技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及連續(xù)等離子體中的原子層蝕刻?；谕ㄟ^(guò)評(píng)估待蝕刻材料和用于蝕刻材料的化學(xué)物質(zhì)確定的去除能量閾值使用自限制反應(yīng)來(lái)蝕刻襯底的方法和裝置涉及連續(xù)等離子體的流動(dòng)。工藝條件允許受控的自限制各向異性蝕刻，而不在用于蝕刻襯底上的材料的化學(xué)物質(zhì)之間交替。良好控制的蝕刻前沿允許反應(yīng)性自由基和惰性離子的協(xié)同效應(yīng)以執(zhí)行蝕刻，使得當(dāng)襯底被反應(yīng)性自由基改變并且被惰性離子移除時(shí)蝕刻材料，而當(dāng)材料被反應(yīng)性自由基改變但不存在惰性離子時(shí)或當(dāng)存在惰性離子但材料沒(méi)有被反應(yīng)性自由基改變時(shí)不蝕刻材料。

技術(shù)研發(fā)人員：譚忠魁;張依婷;吳垠;徐晴;符謙;山口葉子;崔麟
受保護(hù)的技術(shù)使用者：朗姆研究公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.06
技術(shù)公布日：2017.08.15