本發(fā)明屬于顯示技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種像素限定層及其制備方法、有機(jī)電致反光二極管基板及其制備方法。

背景技術(shù)：

有機(jī)電致發(fā)光二極管(OLED，Organic Light Emitting Diode)是一種有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件，其具有制備工藝簡(jiǎn)單、成本低、發(fā)光效率高、易形成柔性結(jié)構(gòu)等優(yōu)點(diǎn)。因此，利用有機(jī)電致發(fā)光二極管的顯示技術(shù)已成為一種重要的顯示技術(shù)。

現(xiàn)有技術(shù)中，針對(duì)有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件，其有機(jī)電致發(fā)光層形成方法有：一、真空蒸鍍方法，適用于有機(jī)小分子，其特點(diǎn)是有機(jī)電致發(fā)光層的形成不需要溶劑，薄膜厚度均一，但是設(shè)備投資大、材料利用率低、不適用于大尺寸產(chǎn)品的生產(chǎn)；二、采用有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液制成有機(jī)電致發(fā)光層，包括旋涂、噴墨打印、噴嘴涂覆法等，適用于聚合物材料和可溶性小分子，其特點(diǎn)是設(shè)備成本低，在大規(guī)模、大尺寸生產(chǎn)上優(yōu)勢(shì)突出。特別是噴墨打印技術(shù)，能將溶液精準(zhǔn)的噴墨到像素區(qū)中，形成有機(jī)電致發(fā)光層。但是其最大的難點(diǎn)是有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液在像素區(qū)內(nèi)難以形成厚度均一的有機(jī)電致發(fā)光層。

在日本專利JP2008243406中公開了一種有機(jī)薄膜電致發(fā)光器件制備方法，其中，像素界定層(PLD)由兩層組成，第一層(下層)由無(wú)機(jī)親性材料(親性材料對(duì)有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液有吸引性)組成，第二層(上層)由有機(jī)疏性材料(疏性材料對(duì)有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液有排斥性)組成，采用兩層浸潤(rùn)性不同的材料組成的像素界定層，能夠使有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液精準(zhǔn)地噴墨打印和形成厚度均一的有機(jī)電致發(fā)光材料薄膜；在制備像素界定層時(shí)需要先做無(wú)機(jī)親性材料層，在無(wú)機(jī)親性液材料層上制備有機(jī)疏性材料層，再將兩層材料通過(guò)構(gòu)圖工藝制成像素界定層。同樣，在歐洲專利EP0989778A1公開了在基底上形成兩層結(jié)構(gòu)的像素界定層的方法，通過(guò)使用等離子體共同處理，使之第一層(下層)具有高表面能(親性材料)，第二層(上層)具有低表面能(疏性材料)，也能滿足精確地噴墨打印和薄膜均一性的需求。

發(fā)明人發(fā)現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)中至少存在如下問(wèn)題：兩層結(jié)構(gòu)的像素界定層制備要通過(guò)兩步完成制備，步驟繁瑣，需要投入不同的設(shè)備，尤其是涉及到親性材料，特別是無(wú)機(jī)親性材料時(shí)要用到等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)，設(shè)備昂貴。此外，由于有機(jī)無(wú)機(jī)材料之間存在界面問(wèn)題，易發(fā)生分層。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提供一種制備工藝簡(jiǎn)單的像素限定層及其制備方法、有機(jī)電致反光二極管基板及其制備方法。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種像素限定層的制備方法，包括如下步驟：

在基底上，形成第一膜層，以及通過(guò)噴墨打印的方式形成網(wǎng)格狀的第二膜層，且所述第一膜層位于第二膜層上；

去除與所述網(wǎng)格狀的第二膜層的鏤空位置對(duì)應(yīng)的所述第一膜層，并裸露出所述鏤空位置處的所述第二膜層的側(cè)邊，以形成包括像素限定層的圖形。

