技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體生長工藝，包括在硅襯底上生長氮化層，選擇大于標(biāo)準(zhǔn)厚度的硅襯底進(jìn)行氮化層的生長，對生長完氮化層的硅襯底減薄至標(biāo)準(zhǔn)厚度。本發(fā)明采用大于標(biāo)準(zhǔn)厚度的硅片用于氮化鎵材料的生長，生長過程中會形成較小的翹曲（<200?km?1），從而減少滑移線的產(chǎn)生，大大提高了產(chǎn)品的質(zhì)量。

技術(shù)研發(fā)人員：夏遠(yuǎn)洋;苗操;李亦衡;朱廷剛;嚴(yán)文勝
受保護(hù)的技術(shù)使用者：江蘇能華微電子科技發(fā)展有限公司
文檔號碼：201710073037
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.10
技術(shù)公布日：2017.06.30