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具有斷裂探測(cè)的半導(dǎo)體芯片的制作方法

文檔序號(hào):11521920閱讀:來(lái)源:國(guó)知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及具有斷裂探測(cè)的半導(dǎo)體芯片。半導(dǎo)體芯片(100)包括:襯底(101)、集成電路(102)、襯底(101)的凹部(110)、印制導(dǎo)線(121)、以及在凹部(110)和印制導(dǎo)線(121)之間的交叉部(111)。這樣能夠?qū)崿F(xiàn)試驗(yàn)信號(hào)的探測(cè),該試驗(yàn)信號(hào)被饋送到印制導(dǎo)線(121)中。在不同的示例中可以探測(cè)襯底(101)在凹部(110)的區(qū)域中的斷裂。

技術(shù)研發(fā)人員:D.哈默施密特;F.拉斯博尼希;W.沙伊本朱伯;H-J.瓦格納;T.策特勒
受保護(hù)的技術(shù)使用者:英飛凌科技股份有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.02.10
技術(shù)公布日:2017.08.18
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