優(yōu)選的是，所述在基底上，形成第一膜層，以及通過(guò)噴墨打印的方式形成網(wǎng)格狀的第二膜層，且所述第一膜層位于第二膜層上的步驟，具體包括：

在基底上形成第一膜層；

在完成上述步驟的基底上形成，通過(guò)噴墨打印的方式形成網(wǎng)格狀的第二膜層，且所述第二膜層下沉至所述第一膜層與所述基底之間。

優(yōu)選的是，所述去除與所述網(wǎng)格狀的第二膜層的鏤空位置對(duì)應(yīng)的第一膜層，并裸露出所述鏤空位置處的第二膜層的側(cè)邊，以形成包括像素限定層的圖形的步驟，具體包括：

對(duì)所述第一膜層和第二膜層進(jìn)行前烘，之后進(jìn)行曝光、顯影去除與所述網(wǎng)格狀的第二膜層的鏤空位置對(duì)應(yīng)的第一膜層，并裸露出所述鏤空位置處的第二膜層的側(cè)邊，最后采用后烘、退火工藝形成像素限定層的圖形。

優(yōu)選的是，所述第一膜層為有機(jī)膜層。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述有機(jī)膜層包括聚酰亞胺、PMMA光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、有機(jī)硅光刻膠中的任意一種。

優(yōu)選的是，所述第二膜層為無(wú)機(jī)膜層。

進(jìn)一步優(yōu)選的是，所述無(wú)機(jī)膜層包括二氧化硅水溶液體系或者二氧化硅醇溶液體系。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種像素限定層，其采用上述的方法制備。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種有機(jī)電致發(fā)光二極管基板的制備方法，其包括上述的像素限定層的制備方法。

解決本發(fā)明技術(shù)問(wèn)題所采用的技術(shù)方案是一種有機(jī)電致發(fā)光二極管基板，其采用上述方法制備。

本發(fā)明具有如下有益效果：

在本發(fā)明的像素限定層的制備方法中，通過(guò)噴墨打印的方式直接形成位于第一膜層下方的、網(wǎng)格狀的第二膜層，去除與網(wǎng)格狀的第二膜層的鏤空位置對(duì)應(yīng)的第一膜層，以形成包括像素限定層，也即僅通過(guò)一次構(gòu)圖工藝就可以形成像素限定層的圖形，從而簡(jiǎn)化了像素限定層的制備工藝，可以提高產(chǎn)能。

附圖說(shuō)明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例1的像素限定層的制備方法的結(jié)構(gòu)流程圖；

圖2為圖1中步驟二所形成的圖形俯視圖；

圖3為本發(fā)明實(shí)施例1的像素限定層的制備方法的流程圖。

其中附圖標(biāo)記為：10、基底；20、像素限定層；1、第一膜層；2、第二膜層；Q、鏤空位置。

具體實(shí)施方式

為使本領(lǐng)域技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)描述。

實(shí)施例1：

本實(shí)施例提供一種像素限定層的制備方法，其包括如下步驟：

在基底上，形成第一膜層，以及通過(guò)噴墨打印的方式形成網(wǎng)格狀的第二膜層，且所述第一膜層位于第二膜層上；

去除與網(wǎng)格狀的第二膜層的鏤空位置對(duì)應(yīng)的第一膜層，并裸露出所述鏤空位置處的第二膜層的側(cè)邊，以形成包括像素限定層的圖形。

在本實(shí)施例的像素限定層的制備方法中，通過(guò)噴墨打印的方式直接形成位于第一膜層下方的、網(wǎng)格狀的第二膜層，去除與網(wǎng)格狀的第二膜層的鏤空位置對(duì)應(yīng)的第一膜層，以形成包括像素限定層，也即僅通過(guò)一次構(gòu)圖工藝就可以形成像素限定層的圖形，從而簡(jiǎn)化了像素限定層的制備工藝，可以提高產(chǎn)能。

在此需要說(shuō)明的是，上述的“去除與網(wǎng)格狀的第二膜層的鏤空位置對(duì)應(yīng)的第一膜層，裸露出所述鏤空位置處的第二膜層的側(cè)邊”，此時(shí)并未對(duì)網(wǎng)格狀的第二膜層進(jìn)行刻蝕，也就是說(shuō)所去除的第一膜層的圖案與網(wǎng)格狀的第二膜層的鏤空位置在基底上的正投影的完全重合的。

