技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明的目的是提供能夠提高二極管電阻且實(shí)現(xiàn)窄邊框化的非線性元件及陣列基板。本發(fā)明所涉及的非線性元件的特征是，具有：第1絕緣膜(5)，其形成為將遮光體(30)覆蓋；氧化物半導(dǎo)體膜(31)，其形成于第1絕緣膜之上，俯視觀察時與遮光體重疊；源極電極(7)及漏極電極(10)，它們形成為在氧化物半導(dǎo)體膜之上具有彼此分離的分離部分；第2絕緣膜(11)，其形成為將氧化物半導(dǎo)體膜、源極電極以及漏極電極覆蓋；以及第1背電極(24)，其形成于第3絕緣膜(12)之上，經(jīng)由第1接觸孔(13)與源極配線(9)連接，第1背電極(24)形成為，俯視觀察時與源極電極(7)和氧化物半導(dǎo)體膜(31)之上的分離部分的一部分重疊。

技術(shù)研發(fā)人員：小田耕治
受保護(hù)的技術(shù)使用者：三菱電機(jī)株式會社
技術(shù)研發(fā)日：2017.02.17
技術(shù)公布日：2017.08.29