥門、噴嘴向處理室42內(nèi)供給處理氣體。

排氣管48經(jīng)由作為檢測處理室42內(nèi)壓力的壓力檢測器(壓力檢測部)的壓力傳感器、以及作為壓力調(diào)節(jié)器(壓力調(diào)節(jié)部)的apc(autopressurecontroller、自動壓力控制器)閥，而與作為真空排氣裝置的真空泵連接。

在反應(yīng)管41的外周，與反應(yīng)管41呈同心圓狀地配置有作為加熱設(shè)備(加熱機構(gòu))的加熱單元49。

在反應(yīng)管41內(nèi)設(shè)置有作為溫度檢測器的溫度傳感器。通過基于由溫度傳感器檢測到的溫度信息來調(diào)整向加熱單元49的通電情況，而使處理室42內(nèi)的溫度變成所要求的溫度分布。

在旋轉(zhuǎn)機構(gòu)43、舟皿升降機34、mfc、閥門、apc閥以及氣體供給機構(gòu)上，連接有對其進行控制的控制器121?？刂破?21例如由具備cpu的微處理器(計算機)構(gòu)成，并對基板處理裝置10的動作進行控制。在控制器121上，連接有例如構(gòu)成為觸摸面板等的輸入輸出裝置122。

在控制器121上連接有作為記錄介質(zhì)的存儲部123。在存儲部123內(nèi)，以能夠讀取的方式儲存有對基板處理裝置10的動作進行控制的控制程序、和用于根據(jù)處理條件使基板處理裝置10的各構(gòu)成部執(zhí)行處理的程序(也稱為工藝)。

存儲部123還可以是內(nèi)置于控制器121中的存儲裝置(硬盤和閃存)，也可以是移動式的外部記錄裝置(磁帶、軟盤和硬盤等磁盤、cd和dvd等光盤、mo等光磁盤、usb存儲器和存儲卡等半導體存儲器)。另外，對電腦的程序提供還可以使用互聯(lián)網(wǎng)和專用線路等通信設(shè)備來進行。根據(jù)需要以來自輸入輸出裝置122的指示等從存儲部123中讀取程序，控制器121依照所讀取的工藝執(zhí)行處理，由此，基板處理裝置10在控制器121的控制下執(zhí)行所要求的處理。

(2)基板處理工序

接著，對作為半導體設(shè)備制造的一道工序的、使用本實施方式的基板處理裝置10在基板上形成膜的處理(成膜處理)進行說明。在此，就通過對晶圓14供給作為原料氣體的dcs(sih2cl2：二氯二氫硅)氣體、和作為反應(yīng)氣體的o2(氧)氣體，而在晶圓14上形成氧化硅(sio2)膜的例子進行說明。此外，在以下的說明中，構(gòu)成基板處理裝置10的各部分的動作由控制器121來控制。

基板移載機28將晶圓14從容器16中取出并移載到舟皿30內(nèi)(晶圓裝填)。這時，從后述的氣體供給機構(gòu)向移載室50內(nèi)供給氣體。

(送入工序)

接著，使將處理室42下部的晶圓輸送出入口51封閉了的擋板64向收納擋板64的收納部65退回，從而打開處理室42的晶圓輸送出入口51。接著，通過舟皿升降機使舟皿30上升，并將其從移載室50內(nèi)向處理室42內(nèi)送入(舟皿裝載)。由此，密封蓋46變成經(jīng)由密封部件46a密封了歧管45的下端的狀態(tài)。

(處理工序)

使用排氣管48進行處理室42內(nèi)的排氣，從而使處理室42內(nèi)變成所要求的壓力(真空度)。然后，使用加熱單元49進行對處理室42內(nèi)的加熱，并使旋轉(zhuǎn)機構(gòu)43動作來使舟皿30旋轉(zhuǎn)。進一步地，通過氣體導入管47向處理室42內(nèi)供給dcs氣體和o2氣體。由此，在晶圓14的表面上形成sio2膜。

在成膜處理后向處理室42內(nèi)供給非活性氣體，從而將處理室42內(nèi)由非活性氣體進行置換，并使處理室42內(nèi)的壓力恢復成常壓。

(送出工序)

