技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種抗電磁干擾的黑磷烯基阻變存儲(chǔ)器及其制備方法，該黑磷烯基阻變存儲(chǔ)器從下至上依次包括襯底、Ti3C2ene薄膜底電極層、黑磷烯薄膜阻變功能層、Ti3C2ene薄膜頂電極層和披覆層，具體制備方法為：清洗襯底，在基底材料上轉(zhuǎn)移Ti3C2ene薄膜材料底電極層，然后覆蓋黑磷烯薄膜阻變功能層，再轉(zhuǎn)移Ti3C2ene薄膜材料，利用光刻膠的光學(xué)曝光和顯影處理獲得頂電極圖形，經(jīng)感應(yīng)耦合等離子體刻蝕得到Ti3C2ene薄膜頂電極層，得到存儲(chǔ)器單元；最后光刻膠的光學(xué)曝光、顯影和剝離形成披覆層圖形，使用原子層沉積技術(shù)在光刻膠層上沉積披覆層，得到抗電磁干擾的黑磷烯基阻變存儲(chǔ)器。

技術(shù)研發(fā)人員：王海燕
受保護(hù)的技術(shù)使用者：東莞市佳乾新材料科技有限公司
文檔號(hào)碼：201710076169
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.13
技術(shù)公布日：2017.06.23