技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供了一種碳化硅半導(dǎo)體器件，可應(yīng)用于高壓領(lǐng)域，由多個(gè)元胞并聯(lián)形成，各元胞結(jié)構(gòu)包括：p+襯底；外延層，位于所述襯底之上；兩個(gè)離子注入的n勢(shì)壘區(qū)，分別疊置于所述外延層上兩側(cè)；兩個(gè)離子注入的p+屏蔽區(qū)，分別疊置在各所述n勢(shì)壘區(qū)之上；兩個(gè)p+基區(qū)，分別與各所述p+屏蔽區(qū)相鄰；兩個(gè)n+源區(qū)，分別疊置在各所述p+基區(qū)之上，且與所述p+基區(qū)相鄰；集電極層，位于所述襯底之下；兩個(gè)發(fā)射極，分別位于各所述p+基區(qū)和各n+源區(qū)之上；柵氧化層，位于所述兩個(gè)n+源區(qū)之上；柵電極，位于所述柵氧化層之上。此外，本發(fā)明還提供了一種碳化硅半導(dǎo)體器件的制備方法，通過(guò)離子注入，在器件內(nèi)部形成空穴勢(shì)壘，提高發(fā)射極注入比，大幅提高器件導(dǎo)通性能。

技術(shù)研發(fā)人員：溫正欣;張峰;申占偉;田麗欣;閆果果;趙萬(wàn)順;王雷;劉興昉;孫國(guó)勝;曾一平
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所
文檔號(hào)碼：201710076020
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.10
技術(shù)公布日：2017.06.20