通過舟皿升降機34使密封蓋46下降來使歧管45的下端開口，并將舟皿30從歧管45的下端向處理室42外送出(舟皿卸載)。之后，將處理室42的晶圓輸送出入口51用擋板64進行封閉。從氣體供給機構(gòu)向移載室50內(nèi)供給氣體，直到由舟皿30支承的晶圓14冷卻為止都使舟皿30在移載室50內(nèi)的規(guī)定位置上待機。

(移載工序)

當待機的舟皿30的晶圓14被冷卻至規(guī)定溫度(例如室溫左右)時，通過基板移載機28將晶圓14從舟皿30中取出并向容器16內(nèi)移載(晶圓取出)。這時，持續(xù)進行基于氣體供給機構(gòu)的氣體向移載室50內(nèi)的供給。

這樣，由本實施方式的基板處理裝置10進行的基板處理工序的一系列處理動作結(jié)束。

(3)移載室的結(jié)構(gòu)

接著，使用圖3～6來說明本實施方式的移載室50的結(jié)構(gòu)。

(移載室)

如圖3所示，移載室50通過頂部、底部以及包圍四周的側(cè)壁而構(gòu)成為平面四邊形。但是，并不一定限定為平面四邊形，只要構(gòu)成為平面多邊形(例如平面三角形、平面五邊形等)即可。另外，移載室50內(nèi)無需構(gòu)成負載鎖定室和氮氣吹掃箱等，可以是大氣環(huán)境。

在舟皿30于移載室50內(nèi)待機的狀態(tài)下，將晶圓14(舟皿30)所處的基板區(qū)域作為上部區(qū)域60，并將絕熱部75所處的絕熱部區(qū)域作為下部區(qū)域61。

(氣體供給機構(gòu))

在移載室50的一個側(cè)面上設(shè)置有清潔單元(氣體供給機構(gòu))。清潔單元在其內(nèi)部上下劃分為上部清潔單元(上部氣體供給機構(gòu))52a及下部清潔單元(下部氣體供給機構(gòu))52b。上部清潔單元52a與下部清潔單元52b以上下相鄰的方式配置。另外，在位于移載室50周圍的空間內(nèi)，形成有后述的第1循環(huán)路徑81及第2循環(huán)路徑82。

上部清潔單元52a以向該移載室50內(nèi)的上部空間即上部區(qū)域60供給氣體的方式構(gòu)成。下部清潔單元52b以向該移載室50內(nèi)的下部空間即下部區(qū)域61供給氣體的方式構(gòu)成。

在本實施方式中，將非活性氣體用作了作為清潔空氣的氣體，但也可以將外部環(huán)境氣體作為氣體來使用。即使使用了外部環(huán)境氣體，但通過使外部環(huán)境氣體從后述的過濾器59a、59b中通過也能成為潔凈的氣氛(清潔空氣)。此外，本說明書中使用氣體供給機構(gòu)這個詞的情況有僅包括上部清潔單元52a的情況、僅包括下部清潔單元52b的情況、或者兩者都包括的情況。

(上部清潔單元)

如圖4的(a)所示，上部清潔單元52a由如下部件構(gòu)成，從上游側(cè)起依次為：送風部即作為第1送風機的送風機56a；氣體路徑的一部分即作為第1管道的管道90c；氣體的擴散空間即作為第1緩沖室的緩沖區(qū)58a；過濾部59a；和氣體供給口67a。在此，送風機56a設(shè)置有多個、例如兩個。管道90c是使從送風機56a吹送來的氣體從緩沖區(qū)58a的側(cè)面流向緩沖區(qū)58a內(nèi)的氣體路徑。在此，以與一對送風機56a對應(yīng)的方式形成有兩條管道90c。緩沖區(qū)58a是與管道90c連通、且用于向上部區(qū)域60均勻地供給氣體的擴散空間。過濾部59a以清除氣體中包含的顆粒的方式構(gòu)成。

如圖4的(a)、(b)所示，管道90c構(gòu)成為沿著緩沖區(qū)58a的左右兩側(cè)面在上下方向上延伸至上部清潔單元52a的上端為止的空間，從緩沖區(qū)58a的左右兩側(cè)向緩沖區(qū)58a內(nèi)供給氣體。這樣，通過從緩沖區(qū)58a的兩側(cè)面供給氣體，能夠防止緩沖區(qū)58a內(nèi)的氣體的供給不均勻。此外，送風機56a設(shè)置在上部清潔單元52a的下端部。另外，管道90c以截面積隨著朝向上方而逐漸變小，且從規(guī)定位置(緩沖區(qū)58a與緩沖區(qū)58b的邊界位置)起在上方使截面積成為固定的方式構(gòu)成。通過這種結(jié)構(gòu)，能夠在截面積固定的部分(緩沖區(qū)58a的側(cè)方部分)提高氣體的流速，并且由于能夠?qū)怏w送出直到緩沖區(qū)58a(第1管道90c的上端)，所以能夠供給充足的氣體量至上部。

