技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開(kāi)了一種非易失性存儲(chǔ)器的制造方法，其步驟如下：于基底上形成單極性電阻式存儲(chǔ)單元以及二極管單元；二極管單元與單極性電阻式存儲(chǔ)單元電性連接。所述二極管單元的形成步驟如下：于基底上形成第一電極；利用交流磁控濺鍍法，以于第一電極上依序形成氧化銦鋅層與氧化鈷層；于氧化鈷層上形成第二電極。本發(fā)明不僅可具有良好的整流效果，還可承受重復(fù)100次以上的高電阻與低電阻之間的轉(zhuǎn)態(tài)操作，并使得高電阻與低電阻之間可維持高的讀取鑒別度。

技術(shù)研發(fā)人員：曾俊元;李岱螢;蔡宗霖
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華邦電子股份有限公司
文檔號(hào)碼：201710060790
技術(shù)研發(fā)日：2012.11.06
技術(shù)公布日：2017.06.06