還需要說(shuō)明的是，上述制備方法中并未對(duì)第一膜層和第二膜層的形成順序進(jìn)行限定，只要是能夠?qū)⒕W(wǎng)格狀的第二膜層形成于第一膜層之下即可。

結(jié)合圖1-3所示，以下，提供一種優(yōu)選的制備像素限定層的方法，該制備方法的步驟如下：

步驟一、在基底10上形成第一膜層1。

該步驟具體可以包括：在基底10上，通過(guò)噴墨打印、旋涂、slit coating等工藝在基底10上涂覆第一膜層1。

其中，第一膜層1的材料采用有機(jī)材料，優(yōu)選的可以為聚酰亞胺、PMMA光刻膠、聚酰亞胺光刻膠、有機(jī)硅光刻膠中的任意一種。

步驟二、在完成上述步驟的基底10上形成，通過(guò)噴墨打印的方式形成網(wǎng)格狀的第二膜層2，且所述第二膜層2下沉至所述第一膜層1與所述基底10之間。

其中，第二膜層2的材料為無(wú)機(jī)材料，優(yōu)選的為二氧化硅水溶液體系或者二氧化硅醇溶液體系。此時(shí)，在噴墨打印形成第二膜層2時(shí)，第二膜層2由于采用無(wú)機(jī)材料，而第一膜層1為有機(jī)材料，二者極性不同，故不相容，此時(shí)無(wú)機(jī)材料的第二膜層2則可以在重力的作用下，沉將降到第一膜層1的底部。

步驟三、去除與所述網(wǎng)格狀的第二膜層2的鏤空位置Q對(duì)應(yīng)的第一膜層1，并裸露出所述鏤空位置Q處的第二膜層2的側(cè)邊，以形成包括像素限定層20的圖形。

該步驟具體可以包括：對(duì)所述第一膜層1和第二膜層2進(jìn)行前烘，之后進(jìn)行曝光、顯影去除與所述網(wǎng)格狀的第二膜層2的鏤空位置Q對(duì)應(yīng)的第一膜層1，并裸露出所述鏤空位置Q處的第二膜層2的側(cè)邊，最后采用后烘、退火工藝形成像素限定層20的圖形。

至此完成的像素限定層20的制備。

以上是以先形成第一膜層1后形成第二膜層2以制備像素限定層20為例進(jìn)行說(shuō)明的，當(dāng)然，也可以先形成網(wǎng)格狀的第二膜層2，之后再形成第一膜層1以制備像素限定層20，二者方法大致相同，在此不再詳細(xì)描述。

在上述的像素限定層20的制備方法的基礎(chǔ)上，相應(yīng)的本實(shí)施例還提供了一種有機(jī)電致發(fā)光二極管基板的制備方法，其包括上述的像素限定層20的制備方法。當(dāng)然，該方法還包括：在形成像素限定層20之前在基底10上通過(guò)形成有機(jī)電致發(fā)光二極管第一極的步驟；在形成像素限定層20之后，形成有機(jī)發(fā)光材料，以及形成第二極的步驟。其中，第一極和第二極中的一者為陽(yáng)極，另一者為陰極。

其中，像素限定層20中的第一膜層1(上層)為有機(jī)疏性材料，第二膜層2(下層)為無(wú)機(jī)親性材料。親性材料對(duì)有機(jī)發(fā)光材料的溶液有吸引性，疏性材料對(duì)有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液有排斥性采用兩層浸潤(rùn)性不同的材料組成的像素界定層，能夠使有機(jī)電致發(fā)光材料的溶液精準(zhǔn)地噴墨打印和形成厚度均一的有機(jī)發(fā)光材料薄膜。

相應(yīng)的，本實(shí)施例中還提供有上述方法制備的像素限定層20和有機(jī)電致發(fā)光二極管基板。

可以理解的是，以上實(shí)施方式僅僅是為了說(shuō)明本發(fā)明的原理而采用的示例性實(shí)施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對(duì)于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實(shí)質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進(jìn)，這些變型和改進(jìn)也視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。