(下部清潔單元)

下部清潔單元52b由如下部件構(gòu)成，從上游側(cè)起依次為：吹送氣體的送風部即作為第2送風機的送風機56b；使從送風機56b吹送來的氣體流向作為第2緩沖室的緩沖區(qū)58b的氣體路徑即作為第2管道的管道90e；與管道90e連通、且用于向下部區(qū)域61均勻地供給氣體的擴散空間即緩沖區(qū)58b；清除氣體中包含的顆粒的過濾器部59b；和將經(jīng)由了過濾部59b的氣體向下部區(qū)域61吹出的氣體供給口67b。管道90e是形成在緩沖區(qū)58b下表面的空間，且構(gòu)成為從緩沖區(qū)58b的下表面?zhèn)认蚓彌_區(qū)58b內(nèi)供給氣體。第2管道90e在縱剖視的角度下形成為漏斗狀。即，以隨著從送風機56b方向靠近第2緩沖室58b的底面(連通部)而截面積逐漸變大的方式形成。送風機56b在下部清潔單元52b的下端部以與上部清潔單元52a的兩個送風機56a相鄰且被夾著的方式設(shè)置。換言之，上部清潔單元52a的兩個送風機56a在下部清潔單元52b的送風機56b的兩側(cè)各設(shè)置一個。

這樣，以將氣體供給機構(gòu)在上部區(qū)域60與下部區(qū)域61的邊界部分上下劃分，并分別具有獨立的氣體路徑的方式構(gòu)成氣體供給機構(gòu)。另外，第1緩沖室即緩沖區(qū)58a與第2緩沖室即緩沖區(qū)58b相比構(gòu)成得大。通過該結(jié)構(gòu)，能夠在上部區(qū)域60和下部區(qū)域61形成各不相同的氣流，或者以各不相同的流量和流速來供給氣體。在此，過濾部59a、59b例如由化學制品(chemical)和ptfe兩層構(gòu)成。

(排氣部)

如圖3所示，在上部清潔單元52a的相對側(cè)設(shè)有側(cè)面排氣部。側(cè)面排氣部主要由后述的作為第1排氣口的上部排氣口53a、和作為第2排氣口的下部排氣口53b構(gòu)成。此外，還可以考慮在側(cè)面排氣部內(nèi)包括排氣管道90a、第1散熱器100a、排氣管道90b、第2散熱器100b。從上部清潔單元52a向上部區(qū)域60供給的氣體對上部區(qū)域60內(nèi)進行冷卻、吹掃，并從排氣口53a、53b排出。

排氣口53a在與上部清潔單元52a隔著舟皿30相對的一個側(cè)面中設(shè)置在上部區(qū)域60的上方。在本實施方式中，舟皿升降機34在設(shè)置排氣口53a的一個側(cè)面上沿著上下方向延伸設(shè)置。從第1排氣口53a排出的氣體流過管道90a。在第2排氣口53b的位置上管道90a縮窄。在管道90a內(nèi)，氣體從散熱器100a中通過而被冷卻，并從第2排氣口53b的側(cè)部通過而被送往移載室50的下部。

排氣口53b在與上部清潔單元52a隔著舟皿30相對的一個側(cè)面中設(shè)置在上部區(qū)域60的下方。從排氣口53b排出的氣體流過管道90b。在管道90b內(nèi)，氣體從散熱器100b中通過而被冷卻，并在移載室50的下部與從管道90a排出的氣體匯合。匯合后的氣體進一步與后述的從下部區(qū)域61排出的氣體匯合。這樣，通過在上部區(qū)域60設(shè)置兩個排氣口53a、53b，能夠?qū)⒐┙o至上部區(qū)域60的氣體快速排出。

接著，說明下部區(qū)域61的排氣。如圖6所示，在俯視下，在舟皿30的前后的底面上設(shè)有底面排氣部68。底面排氣部68主要由前側(cè)排氣口(第3排氣口)68a、和后側(cè)排氣口(第4排氣口)68b構(gòu)成。排氣口68a、68b沿著移載室的底面角部形成為長方形。從下部清潔單元52b向下部區(qū)域61供給的氣體對下部區(qū)域61內(nèi)進行冷卻、吹掃，并從排氣部68排出。從排氣部68排出的氣體流過管道90f，由設(shè)置在管道90f內(nèi)、即前側(cè)排氣口68a及后側(cè)排氣口68b的下部的第3散熱器100c和第4散熱器100d冷卻，并向移載室50的下部排出。從下部區(qū)域61排出的氣體在移載室50的下部與前述的從上部區(qū)域60排出的通過管道90a、90b后的氣體匯合。匯合后的氣體由第5散熱器100e再次冷卻。之后，氣體被送往上部清潔單元52a、下部清潔單元52b，并被再次供給至上部區(qū)域60、下部區(qū)域61。

(循環(huán)路徑)

從移載室50內(nèi)排出的氣體經(jīng)由實線箭頭所示的第1循環(huán)路徑81及虛線箭頭所示的第2循環(huán)路徑82而被再次供給至移載室50內(nèi)。第1循環(huán)路徑81是將通過排氣口53a及排氣口53b從上部區(qū)域60排出的氣體從上部清潔單元52a再次向上部區(qū)域60供給的氣體路徑。第2循環(huán)路徑82是將通過前側(cè)排氣口68a及后側(cè)排氣口68b從下部區(qū)域61排出的氣體從下部清潔單元52b再次向下部區(qū)域61供給的氣體路徑。本說明書中使用循環(huán)路徑這個詞的情況有僅包括第1循環(huán)路徑81的情況、僅包括第2循環(huán)路徑82的情況、或者兩者都包括的情況。

第1循環(huán)路徑81主要由管道90a、90b、90c、90d構(gòu)成。管道90a是將排氣口53a與管道90d連通的路徑，在內(nèi)部設(shè)有散熱器100a。管道90b是將排氣口53b與管道90d連通的路徑，在內(nèi)部設(shè)有散熱器100b。此外，還可以考慮在第1循環(huán)路徑81內(nèi)包括上部清潔單元52a及側(cè)面排氣部。

第2循環(huán)路徑82主要由管道90f、90e構(gòu)成。管道90f是將排氣口68a、68b與管道90d連通的路徑，在內(nèi)部設(shè)有散熱器100c、100d。管道90d是在移載室50下表面的下側(cè)形成的空間。此外，還可以考慮在第2循環(huán)路徑82內(nèi)加入下部清潔單元52b及底面排氣部68。

在管道90d內(nèi)，第1循環(huán)路徑81與第2循環(huán)路徑82暫時匯合。即，在各個路徑的途中，以其一部分占用同一路徑(匯合路徑)的方式構(gòu)成。也就是說，管道90d以將管道90a、管道90b與清潔單元52a及清潔單元52b連通的方式構(gòu)成。第2循環(huán)路徑82在管道90d以外的部分形成有獨立于第1循環(huán)路徑81的氣體路徑。第2循環(huán)路徑82的總路徑長度比第1循環(huán)路徑81的總路徑長度短。

如圖3所示，在管道90d內(nèi)配置有冷卻氣體的冷卻單元即散熱器100e。另外，在管道90d與清潔單元52a、52b的連通部分、即管道90d的端部且是清潔單元52a、52b的下端部，并列設(shè)置有兩個送風機56a和送風機56b。通過調(diào)節(jié)送風機56a、56b的輸出，能夠調(diào)節(jié)向各清潔單元供給的氣體的流量和流速。

在第1循環(huán)路徑81和第2循環(huán)路徑82的氣體路徑中設(shè)有未圖示的氣體調(diào)節(jié)風門。氣體調(diào)節(jié)風門能夠調(diào)整從第1循環(huán)路徑81和第2循環(huán)路徑82中流過的氣體的流量。例如，氣體調(diào)節(jié)風門利用蝶閥和滾針機構(gòu)等公知的流量調(diào)節(jié)機構(gòu)來構(gòu)成。氣體調(diào)節(jié)風門優(yōu)選具有能夠自動控制流量調(diào)節(jié)的功能，且能夠?qū)崿F(xiàn)與送風機56a、56b的聯(lián)動控制。

(比較例)

在此，使用圖11來說明作為比較例的以往的移載室結(jié)構(gòu)。

以往的通常的清潔單元的結(jié)構(gòu)在過濾器201的背面設(shè)置有送風機200。以往的通常的移載室是將這種清潔單元配置在移載室側(cè)面上，并在移載室下部配置循環(huán)路徑的結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)的情況下，為了配置清潔單元，有時會在移載室的側(cè)面上占用很大的地方。因此，有時會妨礙裝置的小型化。另外，由于送風機的吸入方向朝向壁部，所以有時會產(chǎn)生壓力損失變高、清潔單元的性能降低的情況。

與此相對地，本發(fā)明的清潔單元是在上部配置有過濾器、且在下部配置有送風機的結(jié)構(gòu)。由此，能夠與以往相比節(jié)省空間地在移載室側(cè)面上配置清潔單元。另外，通過使送風機的吸入方向與吹出方向正交，能夠抑制壓力損失，并使清潔單元的性能提高。

(氣流)

接著，使用圖3對本實施方式中的氣流進行詳述。圖中，實線箭頭表示上部區(qū)域60的氣流，虛線箭頭表示基于下部區(qū)域61的氣流。

首先，對第1循環(huán)路徑81即上部區(qū)域60的氣流進行說明。從清潔單元52a的供給口67a向上部區(qū)域60供給的氣體在與基板為水平(平行)的方向上流動。對晶圓14進行冷卻后的氣體從排氣口53a、53b排出，并在管道90a、90b內(nèi)向下流動。其次，在管道90a、90b與管道90d的連通部分，從向下變成向水平方向流動的方向，在管道90d內(nèi)朝著設(shè)置有清潔單元52a的送風機56a的方向水平流動。之后，氣體由送風機56a在兩條管道90c內(nèi)向上吹送，從而在管道90c內(nèi)沿垂直方向向上流動。之后，氣體從緩沖區(qū)58a的兩側(cè)面向緩沖區(qū)58a內(nèi)擴散，并被再次向上部區(qū)域60供給。

接著，對第2循環(huán)路徑82即下部區(qū)域61的氣流進行說明。從清潔單元52b的供給口57b向下部區(qū)域61供給的氣體在絕熱部75與移載室側(cè)面之間的空間內(nèi)向下流動。對絕熱部75進行冷卻后的氣體從排氣口68a、68b向下排出，并在管道90f內(nèi)向下流動而與從第1循環(huán)路徑流過的氣體匯合。之后，氣體由送風機56b在管道90e內(nèi)向上吹送，從而在管道90e內(nèi)沿垂直方向向上流動。之后，氣體從管道90e和緩沖區(qū)58b的下表面向緩沖區(qū)58b內(nèi)擴散，并被再次向下部區(qū)域61供給。

(擋板排氣部)

如圖5所示，在收納部65的側(cè)面上，設(shè)置有將供給至收納部65的氣體排出的排氣口76，并且形成有相對于收納部65的第3循環(huán)路徑83。第3循環(huán)路徑83以將供給至晶圓輸送出入口51附近及收納部65內(nèi)的氣體從排氣口76排出的方式構(gòu)成，形成從與上部區(qū)域60相比更上方的區(qū)域通過的氣流。在此，第3循環(huán)路徑83使用第1循環(huán)路徑的路徑即實線箭頭的一部分。也就是說，第3循環(huán)路徑83從第1循環(huán)路徑中分支形成。

收納部65以通過將供給至上部區(qū)域的氣體從排氣口76抽出，而對晶圓輸送出入口51的周邊及收納部65內(nèi)進行吹掃的方式構(gòu)成。收納部65在上述移載室50的側(cè)面的上端向上述移載室50的外側(cè)突出形成。在本實施例中，收納部65在俯視下為多邊形(長方形)中的一個角彎曲了的形狀，在收納部65的一個側(cè)面中構(gòu)成有直線部和彎曲部。排氣口76通過以沿著直線部和彎曲部的方式形成的多個排氣口16來構(gòu)成。多個排氣口76在直線部及彎曲部形成有相同的數(shù)量，分別形成有兩個。另外，彎曲部的排氣口76偏向與直線部連結(jié)的方向而形成。即，在彎曲部中以在遠離排氣口53a的位置上設(shè)置排氣口76的方式構(gòu)成。

進行收納部65的循環(huán)排氣的循環(huán)路徑83由管道90a、90c、90g構(gòu)成。管道90g是與管道90a連通、且形成在排氣口76背面的空間。在與管道90a相比靠下游，從與第1循環(huán)路徑相同的路徑通過。

基于上部清潔單元52a和下部清潔單元52b的風量與從各排氣口53a、53b和散熱器100c、100e通過的氣體的總風量之間的風量平衡雖然優(yōu)選為分別等同，但是由于晶圓溫度也會根據(jù)處理室42內(nèi)的處理內(nèi)容而變化，所以只要適當?shù)貨Q定即可。

(本實施方式的效果)

根據(jù)本實施方式，取得以下列舉的一個或多個效果。

(a)沒有將送風部設(shè)置在過濾器背面，而與過濾器相比設(shè)置在下方(氣體供給機構(gòu)的下端部)，由此能夠縮小氣體供給機構(gòu)的箱體，因此，能夠節(jié)省基板處理裝置整體的占用空間。

(b)通過將送風部設(shè)置在清潔單元的下端，能夠使送風部的吸入方向朝向移載室內(nèi)側(cè)，因此，能夠減少循環(huán)路徑內(nèi)的氣流的壓力損失和停滯。另外，由于能夠使送風部避開移載室內(nèi)的熱量，所以能夠延長送風部的壽命。另外，能夠從清潔單元的正面?zhèn)葋砭S護送風部和過濾器。由此，由于維護變得容易，且能縮短維護花費的時間，所以能夠使生產(chǎn)性提高。

(c)通過在各循環(huán)路徑的排氣口附近設(shè)置散熱器，能夠?qū)⒃谝戚d室內(nèi)變熱的氣體快速冷卻，因此，能夠順利地形成循環(huán)路徑內(nèi)的氣流，并能抑制氣體停滯的產(chǎn)生。

(d)由于通過任一循環(huán)路徑的氣體均分別從兩個散熱器通過，所以能夠?qū)⒃谝戚d室內(nèi)變熱的氣體充分地冷卻。由此，能夠縮小基于循環(huán)路徑的氣體溫度的差。另外，還能抑制向移載室內(nèi)再次供給時的氣體的溫度不均勻，從而能夠?qū)⒁戚d室內(nèi)均勻地冷卻。

(e)通過將上部區(qū)域的排氣部在上下形成兩處，能夠高效率地吹掃上部區(qū)域。通過在上部區(qū)域的上部形成的排氣部，能夠?qū)⒁蚶鋮s基板后變熱的氣體而產(chǎn)生的上升氣流的熱風和來自爐口部的顆?？焖倥懦?。另外，通過在上部區(qū)域的下部形成的排氣部，能夠?qū)⒗鋮s基板后變熱的氣體和來自舟皿升降機的驅(qū)動部的顆粒快速排出。

(f)通過將下部區(qū)域的排氣部在前后形成兩處，能夠?qū)⑴c上部區(qū)域相比變成高溫環(huán)境氣體的下部區(qū)域的環(huán)境氣體向下方強制地排出，并能抑制來自下部區(qū)域的上升氣流的產(chǎn)生。另外，能夠抑制熱容量高的絕熱部的熱量流向基板區(qū)域，并實現(xiàn)基板冷卻時間的縮短。進一步地，由于還能抑制因熱的上升氣流造成的顆粒卷揚，所以還能抑制顆粒向基板上附著。進一步地，通過將排氣部沿著易發(fā)生氣體停滯的底面角部形成為長方形(橫長)，能夠?qū)Φ酌娼遣靠焖龠M行排氣。

(g)上部區(qū)域的排氣部形成在與氣體供給機構(gòu)相對的側(cè)面上，下部區(qū)域的排氣部設(shè)置在移載室的底部，由此，能夠在上部區(qū)域形成側(cè)向流，并在下部區(qū)域形成直流。

(h)通過使下部區(qū)域的循環(huán)路徑以與上部區(qū)域的循環(huán)路徑相比總路徑變短的方式形成，能夠縮短向下部區(qū)域供給的氣體的循環(huán)周期，并使絕熱部的冷卻效率提高。

(i)通過設(shè)為基于各排氣部的總排出風量與基于氣體供給機構(gòu)的總供給風量同等的風量平衡，能夠平衡良好地形成氣流。

(j)通過對上部清潔單元的送風機和下部清潔單元的送風機的輸出進行調(diào)節(jié)，能夠調(diào)節(jié)從各氣體供給機構(gòu)供給來的氣體的流量。

(第2實施方式)

接著，對第2實施方式進行說明。

如圖9、10所示，通過將風向部57設(shè)置在清潔單元52的前側(cè)，與第1實施方式(圖7、8)相比能夠擴大氣體的供給范圍。風向部57在內(nèi)部由第3緩沖區(qū)即緩沖區(qū)58c、與清潔單元52連通的連通部69、作為氣體供給口的面板即中央面板57a和側(cè)面板57c構(gòu)成。中央面板57a具有與上部清潔單元52a的供給口67a大致相同的高度、和與移載室50大致相同的寬度。側(cè)面板57c以夾著中央面板57a的兩側(cè)的方式設(shè)置。在此，中央面板57a的寬度是與供給口67a大致相同的寬度，側(cè)面板57c的寬度是與管道90c大致相同的寬度。在中央面板57a及側(cè)面板57c上分別形成有多個開孔，例如由沖孔面板構(gòu)成。從清潔單元供給來的氣體在緩沖區(qū)58c內(nèi)擴散，并經(jīng)由多個開孔向移載室50內(nèi)供給。

朝向中央面板57a從清潔單元52的供給口直接供給氣體。于是，通過調(diào)節(jié)中央面板57a的開孔率，能夠?qū)闹醒朊姘?7a供給來的氣體量調(diào)節(jié)成比從清潔單元52的供給口供給來的氣體量少。由此，能夠使氣體容易地向緩沖區(qū)58c內(nèi)擴散。另外，關(guān)于風向部57的多個開孔的開孔率，與中央面板57a的開孔率相比側(cè)面板57b的開孔率更高，由此能夠促進緩沖區(qū)58c內(nèi)的向側(cè)面板57b方向的氣體擴散。進一步地，能夠使來自風向部57的氣體供給風量在整個供給口內(nèi)都是均勻的。

在以上的說明中，雖然構(gòu)成為在上部清潔單元52a及下部清潔單元52b兩者的前方設(shè)置風向部57，但也可以構(gòu)成為在上部清潔單元52a或下部清潔單元52b中的至少一個上設(shè)置風向部57。另外，風向部57只要是至少比清潔單元52的過濾器面大的表面積(優(yōu)選為與晶圓14相同的寬度，更優(yōu)選為與移載室50大致相同的寬度)即可。另外，設(shè)置在上部清潔單元52a上的風向部的面板的開孔率與設(shè)置在下部清潔單元上的風向部的面板的開孔率也可以不同。另外，設(shè)置在上部清潔單元52a上的風向部的面板的寬度與設(shè)置在下部清潔單元上的面板57的寬度也可以不同。進一步地，設(shè)置在上部清潔單元52a上的風向部的中央面板57a的面積也可以比設(shè)置在下部清潔單元52b上的風向部的中央面板57b的面積小。

本實施方式的效果

根據(jù)本實施方式，取得以下列舉的一個或多個效果。

(a)通過設(shè)置風向部，能夠擴展氣體供給口的面積(氣體吹出面積)，從而能夠容易地將氣體供給至移載室內(nèi)的各個角落。

(b)通過在風向部內(nèi)形成緩沖室，即使風向部的氣體供給口是比氣體供給機構(gòu)的氣體供給口大的面積，但由于能夠在緩沖室內(nèi)擴散一次氣體，所以也能從風向部的整個氣體供給口來供給氣體。

(c)通過將氣體供給口用沖孔面板來形成，并在與氣體供給機構(gòu)的氣體供給口相對的部分和其它部分(擴展部分)上改變開孔率，即使在擴展部分上也能確保供給流量(風量)，并能從整個氣體供給口以同一流量(風量)來供給氣體。

<本發(fā)明的其它實施方式>

接著，對本發(fā)明的其它實施方式進行說明。

除了上述的各實施方式以外，本發(fā)明當然還可以在不脫離其要旨的范圍內(nèi)進行各種各樣的變形而實施。